JPS5899221A - サ−ジ吸収器 - Google Patents
サ−ジ吸収器Info
- Publication number
- JPS5899221A JPS5899221A JP56186284A JP18628481A JPS5899221A JP S5899221 A JPS5899221 A JP S5899221A JP 56186284 A JP56186284 A JP 56186284A JP 18628481 A JP18628481 A JP 18628481A JP S5899221 A JPS5899221 A JP S5899221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- voltage
- varistor
- porcelain tube
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として電源線あるいは信号線系統（特に電話
信号線）などに用いられるサージ吸収器に関するもので
ある。
信号線）などに用いられるサージ吸収器に関するもので
ある。
近年、電子機器の半導体化、工０化ならびに回路電圧の
低電圧化にともない、これらの電子機器は電源線あるい
は信号線を介して侵入してくるサージ電圧、ならびに機
器フレーム等に発生する静電気放電に対して極めて敏感
になり、これらの侵入時ならびに放電時においては、電
子機器の機能停止あるいは誤動作を引きおこす場合も多
くなりてきている。
低電圧化にともない、これらの電子機器は電源線あるい
は信号線を介して侵入してくるサージ電圧、ならびに機
器フレーム等に発生する静電気放電に対して極めて敏感
になり、これらの侵入時ならびに放電時においては、電
子機器の機能停止あるいは誤動作を引きおこす場合も多
くなりてきている。
こｎらのサージ電圧あるいは静電気放電の保護対策とし
て、第１図に示されたようなギャップを用いたサージア
レスタが数多く用いらｎている。
て、第１図に示されたようなギャップを用いたサージア
レスタが数多く用いらｎている。
第１図の１は円筒形をなし、アルミナ等で代表される磁
器管であり、２．ゴは凸形円板電極で凸部２ａ、２ａを
対向させた形で前記磁器管１をはさみ込んでいる。３は
前記磁器管１−と電Ｗ ２ 、２．’のロウ付は部分で
あり、通常、磁器管１の端面をメッキ処理の上にロウ付
けを行ない磁器管１の内部を完全に密封している。４は
、磁器管１と電極２゜ｉによりて形成された内部密封部
で、通常窒素等の希ガスが封入しである。
器管であり、２．ゴは凸形円板電極で凸部２ａ、２ａを
対向させた形で前記磁器管１をはさみ込んでいる。３は
前記磁器管１−と電Ｗ ２ 、２．’のロウ付は部分で
あり、通常、磁器管１の端面をメッキ処理の上にロウ付
けを行ない磁器管１の内部を完全に密封している。４は
、磁器管１と電極２゜ｉによりて形成された内部密封部
で、通常窒素等の希ガスが封入しである。
通常、被保機機器の電圧は電極２〜２′間に加えられて
いるが、電極２〜２′のそれぞれの凸部２ａ。
いるが、電極２〜２′のそれぞれの凸部２ａ。
２１′間の放電開始電圧はそれよりも高く設定している
ため、通常はこのサージアレスタは単に絶縁物として動
悸する０しかしながら、印加電圧がす３・ − ・・ジ電圧のように前記放電開始電圧を超えれば、［″
・・部密封部４にて放電を生じ、サージ電圧を抑制−″
、ろ１１１．又、このサージアレスタはその動作からも
１！ｆ４１’）かなように大きなサージ耐量を有する。
ため、通常はこのサージアレスタは単に絶縁物として動
悸する０しかしながら、印加電圧がす３・ − ・・ジ電圧のように前記放電開始電圧を超えれば、［″
・・部密封部４にて放電を生じ、サージ電圧を抑制−″
、ろ１１１．又、このサージアレスタはその動作からも
１！ｆ４１’）かなように大きなサージ耐量を有する。
しか１８．なから、この種のサージアレスタは、サージ
電Ｈニーｐご対して放電応答が遅いとか、放電開始電圧
が大きくバラツクなどの問題点があり、半導体を用いた
精密電子機器の保護には十分でなかりた０本発明は以上
のような従来の問題をほとんど形状を変えることなく解
決したサージ吸収器を提供するものであり、特にサージ
エネルギーの低いものや高いものが混在する適用分野に
有効にその保護特性を呈するものである。
電Ｈニーｐご対して放電応答が遅いとか、放電開始電圧
が大きくバラツクなどの問題点があり、半導体を用いた
精密電子機器の保護には十分でなかりた０本発明は以上
のような従来の問題をほとんど形状を変えることなく解
決したサージ吸収器を提供するものであり、特にサージ
エネルギーの低いものや高いものが混在する適用分野に
有効にその保護特性を呈するものである。
上記目的を達成するために本発明は、円筒形磁器管の外
側表面に磁器管の２つの電極を共用したプレーナ形厚膜
バリスタを形成し、サージ−アレスタと厚膜パリス・夕
が電気的に並列接続された構成としたものである。
側表面に磁器管の２つの電極を共用したプレーナ形厚膜
バリスタを形成し、サージ−アレスタと厚膜パリス・夕
が電気的に並列接続された構成としたものである。
以下、本発明の実施例を図面第２図〜第６図により説明
する。
する。
特開昭５８−９９２２１＜２）
まず第２図の本発明に係る一実施例全説明する０磁器管
１．電極２．２’、ロウ付は部分３ならびに内部密封部
４は従来例の構造と同様である。６は磁器管１の外側表
面で電極２〜２′間に形成されたプレーナ形厚膜バリス
タであり、との厚膜バリスタ６は磁器管１の外側表面の
一部もしくは全表面に形成され°Ｃいる。この厚膜バリ
スタ６は一般には、ホウ硅酸鉛などのガラス粉と酸化亜
鉛の粉とを混合したものを所定の位置に６００〜８００
°Ｃで焼き付けたものであり、そのバリスタ電圧は、電
極２〜２′間の距離に比例し、一般には１００〜２０．
０００ Ｖの対応が可能である。また、電圧非直線指数
も２０に４０と比較的高く、通常電圧における漏れ電流
も無視でき、さらに静電容量もギャップと変わらない程
度の低いレベルである。しかしながら、エネルギー耐量
は２ ＠Ｊ／ａ２程度と比較的低い。
１．電極２．２’、ロウ付は部分３ならびに内部密封部
４は従来例の構造と同様である。６は磁器管１の外側表
面で電極２〜２′間に形成されたプレーナ形厚膜バリス
タであり、との厚膜バリスタ６は磁器管１の外側表面の
一部もしくは全表面に形成され°Ｃいる。この厚膜バリ
スタ６は一般には、ホウ硅酸鉛などのガラス粉と酸化亜
鉛の粉とを混合したものを所定の位置に６００〜８００
°Ｃで焼き付けたものであり、そのバリスタ電圧は、電
極２〜２′間の距離に比例し、一般には１００〜２０．
０００ Ｖの対応が可能である。また、電圧非直線指数
も２０に４０と比較的高く、通常電圧における漏れ電流
も無視でき、さらに静電容量もギャップと変わらない程
度の低いレベルである。しかしながら、エネルギー耐量
は２ ＠Ｊ／ａ２程度と比較的低い。
このように構成されたものの電慨的等価回路を第３図に
示す。６，６′は電ＩＦＭ２１２’に相当する端子であ
り、７は厚膜バリスタ６によって形成されたバリスタ、
８は内部密封部４によりて形成されたギャップであり、
バリスタ７とギャップ８は電気的に並列に接続されてい
る。今、このサージ吸収器の端子６〜６′間に異常高電
圧が印加された場合、まずバリスタ７のみが動作し、バ
リスタ７に電流が流れはじめその流入電流によってバリ
スタ７の両端の電圧（制限電圧）は第４図の電圧〜電流
特性図の６イ”のように上昇しはじめる。
示す。６，６′は電ＩＦＭ２１２’に相当する端子であ
り、７は厚膜バリスタ６によって形成されたバリスタ、
８は内部密封部４によりて形成されたギャップであり、
バリスタ７とギャップ８は電気的に並列に接続されてい
る。今、このサージ吸収器の端子６〜６′間に異常高電
圧が印加された場合、まずバリスタ７のみが動作し、バ
リスタ７に電流が流れはじめその流入電流によってバリ
スタ７の両端の電圧（制限電圧）は第４図の電圧〜電流
特性図の６イ”のように上昇しはじめる。
この時ギャップ８の放電開始電圧ｖｏはある所定の高い
電圧に設定しているために動作しない。しかしながら、
バリスタ７への流入電流がＩｏに達すればバリスタ７の
制限電圧はギャップ８の放電開始電圧ｖｏに達し、放電
を開始する。ただし、バリスタ７のサージ耐量はＸ０以
上とする。
電圧に設定しているために動作しない。しかしながら、
バリスタ７への流入電流がＩｏに達すればバリスタ７の
制限電圧はギャップ８の放電開始電圧ｖｏに達し、放電
を開始する。ただし、バリスタ７のサージ耐量はＸ０以
上とする。
ギャップ８が放電すれば、端子間電圧はギャップ８のア
ーク電圧のみとなり急激に低下し、口”の曲線となり、
もはやバリスタ７には電流は流れ込まない。換言すれば
Ｉｏ以下の電流をもった異常高電圧（これが静電気散゛
電に相当する）に対してはバリスタ７のみが動作し、１
０以上の電流をもった異常高電圧（これがサージ電圧に
相当する）に対しては、ギャップ８のみが動作し、それ
ぞれの対象によりて動作分担を行なりている。
ーク電圧のみとなり急激に低下し、口”の曲線となり、
もはやバリスタ７には電流は流れ込まない。換言すれば
Ｉｏ以下の電流をもった異常高電圧（これが静電気散゛
電に相当する）に対してはバリスタ７のみが動作し、１
０以上の電流をもった異常高電圧（これがサージ電圧に
相当する）に対しては、ギャップ８のみが動作し、それ
ぞれの対象によりて動作分担を行なりている。
以上のような構成をもち、ｖｏならびにＩｏの最適値を
設定することによって、静電気放電に対しても、放電遅
れがなく、またサージ電圧に対しても十分なサージ耐量
を有するサージ吸収器を提供することができる。なお、
第１の実施例では電極２゜〆にリード線を取り付けてい
ないが、これらを付与していても動作は同様である。
設定することによって、静電気放電に対しても、放電遅
れがなく、またサージ電圧に対しても十分なサージ耐量
を有するサージ吸収器を提供することができる。なお、
第１の実施例では電極２゜〆にリード線を取り付けてい
ないが、これらを付与していても動作は同様である。
第６図に第２の実施例を示した。９は銀などの焼付電極
でロウ付は部３にその一方は接続されている。また、１
０は電極９〜ヴ間に形成された厚膜バリスタである。
でロウ付は部３にその一方は接続されている。また、１
０は電極９〜ヴ間に形成された厚膜バリスタである。
以上のように本発明のサージ吸収器は磁器管の外側表面
に厚膜バリスタを形成し、ギャップと並列接続となるよ
うに構成することによりて下記の効果が得られる。
に厚膜バリスタを形成し、ギャップと並列接続となるよ
うに構成することによりて下記の効果が得られる。
（ａ） １個の保護素子で静電気放電対策ならびにサ
ージ電圧対策が可能になシ、特にこれらの異常７ ｌ′
−’ 高電圧が混在する適用場所には有利である。
ージ電圧対策が可能になシ、特にこれらの異常７ ｌ′
−’ 高電圧が混在する適用場所には有利である。
伽）従来のギャップ式サージアレスタとほとんど形状を
変えることなく（ａ）の効果が得られる。
変えることなく（ａ）の効果が得られる。
（Ｃ） ギャップ放電の厚膜バリスタへの電気的、熱
的影響が無視できる。
的影響が無視できる。
第１図は従来のギャップ式サージアレスタの断面図、第
２図は本発明のサージ吸収器の一実施例を示す断面図、
第３図は同電気的等価回路図、第４図は同電圧〜電流特
性図、第６図は本発明のサージ吸収器の第２の実施例の
断面図である。 １・・・・・・円筒形磁器管、２，２′・・・・・・電
極、２１Ｌ。 ２ＩＩ′・・・・・・凸部、３・・・・・・ロウ付は部
、４・・・・・・内部密封部、５，１０・・・・・・厚
膜バリスタ。
２図は本発明のサージ吸収器の一実施例を示す断面図、
第３図は同電気的等価回路図、第４図は同電圧〜電流特
性図、第６図は本発明のサージ吸収器の第２の実施例の
断面図である。 １・・・・・・円筒形磁器管、２，２′・・・・・・電
極、２１Ｌ。 ２ＩＩ′・・・・・・凸部、３・・・・・・ロウ付は部
、４・・・・・・内部密封部、５，１０・・・・・・厚
膜バリスタ。
Claims (1)
- ２つの凸形金属電極によって円筒磁器管の両端を封じ、
その内部に窒素等の希ガスを封入してなるサージアレス
タと、前記円筒形磁器管の外側表面の一部もしくは全部
に前記の２つの電極を共用したプレーナ形厚膜バリスタ
全形成し、前記サージアレスタと前記厚膜バリスタが電
気的に並列接続された構成としてなるサージ吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186284A JPS5899221A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | サ−ジ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186284A JPS5899221A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | サ−ジ吸収器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899221A true JPS5899221A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16185606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186284A Pending JPS5899221A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | サ−ジ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5899221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193002A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | 日本電気株式会社 | 過電圧抑制素子 |
| JPH02114344U (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-13 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53123854A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Shiroyama Seisakusho Kk | Protector circuit |
| JPS5543746U (ja) * | 1978-09-13 | 1980-03-21 |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP56186284A patent/JPS5899221A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53123854A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Shiroyama Seisakusho Kk | Protector circuit |
| JPS5543746U (ja) * | 1978-09-13 | 1980-03-21 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193002A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | 日本電気株式会社 | 過電圧抑制素子 |
| JPH02114344U (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101293400B1 (ko) | 열적 커플링된 금속 산화물 바리스터 과전압 요소 및중합체성 정온도 계수 과전류 요소를 갖는 회로 보호 소자 | |
| US3768058A (en) | Metal oxide varistor with laterally spaced electrodes | |
| JPS60258905A (ja) | 電気装置 | |
| JPS5899221A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS589566B2 (ja) | タソウカトデンアツヨクアツソウチ | |
| JPS5895933A (ja) | サ−ジ吸収素子 | |
| US4161763A (en) | Compact voltage surge arrester device | |
| JP2562045B2 (ja) | サージ吸収装置 | |
| JPS5889035A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH067506B2 (ja) | チップ型サ−ジ吸収素子 | |
| JPH0436559Y2 (ja) | ||
| JPH0419750Y2 (ja) | ||
| JPH0422004B2 (ja) | ||
| JP3536592B2 (ja) | 放電管型サージアブソーバ | |
| JPH0226154Y2 (ja) | ||
| JPS6024655B2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH01276580A (ja) | サージ吸収装置 | |
| JPH0121526Y2 (ja) | ||
| JPH0121527Y2 (ja) | ||
| JPH0355275Y2 (ja) | ||
| JPS60148337A (ja) | 複合形保護素子 | |
| JPS5937683A (ja) | 避雷器 | |
| JPH0717235Y2 (ja) | 過電圧保護素子 | |
| JPS5877203A (ja) | セラミツクバリスタ | |
| JPS62287584A (ja) | 複合型サ−ジ吸収素子 |