JPH04218288A - 放電型サージ吸収素子 - Google Patents
放電型サージ吸収素子Info
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- JPH04218288A JPH04218288A JP41151690A JP41151690A JPH04218288A JP H04218288 A JPH04218288 A JP H04218288A JP 41151690 A JP41151690 A JP 41151690A JP 41151690 A JP41151690 A JP 41151690A JP H04218288 A JPH04218288 A JP H04218288A
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- Pending
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000001880 Sexual dysfunction Diseases 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電話回線等に印加され
る誘導雷等のサージを吸収して機器が損傷することを防
止する放電型サージ吸収素子に係り、特に素子を偏平化
することでスペースファクターの向上を図った放電型サ
ージ吸収素子に関する。
る誘導雷等のサージを吸収して機器が損傷することを防
止する放電型サージ吸収素子に係り、特に素子を偏平化
することでスペースファクターの向上を図った放電型サ
ージ吸収素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子回路に加わる誘導雷等のサー
ジから電子回路を保護するためのサージ吸収素子として
、電圧非直線特性を有する高抵抗体素子より成るバリス
タや、放電間隙を気密容器に収容したアレスタ等が広く
使用されている。しかし、上記バリスタは、サージ吸収
の応答性に優れるものの、単位断面積当たりの電流耐量
が比較的小さく、したがって大きなサージ電流を効率よ
く吸収することが困難であった。また、上記アレスタは
、その放電間隙にアーク放電を生成することにより電流
耐量を大きくすることができるのであるが、サージの印
加からアーク放電までに要する時間が上記バリスタと比
較して遅く、その応答性に問題を有していた。
ジから電子回路を保護するためのサージ吸収素子として
、電圧非直線特性を有する高抵抗体素子より成るバリス
タや、放電間隙を気密容器に収容したアレスタ等が広く
使用されている。しかし、上記バリスタは、サージ吸収
の応答性に優れるものの、単位断面積当たりの電流耐量
が比較的小さく、したがって大きなサージ電流を効率よ
く吸収することが困難であった。また、上記アレスタは
、その放電間隙にアーク放電を生成することにより電流
耐量を大きくすることができるのであるが、サージの印
加からアーク放電までに要する時間が上記バリスタと比
較して遅く、その応答性に問題を有していた。
【０００３】そこで、上記アレスタにおけるサージ吸収
の応答性を改善すべく、図３及び図４に示す如く、略円
柱状の絶縁体２２の表面に導電性薄膜２３を被着させた
上で、この導電性薄膜２３に幅が０．１ｍｍ程度の微小
放電間隙２４を周回状に形成して導電性薄膜２３を分割
するとともに、絶縁体２２の両端に主放電間隙２５を隔
てて放電電極２６，２６を嵌着して上記導電性薄膜２３
，２３と放電電極２４，２４とを接続し、これを放電ガ
スとともに気密容器２７内に封入して外部端子２８，２
８を導出したサージ吸収素子２１が提案されている。 この微小放電間隙２４を有するサージ吸収素子２１にサ
ージが印加された場合、まず微小放電間隙２４を介した
導電性薄膜２３，２３間に電位差が生じ、これにより微
小放電間隙２４に電子が放出されて沿面放電が発生する
。次いで、この沿面放電に伴って生ずる電子のプライミ
ング効果によってグロー放電へと移行する。そして、こ
のグロー放電がサージ電流の増加によって主放電間隙２
５へと転移し、アーク放電に移行してサージを吸収する
ものである。このように、微小放電間隙２４を有するサ
ージ吸収素子２１は、元来応答速度の速い沿面放電を利
用するものであるため、上記バリスタと比較して略同等
の優れた応答性を有するとともに、電流耐量も大きく優
れたものである。
の応答性を改善すべく、図３及び図４に示す如く、略円
柱状の絶縁体２２の表面に導電性薄膜２３を被着させた
上で、この導電性薄膜２３に幅が０．１ｍｍ程度の微小
放電間隙２４を周回状に形成して導電性薄膜２３を分割
するとともに、絶縁体２２の両端に主放電間隙２５を隔
てて放電電極２６，２６を嵌着して上記導電性薄膜２３
，２３と放電電極２４，２４とを接続し、これを放電ガ
スとともに気密容器２７内に封入して外部端子２８，２
８を導出したサージ吸収素子２１が提案されている。 この微小放電間隙２４を有するサージ吸収素子２１にサ
ージが印加された場合、まず微小放電間隙２４を介した
導電性薄膜２３，２３間に電位差が生じ、これにより微
小放電間隙２４に電子が放出されて沿面放電が発生する
。次いで、この沿面放電に伴って生ずる電子のプライミ
ング効果によってグロー放電へと移行する。そして、こ
のグロー放電がサージ電流の増加によって主放電間隙２
５へと転移し、アーク放電に移行してサージを吸収する
ものである。このように、微小放電間隙２４を有するサ
ージ吸収素子２１は、元来応答速度の速い沿面放電を利
用するものであるため、上記バリスタと比較して略同等
の優れた応答性を有するとともに、電流耐量も大きく優
れたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のサージ
吸収素子２１にあっては、図３に示す如く、気密容器２
７が略円筒形状を有し、所謂小型電子部品と比較して決
して小型とはいえないことから、各種電子・電気機器内
部に実装する際に一定程度の専有域を必要としていた。 しかしながら、近年の電子・電気機器にあっては、著し
く小型・軽量化が図られ、これにより電子部品もＩＣ等
により小型集積化が推し進められ、したがって従来のサ
ージ吸収素子にあっても更に小型化が要求されている。
吸収素子２１にあっては、図３に示す如く、気密容器２
７が略円筒形状を有し、所謂小型電子部品と比較して決
して小型とはいえないことから、各種電子・電気機器内
部に実装する際に一定程度の専有域を必要としていた。 しかしながら、近年の電子・電気機器にあっては、著し
く小型・軽量化が図られ、これにより電子部品もＩＣ等
により小型集積化が推し進められ、したがって従来のサ
ージ吸収素子にあっても更に小型化が要求されている。
【０００５】そこで、本発明の放電型サージ吸収素子に
あっては、外径形状の小型化、特に偏平化を図ることで
部品収容スペースの少ない小型の電子・電気機器内に収
容することを可能とし、その使用用途の拡大を実現する
ことを目的とする。
あっては、外径形状の小型化、特に偏平化を図ることで
部品収容スペースの少ない小型の電子・電気機器内に収
容することを可能とし、その使用用途の拡大を実現する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成すべ
く、本発明の放電型サージ吸収素子は、放電ガスを封入
した放電空間を設けて蓋部材により密閉状に被覆される
絶縁基板上に、微小放電間隙を隔てて対向する１対の導
電性薄膜と、該導電性薄膜と電気的に接続され、主放電
間隙を隔てて対向する１対の放電電極膜とを被着形成し
たことを特徴とするものである。また、絶縁基板に被着
形成した導電性薄膜において、その抵抗値を、連続した
過電流が流れたときに上記絶縁基板が熱歪みにより砕裂
し得る発熱量を生じる抵抗値としてもよいものである。
く、本発明の放電型サージ吸収素子は、放電ガスを封入
した放電空間を設けて蓋部材により密閉状に被覆される
絶縁基板上に、微小放電間隙を隔てて対向する１対の導
電性薄膜と、該導電性薄膜と電気的に接続され、主放電
間隙を隔てて対向する１対の放電電極膜とを被着形成し
たことを特徴とするものである。また、絶縁基板に被着
形成した導電性薄膜において、その抵抗値を、連続した
過電流が流れたときに上記絶縁基板が熱歪みにより砕裂
し得る発熱量を生じる抵抗値としてもよいものである。
【０００７】
【作用】放電ガスを封入した放電空間を設けて蓋部材に
より密閉状に被覆される絶縁基板表面に、微小放電間隙
を隔てて対向する導電性薄膜と、この導電性薄膜と電気
的に接続されるとともに主放電間隙を隔てて対向する放
電電極膜とを被着形成することにより、放電型サージ吸
収素子の形状は偏平化し、小型化することが容易となる
。また、導電性薄膜の抵抗値を、連続した過電流が流れ
たときに絶縁基板が熱歪みにより砕裂し得る発熱量を生
ずる抵抗値とすれば、放電型サージ吸収素子の定格を上
回る連続した過電流が導電性薄膜を流れた場合、絶縁基
板が砕裂して放電空間内の放電ガスに空気が流入し、こ
れにより放電が消失して過電流を遮断することとなり、
上記放電型サージ吸収素子の焼損を防止することができ
る。
より密閉状に被覆される絶縁基板表面に、微小放電間隙
を隔てて対向する導電性薄膜と、この導電性薄膜と電気
的に接続されるとともに主放電間隙を隔てて対向する放
電電極膜とを被着形成することにより、放電型サージ吸
収素子の形状は偏平化し、小型化することが容易となる
。また、導電性薄膜の抵抗値を、連続した過電流が流れ
たときに絶縁基板が熱歪みにより砕裂し得る発熱量を生
ずる抵抗値とすれば、放電型サージ吸収素子の定格を上
回る連続した過電流が導電性薄膜を流れた場合、絶縁基
板が砕裂して放電空間内の放電ガスに空気が流入し、こ
れにより放電が消失して過電流を遮断することとなり、
上記放電型サージ吸収素子の焼損を防止することができ
る。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の放電型サージ吸収素子を示
す分解斜視図、図２は本発明の放電型サージ吸収素子を
示す断面図である。
す分解斜視図、図２は本発明の放電型サージ吸収素子を
示す断面図である。
【０００９】図中１は、本発明の放電型サージ吸収素子
、２は０．４〜１．０ｍｍの厚さのセラミック等からな
る絶縁基板、３，３は絶縁基板２の表面に幅１０〜２０
０μｍの微小放電間隙４を隔ててルテニウム（Ｒｕ）系
ペーストを被着して形成した５〜１００Ωの抵抗値を有
するサーメット抵抗等の導電性薄膜、５，５は導電性薄
膜３，３のそれぞれの端部と電気的に接続し、０．４〜
３．０ｍｍ程度の主放電間隙６，６を隔てて対向し、モ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、六硼化ランタ
ン（ＬａＢ６）、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、
二酸化チタン（ＴｉＯ２）等の耐スパッタ性を有する導
電特質からなる放電電極膜、７，７は上記導電性薄膜３
，３及び放電電極膜５，５と電気的に接続して絶縁基板
２の端縁に被着形成された銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ
）やニッケル（Ｎｉ）等からなる外部端子接続被膜、７
ａ，７ａは上記外部端子接続被膜７，７と一体的に接続
され、絶縁基板２の側端縁から絶縁基板２の裏面にかけ
て被着形成された同じく銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
やニッケル（Ｎｉ）等からなる外部端子、８は上記導電
性薄膜３，３の露出部分を被覆することで、この露出部
分における沿面放電を防止するための非結晶化ガラス等
からなる保護膜、９は四方に鍔縁９ａを形成し、ガラス
やセラミック等の絶縁物質（本実施例にあってはガラス
）からなる蓋部材、１０は蓋部材９を絶縁基板２表面に
密閉状に封着するための低融点ガラスからなる封着部材
である。上記蓋部材９は、３〜１０ｍｍ程度の高さを有
し、導電性薄膜３，３間の微小放電間隙４と放電電極膜
５，５間の主放電間隙６，６とを被覆するとともに、鍔
縁９ａを絶縁基板２に封着することにより蓋部材９の内
方に放電空間１１を形成している。そして、この放電空
間１１にヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン
（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）等の希ガスの単体もしくは
混合物を主体とする放電ガスを封入している。 尚、上記蓋部材９は平板状のものでもよく、この場合に
は、絶縁基板２との間にスペーサ等を配して放電空間１
１を形成すればよい。また、上記導電性薄膜３，３にお
ける微小放電間隙４と対向する部分には、放電電極膜５
，５と同様のモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
、六硼化ランタン（ＬａＢ６）、二ケイ化モリブデン（
ＭｏＳｉ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）等の耐スパッ
タ性を有する導電物質１２，１２を被着形成している。 これにより、導電性薄膜３，３のスパッタによる微小放
電間隙４の絶縁劣化を防止し、寿命特性の向上を図って
いる。
、２は０．４〜１．０ｍｍの厚さのセラミック等からな
る絶縁基板、３，３は絶縁基板２の表面に幅１０〜２０
０μｍの微小放電間隙４を隔ててルテニウム（Ｒｕ）系
ペーストを被着して形成した５〜１００Ωの抵抗値を有
するサーメット抵抗等の導電性薄膜、５，５は導電性薄
膜３，３のそれぞれの端部と電気的に接続し、０．４〜
３．０ｍｍ程度の主放電間隙６，６を隔てて対向し、モ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、六硼化ランタ
ン（ＬａＢ６）、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、
二酸化チタン（ＴｉＯ２）等の耐スパッタ性を有する導
電特質からなる放電電極膜、７，７は上記導電性薄膜３
，３及び放電電極膜５，５と電気的に接続して絶縁基板
２の端縁に被着形成された銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ
）やニッケル（Ｎｉ）等からなる外部端子接続被膜、７
ａ，７ａは上記外部端子接続被膜７，７と一体的に接続
され、絶縁基板２の側端縁から絶縁基板２の裏面にかけ
て被着形成された同じく銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
やニッケル（Ｎｉ）等からなる外部端子、８は上記導電
性薄膜３，３の露出部分を被覆することで、この露出部
分における沿面放電を防止するための非結晶化ガラス等
からなる保護膜、９は四方に鍔縁９ａを形成し、ガラス
やセラミック等の絶縁物質（本実施例にあってはガラス
）からなる蓋部材、１０は蓋部材９を絶縁基板２表面に
密閉状に封着するための低融点ガラスからなる封着部材
である。上記蓋部材９は、３〜１０ｍｍ程度の高さを有
し、導電性薄膜３，３間の微小放電間隙４と放電電極膜
５，５間の主放電間隙６，６とを被覆するとともに、鍔
縁９ａを絶縁基板２に封着することにより蓋部材９の内
方に放電空間１１を形成している。そして、この放電空
間１１にヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン
（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）等の希ガスの単体もしくは
混合物を主体とする放電ガスを封入している。 尚、上記蓋部材９は平板状のものでもよく、この場合に
は、絶縁基板２との間にスペーサ等を配して放電空間１
１を形成すればよい。また、上記導電性薄膜３，３にお
ける微小放電間隙４と対向する部分には、放電電極膜５
，５と同様のモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
、六硼化ランタン（ＬａＢ６）、二ケイ化モリブデン（
ＭｏＳｉ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）等の耐スパッ
タ性を有する導電物質１２，１２を被着形成している。 これにより、導電性薄膜３，３のスパッタによる微小放
電間隙４の絶縁劣化を防止し、寿命特性の向上を図って
いる。
【００１０】然して、上述した如き構成からなる放電型
サージ吸収素子１を機器のプリント回路基板等に実装し
た状態で、外部から外部端子７ａ，７ａを介して誘導雷
等のサージが印加されると、まず微小放電間隙４を介し
た導電物質１２，１２間に電位差が生じ、これにより微
小放電間隙４に電子が放出されて沿面放電が発生する。 次いで、この沿面放電は、放電に伴って生ずる電子のプ
ライミング効果によってグロー放電へと移行する。そし
て、このグロー放電がサージ電流の増加によって主放電
間隙６へと転移し、更にアーク放電に移行してサージを
吸収するものである。
サージ吸収素子１を機器のプリント回路基板等に実装し
た状態で、外部から外部端子７ａ，７ａを介して誘導雷
等のサージが印加されると、まず微小放電間隙４を介し
た導電物質１２，１２間に電位差が生じ、これにより微
小放電間隙４に電子が放出されて沿面放電が発生する。 次いで、この沿面放電は、放電に伴って生ずる電子のプ
ライミング効果によってグロー放電へと移行する。そし
て、このグロー放電がサージ電流の増加によって主放電
間隙６へと転移し、更にアーク放電に移行してサージを
吸収するものである。
【００１１】また、本発明の放電型サージ吸収素子１に
おいて、電力線との接触事故やこのような事態を想定し
た過電圧試験によって、放電型サージ吸収素子の定格を
上回る連続した過電圧が印加された場合には、微小放電
間隙４における放電は主放電間隙６に転移せず、微小放
電間隙４または微小放電間隙４および主放電間隙６で放
電が持続し、この放電を通じて連続した過電流が流れる
こととなる。そして、このような短絡状態となった場合
には、導電性薄膜３，３がその抵抗値によって発熱し、
絶縁基板２に熱歪みが生じて砕裂し、これにより放電空
間１１内の放電ガスに空気が流入して放電を消失させ、
その結果過電流を遮断するものである。更に、導電性薄
膜３，３の発熱により絶縁基板２を砕裂し易くするため
に、絶縁基板２に溝等を形成する構成としたり、外部端
子７ａ，７ａを絶縁基板２の裏面方向へ突出させて回路
基板等から浮いた状態で実装されるようにしたりしても
よい。
おいて、電力線との接触事故やこのような事態を想定し
た過電圧試験によって、放電型サージ吸収素子の定格を
上回る連続した過電圧が印加された場合には、微小放電
間隙４における放電は主放電間隙６に転移せず、微小放
電間隙４または微小放電間隙４および主放電間隙６で放
電が持続し、この放電を通じて連続した過電流が流れる
こととなる。そして、このような短絡状態となった場合
には、導電性薄膜３，３がその抵抗値によって発熱し、
絶縁基板２に熱歪みが生じて砕裂し、これにより放電空
間１１内の放電ガスに空気が流入して放電を消失させ、
その結果過電流を遮断するものである。更に、導電性薄
膜３，３の発熱により絶縁基板２を砕裂し易くするため
に、絶縁基板２に溝等を形成する構成としたり、外部端
子７ａ，７ａを絶縁基板２の裏面方向へ突出させて回路
基板等から浮いた状態で実装されるようにしたりしても
よい。
【００１２】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の放電型サー
ジ吸収素子によれば、放電空間を設けて蓋部材により密
閉状に被覆される絶縁基板表面に、微小放電間隙を隔て
て対向する導電性薄膜と、この導電性薄膜と導通し主放
電間隙を隔てて対向する放電電極膜とを被着形成するこ
とで、上記構成の放電型サージ吸収素子の形状は偏平化
して小型化することが容易となり、したがって部品収容
スペースの少ない小型の機器内に収容することが可能に
なる等、放電型サージ吸収素子の使用用途を拡大し、そ
の利用価値を高めるものである。また、本発明の放電型
サージ吸収素子において、導電性薄膜の抵抗値を、連続
した過電流が流れたときに絶縁基板が熱歪みにより砕裂
し得る発熱量を生ずる抵抗値とすれば、電力線との接触
事故やこのような事態を想定した過電圧試験によって、
放電型サージ吸収素子の定格を上回る連続する過電流が
流れた場合に、導電性薄膜の多大な発熱により絶縁基板
を砕裂して放電ガスに空気を流入させることで放電を消
失させ、その結果過電流を遮断して放電型サージ吸収素
子による焼損事故を防止し、ひいては安全性に優れた放
電型サージ吸収素子を実現することができるものである
。
ジ吸収素子によれば、放電空間を設けて蓋部材により密
閉状に被覆される絶縁基板表面に、微小放電間隙を隔て
て対向する導電性薄膜と、この導電性薄膜と導通し主放
電間隙を隔てて対向する放電電極膜とを被着形成するこ
とで、上記構成の放電型サージ吸収素子の形状は偏平化
して小型化することが容易となり、したがって部品収容
スペースの少ない小型の機器内に収容することが可能に
なる等、放電型サージ吸収素子の使用用途を拡大し、そ
の利用価値を高めるものである。また、本発明の放電型
サージ吸収素子において、導電性薄膜の抵抗値を、連続
した過電流が流れたときに絶縁基板が熱歪みにより砕裂
し得る発熱量を生ずる抵抗値とすれば、電力線との接触
事故やこのような事態を想定した過電圧試験によって、
放電型サージ吸収素子の定格を上回る連続する過電流が
流れた場合に、導電性薄膜の多大な発熱により絶縁基板
を砕裂して放電ガスに空気を流入させることで放電を消
失させ、その結果過電流を遮断して放電型サージ吸収素
子による焼損事故を防止し、ひいては安全性に優れた放
電型サージ吸収素子を実現することができるものである
。
【図１】本発明の放電型サージ吸収素子の分解斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の放電型サージ吸収素子の断面図である
。
。
【図３】従来のサージ吸収素子の概略斜視図である。
【図４】従来のサージ吸収素子の概略断面図である。
１ 放電型サージ吸収素子
２ 絶縁基板
３ 導電性薄膜
４ 微小放電間隙
５ 放電電極膜
６ 主放電間隙
９ 蓋部材
１１ 放電空間
Claims (2)
- 【請求項１】 放電ガスを封入した放電空間を設けて
蓋部材により密閉状に被覆される絶縁基板上に、微小放
電間隙を隔てて対向する１対の導電性薄膜と、該導電性
薄膜と電気的に接続され、主放電間隙を隔てて対向する
１対の放電電極膜とを被着形成したことを特徴とする放
電型サージ吸収素子。 - 【請求項２】 絶縁基板に被着形成された導電性薄膜
は、連続した過電流が流れたときに上記絶縁基板が熱歪
みにより砕裂し得る発熱量を生ずる抵抗値を有すること
を特徴とする請求項１記載の放電型サージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41151690A JPH04218288A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 放電型サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41151690A JPH04218288A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 放電型サージ吸収素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218288A true JPH04218288A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18520518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41151690A Pending JPH04218288A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 放電型サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04131893U (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | 岡谷電機産業株式会社 | 複合放電型サージ吸収素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232881A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-13 | ロ−ム株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
| JPS6410592A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Okaya Electric Industry Co | Chip type surge absorbing element |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP41151690A patent/JPH04218288A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232881A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-13 | ロ−ム株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
| JPS6410592A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Okaya Electric Industry Co | Chip type surge absorbing element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04131893U (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | 岡谷電機産業株式会社 | 複合放電型サージ吸収素子 |
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