JP2000173743A - チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電室を有するマイクロギャップ式チップ型
サージアブソーバを、接着用ガラスを用いることなく、
従って熱膨張差に起因するクラックによる封止不良を防
止して、また、焼結体の切断加工を行うことなく、容易
に製造する。端子電極も容易かつ安価に形成する。 【解決手段】 複数枚のセラミックグリーンシート１１
を薄板状に積層して各々、第１、第２、第３の積層シー
ト１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを得、第１の積層シート１２
Ａに放電電極形成用の導電性膜１４及び放電間隙用のマ
イクロギャップ１４Ａを形成し、第２の積層シート１２
Ｂに放電室形成用の複数の透孔１３を形成し、これらの
積層シート１２Ａ〜１２Ｃを積層して積層体１５とす
る。この積層体１５を、切断してチップ１７を得、この
チップ１７を封入ガス中で焼成した後、導電性膜１４の
表出端面に端子電極１８を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サージ電圧を吸収
するサージアブソーバ及びその製造方法に係るものであ
り、詳しくは絶縁性基板で囲まれた放電室に臨むよう
に、放電間隙をあけて１対の放電電極が設けられたチッ
プ型サージアブソーバ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び先行技術】電話機、モデムなど電子機
器が通信線と接続する部分、或いはＣＲＴ駆動回路な
ど、雷サージや静電気等の異常電圧による電撃を受けや
すい部分に接続し、異常電圧によって電子機器が破壊さ
れるのを防ぐために使用されるサージアブソーバとして
は、次のようなものがある。

【０００３】 図４に示す如く、円柱形碍子４１の表
面に、マイクロギャップ４２Ａを有する導電性皮膜４２
を形成したアブソーバ素子の両端にキャップ電極４３を
かぶせたものをスラグリード４５を用いてガラス管４６
内に封入ガスで封止したガラス管封止型マイクロギャッ
プ式サージアブソーバ。 図５に示す如く、放電間隙をあけて１対の放電電極
５１Ａ，５１Ｂを板面に形成したアルミナ基板５１と、
放電室形成用の開孔５２Ａが板央部に形成されたアルミ
ナ基板５２と開孔のないアルミナ基板５３とを（図５
（ａ））、この順で、ガラスペーストを用いて積層一体
化すると共に放電室内を封入ガス雰囲気としてサージア
ブソーバ素子５４とし、その両端面に端子電極５５Ａ，
５５Ｂを形成したチップ型サージアブソーバ（図５
（ｂ））。 図６に示す如く、板面に放電電極６１Ａを形成した
アルミナ基板６１と、板面に放電電極６３Ａを形成した
アルミナ基板６３とを、放電室形成用の開孔６２Ａが板
央部に形成されたアルミナ基板６２を介して（図６
（ａ））、ガラスペーストを用いて積層一体化すると共
に放電室内を封入ガス雰囲気としてサージアブソーバ素
体６４とし、その両端面に端子電極６５Ａ，６５Ｂを形
成したチップ型サージアブソーバ（図６（ｂ））。 図７に示す如く、アルミナ基板７１の一方の板面に
放電電極７１Ａ，７１Ｂと端子電極７２Ａ，７２Ｂを形
成し、大気中で放電させるチップ型サージアブソーバ。

【０００４】上記〜のサージアブソーバでは、それ
ぞれ次のような問題がある。

【０００５】のガラス管封止型マイクロギャップ式サ
ージアブソーバでは、マイクロギャップで放電をトリガ
するために放電遅れがなく、しかも主放電をキャップ電
極間に形成するためにマイクロギャップの傷みが少なく
なり寿命特性に優れるという長所を有する反面、ガラス
管内にアブソーバ素子と封入ガスを封入して作製するた
め、製品形状は円筒状で、表面実装には不向きである。
また、このようにガラス管内に素子を封入するもので
は、小型化が図れず、長さ３ｍｍ以下のものを作製する
ことは非常に困難である。

【０００６】のチップ型サージアブソーバのように、
開孔を有する基板を用いて放電室を形成する場合、基板
に開孔を形成するための金型作製にコストが非常にかか
り、また開孔の大きさを変更するにも金型を作製し直さ
ねばならず、形状変更に大きなコストが必要となる。ま
た、３枚の基板を重ねるため、封着後の基板の重なり具
合にずれが生じ、外形寸法のバラツキが大きなものとな
る傾向がある。更には、構造上、主放電もマイクロギャ
ップ上で形成されることとなるため、マイクロギャップ
の傷みが激しく、寿命特性の面で問題がある。

【０００７】のチップ型サージアブソーバでは、放電
空間に臨むように対向する放電電極をただ配置しただけ
であるため、電界電子放出などによる放電をトリガする
機構がない。その結果、インパルスに対する放電遅れが
十分に小さくならず、サージ吸収性能がマイクロギャッ
プ式サージアブソーバに比べて劣る。しかも、３枚の基
板を重ねるため、のチップ型サージアブソーバと同
様、外形寸法のバラツキの問題がある。

【０００８】のチップ型サージアブソーバでは、外形
寸法のバラツキは小さいが、大気中で放電するため、大
気の湿度、圧力、塵埃の影響を受けて放電開始電圧が安
定しない。

【０００９】このような問題点を解決し、封入ガス雰囲
気の放電室を有するチップ型サージアブソーバであっ
て、製品寸法のバラツキを防止して、容易に封止を行う
ことができ、しかも、放電をトリガするマイクロギャッ
プとは別に、主放電を行う主放電電極を形成することが
でき、寿命特性を向上させることができるチップ型サー
ジアブソーバを提供するべく、本出願人は先に、図３に
示す如く、積層配置された第１及び第２の絶縁性基板３
１，３２と、第１の絶縁性基板３１の板面のうち、第２
の絶縁性基板３２に対面する板面に、放電間隙３３Ａを
あけて設けられた１対の放電電極３３と、第２の絶縁性
基板３２の板面のうち第１の絶縁性基板３１に対面する
板面に、放電間隙３３Ａに臨むように設けられた放電室
形成用の溝３４と、第１及び第２の絶縁性基板３１，３
２の積層体の対向する１対の端面に、溝３４を封止する
ように設けられた端子電極３５，５５とを備えてなるチ
ップ型サージアブソーバを提案した（特願平１０−１６
５３１４号。以下「先願」という）。

【００１０】このチップ型サージアブソーバでは、第２
の絶縁性基板３３に形成した溝３４により放電室を形成
することができる。しかも、チップ形状でありながらマ
イクロギャップ（第１の絶縁性基板３１の放電間隙３３
Ａ）で放電をトリガし、沿面放電の形態で放電を封止電
極（端子電極）３５，３５まで伸展させ、封止電極（端
子電極）３５，３５間でアーク放電を形成する２段階放
電を行うことができるため、放電遅れが小さく、しかも
マイクロギャップの劣化を防止して寿命特性を向上させ
ることができる。

【００１１】この先願のチップ型サージアブソーバは、
薄板状の第１の絶縁性基板の一方の板面に放電電極形成
用の導電性膜及び放電間隙用のマイクロギャップを形成
する工程、薄板状の第２の絶縁性基板の一方の板面にガ
ラス系接着剤層を形成すると共に、放電室形成用の複数
の溝を並列して形成する工程、該第１の絶縁性基板と第
２の絶縁性基板とを、該導電性膜形成面と溝形成面とを
対面させて接着して積層体とする工程、該積層体を前記
溝と直交する方向に短冊状に切断して角柱体を得る工
程、該角柱体をその長手方向と直交する方向に切断して
チップを得る工程、並びに該チップの前記溝が露出した
面に端子電極を形成する工程により製造される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記先願のチップ型サ
ージアブソーバでは、その製造工程において、次のよう
な欠点がある。

【００１３】 第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板
とをガラス系の接着剤層を用いて加熱接着する際に、ア
ルミナ等の絶縁性基板と接着剤層のガラスとの熱膨張係
数の差に起因してガラス系接着剤層にクラックが入って
しまうために、封止が困難である。 焼結体よりなる絶縁性基板の積層体をチップ状に切
断する作業が困難である。 端子電極に金属製のキャップ材を用いて封止する場
合、キャップ材及び加工費など製造コストが高くつく。 金属ペーストにより端子電極を形成する場合には、
金属ペーストが放電室形成用の溝に入り込んだり、ま
た、薄く電極を形成した場合は両端面に露出した放電室
形成用の溝が埋まらず、封止不良となる。

【００１４】本発明は上記先願の問題点を解決し、放電
室を有するマイクロギャップ式チップ型サージアブソー
バを、接着用ガラスを用いることなく、従って熱膨張差
に起因するクラックによる封止不良を防止して、また、
焼結体の切断加工を必要とすることなく、しかも端子電
極の形成も容易かつ安価に行って製造することを目的と
する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サージ
アブソーバは、積層配置された第１、第２及び第３の絶
縁性基板と、該第２の絶縁性基板に厚み方向（即ち、第
１の絶縁性基板から第３の絶縁性基板に向う積層方向）
に貫通するように設けられた放電室形成用の透孔と、該
第１の絶縁性基板の板面のうち、該第２の絶縁性基板に
対面する板面に、放電間隙をあけて設けられた１対の放
電電極と、該第１、第２及び第３の絶縁性基板の積層体
の対向する１対の端面に設けられた端子電極とを備えて
なるチップ型サージアブソーバであって、これらの第
１、第２及び第３の絶縁性基板は焼結により一体化され
ており、前記放電間隙は、該第２の絶縁性基板の透孔に
よって形成される放電室に臨んでおり、前記１対の放電
電極はそれぞれ前記１対の端面に表出するように設けら
れることにより、前記端子電極に導通しており、かつ、
該放電室内が封入ガス雰囲気とされていることを特徴と
する。

【００１６】本発明のチップ型サージアブソーバの製造
方法は、複数枚のセラミックグリーンシートを薄板状に
積層して各々、第１、第２、第３の積層シートを得る工
程、第１の積層シートの一方の板面に放電電極形成用の
帯状の導電性膜を複数本並列に形成すると共に、該帯状
の導電性膜に、該導電性膜の延在方向と直交する方向に
放電間隙用のマイクロギャップを形成する工程、第２の
積層シートに放電室形成用の複数の透孔を厚み方向に貫
通するように形成する工程、第１の積層シート、第２の
積層シート及び第３の積層シートを、この順で、かつ、
前記導電性膜形成面が第２の積層シートに対面するよう
に積層して積層体とする工程、積層体を、前記導電性膜
の延在方向と直交する方向及び隣接する該導電性膜同士
の間において該延在方向にそれぞれ切断してチップを得
る工程、該チップを封入ガス中で焼成する工程、並びに
焼成されたチップの導電性膜が露出した端面に端子電極
を形成する工程を備えることを特徴とする。

【００１７】かかるチップ型サージアブソーバであれ
ば、ガラス系接着剤を用いることなく、積層したセラミ
ックグリーンシートを焼結により一体化するため、前述
のような絶縁性基板とガラスとの熱膨張差に起因するク
ラック発生の問題はない。

【００１８】しかも、その製造に当っては、セラミック
グリーンシートの積層シートを積層してなる積層体をチ
ップ状に切断した後焼結するため、切断作業を容易に行
える。

【００１９】また、端子電極は、切断したチップの導電
性膜の表出端面に導電性ペーストを塗布することにより
容易に形成することができ、放電室へのペーストの浸入
や封止不良の問題は全くない。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２１】図１は本発明のチップ型サージアブソーバ
の実施の形態を示す図であって、（ａ）図は断面図、
（ｂ）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【００２２】図１のチップ型サージアブソーバ１０にお
いて、１は第１の絶縁性基板に相当するアルミナ基板で
あり、一方の板面に放電間隙２Ａをあけて導電性膜より
なる放電電極２が形成されている。３，３は、第２の絶
縁性基板に相当するアルミナ基板であり、厚さ方向に透
孔３Ａが形成されており、第３の絶縁性基板に相当する
アルミナ基板５及び第１の絶縁性基板であるアルミナ基
板１の間に介在され、この透孔３Ａの部分の空間が放電
室４とされている。

【００２３】そして、アルミナ基板１，３，５の積層体
６の、放電電極２が表出した両端面に、放電電極２に導
通する端子電極７，７が形成されている。

【００２４】なお、図示の如く、放電電極２の放電間隙
２Ａは放電室４に臨むように設けられており、また、放
電室４内は封入ガス雰囲気とされている。

【００２５】次に、本発明のチップ型サージアブソーバ
の製造方法の実施の形態を図２を参照して説明する。

【００２６】まず、セラミックグリーンシート１１を複
数枚積層して５０〜９０℃，１〜５ｔ／ｃｍ²で圧着
し、薄板状の積層シート１２とする（図２（ａ），
（ｂ））。ここで、セラミックグリーンシートは、例え
ば、アルミナ粉末とＳｉＯ₂等の焼結助材とからなる原
料粉末を有機ビヒクル（有機バインダと溶剤、分散剤、
可塑剤等の混合物）と混合して調製したスラリーをドク
ターブレード法でシート化するなどして、常法により容
易に製造することができる。このセラミックグリーンシ
ートは厚さ２０〜８０μｍ程度とし、５〜２４枚を積
層、圧着して積層シートとするのが好ましい。

【００２７】次いで、この積層シート１２のうちの１枚
１２Ｃに、放電室形成用の方形の透孔１３を複数個縦横
に配列して形成する（図２（ｃ））。この透孔は打ち抜
きにより形成することができる。なお、透孔の形状は方
形に限らず、円形、楕円形等であってもよい。また、別
の積層シート１２Ａに上記透孔１３の配列位置と対応す
るように帯状の電極膜１４を形成し、この電極膜１４の
透孔１３と対応する位置にマイクロギャップ１４Ａを形
成する（図３（ｄ））。

【００２８】そして、電極膜１４を形成した積層シート
１２Ａ、透孔１３を形成した積層シート１２Ｂ及び、積
層シート１１を積層、圧着したのみの積層シート１２Ｃ
をこの順で積層し、５０〜９０℃，１〜５ｔ／ｃｍ²で
圧着して積層体１５とする（図２（ｅ），（ｆ））。こ
の圧着には、押え板として、透孔１３を形成した積層シ
ート１２Ｂと平面視形状が同形状の押え板を用いるのが
好ましい。

【００２９】次いで、この積層体１５を、前記帯状の電
極膜１４の延在方向と直交する方向に前記マイクロギャ
ップ１４Ａの中間の位置で切断して角柱体１６とし（図
２（ｇ））、この角柱体１６をその長手方向と直交する
方向に、隣接する透孔１３，１３同士の間の位置で切断
してチップ状素体１７を得る（図２（ｈ））。この切断
順序は逆であっても良い。即ち、先に、透孔１３，１３
同士の間で帯状の電極膜１４の延在方向に切断しても良
い。

【００３０】そして、このチップ状素体１７を脱脂し、
次いで、Ｎ₂，Ａｒ等の不活性ガス等の封入ガス中にお
いて８００〜１１００℃で０．５〜３時間焼成して焼結
させた後、電極膜１４が表出した面１７Ａに端子電極１
８，１８を形成してチップ型サージアブソーバ１０を得
る（図２（ｉ））。

【００３１】なお、本発明において、絶縁性基板として
は、絶縁性で気密性の高いものであれば良く、アルミナ
基板の他、コランダム、ムライト、コランダムムライト
等の基板を用いることができる。従って、その製造に当
っては、各々のセラミックグリーンシートを用いること
ができる。

【００３２】また、図２に示す方法において、透孔１３
は幅０．１〜１．４ｍｍ×長さ０．１ｍｍ〜３．０ｍｍ
程度のものを０．１〜４ｍｍ程度のピッチで形成するの
が好ましく、放電電極用の電極膜１４は、幅０．１〜
３．０ｍｍ程度のものを、透孔１３の列と同等のピッチ
で形成するのが好ましい。

【００３３】この放電電極用の電極膜１４は、Ｔｉ，Ｔ
ｉＮ，Ｔａ，Ｗ，ＳｉＣ，ＳｎＯ₂，ＢａＡｌ，Ｎｂ，
Ｓｉ，Ｃ、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｌａ，Ｒｕ，Ｒｕ
Ｏ₂或いはこれらの２種以上の混合物等で、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法、印刷法、焼付法
等により、膜厚０．１〜２０μｍ程度に形成するのが好
ましい。

【００３４】また、マイクロギャップ１４Ａは、レーザ
ーカット、スクリーンマスク、エッチング等で形成する
ことができ、通常、０．１μｍ〜２．８ｍｍの幅に、電
極膜１４の１本当り、１〜１００本形成される。

【００３５】端子電極を導電性ペーストの塗布により形
成する場合は、Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｂ，Ｓｎ，
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃ，Ｒｕ，Ｒｈ或いはこれら
の２種以上の混合物よりなる導電性ペーストを塗布して
４００〜８５０℃で焼成すれば良い。なお、このときの
加熱は、トンネル炉、バッチ炉のいずれでも良いが、密
閉されたチップ内の圧力が温度上昇とともに上昇しても
炉内の圧力も同様に上昇する炉が好適である。

【００３６】端子電極の形成には導電性樹脂ペーストを
用いることもでき、この場合には焼成は１２０〜２００
℃で実施される。

【００３７】端子電極はキャップ電極を用いて形成する
こともできるが、コスト面からは、導電性ペーストを用
いるのが有利である。

【００３８】なお、封入ガスの圧力は、通常の場合、１
００〜１０００Ｔｏｒｒ程度とされる。

【００３９】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。

【００４０】実施例１ 図２に示す方法で本発明のチップ型サージアブソーバを
製造した。

【００４１】出発原料としてＡｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂粉末
を４：６の重量比となるように秤量し、有機バインダ、
溶剤、分散剤、可塑剤を添加し、ボールミルで２４時間
混合してスラリーを調製した。このスラリーを用いて、
ドクターブレード法により厚さ５０μｍのセラミックグ
リーンシートを作製した。

【００４２】このセラミックグリーンシートを１０枚重
ね、温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第１の積
層シートとし、この積層シートの一方の板面にＡｇ／Ｐ
ｄペーストを印刷、乾燥して、幅０．３ｍｍで厚さ３μ
ｍの電極膜を帯状に形成し、その後、ＹＡＧレーザーで
幅１００μｍのマイクロギャップ溝を３．５ｍｍピッチ
で形成した。

【００４３】別に、上記セラミックグリーンシート８枚
を重ねて温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第２
の積層シートとし、この積層シートに、上記電極膜と対
応する位置に幅０．９４ｍｍで長さ２．５ｍｍの長方形
状の透孔を１．８８ｍｍのピッチで形成した。

【００４４】別に、上記セラミックグリーンシート８枚
を重ねて温度７０℃，圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して第３
の積層シートとした。

【００４５】なお、いずれも圧着後の積層シートの大き
さは８０ｍｍ×７０ｍｍである。

【００４６】これら３枚の積層シートを重ねて、第２の
積層シートの透孔と同位置に開口を有し、各積層シート
と同一寸法の金属板を押え板として用い、温度７０℃，
圧力２ｔ／ｃｍ²で圧着して積層体を得た。

【００４７】この積層体をチップ状に切断し、脱脂処理
した後、Ａｒガス中にて９００℃で２時間焼成してチッ
プ状焼結体を得た。

【００４８】このチップ状焼結体の電極膜が表出した端
面に、Ａｇ／Ｐｄ導電性ペーストを塗布して大気中にて
８５０℃で焼成することにより端子電極を形成し、更に
Ｎｉめっき、はんだめっきを施して、３．２ｍｍ×１．
６ｍｍ×１．４ｍｍ厚さのチップ型サージアブソーバを
製造した。

【００４９】得られたチップ型サージアブソーバの直流
放電開始電圧（Ｖｓ）（ＤＣ電圧を印加し放電電流が１
ｍＡになった時点の電圧）を調べ、結果を表１に示し
た。

【００５０】実施例２ 実施例１において、マイクロギャップ幅を５０μｍとし
たこと以外は同様にしてチップ型サージアブソーバを製
造し、同様に評価を行って、結果を表１に示した。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、次
のような作用効果のもとに、放電室を有するマイクロギ
ャップ式チップ型サージアブソーバを容易に製造するこ
とができる。

【００５３】 接着用ガラスを用いる必要がないた
め、熱膨張差に起因するクラックによる封止不良が防止
され、封止が容易である。 グリーン状態でチップ状に切断するため切断加工が
容易である。 端子電極の形成が容易であり、端子電極に金属製の
キャップを用いることなく形成できるため、製造コスト
を安くできる。 不活性ガス中での封止を、チップ状に切断後の焼成
時に同時に行えるため、従来封止に用いていた治具を必
要とすることなく容易に製造できる。 端子電極形成時に電極ペーストにより放電空間を埋
める心配がなく、更に、接着用のガラスを使用していな
いため、ガラスのだれや接着時の位置ずれにより放電空
間を埋める恐れもないことから、放電空間を小さくして
も問題を生じることがないため、素子の小型化を図れ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サージアブソーバの実施の形
態を示す図であって、（ａ）図は断面図、（ｂ）図は
（ａ）図のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２】本発明のチップ型サージアブソーバの製造方法
の実施の形態を示す斜視図である。

【図３】先願のチップ型サージアブソーバの実施の形態
を示す図であって、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は分解
斜視図、（ｃ）図は（ａ）図のＣ−Ｃ線に沿う断面図で
ある。

【図４】先行技術に係るサージアブソーバを示す断面図
である。

【図５】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【図６】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【図７】先行技術に係るチップ型サージアブソーバを示
す斜視図である。

【符号の説明】

１，３，５ アルミナ基板 ２ 放電電極 ２Ａ 放電間隙 ３Ａ 透孔 ４ 放電室 ６ 積層体 ７ 端子電極 １０ チップ型サージアブソーバ １１ セラミックグリーンシート １２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 積層シート １３ 透孔 １４ 電極膜 １４Ａ マイクロギャップ １５ 積層体 １６ 角柱体 １７ チップ状素体 １８ 端子電極

フロントページの続き (72)発明者 田中 芳幸 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 (72)発明者 中元 隆裕 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 積層配置された第１、第２及び第３の絶
   縁性基板と、 該第２の絶縁性基板に厚み方向に貫通するように設けら
   れた放電室形成用の透孔と、 該第１の絶縁性基板の板面のうち、該第２の絶縁性基板
   に対面する板面に、放電間隙をあけて設けられた１対の
   放電電極と、 該第１、第２及び第３の絶縁性基板の積層体の対向する
   １対の端面に設けられた端子電極とを備えてなるチップ
   型サージアブソーバであって、 これらの第１、第２及び第３の絶縁性基板は焼結により
   一体化されており、 前記放電間隙は、該第２の絶縁性基板の透孔によって形
   成される放電室に臨んでおり、 前記１対の放電電極はそれぞれ前記１対の端面に表出す
   るように設けられることにより、前記端子電極に導通し
   ており、 かつ、該放電室内が封入ガス雰囲気とされていることを
   特徴とするチップ型サージアブソーバ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のチップ型サージアブソ
   ーバを製造する方法であって、 複数枚のセラミックグリーンシートを薄板状に積層して
   各々、第１、第２、第３の積層シートを得る工程、 第１の積層シートの一方の板面に放電電極形成用の帯状
   の導電性膜を複数本並列に形成すると共に、該帯状の導
   電性膜に、該導電性膜の延在方向と直交する方向に放電
   間隙用のマイクロギャップを形成する工程、 第２の積層シートに放電室形成用の複数の透孔を厚み方
   向に貫通するように形成する工程、 第１の積層シート、第２の積層シート及び第３の積層シ
   ートを、この順で、かつ、前記導電性膜形成面が第２の
   積層シートに対面するように積層して積層体とする工
   程、 積層体を、前記導電性膜の延在方向と直交する方向及び
   隣接する該導電性膜同士の間において該延在方向にそれ
   ぞれ切断してチップを得る工程、 該チップを封入ガス中で焼成する工程、並びに焼成され
   たチップの導電性膜が露出した端面に端子電極を形成す
   る工程を備えるチップ型サージアブソーバの製造方法。