JPH067506B2 - チップ型サ−ジ吸収素子 - Google Patents

チップ型サ−ジ吸収素子

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JPH067506B2
JPH067506B2 JP62164878A JP16487887A JPH067506B2 JP H067506 B2 JPH067506 B2 JP H067506B2 JP 62164878 A JP62164878 A JP 62164878A JP 16487887 A JP16487887 A JP 16487887A JP H067506 B2 JPH067506 B2 JP H067506B2
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文男 中島
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電圧非直線抵抗体と放電間隙との並列接続構
造を有するサージ吸収素子に係り、特に、回路基板への
実装に好適な形状としたチップ型サージ吸収素子に関す
る。
[従来の技術] 近年、電子機器の小型化により、その構成電子部品も、
回路基板へ直接組み込み可能な、チップ化された小型の
ものが広く用いられるようになり、これに伴って電子部
品の耐電圧が低下する傾向にある。
そこで、上記耐電圧の低下した電子部品を過渡的な異常
電圧や誘導雷等のサージから保護するため、電圧非直線
抵抗体よりなるバリスタや気密外囲器中に封入した放電
間隙の放電現象を利用するアレスタ等のサージ吸収素子
が広く用いられるようになってきており、本出願人も電
圧非直線抵抗体と放電間隙との並列接続構造を有するサ
ージ吸収素子を提案(特開昭59−157981、実開
昭60−32783等)している。
上記本出願人の提案によるサージ吸収素子11は、第2
図に示す如く、電圧非直線抵抗体6の両端に、放電間隙
10を隔てて相対向させて一対の放電電極5,5を接続
し、これを放電ガスと共に気密外囲器9中に封入してリ
ード線12,12を導出した構造を有している。上述の
構成としたサージ吸収素子11に、上記素子のクリップ
電圧以上の電圧を有するサージが印加されると、まずバ
リスタ動作によって直ちに電圧非直線抵抗体6を通じて
電流が流れてサージ吸収が開始され、上記抵抗体6の抵
抗値とサージ電流値との積による電圧降下が上記抵抗体
6の両端間に生じる。電流量が増加するのに伴ってこの
電圧降下も増大し、これが上記放電間隙10の放電開始
電圧を越えると、瞬時に放電電極5,5間にグロー放電
が、さらには、大電流を通ずるアーク放電が生成し、こ
のアレスタ動作によってサージが吸収される。このよう
に、上記サージ吸収素子11は、バリスタの速応性とア
レスタの大電流耐量性とを合わせもつ優れたサージ吸収
特性を有するものである。
[発明が解決しようとする問題点] ところが、上記サージ吸収素子は、通常その外囲器がガ
ラス管やセラミック管等より形成されていることから円
柱形状を有し、また、上記サージ吸収素子の回路基板へ
の接続は、リード線をハンダ付する等して行っているた
め、上記サージ吸収素子を回路基板へ実装するに際して
は、位置決め等、その取り扱いが煩雑で接続作業に手間
がかかり、また、リード線接続のため比較的広いスペー
スを要するという問題がある。
本発明は上述の点に鑑み案出されたもので、電圧非直線
抵抗体と放電間隙との並列接続型サージ吸収素子が有す
る優れたサージ吸収特性を損なうことなく、素子の外形
をリードレスのチップ形状とすることにより、回路基板
への実装が容易で、しかも広い組み込みスペースが不要
なチップ型サージ吸収素子の実現を目的とする。
[問題を解決するための手段] 以上の目的を達成するため、本発明のチップ型サージ吸
収素子は、耐熱性絶縁物よりなり、少なくとも下面が略
平坦な気密外囲器の両端部に、一対の外部電極を形成
し、各外部電極の接続電極部を上記気密外囲器内に延設
し、該気密外囲器内において、一対の放電電極を所定の
放電間隙を隔てて対向配置し、各放電電極を上記外部電
極の各接続電極部に接続すると共に、上記気密外囲器の
内壁面に電圧非直線抵抗体を層状に被着させ、該電圧非
直線抵抗体を両端を上記外部電極の各接続電極部に接続
し、もって電圧非直線抵抗体と放電間隙との並列接続構
造を形成し、上記電圧非直線抵抗体の表面に保護層によ
って被覆した構成を有するものである。
[作用] 本発明は、上述の如き構成であるので、上記素子を回路
基板へ載置すれば、気密外囲器の平坦な下面によって容
易に位置が定まり、さらにハンダディップ等により、外
部電極が上記基板のパターンと接続される。
[実施例] 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るチップ型サージ吸収
素子の分解斜視図である。図においてチップ型サージ吸
収素子1は、下面が平坦で上面が開口された箱状ケース
2に、その両端部を覆うように外部電極3,3を形成す
ると共に、この外部電極3,3から上記ケース2内へ接
続電極部4,4を延設し、当該接続電極部4,4に一対
の放電電極5,5及び電圧非直線抵抗体6を接続してい
る。
さらに、上記ケース2内にNe,He,Ar等の希ガス
や窒素ガス等の不活性ガスを主体とした放電ガスを充填
し、その開口部を平板状の蓋7で塞ぎ、該蓋7の下面周
縁部に被着させたフリットガラス等のシール材8で封着
して直方体形状の気密外囲器9を形成している。この状
態で、上記放電電極5,5間に形成される放電間隙10
と上記電圧非直線抵抗体6とは、並列接続されて気密外
囲器9内に封入される。
上記気密外囲器9は、セラミック等の耐熱性絶縁物より
なり、ケース2上端の外部電極3,3が形成されていな
い部分に蓋7の厚さと略等しい深さの切欠部2aが形成
されており、この切欠部2a内に上記蓋7を落とし込む
ことによって気密外囲器9の上面を平坦な状態としてい
る。このため上記気密外囲器9の上面及び下面の両面を
回路基板への当接面として利用できる。
上記外部電極3,3は、例えばMo−Mnペーストを焼
成前のケース2表面に被着させ、セラミックの焼成と共
に焼き付けてメタライズ形成したり、あるいは、焼成さ
れたケース2の表面にAgやAg−Pdペーストを被着
焼成して層状に形成したものである。また、図示は省略
するが、上記層状に被着した外部電極3,3上に、さら
に該電極3,3を覆うように、あるいは上面、下面及び
端面を覆うように金属キャップを接続して外部電極3,
3を構成した場合には、回路基板へのハンダ付性が向上
するものである。
また、上記放電電極5,5は、放電特性及び加工性が良
好な材料、例えばNiやFeあるいはこれらの合金等よ
りなり、必要によりその表面にBaOやLaB等のエ
ミッタ層を形成したもので、ケース2底面の中心線上に
配置されている。
さらに、上記電圧非直線抵抗体6は、ZnOやBaTi
等の金属酸化物を主体としたバリスタ材料をペース
ト状とし、これをスクリーン印刷や転写等の手段によっ
てケース2の内壁面に層状に被着して焼成したものであ
り、その表面をビスマスガラス等よりなる保護層(図示
省略)で覆って還元の防止等を図っている。
尚、上記電圧非直線抵抗体6は、サージの初期部分を吸
収するだけであるので、その断面積は小さくてもかまわ
ず、静電容量を小さなものとできる。
[発明の効果] 以上詳述の如く、本発明のチップ型サージ吸収素子は、
電圧非直線抵抗体と放電間隙とが並列接続された状態で
封入されている気密外囲器の、少なくとも下面が平坦と
なされ、その両端部に外部電極が形成されているので、
外囲器下面を回路基板へ当接させて外部電極を接続する
ことができ、接続スペースが小さくて済むと共に、実装
作業が容易なものとなる。
また、気密外囲器が耐熱性絶縁物で形成されているの
で、回路基板への接続の際にハンダ付けを行っても、電
圧非直線抵抗体が熱劣化することがない。
さらに、外部電極の接続電極部を介して電圧非直線抵
抗体と放電間隙との並列接続構造が実現されており、電
圧非直線抵抗体に放電電極を直接接続していない、電
圧非直線抵抗体が気密外囲器の内壁面に層状に被着され
るため、放電電極との距離に比較的に確保しやすい、
電圧非直線抵抗体の表面に保護層が被覆されている、以
上の理由により、放電時における放電電極のスパッタに
よって電圧非直線抵抗体の特性が劣化することを有効に
回避することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す分解斜視図、第2図は
従来例の断面図である。 1・・・チップ型サージ吸収素子、3,3・・・外部電
極、4,4・・・接続電極部、5,5・・・放電電極、
6・・・電圧非直線抵抗体、9・・・気密外囲器、10
・・・放電間隙

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】耐熱性絶縁物よりなり、少なくとも下面が
    略平坦な気密外囲器の両端部に、一対の外部電極を形成
    し、各外部電極の接続電極部を上記気密外囲器内に延設
    し、該気密外囲器内において、一対の放電電極を所定の
    放電間隙を隔てて対向配置し、各放電電極を上記外部電
    極の各接続電極部に接続すると共に、上記気密外囲器の
    内壁面に電圧非直線抵抗体を層状に被着させ、該電圧非
    直線抵抗体を両端を上記外部電極の各接続電極部に接続
    し、もって電圧非直線抵抗体と放電間隙との並列接続構
    造を形成し、上記電圧非直線抵抗体の表面に保護層によ
    って被覆したことを特徴とするチップ型サージ吸収素
    子。
  2. 【請求項2】気密外囲器の形状が、略直方体であること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のチップ型サ
    ージ吸収素子。
  3. 【請求項3】外部電極が、層状電極よりなることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載のチップ
    型サージ吸収素子。
  4. 【請求項4】外部電極が、層状電極と該層状電極上に接
    続された金属キャップよりなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項又は第2項に記載のチップ型サージ吸収
    素子。
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JPH04115792U (ja) * 1991-03-22 1992-10-14 岡谷電機産業株式会社 放電型サージ吸収器
JPH04115793U (ja) * 1991-03-22 1992-10-14 岡谷電機産業株式会社 放電型サージ吸収器
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JPS5830297U (ja) * 1981-08-25 1983-02-26 株式会社村田製作所 チツプ形放電素子
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