JP5557060B2 - Esd保護装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、第1及び第2の絶縁層101,102になるセラミックグリーンシートを準備する。セラミック多層基板12の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800−1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合し、スラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、第1及び第2の絶縁層101,102になる厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。
第2の絶縁層102になるセラミックグリーンシート上に、混合ペーストをスクリーン印刷にて塗布して、混合部20になる部分を形成する。混合部20になる部分は、第1の絶縁層101になるセラミックグリーンシートの上に形成してもよい。
通常のセラミック多層基板と同様に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着する。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、マイクロカッタでカットして、各チップに分ける。その後、端面に電極ペーストを塗布し、外部端子を形成する。
次いで、通常のセラミック多層基板と同様に、N2雰囲気中で焼成する。酸化しない電極材料(Agなど)の場合には、大気雰囲気でも構わない。焼成により、セラミックグリーンシート中の有機溶剤や、混合ペースト中のバインダー樹脂、溶剤及びアクリルビーズが消失する。これにより、Al2O3コートCuと、SiCと、空隙32とが分散した混合部20が形成される。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、外部端子上に電解Ni−Snメッキを行う。
セラミック多層基板512の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800−1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合し、スラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。
絶縁層601,603になるセラミックグリーンシートの上に、電極ペーストをスクリーン印刷にて塗布して、対向部514k,516kを有する放電電極514,516を形成する。
通常のセラミック多層基板と同様に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着する。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、マイクロカッタでカットして、各チップに分ける。その後、端面に電極ペーストを塗布し、外部端子を形成する。
次いで、通常のセラミック多層基板と同様に、N2雰囲気中で焼成する。酸化しない電極材料(Agなど)の場合には、大気雰囲気でも構わない。焼成により、セラミックグリーンシート中の有機溶剤や、混合ペースト中のバインダー樹脂及び溶剤が消失する。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、外部端子上に電解Ni−Snメッキを行う。
14 面内接続導体
15,15a,15x 層間接続導体
16 面内接続導体
17 層間接続導体
18 面内接続導体
20,21,22,24,26,28 混合部
30 固体部
32 空隙
34,36 空洞
40,42 シール層
100 ESD保護装置
101,102 絶縁層
110 ESD保護装置
111,112 絶縁層
170 ESD保護装置
171〜176 絶縁層
200 ESD保護装置
201〜204 絶縁層
300 ESD保護装置
512,512a〜512j セラミック多層基板
513 層間接続導体(接続導体)
514 面内接続導体(接続導体)
515,515d 層間接続導体(接続導体)
516 面内接続導体(接続導体)
517,517d 層間接続導体(接続導体)
518 面内接続導体(接続導体)
519 層間接続導体(接続導体)
520,522,524,526 混合部
520a 金属材料
520s 無機材料
520x 半導体材料
530,532,534 シール層
540 保護機能内蔵基板(ESD保護装置)
550 セラミック多層基板
552 面内接続導体
558 層間接続導体
560 ICチップ(電子部品)
562 実装部品(電子部品)
600 ESD保護装置
600x ESD保護デバイス(ESD保護装置)
601〜603 絶縁層
602p ビアホール(貫通孔)
610 ESD保護装置
611,612 絶縁層
611p ビアホール(貫通孔)
620 ESD保護装置
621〜623 絶縁層
622p ビアホール(貫通孔)
630 ESD保護装置
Claims (9)
- 絶縁層になる複数枚のシートを用意し、前記シートの少なくとも1枚に、第1及び第2の接続導体になる部分と、前記第1及び第2の接続導体の間に配置されて前記第1及び第2の接続導体に接続された混合部になる部分とを形成し、前記シートを互いに積層して積層体を形成する第1の工程と、
前記積層体を加熱することにより、前記絶縁層が積層された絶縁性基板に、前記第1及び第2の接続導体と前記混合部とを形成する第2の工程と、
を備え、
前記第1の工程において、
第1及び第2の接続導体になる部分は、導電性を有する材料を用いて形成し、
前記混合部になる部分は、前記第2の工程における加熱時の温度上昇により消失する空隙形成用材料と、(i)金属と半導体、(ii)金属とセラミック、(iii)金属と半導体とセラミック、(iv)半導体とセラミック、(v)半導体、(vi)無機材料によりコートされた金属、(vii)無機材料によりコートされた金属と半導体、(viii)無機材料によりコートされた金属とセラミック、(ix)無機材料によりコートされた金属と半導体とセラミック、のうち少なくとも一つを含む固形成分とが混合された混合部形成用材料を用いて形成し、
前記第2の工程において、前記混合部になる部分の前記混合部形成用材料中の前記空隙形成用材料が加熱時の温度上昇により消失して形成された空隙と前記混合部形成用材料中の前記固形成分とが分散した前記混合部が形成されることを特徴とする、ESD保護装置の製造方法。 - 前記シートはセラミックグリーンシートであり、
前記絶縁性基板はセラミック多層基板であることを特徴とする、請求項1に記載のESD保護装置の製造方法。 - 前記空隙形成用材料は、消失性樹脂であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記消失性樹脂は、アクリルビーズであることを特徴とする、請求項3に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記混合部形成用材料中の前記固形成分は、絶縁性を有する無機材料に被覆された金属材料と、半導体材料とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記半導体材料は、炭化ケイ素又は酸化亜鉛であることを特徴とする、請求項5に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記第1の工程において、少なくとも1つの前記シートに、当該シートの前記主面間を貫通する貫通孔を形成し、該貫通孔内に前記混合部形成用材料を充填することにより、前記混合部になる部分を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記第1の工程において、前記シートの少なくとも一つの主面に前記混合部形成用材料を塗布することにより、前記混合部になる部分を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のESD保護装置の製造方法。
- 前記第1の工程において、前記シートと前記混合部になる部分との間に延在するシール層を形成し、
前記第2の工程において、前記シール層は、前記シート中の固形成分が前記混合部になる部分に移動することを阻止することを特徴とする、請求項1又は2に記載のESD保護装置の製造方法。
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