JP2001006840A - サージ吸収素子及びその製造方法 - Google Patents
サージ吸収素子及びその製造方法Info
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- JP2001006840A JP2001006840A JP11179178A JP17917899A JP2001006840A JP 2001006840 A JP2001006840 A JP 2001006840A JP 11179178 A JP11179178 A JP 11179178A JP 17917899 A JP17917899 A JP 17917899A JP 2001006840 A JP2001006840 A JP 2001006840A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面実装が容易で、さらに製造も容易である
サージ吸収素子を提供すること。 【解決手段】 積層構造の絶縁性セラミックス層８内に
放電空間６を有し、放電空間６を挟んで、少なくとも一
対の放射状に配置された内部電極４を埋設するサージ吸
収素子であって、該内部電極４の少なくとも一対は、両
端の外部電極１と電気的に接続していることを特徴とす
るサージ吸収素子。
サージ吸収素子を提供すること。 【解決手段】 積層構造の絶縁性セラミックス層８内に
放電空間６を有し、放電空間６を挟んで、少なくとも一
対の放射状に配置された内部電極４を埋設するサージ吸
収素子であって、該内部電極４の少なくとも一対は、両
端の外部電極１と電気的に接続していることを特徴とす
るサージ吸収素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器等に使用
されている電子回路や電子部品をサージから保護するた
めのサージ吸収素子で、特にプリント基板への自動実装
の有利な表面実装型のサージ吸収素子及びその製造方法
に関するものである。
されている電子回路や電子部品をサージから保護するた
めのサージ吸収素子で、特にプリント基板への自動実装
の有利な表面実装型のサージ吸収素子及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、通信機器をサージから保護するサ
ージ吸収素子として、電圧非直線特性を有する高抵抗体
素子よりなるバリスタや放電空間を気密容器内に封入し
た放電式サージ吸収素子等が広く利用されてきた。
ージ吸収素子として、電圧非直線特性を有する高抵抗体
素子よりなるバリスタや放電空間を気密容器内に封入し
た放電式サージ吸収素子等が広く利用されてきた。
【０００３】バリスタは、サージ吸収の応答性に優れる
とともに、素子の小型化や表面実装部品に対応した構造
とすることが容易であるという利点を有していたためで
ある。また、放電式サージ吸収素子は、静電容量が小さ
いため、信号系回路にも広く利用できたためであった。
とともに、素子の小型化や表面実装部品に対応した構造
とすることが容易であるという利点を有していたためで
ある。また、放電式サージ吸収素子は、静電容量が小さ
いため、信号系回路にも広く利用できたためであった。
【０００４】しかしながら、従来のバリスタは、静電容
量が大きく、信号系回路に使用しにくいという欠点があ
った。また、従来の放電式サージ吸収素子は、図１０に
示すように、マイクロギャップ７が形成され、補助電極
１４、主電極１３をガラス管１２でガラス封入してリー
ド線１１を引き出す気密構造となっているが、プリント
基板への実装にあたっては、リード線１１の適切な長さ
への切断、曲げ加工、その後のプリント基板の穴へのリ
ード線の挿入、及び半田付け等、多くの工数を必要と
し、表面実装には不向きであった。
量が大きく、信号系回路に使用しにくいという欠点があ
った。また、従来の放電式サージ吸収素子は、図１０に
示すように、マイクロギャップ７が形成され、補助電極
１４、主電極１３をガラス管１２でガラス封入してリー
ド線１１を引き出す気密構造となっているが、プリント
基板への実装にあたっては、リード線１１の適切な長さ
への切断、曲げ加工、その後のプリント基板の穴へのリ
ード線の挿入、及び半田付け等、多くの工数を必要と
し、表面実装には不向きであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
る手段として、表面実装型のサージ吸収素子が提案され
ている。しかし、この表面実装型のサージ吸収素子の製
造においては、マイクロギャップを気密に保つために真
空排気を行ない、キャップで封着する必要がある。さら
に、キャップとマイクロギャップが短絡しないようマイ
クロギャップに絶縁被膜を形成する等、工数がかかり、
生産性があがらないという問題がある。
る手段として、表面実装型のサージ吸収素子が提案され
ている。しかし、この表面実装型のサージ吸収素子の製
造においては、マイクロギャップを気密に保つために真
空排気を行ない、キャップで封着する必要がある。さら
に、キャップとマイクロギャップが短絡しないようマイ
クロギャップに絶縁被膜を形成する等、工数がかかり、
生産性があがらないという問題がある。
【０００６】従って、本発明は、かかる課題を解決すべ
くなされたものであり、表面実装が容易で、かつ、製造
も容易なサージ吸収素子及びその製造方法を提供するこ
とにある。
くなされたものであり、表面実装が容易で、かつ、製造
も容易なサージ吸収素子及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性セラミ
ックス層内に放電空間を有し、該放電空間を挟み、同一
平面上に少なくとも一対の放射状に配置された内部電極
を埋設するサージ吸収素子であって、前記内部電極の少
なくとも一対は、両端の外部電極と電気的に接続してい
るサージ吸収素子である。
ックス層内に放電空間を有し、該放電空間を挟み、同一
平面上に少なくとも一対の放射状に配置された内部電極
を埋設するサージ吸収素子であって、前記内部電極の少
なくとも一対は、両端の外部電極と電気的に接続してい
るサージ吸収素子である。
【０００８】また、本発明は、絶縁性セラミックスをシ
ート状に形成してグリーンシートを得る工程、せん断加
工またはレーザ加工によりグリーンシートに貫通孔を形
成する工程、及び印刷法によりグリーンシートに内部電
極を形成する工程を有し、前記工程で形成したシートを
所定の組合せで積み重ね、圧着後、一体焼結する上記の
サージ吸収素子の製造方法である。
ート状に形成してグリーンシートを得る工程、せん断加
工またはレーザ加工によりグリーンシートに貫通孔を形
成する工程、及び印刷法によりグリーンシートに内部電
極を形成する工程を有し、前記工程で形成したシートを
所定の組合せで積み重ね、圧着後、一体焼結する上記の
サージ吸収素子の製造方法である。
【０００９】本発明のサージ吸収素子において、放電開
始電圧は、放電空間となる孔を挟んで対向して形成され
た対になる内部電極の対数、即ち、ギャップ数を変える
ことにより、調整することができる。また、素子全体の
放電開始電圧は、各々のギャップ（電極間の最短距離）
固有の放電開始電圧のギャップ数倍で求められる。さら
に、放電空間を形成する孔の大きさを変えることによ
り、ギャップ長を容易に調整することが可能なので、素
子の放電開始電圧の調整も容易に行なうことができる。
従って、本発明は、要求される様々な仕様のサージ吸収
素子を容易に作製することが可能である。
始電圧は、放電空間となる孔を挟んで対向して形成され
た対になる内部電極の対数、即ち、ギャップ数を変える
ことにより、調整することができる。また、素子全体の
放電開始電圧は、各々のギャップ（電極間の最短距離）
固有の放電開始電圧のギャップ数倍で求められる。さら
に、放電空間を形成する孔の大きさを変えることによ
り、ギャップ長を容易に調整することが可能なので、素
子の放電開始電圧の調整も容易に行なうことができる。
従って、本発明は、要求される様々な仕様のサージ吸収
素子を容易に作製することが可能である。
【００１０】更に、本発明は、従来からある量産性の高
い製造方法を用いることが可能である。
い製造方法を用いることが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１２】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００１３】本発明の第１の実施の形態にかかるサージ
吸収素子を図１、図２、図３により説明する。図１は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図である。図２は分
解図である。図３（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であ
り、図３（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
吸収素子を図１、図２、図３により説明する。図１は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図である。図２は分
解図である。図３（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であ
り、図３（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【００１４】第１の実施の形態において、上下の絶縁性
セラミックスシート２および内部電極４を有する内部電
極付絶縁性セラミックスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ・
Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２のガラスを４０重量％添加したステ
アタイトを用いた。また、上下の絶縁性セラミックスシ
ート２はグリーンシート法、内部電極４はＡｇ−３０％
Ｐｄを使用し、図２に示したパターンでスクリーン印刷
した。更に、放電空間となる孔５は、せん断加工により
形成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱圧着し
た。その後、酸素雰囲気中において１０００℃で一体焼
成した。外部電極１としてＡｇペーストを６００℃で焼
きつけた。
セラミックスシート２および内部電極４を有する内部電
極付絶縁性セラミックスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ・
Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２のガラスを４０重量％添加したステ
アタイトを用いた。また、上下の絶縁性セラミックスシ
ート２はグリーンシート法、内部電極４はＡｇ−３０％
Ｐｄを使用し、図２に示したパターンでスクリーン印刷
した。更に、放電空間となる孔５は、せん断加工により
形成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱圧着し
た。その後、酸素雰囲気中において１０００℃で一体焼
成した。外部電極１としてＡｇペーストを６００℃で焼
きつけた。
【００１５】また、本実施の形態において、孔５の径
は、約３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３であっ
た。直流放電開始電圧は約９００Ｖであった。また、こ
の素子に静電気発生装置を用いて５００ｐＦ−５００Ω
−１０ｋＶの条件でサージ吸収素子を２０００回測定し
たところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以内にな
り、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
は、約３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３であっ
た。直流放電開始電圧は約９００Ｖであった。また、こ
の素子に静電気発生装置を用いて５００ｐＦ−５００Ω
−１０ｋＶの条件でサージ吸収素子を２０００回測定し
たところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以内にな
り、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
【００１６】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００１７】本発明の第２の実施の形態にかかるサージ
吸収素子を図４、図５、図６により説明する。図４は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図である。図５は、
サージ吸収素子の分解図である。図６（ａ）は、図４の
Ｃ−Ｃ断面図であり、図６（ｂ）は、図４のＤ−Ｄ断面
図である。
吸収素子を図４、図５、図６により説明する。図４は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図である。図５は、
サージ吸収素子の分解図である。図６（ａ）は、図４の
Ｃ−Ｃ断面図であり、図６（ｂ）は、図４のＤ−Ｄ断面
図である。
【００１８】第２の実施の形態において、上下の絶縁性
セラミックスシート２、孔５を有する孔付絶縁性セラミ
ックスシート９、及び内部電極４及び孔５を有する内部
電極付絶縁性セラミックスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ
・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２のガラスを４０重量％添加したス
テアタイトを用いた。また、上下の絶縁性セラミックス
シート２はグリーンシート法、孔付絶縁性セラミックス
シート９は印刷法、内部電極４はＡｇ−３０％Ｐｄを使
用し、図５に示したパターンでスクリーン印刷した。さ
らに、放電空間６（図６参照）となる孔５は、せん断加
工により形成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱
圧着した。その後、酸素雰囲気中において１０００℃で
一体焼成した。また、外部電極１としてＡｇペーストを
６００℃で焼きつけた。
セラミックスシート２、孔５を有する孔付絶縁性セラミ
ックスシート９、及び内部電極４及び孔５を有する内部
電極付絶縁性セラミックスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ
・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２のガラスを４０重量％添加したス
テアタイトを用いた。また、上下の絶縁性セラミックス
シート２はグリーンシート法、孔付絶縁性セラミックス
シート９は印刷法、内部電極４はＡｇ−３０％Ｐｄを使
用し、図５に示したパターンでスクリーン印刷した。さ
らに、放電空間６（図６参照）となる孔５は、せん断加
工により形成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱
圧着した。その後、酸素雰囲気中において１０００℃で
一体焼成した。また、外部電極１としてＡｇペーストを
６００℃で焼きつけた。
【００１９】また、本実施の形態において、孔５の孔径
は約３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３、直流放
電開始電圧は約９００Ｖであった。また、この素子に５
００ｐＦ−５００Ω−１０ｋＶの静電気を２０００回、
加えたところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以内
になり、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
は約３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３、直流放
電開始電圧は約９００Ｖであった。また、この素子に５
００ｐＦ−５００Ω−１０ｋＶの静電気を２０００回、
加えたところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以内
になり、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
【００２０】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００２１】本発明の第３の実施の形態にかかるサージ
吸収素子を図７、図８、図９により説明する。図７は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図であり、図８は、
本サージ吸収素子の分解図であり、図９（ａ）は、図７
のＥ−Ｅ断面図であり、図９（ｂ）は、図７のＦ−Ｆ断
面図である。
吸収素子を図７、図８、図９により説明する。図７は、
本発明のサージ吸収素子の外観斜視図であり、図８は、
本サージ吸収素子の分解図であり、図９（ａ）は、図７
のＥ−Ｅ断面図であり、図９（ｂ）は、図７のＦ−Ｆ断
面図である。
【００２２】第３の実施の形態において、上下の絶縁性
セラミックスシート２および内部電極付絶縁性セラミッ
クスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２
のガラスを４０重量％添加したステアタイトを用いた。
また、上下の絶縁性セラミックスシート２はグリーンシ
ート法、内部電極４はＡｇ−３０％Ｐｄを使用し、図８
に示したパターンでスクリーン印刷した。さらに、放電
空間６（図９参照）となる孔５は、せん断加工により形
成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱圧着した。
その後、酸素雰囲気中において１０００℃で一体焼成し
た。また、外部電極１としてＡｇペーストを６００℃で
焼きつけた。
セラミックスシート２および内部電極付絶縁性セラミッ
クスシート３は、主成分Ｎａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２
のガラスを４０重量％添加したステアタイトを用いた。
また、上下の絶縁性セラミックスシート２はグリーンシ
ート法、内部電極４はＡｇ−３０％Ｐｄを使用し、図８
に示したパターンでスクリーン印刷した。さらに、放電
空間６（図９参照）となる孔５は、せん断加工により形
成した。次に、各々のシートを１１０℃で熱圧着した。
その後、酸素雰囲気中において１０００℃で一体焼成し
た。また、外部電極１としてＡｇペーストを６００℃で
焼きつけた。
【００２３】また、本実施の形態において、円孔径は約
３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３であった。直
流放電開始電圧は約９００Ｖであった。また、この素子
に５００ｐＦ−５００Ω−１０ｋＶの静電気を２０００
回加えたところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以
内になり、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
３０μｍ、ギャップ長さは約３０μｍ×３であった。直
流放電開始電圧は約９００Ｖであった。また、この素子
に５００ｐＦ−５００Ω−１０ｋＶの静電気を２０００
回加えたところ、放電開始電圧のばらつきは±３０％以
内になり、絶縁抵抗も１０１０Ω以上あった。
【００２４】なお、本発明の実施の形態において、絶縁
性セラミックスシート２及び内部電極４用の材料は、実
施の形態に記載したものに限るものではない。また、本
実施の形態において、マイクロギャップ７は３つである
が、対象となるサージによってマイクロギャップの数を
増減することが可能である。
性セラミックスシート２及び内部電極４用の材料は、実
施の形態に記載したものに限るものではない。また、本
実施の形態において、マイクロギャップ７は３つである
が、対象となるサージによってマイクロギャップの数を
増減することが可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来のスクリーン印刷技術等の量産性の高い技術を
利用し、容易な製造工程で、コストが非常に安く、しか
も、小型、低背化した表面実装が容易なサージ吸収素子
及びその製造方法を提供することができる。
ば、従来のスクリーン印刷技術等の量産性の高い技術を
利用し、容易な製造工程で、コストが非常に安く、しか
も、小型、低背化した表面実装が容易なサージ吸収素子
及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるサージ吸収素
子の外観斜視図。
子の外観斜視図。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるサージ吸収素
子の分解図。
子の分解図。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるサージ吸収素
子の断面図。図３（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図３
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図。
子の断面図。図３（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図３
（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるサージ吸収素
子の外観斜視図。
子の外観斜視図。
【図５】本発明の第２の実施の形態によるサージ吸収素
子の分解図。
子の分解図。
【図６】本発明の第２の実施の形態によるサージ吸収素
子の断面図。図６（ａ）は図４のＣ−Ｃ断面図、図６
（ｂ）は図４のＤ−Ｄ断面図。
子の断面図。図６（ａ）は図４のＣ−Ｃ断面図、図６
（ｂ）は図４のＤ−Ｄ断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態によるサージ吸収素
子の外観斜視図。
子の外観斜視図。
【図８】本発明の第３の実施の形態によるサージ吸収素
子の分解図。
子の分解図。
【図９】本発明の第３の実施の形態によるサージ吸収素
子の断面図。図９（ａ）は図７のＥ−Ｅ断面図、図９
（ｂ）は図７のＦ−Ｆ断面図。
子の断面図。図９（ａ）は図７のＥ−Ｅ断面図、図９
（ｂ）は図７のＦ−Ｆ断面図。
【図１０】従来の放電式サージ吸収素子の断面図。
【符号の説明】 １ 外部電極 ２ 絶縁性セラミックスシート ３ 内部電極付絶縁性セラミックスシート ４ 内部電極 ５ 孔 ６ 放電空間 ７ マイクロギャップ ８ 絶縁性セラミックス層 ９ 孔付絶縁性セラミックスシート １０ マイクロギャップ式サージ吸収素子 １１ リード線 １２ ガラス管 １３ 主電極 １４ 補助電極
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性セラミックス層内に放電空間を有
し、該放電空間を含む同一平面上に該放電空間から放射
状に対向して配置された一対以上の内部電極を埋設する
サージ吸収素子であって、前記内部電極うちの少なくと
も一対は、両端の外部電極と電気的に接続していること
を特徴とするサージ吸収素子。 - 【請求項２】 絶縁性セラミックスをシート状に形成し
てグリーンシートを得る工程、せん断加工またはレーザ
加工によりグリーンシートに貫通孔を形成する工程、及
び印刷法によりグリーンシートに内部電極を形成する工
程を有し、前記工程で形成したシートを所定の組合せで
積み重ね、圧着後、一体焼結することを特徴とする請求
項１記載のサージ吸収素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179178A JP2001006840A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | サージ吸収素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179178A JP2001006840A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | サージ吸収素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006840A true JP2001006840A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=16061310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11179178A Pending JP2001006840A (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | サージ吸収素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001006840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861656B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-03-01 | Nikon Corporation | High-luminosity EUV-source devices for use in extreme ultraviolet (soft X-ray) lithography systems and other EUV optical systems |
| WO2017055088A1 (de) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | Epcos Ag | Ableiter und verfahren zur herstellung eines ableiters |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP11179178A patent/JP2001006840A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861656B2 (en) | 2001-12-13 | 2005-03-01 | Nikon Corporation | High-luminosity EUV-source devices for use in extreme ultraviolet (soft X-ray) lithography systems and other EUV optical systems |
| WO2017055088A1 (de) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | Epcos Ag | Ableiter und verfahren zur herstellung eines ableiters |
| JP2018530119A (ja) * | 2015-09-28 | 2018-10-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 避雷器および避雷器の製造方法 |
| US20190089133A1 (en) * | 2015-09-28 | 2019-03-21 | Epcos Ag | Arrester and method for manufacturing an arrester |
| US11011890B2 (en) | 2015-09-28 | 2021-05-18 | Epcos Ag | Arrester and method for manufacturing an arrester |
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