JP2000077163A - 表面実装型サージ吸収素子 - Google Patents

表面実装型サージ吸収素子

Info

Publication number
JP2000077163A
JP2000077163A JP10259368A JP25936898A JP2000077163A JP 2000077163 A JP2000077163 A JP 2000077163A JP 10259368 A JP10259368 A JP 10259368A JP 25936898 A JP25936898 A JP 25936898A JP 2000077163 A JP2000077163 A JP 2000077163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
absorbing element
surge absorbing
electrode
auxiliary electrode
internal electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10259368A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yoshida
弘幸 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP10259368A priority Critical patent/JP2000077163A/ja
Publication of JP2000077163A publication Critical patent/JP2000077163A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面実装および製作が容易で、かつ、繰り返
し放電特性にすぐれたサージ吸収素子を提供すること。 【解決手段】 マイクロギャップ6を隔てて対向する内
部電極を有し、マイクロギャップ6および内部電極は絶
縁性セラミックス2に包含され、内部電極は、金属から
なる主電極5、および、ガラスが添加された導電性酸化
物セラミックスからなる補助電極4から構成され、それ
ぞれ同一平面内に形成され、かつ絶縁性セラミックスの
表面に設けられた外部電極3に接続されている表面実装
型サージ吸収素子1。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路や電子部
品を静電気等を、サージから保護するためのサージ吸収
素子に関し、とくにプリント基板への自動実装に有用な
表面実装型サージ吸収素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、サージ吸収素子には、電圧非直線
特性を有する高抵抗体素子からなるバリスタや、微小放
電ギャップを気密容器内に収容した放電アレスタ等が、
広く使用されてきた。
【0003】図2は、従来のマイクロギャップ式のサー
ジ吸収素子の外観を示す図である。図2に示されるよう
に、サージ吸収素子11は、ガラス管16内に気密に封
止され、その両端から25mm前後のリード線15がで
ている。円柱状の碍子表面に形成され、マイクロギャッ
プ14によって分割された導電性被膜12は、主電極1
3を介してリード線15に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロギャッ
プ式のサージ吸収素子11をプリント基板に実装するに
あたっては、リード線15を適切な長さに切断し、曲げ
加工を施し、その後にリード線15をプリント基板の穴
に挿入し、半田付けする必要がある。さらに、これらの
サージ吸収素子11は、円柱状の碍子表面に沿った加工
工程を必要とするため、生産性をあげるための障害とな
っていた。
【0005】本発明の目的は、表面実装および製作が容
易で、かつ、繰り返し放電特性にすぐれたサージ吸収素
子を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による表面実装型
サージ吸収素子は、マイクロギャップを隔てて対向する
内部電極を有し、マイクロギャップおよび内部電極は絶
縁性セラミックスに包含され、内部電極は、金属からな
る主電極、および導電性酸化物セラミックスからなる補
助電極から構成され、主電極および補助電極は、それぞ
れ同一平面内に形成され、かつ絶縁性セラミックスの表
面に設けられた外部電極に接続されていることを特徴と
する。
【0007】また、本発明による表面実装型サージ吸収
素子で、補助電極を構成する導電性酸化物セラミックス
に、導電性酸化物セラミックスの重量の20%以内の範
囲で、ガラスが添加されていることが特徴である。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。
【0009】図1は、本発明の実施の形態による表面実
装型サージ吸収素子を示す図である。図1(a)は斜視
図、図1(b)は横断面図、図1(c)は縦断面図であ
る。
【0010】図1において、絶縁性セラミックス2は、
主成分Na2O・B23・SiO2のガラスを40重量%
添加したステアタイトからなる。補助電極4は、導電性
酸化物セラミックスのひとつであるLa0.7Sr0.3Mn
3を採用し、主成分がCaO・BaO・SiO2で表さ
れるガラスを、それぞれ、0,5,10,15,20重
量%添加して調製し、さらに、主電極5には、Ag−3
0%Pdを用いた。
【0011】これらを、図に示したパターンに基づい
て、順次、スクリーン印刷し、大気雰囲気中において、
温度1050℃で、一体焼成した。スクリーン印刷時に
マイクロギャップ6を形成した樹脂は、焼成過程におい
て焼失し、空間が形成される。
【0012】このようにして作製した焼結体の表面で、
主電極5および補助電極4に導通するように銀ペースト
をもって外部電極3を設けて、表面実装型サージ吸収素
子1が得られる。作製した表面実装型サージ吸収素子1
を用いて、大気雰囲気において1000回以上の繰り返
し放電をおこなった結果、スパッタ等による電極材の堆
積や、大きな損傷がなく、放電開始電圧が変化すること
なく、安定な特性が示された。さらに、本発明による表
面実装型サージ吸収素子1は、図2に示した従来のサー
ジ吸収素子11に比べて、ガラス封止等の加工を必要と
せず、内部電極の断面積が大きく、放電時の熱放散をは
じめ、優れた特性をもつことが明らかになった。
【0013】絶縁性セラミックス、および導電性セラミ
ックスは、それぞれ前述のステアタイト、La0.7Sr
0.3MnO3に限定する必要はなく、それぞれの性質、用
途等に応じて選択することができる。補助電極4に添加
するガラスの割合を変えることによって焼結温度を制御
することができるため、使用する絶縁性セラミックスの
材料選択の自由度が高くなる。さらに、補助電極4にガ
ラスを添加することによって焼結温度を低下させること
が可能となり、補助電極、絶縁性セラミックス、さらに
は主電極との一体焼結が可能となった。
【0014】なお、20重量%を超えて、ガラスを添加
した補助電極材の場合、抵抗が高くなり過ぎて放電しに
くくなり、表面実装型サージ吸収素子1の耐電圧以下で
は放電しないため不適当である。
【0015】本発明において、表面実装型サージ吸収素
子1に、マイクロギャップ6を1箇所に限定する理由は
ない。したがって、対象とするサージに依存して、主電
極および補助電極の形成において、複数箇所にマイクロ
ギャップを設けた表面実装型サージ吸収素子を作製する
ことができる。
【0016】本発明による表面実装型サージ吸収素子1
は、よく駆使され、量産性の高いスクリーン印刷技術等
を利用して作製することができる。また、本発明による
表面実装型サージ吸収素子1では、マイクロギャップ6
を内部に空間として、つまり空間ギャップを形成するこ
とにより、静電容量が小さいことが特徴の一つである。
【0017】外部電極3にサージが印加されると、マイ
クロギャップ6の空間において、まず補助電極4間にト
リガーとなる放電が生じ、次いで主電極5間の主放電に
よってサージが吸収される。本発明による表面実装型サ
ージ吸収素子1では、主放電を、空間ギャップを介し、
かつ、金属の主電極5に負担させるため、スパッタ現象
による導電性酸化物セラミックスの電極材の堆積が少な
く、マイクロギャップ6の短絡が生じにくい。そのた
め、補助電極4の耐久性が向上し、結果として、耐久性
に優れ、放電特性の安定した表面実装型サージ吸収素子
1が実現した。
【0018】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、スクリーン印刷技術等の量産性の高い技術の利用を
通して、表面実装および製作が容易で、かつ、繰り返し
放電特性にすぐれたサージ吸収素子を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による表面実装型サージ吸収素子を示す
図。図1(a)は斜視図。図1(b)は横断面図。図1
(c)は縦断面図。
【図2】従来のサージ吸収素子の外観を示す図。
【符号の説明】
1 表面実装型サージ吸収素子 2 絶縁性セラミックス 3 外部電極 4 補助電極 5 主電極 6 マイクロギャップ 11 従来のマイクロギャップ式サージ吸収素子 12 導電性被膜 13 主電極 14 マイクロギャップ 15 リード線 16 ガラス管

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロギャップを隔てて対向する内部
    電極を有する表面実装型サージ吸収素子において、前記
    マイクロギャップおよび前記内部電極は絶縁性セラミッ
    クスに包含され、前記内部電極は、金属からなる主電
    極、および導電性酸化物セラミックスからなる補助電極
    から構成され、前記主電極および前記補助電極は、それ
    ぞれ同一平面内に形成され、かつ前記絶縁性セラミック
    スの表面に設けられた外部電極に接続されていることを
    特徴とする表面実装型サージ吸収素子。
  2. 【請求項2】 前記補助電極を構成する導電性酸化物セ
    ラミックスには、ガラスが添加されていることを特徴と
    する請求項1記載の表面実装型サージ吸収素子。
  3. 【請求項3】 添加された前記ガラスは、前記導電性酸
    化物セラミックスの重量の20%以内であることを特徴
    とする請求項1または請求項2記載の表面実装型サージ
    吸収素子。
JP10259368A 1998-08-28 1998-08-28 表面実装型サージ吸収素子 Pending JP2000077163A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10259368A JP2000077163A (ja) 1998-08-28 1998-08-28 表面実装型サージ吸収素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10259368A JP2000077163A (ja) 1998-08-28 1998-08-28 表面実装型サージ吸収素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000077163A true JP2000077163A (ja) 2000-03-14

Family

ID=17333155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10259368A Pending JP2000077163A (ja) 1998-08-28 1998-08-28 表面実装型サージ吸収素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000077163A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413719B1 (ko) * 2000-04-18 2003-12-31 빙린 양 표면 장착 서지 흡수기와 서지 흡수기용 표면 장착 캡
JP2007242403A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ
US8238069B2 (en) 2008-02-05 2012-08-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. ESD protection device
EP2437362A3 (en) * 2010-09-29 2014-10-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. ESD protection device and manufacturing method therefor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413719B1 (ko) * 2000-04-18 2003-12-31 빙린 양 표면 장착 서지 흡수기와 서지 흡수기용 표면 장착 캡
JP2007242403A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsubishi Materials Corp サージアブソーバ
US8238069B2 (en) 2008-02-05 2012-08-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. ESD protection device
EP2437362A3 (en) * 2010-09-29 2014-10-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. ESD protection device and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001043954A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JP2001345161A (ja) チップ型サージアブソーバおよびその製造方法
JP3528655B2 (ja) チップ型サージアブソーバ及びその製造方法
JP2000277229A (ja) 表面実装型サージ吸収素子の製造方法
JP2000077163A (ja) 表面実装型サージ吸収素子
JP2001143846A (ja) 表面実装型サージアブソーバおよびその製造方法
JP3303025B2 (ja) チップ型マイクロギャップ式サージアブソーバ
JP2000077162A (ja) 表面実装型サージ吸収素子およびその製造方法
JP2001267037A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JPH11265808A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JP2000353583A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JP3265827B2 (ja) チップ型マイクロギャップ式サージアブソーバ
JPH11354248A (ja) 表面実装型サージ吸収素子
JP2001076840A (ja) 積層チップ型サージ吸収素子
JP3286855B2 (ja) チップ型ptcサーミスタの製造方法
JPH067506B2 (ja) チップ型サ−ジ吸収素子
JP2005251458A (ja) チップ型サージアブソーバ及びその製造方法
JP2001185322A (ja) 表面実装型サージ吸収素子およびその製造方法
JP2001160502A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JPH11354247A (ja) 表面実装型サージ吸収素子
JP4239422B2 (ja) サージアブソーバ
JP7227462B2 (ja) サージ防護素子およびその製造方法
JP2001006840A (ja) サージ吸収素子及びその製造方法
JP2001210445A (ja) チップ型サージ吸収素子およびその製造方法
JPH0883670A (ja) チップ型サージアブソーバ