JPH0312192Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0312192Y2 JPH0312192Y2 JP17929085U JP17929085U JPH0312192Y2 JP H0312192 Y2 JPH0312192 Y2 JP H0312192Y2 JP 17929085 U JP17929085 U JP 17929085U JP 17929085 U JP17929085 U JP 17929085U JP H0312192 Y2 JPH0312192 Y2 JP H0312192Y2
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- JP
- Japan
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- metal layer
- melting point
- low melting
- substrate
- layer
- Prior art date
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- Expired
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- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 22
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Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は基板型抵抗温度ヒユーズの改良に関す
るものである。
るものである。
〈先行技術と問題点〉
基板型抵抗温度ヒユーズは、絶縁基板上に一対
の箔状電極を設け、電極間に低融点可溶金属層を
設け、一方の箔状電極の途中に抵抗層を設け、こ
れらの箔状電極、低融点可溶金属層並びに抵抗層
を絶縁コート層で被覆した構成であり、被保護電
気機器に過大電流がながれると、その過大電流の
ために抵抗層が通電発熱し、この発熱によつて低
融点可溶金属層が溶断し、被保護電気機器への通
電が遮断される。
の箔状電極を設け、電極間に低融点可溶金属層を
設け、一方の箔状電極の途中に抵抗層を設け、こ
れらの箔状電極、低融点可溶金属層並びに抵抗層
を絶縁コート層で被覆した構成であり、被保護電
気機器に過大電流がながれると、その過大電流の
ために抵抗層が通電発熱し、この発熱によつて低
融点可溶金属層が溶断し、被保護電気機器への通
電が遮断される。
ところで、上記発熱した抵抗層から低融点可溶
金属層への熱伝達は、箔状電極の熱伝導が主体で
あり、箔状電極の熱伝導性がその厚みの薄さのた
めに低いので、低融点可溶金属層の加熱溶融性が
余り良好ではない。また、加熱溶融した金属層の
分断は、その溶融金属の表面張力に基づく球状化
によるが、その溶融金属の球状化変形が、絶縁基
板の濡れ性のために低減されるので、溶融金属層
の分断性も余り良好ではない。
金属層への熱伝達は、箔状電極の熱伝導が主体で
あり、箔状電極の熱伝導性がその厚みの薄さのた
めに低いので、低融点可溶金属層の加熱溶融性が
余り良好ではない。また、加熱溶融した金属層の
分断は、その溶融金属の表面張力に基づく球状化
によるが、その溶融金属の球状化変形が、絶縁基
板の濡れ性のために低減されるので、溶融金属層
の分断性も余り良好ではない。
従つて、基板型温度ヒユーズにおいては、低融
点可溶金属層の加熱溶融分断性に問題があり、そ
の改良が必要である。
点可溶金属層の加熱溶融分断性に問題があり、そ
の改良が必要である。
〈考案の目的〉
本考案の目的は基板型抵抗温度ヒユーズの加熱
溶融分断性を向上させることにある。
溶融分断性を向上させることにある。
〈考案の構成〉
本考案に係る抵抗温度ヒユーズは、絶縁基板の
両面に電極を設け、その片面の電極の途中に抵抗
層を設け、絶縁基板の端または、該基板に設けた
孔の縁を経て基板両面にまたがる低融点可溶金属
層を設け、この低融点可溶金属層の各端と上記の
各電極とを連通したことを特徴とする構成であ
る。
両面に電極を設け、その片面の電極の途中に抵抗
層を設け、絶縁基板の端または、該基板に設けた
孔の縁を経て基板両面にまたがる低融点可溶金属
層を設け、この低融点可溶金属層の各端と上記の
各電極とを連通したことを特徴とする構成であ
る。
〈実施例の説明〉
以下、図面により本考案を説明する。
第１図Ａは本考案に係る抵抗温度ヒユーズを示
す上面図、第１図Ｂは同抵抗温度ヒユーズを示す
裏面図、第１図Ｃは第１図ＡにおけるＣ−Ｃ断面
図である。
す上面図、第１図Ｂは同抵抗温度ヒユーズを示す
裏面図、第１図Ｃは第１図ＡにおけるＣ−Ｃ断面
図である。
第１図Ａ乃至第１図Ｃにおいて、１は耐熱性の
絶縁基板、例えばセラミツク板である。２１，２
２は箔状電極であり、絶縁基板の両面に設けてあ
る。３１，３２は電極２１，２２に接続したリー
ド線である。４は一方の電極２１の途中に設けた
抵抗層である。５は抵抗保護層（絶縁体）であり
省略することもできる。６は低融点可溶金属層で
あり、絶縁基板端１０を経て絶縁基板１の両面に
またがつている。この低融点可溶金属層６の各端
を各電極端に連通し、低融点可溶金属層６上にフ
ラツクス層７を設けてある。８は絶縁基板１の両
面に設けた樹脂の塗布層である。
絶縁基板、例えばセラミツク板である。２１，２
２は箔状電極であり、絶縁基板の両面に設けてあ
る。３１，３２は電極２１，２２に接続したリー
ド線である。４は一方の電極２１の途中に設けた
抵抗層である。５は抵抗保護層（絶縁体）であり
省略することもできる。６は低融点可溶金属層で
あり、絶縁基板端１０を経て絶縁基板１の両面に
またがつている。この低融点可溶金属層６の各端
を各電極端に連通し、低融点可溶金属層６上にフ
ラツクス層７を設けてある。８は絶縁基板１の両
面に設けた樹脂の塗布層である。
上記において、過電流が流れると抵抗層４が発
熱し、この発熱により低融点可溶金属層６が溶融
し、その溶融金属層６に表面張力が発生し、基板
端の角において表面張力に対する応力が集中し、
溶融金属層が確実かつ迅速に分断される。
熱し、この発熱により低融点可溶金属層６が溶融
し、その溶融金属層６に表面張力が発生し、基板
端の角において表面張力に対する応力が集中し、
溶融金属層が確実かつ迅速に分断される。
第２図Ａは本考案の別実施例の上面図、第２図
Ｂはその裏面図、第２図Ｃは第２図ＡにおけるＣ
−Ｃ断面図であり、基板端１０に切欠部を設け、
この切欠部１１の縁を経て基板両面にまたがる低
融点可溶金属層６を設けてある。
Ｂはその裏面図、第２図Ｃは第２図ＡにおけるＣ
−Ｃ断面図であり、基板端１０に切欠部を設け、
この切欠部１１の縁を経て基板両面にまたがる低
融点可溶金属層６を設けてある。
第３図Ａは本考案の他の実施例を示す上面図、
第３図Ｂはその裏面図、第３図Ｃは第３図Ａにお
けるＣ−Ｃ断面図であり、基板１に孔１２を設
け、この孔１２の縁を経て基板両面にまたがる低
融点可溶金属層６をもうけてある。
第３図Ｂはその裏面図、第３図Ｃは第３図Ａにお
けるＣ−Ｃ断面図であり、基板１に孔１２を設
け、この孔１２の縁を経て基板両面にまたがる低
融点可溶金属層６をもうけてある。
第２図Ａ〜第２図Ｃ並びに第３図Ａ〜第３図Ｃ
において、第１図Ａ〜第１図Ｃと同一符号の構成
部分は、第１図Ａ〜第１図Ｃにおける構成部分と
同じものを示している。
において、第１図Ａ〜第１図Ｃと同一符号の構成
部分は、第１図Ａ〜第１図Ｃにおける構成部分と
同じものを示している。
上記第２図Ａ〜第２図Ｃ並びに第３図Ａ〜第３
図Ｃの実施例においては、基板１の切欠１１また
は孔１２にフラツクス７を充填しているので、基
板両面上でのフラツクス層の厚みを薄くでき、そ
れだけ、樹脂塗布層８の厚みを厚くできる。従つ
て、フラツクス層が溶融したときに発生するフラ
ツクス膨張圧力に対して、樹脂塗布層のシール効
果をよく保証できる。
図Ｃの実施例においては、基板１の切欠１１また
は孔１２にフラツクス７を充填しているので、基
板両面上でのフラツクス層の厚みを薄くでき、そ
れだけ、樹脂塗布層８の厚みを厚くできる。従つ
て、フラツクス層が溶融したときに発生するフラ
ツクス膨張圧力に対して、樹脂塗布層のシール効
果をよく保証できる。
〈考案の効果〉
本考案に係る抵抗温度ヒユーズは上述した通り
の構成であり、低融点可溶金属層を基板の縁端を
経て設けているから、抵抗層の発熱により低融点
可溶金属層が溶融すると、表面張力の作用下、基
板角での溶融金属層の応力集中によつて溶融金属
層を迅速に分断でき、抵抗層が発熱してから低融
点可溶金属層が溶融するまでの時間遅れにもかか
わらず、過電流の発生後、低融点可溶金属層を迅
速に分断できる。
の構成であり、低融点可溶金属層を基板の縁端を
経て設けているから、抵抗層の発熱により低融点
可溶金属層が溶融すると、表面張力の作用下、基
板角での溶融金属層の応力集中によつて溶融金属
層を迅速に分断でき、抵抗層が発熱してから低融
点可溶金属層が溶融するまでの時間遅れにもかか
わらず、過電流の発生後、低融点可溶金属層を迅
速に分断できる。
第１図Ａ並びに第１図Ｂはそれぞれ本考案に係
る抵抗温度ヒユーズを示す上面説明図並びに裏面
説明図、第１図Ｃは第１図ＡにおけるＣ−Ｃ断面
説明図、第２図Ａ並びに第２図Ｂはそれぞれ本考
案の別実施例を示す上面説明図並びに裏面説明
図、第２図Ｃは第２図ＡのＣ−Ｃ断面説明図、第
３図Ａ並びに第３図Ｂはそれぞれ本考案の他の実
施例を示す上面説明図並びに裏面説明図、第３図
Ｃは第３図ＡにおけるＣ−Ｃ断面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２１，２２は電
極、４は抵抗層、６は低融点可溶金属層である。
る抵抗温度ヒユーズを示す上面説明図並びに裏面
説明図、第１図Ｃは第１図ＡにおけるＣ−Ｃ断面
説明図、第２図Ａ並びに第２図Ｂはそれぞれ本考
案の別実施例を示す上面説明図並びに裏面説明
図、第２図Ｃは第２図ＡのＣ−Ｃ断面説明図、第
３図Ａ並びに第３図Ｂはそれぞれ本考案の他の実
施例を示す上面説明図並びに裏面説明図、第３図
Ｃは第３図ＡにおけるＣ−Ｃ断面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２１，２２は電
極、４は抵抗層、６は低融点可溶金属層である。
Claims (1)
- 絶縁基板の両面に電極を設け、その片面の電極
の途中に抵抗層を設け、絶縁基板の端または該基
板に設けた孔の縁を経て基板両面にまたがる低融
点可溶金属層を設け、この低融点可溶金属層の各
端と上記の各電極とを連通したことを特徴とする
抵抗温度ヒユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17929085U JPH0312192Y2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17929085U JPH0312192Y2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286634U JPS6286634U (ja) | 1987-06-02 |
| JPH0312192Y2 true JPH0312192Y2 (ja) | 1991-03-22 |
Family
ID=31122223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17929085U Expired JPH0312192Y2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312192Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050270A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Anzen Dengu Kk | 温度ヒューズ |
| JP2002050271A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Anzen Dengu Kk | 温度ヒューズ |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP17929085U patent/JPH0312192Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6286634U (ja) | 1987-06-02 |
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