JPH09266053A

JPH09266053A - チップ型サージアブソーバ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09266053A
Application number: JP7403996A
Authority: JP
Inventors: Fujio Ikeda; 富士男池田; Yoshiyuki Tanaka; 芳幸田中; Nobuya Saruwatari; 暢也猿渡
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1996-03-28
Filing date: 1996-03-28
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】表面実装可能であって製造が簡単で、小型化し
易く量産性に優れる。【解決手段】中心に不活性ガスが封入された密閉空間
１１ａを有する絶縁チップ体１０ａと、マイクロギャッ
プ１２ａを有しチップ体の両端に延びて設けられた一対
の対向電極１２ｂ，１２ｃと、この対向電極にそれぞれ
接続された一対の端子電極１６，１７とを備える。第１
グリーンシートに複数の孔を形成し、第２グリーンシー
トにマイクロギャップを有するように複数の電極パター
ンを形成し、マイクロギャップが孔に臨むように不活性
ガス雰囲気中で第１グリーンシートを第３グリーンシー
トと第２グリーンシートとの間に挟んで積層することに
より複数の密閉空間を有する積層体を形成し、積層体を
孔毎にダイシングして絶縁チップ体を作製して一対の対
向電極を形成し、絶縁チップ体を焼成した後、一対の端
子電極を絶縁チップ体の外面両端部に形成することが好
ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電話機、ファクシミ
リ、電話交換機、モデム等の通信機器用の電子機器に印
加されるサージ電圧を吸収するサージアブソーバに関す
る。更に詳しくは、プリント回路基板に表面実装可能な
マイクロギャップを有するチップ型サージアブソーバに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロギャップ式のサージアブ
ソーバとして、図５及び図６に示すようなサージアブソ
ーバが知られている。図６におけるサージアブソーバ９
に内蔵されるマイクロギャップ式サージ吸収素子１は、
導電性皮膜１ａで被包した円柱状のセラミック素体１ｂ
の中央に円周方向に幅数１０μｍのマイクロギャップ１
ｃを形成し、このセラミック素体１ｂの両端部に一対の
キャップ電極１ｄ，１ｅを冠着して作られる。サージア
ブソーバ９は、サージ吸収素子１をその両端部のキャッ
プ電極１ｄ，１ｅに接続したリード線６，７とともにガ
ラス管８で封止して作られる。ガラス管８にはアルゴン
ガスのような不活性ガス５が封入される。マイクロギャ
ップ１ｃは被包した導電性皮膜の中央部をレーザ等でカ
ットして作られる。また図５に示すサージアブソーバ２
は、平板状の絶縁体３の表面上に導電性薄膜からなる２
個の端子電極３ａ，３ｂが離隔して形成され、かつこの
端子電極３ａ，３ｂ間には導電性薄膜で形成される所定
形状の放電電極３ｃが互いに同一間隔のスパークギャッ
プを持って複数個配列される。更に端子電極３ａ，３ｂ
には一方の端部が外部へ延設されたリード端子２ａ，２
ａがそれぞれ取付けられる。絶縁体３の導電性薄膜３
ａ，３ｂ，３ｃが形成された面はカバー４で封止して作
られ、カバー４内にはアルゴンガスのような不活性ガス
が封入される（特開平６−４５０４８）。

【０００３】上記サージアブソーバ９又は２では雷サー
ジ等に起因してリード線６，７又はリード端子２ａ，２
ａにサージ電圧が印加されると、最初に導電性皮膜１ａ
又は複数の放電電極３ｃに沿ってグロー放電が起こり、
最終的に一対のキャップ電極１ｄ，１ｅ間又は端子電極
３ａ，３ｂ間でのアーク放電に移行してサージ電圧を吸
収する。上記サージアブソーバ９又は２は、電子機器の
一対の入力線路にこの電子機器に並列に接続され、電子
機器の使用電圧より高い電圧で動作するように構成され
る。即ち、上記サージアブソーバはその放電開始電圧よ
り低い電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、印加電圧
がその放電開始電圧以上のときには数１０Ω以下の抵抗
値の低い抵抗体になる。電子機器に雷サージ等の数ｋＶ
〜数１０ｋＶのサージ電圧が瞬間的に印加されると、上
記サージアブソーバが放電し、このサージ電圧を吸収し
て電子機器を保護するようになっている。電子機器の前
段にこの種のサージアブソーバを設けないと、異常電圧
（サージ）が電子機器内に侵入し、絶縁破壊等を起こさ
せ、電子機器の動作不良等を発生させる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記サージア
ブソーバ９及び２は形状が円筒又は長円状になるために
チップ化が非常に困難であって、プリント回路基板の表
面に実装できない欠点があった。また、サージアブソー
バ９ではサージアブソーバ素子をガラス管で封止するた
め、サージアブソーバ２ではカバー４を絶縁体３の導電
性薄膜３ａ，３ｂ，３ｃが形成された面に封止するため
に、形状が大きくなる問題点があった。更に、上記サー
ジアブソーバ９及び２ではガラス管の内部に、又はカバ
ーの内部にガスを封入する必要があり、製造工程が煩雑
で量産しにくい不具合もある。本発明の目的は、プリン
ト回路基板に表面実装可能であって、製造が簡単で、小
型化し易く量産性に優れたチップ型サージアブソーバを
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、中心に不活性ガスが封入された密閉
空間１１ａを有する絶縁チップ体１０ａと、チップ体１
０ａの密閉空間１１ａに臨んで同一面上にマイクロギャ
ップ１２ａを有しかつチップ体１０ａの両端に延びて設
けられた一対の対向電極１２ｂ，１２ｃと、一対の対向
電極１２ｂ，１２ｃにそれぞれ接続されチップ体１０ａ
の外面両端部に設けられた一対の端子電極１６，１７と
を備えたチップ型サージアブソーバである。本発明のサ
ージアブソーバ１０の端子電極１６，１７にサージ電圧
が印加されると、一対の対向電極１２ｂ，１２ｃ間に形
成されたマイクロギャップ１２ａで決められる放電開始
電圧に基づき、一対の対向電極１２ｂ，１２ｃ間でアー
ク放電が起こり、サージ電圧を吸収する。また、その密
閉空間に不活性ガスが封入されているので、大気の湿度
等に拘わらず、放電開始電圧は一定になる。

【０００６】請求項２に係る発明は、図４に示すよう
に、絶縁性のある第１セラミックグリーンシート２１に
間隔をあけて複数の孔２１ａを形成する工程と、絶縁性
のある第２セラミックグリーンシート２２の表面に孔２
１ａの間隔に相応する間隔でそれぞれマイクロギャップ
１２ａを有するように複数の電極パターン１２を形成す
る工程と、絶縁性のある第３セラミックグリーンシート
２３と電極パターン１２を形成した第２セラミックグリ
ーンシート２２との間にマイクロギャップ１２ａが孔２
１ａに臨むように不活性ガス雰囲気中で第１セラミック
グリーンシート２１を挟んで積層することにより複数の
密閉空間１１ａを有する積層体２４を形成する工程と、
積層体２４を孔２１ａ毎にダイシングして絶縁チップ体
１０ａを作製することにより第１及び第２セラミックグ
リーンシート２１，２２の接合界面に一対の対向電極１
２ｂ，１２ｃを形成する工程と、絶縁チップ体１０ａを
焼成する工程と、焼成した絶縁チップ体１０ａの一対の
対向電極１２ｂ，１２ｃにそれぞれ接続する一対の端子
電極１６，１７を絶縁チップ体１０ａの外面両端部に形
成する工程とを含むチップ型サージアブソーバの製造方
法である。

【０００７】請求項３に係る発明は、図３に示すよう
に、中心に孔１１ｂが形成された絶縁性のある第１焼結
板１１を用意する工程と、第１焼結板１１と同形の絶縁
性のある第２焼結板１４の表面に中心にマイクロギャッ
プ１２ａを有しかつ第２焼結板１４の両端に延びる一対
の対向電極１２ｂ，１２ｃを形成する工程と、第１焼結
板１１と同形の絶縁性のある第３焼結板１３と第２焼結
板１４との間に第１焼結板１１を不活性ガス雰囲気中で
接着材を介して挟んで前記第１，第２，第３焼結板１
１，１３，１４を一体的に接合して絶縁チップ体１０ａ
を形成する工程と、絶縁チップ体１０ａの一対の対向電
極１２ｂ，１２ｃにそれぞれ接続する一対の端子電極１
６，１７を絶縁チップ体１０ａの外面両端部に形成する
工程とを含むチップ型サージアブソーバの製造方法であ
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１に示すように、本発明のチッ
プ型サージアブソーバ１０は中心に不活性ガスが封入さ
れた密閉空間１１ａを有する絶縁チップ体１０ａを備え
る。この絶縁チップ体１０ａは、密閉空間１１ａに臨ん
で同一面上にマイクロギャップ１２ａを有しかつチップ
体１０ａの両端に延びて設けられた一対の対向電極１２
ｂ，１２ｃと、一対の対向電極１２ｂ，１２ｃにそれぞ
れ接続されチップ体１０ａの外面両端部に設けられた一
対の端子電極１６，１７とを備える。このチップ型サー
ジアブソーバ１０は、中心に孔が形成された絶縁性のあ
る第１焼結板１１と、この第１焼結板と同形であってこ
の表面にマイクロギャップ１２ａを有する一対の対向電
極１２ｂ，１２ｃ、が形成された絶縁性のある第２焼結
板１４と、第１焼結板と同形の絶縁性のある第３焼結板
１３とを一体的に接合した３層構造である。また、大量
に製造する場合には、図４に示すように、それぞれ１枚
のセラミックグリーンシート２１，２２，２３を互いに
積層形成し、それぞれのグリーンシート２１，２２，２
３を接合することにより複数の密閉空間を１１ａ形成し
た後ダイシングすることが好ましい。以下に本発明のチ
ップ型サージアブソーバ１０の製造を図３に示すような
第１，第２及び第３焼結板１１，１３，１４をそれぞれ
積層接合した３層構造の場合（以下「単品製造の場合」
という）と、グリーンシートを接合した後ダイシングす
る場合（以下「大量製造の場合」という）とに分けて説
明する。

【０００９】(a) 第１、第２及び第３焼結板又はセラミ
ックグリーンシート単品製造の場合には、図１〜図３に示すように、絶縁チ
ップ体１０ａの上下に設けられる一対の第２及び第３焼
結板１４及び１３はそれぞれアルミナ、ベリリア、ムラ
イト、ステアタイト、フォルステライト等から同形同大
に作られる。形状は三角形状、四角形状、多角形状等、
板状であればよいが、四角形状がチップ化したときに取
扱い易く好ましい。絶縁チップ体１０ａの中間に設けら
れる第１焼結体１１はガラス、セラミックス等により作
られる。この第１焼結体１１は第１焼結体１１を挟んで
第２及び第３焼結板１４及び１３を重ね合わせたとき、
これらの第２及び第３焼結板１４及び１３を互いに平行
に重ね合わせることができれば、形状及び大きさは特に
限定されないが、一対の第２及び第３焼結板１４及び１
３と同形同大に作られることが好ましい。大量製造の場
合には、図４に示すように、３枚のセラミックグリーン
シート２１，２２，２３から形成される。

【００１０】(b) 貫通孔の形成単品製造の場合には、第１焼結体１１の貫通孔１１ｂ
は、貫通孔１１ｂを形成しようとする部分を残してそれ
以外をマスキングした後、レーザ光等のドライエッチン
グにより形成するか、或いは貫通孔１１ｂを形成しよう
とする部分を残してそれ以外をレジスト膜で被覆した
後、基板を浸食するエッチャントによりウエットエッチ
ングにより形成する。また、貫通孔１１ｂをレーザドリ
ルもしくはケミカル（化学）エッチング、又はこれらを
複合することにより形成することもできる、或いはシー
トがグリーンシートであればプレスにより貫通孔１１ｂ
を形成することができる。大量製造の場合には、図４
（Ａ）に示すように、これらの貫通孔１１ｂが絶縁性の
あるセラミックグリーンシートからなる第１セラミック
グリーンシート２１に所定の間隔（ｔ）をあけて複数の
孔２１ａがプレスにより形成される。この孔２１ａは後
工程において第１セラミックグリーンシート２１と第２
セラミックグリーンシート２２と第３セラミックグリー
ンシート２３を接合したときに１個の孔２１ａを中心に
して一体的に接合される。

【００１１】(c) 対向電極の形成単品製造の場合には、図１〜図３に示すように、第２焼
結板１４の表面に一対の対向電極１２ｂ，１２ｃが同一
面上に形成される。電極１２ｂ，１２ｃは放電可能な形
状であればその形状は特に制限されず、図に示す半円状
である場合の他、三角形、四角形、多角形等に形成され
る。また、電極１２ｂと電極１２ｃの形状が互いに異な
ってもよい。後に第２及び第３焼結板１４及び１３の両
端部に端子電極１６，１７を形成したときに、端子電極
１６，１７に電気的に接続するように一対の対向電極１
２ｂ，１２ｃの各一端は第２焼結板１４の両端縁まで延
びて形成される。これらの電極１２ｂ，１２ｃはタンタ
ル、タングステン等からなるスクリーン印刷法、スパッ
タリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、めっき
法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法により第２焼結板１４の表
面に形成される。薄膜の厚さは０．０５〜５００μｍ、
好ましくは０．５〜１００μｍ、特に好ましくは１〜５
μｍの範囲から選ばれる。これらの電極１２ｂ，１２ｃ
の間に形成されるマイクロギャップ１２ａのギャップ幅
ｗ（図１）はギャップの形状に応じてまた所望の放電開
始電圧、応答電圧の値に応じて０．１μｍ〜１０００μ
ｍの範囲から決められる。

【００１２】大量製造の場合には、図４（Ｂ）に示すよ
うに、これらの対向電極１２ｂ，１２ｃが絶縁性のある
第２セラミックグリーンシート２２の表面に第１セラミ
ックグリーンシート２１の孔２１ａの間隔（ｔ）に相応
する間隔（ｔ）でそれぞれマイクロギャップ１２ａを有
するように複数の電極パターン１２を印刷法などで形成
する。第１セラミックグリーンシート２１の孔２１ａの
間隔（ｔ）に相応する間隔（ｔ）でそれぞれマイクロギ
ャップ１２ａを形成することにより後工程において第１
セラミックグリーンシート２１と第２基板２２を接合し
たときにマイクロギャップ１２ａが第１セラミックグリ
ーンシート２１の孔２１ａに臨むことになる。

【００１３】(d) 積層及び一体化単品製造の場合には、図３に示すように、マイクロギャ
ップ１２ａが貫通孔１１ｂに臨むように、第１焼結体１
１を第２焼結体１４の対向面に配置して一対の第２及び
第３焼結板１４及び１３によりこれを絶縁性接着材を介
して挟持する。この接合を不活性ガス雰囲気中で行うこ
とにより、貫通孔１１ｂにより形成された密閉空間１１
ａに不活性ガスが封入される。不活性ガスとしてはアル
ゴンガス、ネオンガス、窒素ガス等が挙げられる。絶縁
性接着材にはガラスペーストなどを用いることが好まし
い。また、上記接着を確実なものにするために、接着材
の硬化前にそれぞれの焼結板１１，１３，１４に所定の
圧力を加えることが好ましい。

【００１４】大量製造の場合には、第１、第２及び第３
セラミックグリーンシート２１，２２，２３を積層する
ことにより行われる。この場合図４（Ｃ）に示すよう
に、絶縁性のある第３セラミックグリーンシート２３と
電極パターン１２を形成した第２セラミックグリーンシ
ート２２との間にマイクロギャップ１２ａが第１セラミ
ックグリーンシート２１の孔２１ａに臨むように不活性
ガス雰囲気中で第１セラミックグリーンシート２１を挟
んで第１、第２及び第３セラミックグリーンシート２
１，２２，２３を一体的に積層する。これにより第１、
第２及び第３セラミックグリーンシート２１，２２，２
３は不活性ガスが封入された複数の密閉空間１１ａを有
する積層体２４を形成する。この積層体２４を孔２１ａ
毎に図の破線で示すようにダイシングして図４（Ｄ）に
示すような絶縁チップ体１０ａが作製され、このダイシ
ングにより第１及び第２セラミックグリーンシート２
１，２２の接合界面に形成された電極パターン１２は分
割されて一対の対向電極１２ｂ，１２ｃが形成される。
ダイシングはダイヤモンドブレードにより行われ、得ら
れた絶縁チップ体１０ａは直方体を形成する。得られた
絶縁チップ体１０ａは１０００℃で１時間焼成される。
この焼成は窒素ガス、Ａｒガス等の不活性ガス中で行う
ことが好ましい。

【００１５】(e) 端子電極の形成図１及び図４（Ｅ）に示すように、絶縁チップ体１０ａ
の両端部に金属粉末と無機結合材を含む導電性ペースト
を絶縁チップ体１０ａの両端部を包込むように塗布し乾
燥する。この塗布は導電性ペースト中に絶縁チップ体１
０ａの両端部を浸漬させるディッピング法が好ましい。
導電性ペーストに含まれる金属粉末はＡｇ，Ａｕ，Ｐｄ
又はＰｔの貴金属粉末、又はこれらを混合した粉末が挙
げられる。導電性ペーストに含まれる無機結合材を例示
すれば、ＳｉＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，Ｎａ₂Ｏ，ＰｂＯ，ＺｎＯ又
はＢａＯのいずれか１種又は２種以上の酸化物を主成分
とする、ほうけい酸系ガラス、ほう酸亜鉛系ガラス、ほ
う酸カドミウム系ガラス、けい酸鉛亜鉛系ガラス等のガ
ラス微粒子が挙げられる。導電性ペーストは焼付けによ
って焼付け電極１６ａ，１７ａを形成し、これらの焼付
け電極１６ａ，１７ａはその焼付け時に絶縁チップ体１
０ａの対向電極１２ｂ，１２ｃに電気的に接続する。

【００１６】(f) めっき層の形成焼付け電極１６ａ，１７ａの各表面にめっき層が電解バ
レルめっき法により形成される。このめっき層は図１に
示すように、Ｎｉめっき層１６ｂ，１７ｂを形成した
後、Ｓｎめっき層１６ｃ，１７ｃを形成して二重構造に
することが好ましい。Ｎｉめっき層１６ｂ，１７ｂはは
んだ耐熱性を向上して、はんだによる焼付け電極の電極
食われを防止し、Ｓｎめっき層１６ｃ，１７ｃははんだ
付着性を向上する。図１、図２及び図４（Ｆ）に示すよ
うに、焼付け電極１６ａ，１７ａ、めっき層１６ｂ，１
６ｃ，１７ｂ及び１７ｃからなる端子電極１６，１７を
有するチップ型サージアブソーバ１０が得られる。

【００１７】

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。＜実施例１＞図１及び図２に示すギャップ式のチップ型
サージアブソーバ１０を図４に基づいて製造した。先
ず、絶縁性のある厚さ０．４ｍｍのアルミナのグリーン
シート２１にｔ＝３．２ｍｍの等間隔で複数の孔２１ａ
を形成した。この間隔ｔｍｍが絶縁チップ体１０ａの長
さに相応する。一方、絶縁性のある厚さ０．３ｍｍのア
ルミナのグリーンシート２２にｔ＝３．２ｍｍの間隔で
それぞれマイクロギャップ１２ａを有するように複数の
電極パターン１２を形成を形成した。これは薄膜技術で
タンタルからなる導体膜を形成した後、フォトエッチン
グでパターンニングすることにより行った。電極パター
ン１２の幅寸法は０．８ｍｍであり、マイクロギャップ
は５０μｍである。

【００１８】次いで、図４（Ｃ）に示すように電極パタ
ーン１２をそれぞれ形成したアルミナのグリーンシート
２２と孔２１ａを形成したアルミナのグリーンシート２
１を孔２１ａとマイクロギャップ１２ａが対向するよう
にＡｒガスからなる不活性ガス雰囲気中で一体的に接合
して積層体２４を形成した。接合には絶縁性のある厚さ
０．３ｍｍのアルミナのグリーンシート２３と電極パタ
ーン１２を形成したグリーンシート２２との間にマイク
ロギャップ１２ａが孔２１ａに臨むようにグリーンシー
ト２１をＡｒガス雰囲気中で挟むように積層した。これ
により不活性ガスが封入された複数の密閉空間１１ａを
有する積層体２４を形成した。形成された積層体２４
を、図４（Ｃ）の破線に示すように、孔２１ａ毎にダイ
シングした。このダイシングで３０００個の絶縁チップ
体１０ａを得た。得られた絶縁チップ体１０ａは１００
０℃、１時間窒素ガス、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気
中で焼成した。

【００１９】図４（Ｄ）に示すように、このダイシング
及び焼成により中心に不活性ガスが封入された密閉空間
１１ａを有する３０００個の絶縁チップ体１０ａが作製
され、それぞれの電極パターン１２は分割されてそれぞ
れ一対の対向電極１２ｂ，１２ｃが形成された。それぞ
れの絶縁チップ体１０ａの両端部にＡｇペーストをディ
ッピング法により絶縁基板の両端部を包込むように塗布
した。Ａｇペーストを塗布したそれぞれの絶縁チップ体
１０ａを大気圧下、乾燥した後、３０℃／分の速度で、
８２０℃まで昇温しそこで１０分間保持し、３０℃／分
の速度で室温まで降温してＡｇからなる焼付け電極１６
ａ，１７ａを得た。次いで電解バレルめっき法で焼付け
電極１６ａ，１７ａの表面に厚さ２〜３μｍのＮｉめっ
き層１６ｂ，１７ｂを形成し、続いて厚さ１〜２μｍの
Ｓｎめっき層１６ｃ，１７ｃを形成し、３０００個の図
１及び図２に示すチップ型サージアブソーバを得た。

【００２０】＜比較試験と評価＞実施例１の３０００個
のサージアブソーバから任意の１０個のサージアブソー
バについてのそれぞれ電気的特性を測定した。その結果
を表１に示す。この場合に、（１．２×５０）μｓｅ
ｃ、２ｋＶの印加サージの場合にサージ応答電圧を測定
し、１５０ｐＦ、３３０Ω、１５ｋＶの静電気からなる
印加サージを２０００回印加した後の放電開始電圧及び
絶縁抵抗の変化を測定してサージ寿命を調査した。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１から明らかなように、それぞれのサー
ジアブソーバの放電開始電圧及び絶縁抵抗にばらつきは
なく正常に動作することが確認された。また、サージ応
答電圧及びサージ寿命にも異常は見られなかった。

【００２３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、中
心に不活性ガスが封入された密閉空間を有する絶縁チッ
プ体と、この密閉空間に臨んで同一面上にマイクロギャ
ップを有する一対の対向電極と、一対の端子電極とを備
えたので、端子電極にサージ電圧が印加されると、マイ
クロギャップで決められる放電開始電圧に基づき、アー
ク放電が起こり、サージ電圧を吸収する。この場合に密
閉空間に不活性ガスが封入されているので、大気の湿度
等に拘わらず、放電開始電圧は一定になる。また、従来
のガラス管に不活性ガスとともにサージ吸収素子を封入
したサージアブソーバ等と比べて、占有体積が小さくか
つプリント回路基板等への表面実装が可能なチップ型サ
ージアブソーバが得られる。

【００２４】また、第１セラミックグリーンシートに複
数の孔を形成する工程と、第２セラミックグリーンシー
トの表面に孔の間隔に相応する間隔でそれぞれマイクロ
ギャップを有するように電極パターンを形成する工程
と、第３セラミックグリーンシートと第２セラミックグ
リーンシートとの間にマイクロギャップが孔に臨むよう
に不活性ガス雰囲気中で第１セラミックグリーンシート
を挟んで第１、第２及び第３セラミックグリーンシート
を積層することにより複数の密閉空間を有する積層体を
形成する工程と、この積層体をダイシングして絶縁チッ
プ体を作製することにより一対の対向電極を形成する工
程と、一対の端子電極を絶縁チップ体の外面両端部に形
成する工程によりチップ型サージアブソーバを製造すれ
ば、量産性に優れたチップ型サージアブソーバを製作す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サージアブソーバの中央縦断
面図。

【図２】その外観斜視図。

【図３】その組立て斜視図。

【図４】図１のチップ型サージアブソーバの製造方法を
示す断面図。

【図５】従来例のサージアブソーバの組立斜視図。

【図６】別の従来例のサージアブソーバの中央縦断面
図。

【符号の説明】

１０チップ型サージアブソーバ１０ａ絶縁チップ体１１第１焼結板１１ａ密閉空間１１ｂ孔１２電極パターン１２ａマイクロギャップ１２ｂ，１２ｃ対向電極１３第３焼結板１４第２焼結板１６，１７端子電極２１第１セラミックグリーンシート２１ａ孔２２第２セラミックグリーンシート２３第３セラミックグリーンシート２４積層体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中心に不活性ガスが封入された密閉空間
(11a)を有する絶縁チップ体(10a)と、前記チップ体(10a)の密閉空間(11a)に臨んで同一面上に
マイクロギャップ(12a)を有しかつ前記チップ体(10a)の
両端に延びて設けられた一対の対向電極(12b,12c)と、前記一対の対向電極(12b,12c)にそれぞれ接続され前記
チップ体(10a)の外面両端部に設けられた一対の端子電
極(16,17)とを備えたチップ型サージアブソーバ。
【請求項２】絶縁性のある第１セラミックグリーンシ
ート(21)に間隔をあけて複数の孔(21a)を形成する工程
と、絶縁性のある第２セラミックグリーンシート(22)の表面
に前記孔(21a)の間隔に相応する間隔でそれぞれマイク
ロギャップ(12a)を有するように複数の電極パターン(1
2)を形成する工程と、絶縁性のある第３セラミックグリーンシート(23)と前記
電極パターン(12)を形成した第２セラミックグリーンシ
ート(22)との間に前記マイクロギャップ(12a)が前記孔
(21a)に臨むように不活性ガス雰囲気中で前記第１セラ
ミックグリーンシート(21)を挟んで積層することにより
複数の密閉空間(11a)を有する積層体(24)を形成する工
程と、前記積層体(24)を前記孔(21a)毎にダイシングして絶縁
チップ体(10a)を作製することにより第１及び第２セラ
ミックグリーンシート(21,22)の接合界面に一対の対向
電極(12b,12c)を形成する工程と、前記絶縁チップ体(10a)を焼成する工程と、前記焼成した絶縁チップ体(10a)の前記一対の対向電極
(12b,12c)にそれぞれ接続する一対の端子電極(16,17)を
前記絶縁チップ体(10a)の外面両端部に形成する工程と
を含むチップ型サージアブソーバの製造方法。
【請求項３】中心に孔(11b)が形成された絶縁性のあ
る第１焼結板(11)を用意する工程と前記第１焼結板(11)
と同形の絶縁性のある第２焼結板(14)の表面に中心にマ
イクロギャップ(12a)を有しかつ前記第２焼結板(14)の
両端に延びる一対の対向電極(12b,12c)を形成する工程
と、前記第１焼結板(11)と同形の絶縁性のある第３焼結板(1
3)と前記第２焼結板(14)との間に前記第１焼結板(11)を
不活性ガス雰囲気中で接着材を介して挟んで前記第１，
第２，第３焼結板(11,13,14)を一体的に接合して絶縁チ
ップ体(10a)を形成する工程と、前記絶縁チップ体(10a)の前記一対の対向電極(12b,12c)
にそれぞれ接続する一対の端子電極(16,17)を前記絶縁
チップ体(10a)の外面両端部に形成する工程とを含むチ
ップ型サージアブソーバの製造方法。