JPH117876A - 基板型温度ヒュ−ズ - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズInfo
- Publication number
- JPH117876A JPH117876A JP17310397A JP17310397A JPH117876A JP H117876 A JPH117876 A JP H117876A JP 17310397 A JP17310397 A JP 17310397A JP 17310397 A JP17310397 A JP 17310397A JP H117876 A JPH117876 A JP H117876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- low melting
- point fusible
- fusible alloy
- pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電流容量が大きく、しかも作動速度の速い基板
型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】良熱伝導性の絶縁基板１１上に一対の膜電
極１２，１２を設け、これらの膜電極間に複数本の低融
点可溶合金片１３，…を並列接続し、それらの低融点可
溶合金片にフラックス１４を塗布し、このフラックス塗
布低融点可溶合金片を覆って絶縁体１６を被覆した。
型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】良熱伝導性の絶縁基板１１上に一対の膜電
極１２，１２を設け、これらの膜電極間に複数本の低融
点可溶合金片１３，…を並列接続し、それらの低融点可
溶合金片にフラックス１４を塗布し、このフラックス塗
布低融点可溶合金片を覆って絶縁体１６を被覆した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電流容量の大きい基
板型温度ヒュ−ズに関するものである。
板型温度ヒュ−ズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】合金型温度ヒュ−ズにおいては、ヒュ−
ズエレメントに低融点可溶合金片を用いており、電気機
器に取付けて使用され、電気機器が過電流のために発熱
すると、その発生熱で温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメン
トが溶融され、この溶融金属が界面エネルギ−に基づく
球状化で分断され、機器の電源からの遮断で機器の異常
発熱、ひいては火災の発生を未然に防止している。合金
型温度ヒュ−ズとして、図３に示すように、良熱伝導性
の絶縁基板１１’、例えばセラミックス板上に一対の膜
電極１２’，１２’を設け、各膜電極１２’にリ−ド線
１３’を接続し、これらの膜電極間に低融点可溶合金片
１４’を接続し、それらの低融点可溶合金片１４’にフ
ラックス１５’を塗布し、このフラックス塗布低融点可
溶合金片を覆って絶縁体１６’を被覆した、所謂、基板
型温度ヒュ−ズが公知である。この基板型温度ヒュ−ズ
は合金型温度ヒュ−ズの薄型化に有利である。また、膜
電極が数μｍの厚みであり熱伝導抵抗が高く、リ−ド線
を機器にはんだ付けする際、リ−ド線を経ての低融点可
溶合金片へのはんだ付け熱の伝導を膜電極でよく阻止で
きるので、はんだ付け時での温度ヒュ−ズの損傷を容易
に防止できる有利性もある。
ズエレメントに低融点可溶合金片を用いており、電気機
器に取付けて使用され、電気機器が過電流のために発熱
すると、その発生熱で温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメン
トが溶融され、この溶融金属が界面エネルギ−に基づく
球状化で分断され、機器の電源からの遮断で機器の異常
発熱、ひいては火災の発生を未然に防止している。合金
型温度ヒュ−ズとして、図３に示すように、良熱伝導性
の絶縁基板１１’、例えばセラミックス板上に一対の膜
電極１２’，１２’を設け、各膜電極１２’にリ−ド線
１３’を接続し、これらの膜電極間に低融点可溶合金片
１４’を接続し、それらの低融点可溶合金片１４’にフ
ラックス１５’を塗布し、このフラックス塗布低融点可
溶合金片を覆って絶縁体１６’を被覆した、所謂、基板
型温度ヒュ−ズが公知である。この基板型温度ヒュ−ズ
は合金型温度ヒュ−ズの薄型化に有利である。また、膜
電極が数μｍの厚みであり熱伝導抵抗が高く、リ−ド線
を機器にはんだ付けする際、リ−ド線を経ての低融点可
溶合金片へのはんだ付け熱の伝導を膜電極でよく阻止で
きるので、はんだ付け時での温度ヒュ−ズの損傷を容易
に防止できる有利性もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常、温度ヒュ−ズは
通電電流の比較的小さな電気機器や回路の保護に使用さ
れ、通電電流の大きな電気機器や回路の保護には、電流
ヒュ−ズが使用されている。しかしながら、その中間の
電流領域に対しては、必ずしも、電流ヒュ−ズで適切に
対処し得ないのが現況である。
通電電流の比較的小さな電気機器や回路の保護に使用さ
れ、通電電流の大きな電気機器や回路の保護には、電流
ヒュ−ズが使用されている。しかしながら、その中間の
電流領域に対しては、必ずしも、電流ヒュ−ズで適切に
対処し得ないのが現況である。
【０００４】而るに、上記の基板型温度ヒュ−ズを電流
容量上、上記の中間電流領域に適応させるためには、ヒ
ュ−ズエレメントの外径をほぼ１．０ｍｍφ以上とする
必要があるが、本発明者の検討結果によれば、かかる基
板型温度ヒュ−ズでは、作動速度が遅く、温度ヒュ−ズ
として満足に作動させ難い。例えば、図３において、セ
ラミックス絶縁基板の厚みを０．６ｍｍ、膜電極間の距
離Ｌ’を０．８ｍｍとし、ヒュ−ズエレメントに融点１
２６℃、断面積０．４ｍｍ2の低融点可溶合金片を用い
た基板型温度ヒュ−ズを温度１３０℃のオイル中に浸漬
すると、約２０秒でヒュ−ズエレメントが溶断されるの
に対し、ヒュ−ズエレメントの断面積を約３倍の１．２
ｍｍ2にすると、ヒュ−ズエレメントの溶断に約４０秒
もの時間がかかり、作動速度が余りにも遅く、満足な保
護機能が期待できない。
容量上、上記の中間電流領域に適応させるためには、ヒ
ュ−ズエレメントの外径をほぼ１．０ｍｍφ以上とする
必要があるが、本発明者の検討結果によれば、かかる基
板型温度ヒュ−ズでは、作動速度が遅く、温度ヒュ−ズ
として満足に作動させ難い。例えば、図３において、セ
ラミックス絶縁基板の厚みを０．６ｍｍ、膜電極間の距
離Ｌ’を０．８ｍｍとし、ヒュ−ズエレメントに融点１
２６℃、断面積０．４ｍｍ2の低融点可溶合金片を用い
た基板型温度ヒュ−ズを温度１３０℃のオイル中に浸漬
すると、約２０秒でヒュ−ズエレメントが溶断されるの
に対し、ヒュ−ズエレメントの断面積を約３倍の１．２
ｍｍ2にすると、ヒュ−ズエレメントの溶断に約４０秒
もの時間がかかり、作動速度が余りにも遅く、満足な保
護機能が期待できない。
【０００５】このように低融点可溶合金片の線径を大き
くすると、作動に時間がかかる理由としては、基板型
温度ヒュ−ズの熱の主な伝達経路が絶縁基板の裏面から
基板を貫いて低融点可溶合金片の内部に至る経路であ
り、低融点可溶合金片の径が大きくなると、低融点可溶
合金片の熱容量の増大のために低融点可溶合金片の融点
への加熱に要する時間が長くなること、膜電極と絶縁
被覆層との間が密接されており、溶融された低融点可溶
合金の膜電極への濡れによる移動が本来的に生じ難く、
低融点可溶合金片の径が大きくなって溶融合金量が多く
なっても、前記膜電極との濡れによる移動量が変わら
ず、それだけ多量の溶融合金が膜電極の間に残るように
なること等を挙げることができる。
くすると、作動に時間がかかる理由としては、基板型
温度ヒュ−ズの熱の主な伝達経路が絶縁基板の裏面から
基板を貫いて低融点可溶合金片の内部に至る経路であ
り、低融点可溶合金片の径が大きくなると、低融点可溶
合金片の熱容量の増大のために低融点可溶合金片の融点
への加熱に要する時間が長くなること、膜電極と絶縁
被覆層との間が密接されており、溶融された低融点可溶
合金の膜電極への濡れによる移動が本来的に生じ難く、
低融点可溶合金片の径が大きくなって溶融合金量が多く
なっても、前記膜電極との濡れによる移動量が変わら
ず、それだけ多量の溶融合金が膜電極の間に残るように
なること等を挙げることができる。
【０００６】本発明の目的は、電流容量が大きく、しか
も作動速度の速い基板型温度ヒュ−ズを提供することに
ある。
も作動速度の速い基板型温度ヒュ−ズを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板型温度
ヒュ−ズは、良熱伝導性の絶縁基板上に一対の膜電極を
設け、これらの膜電極間に複数本の低融点可溶合金片を
並列接続し、それらの低融点可溶合金片にフラックスを
塗布し、このフラックス塗布低融点可溶合金片を覆って
絶縁体を被覆したことを特徴とする構成であり、一方の
膜電極における低融点可溶合金片の接続箇所の間隔より
も、他方の膜電極における低融点可溶合金片の接続箇所
の間隔を狭くすることが好ましく、例えば、一方の膜電
極を円弧状とし、他方の膜電極を前記円弧状内に位置す
るランドとし、複数本の低融点可溶合金片を両膜電極間
に放射状に接続することができる。上記の各低融点可溶
合金片の断面積は０．８ｍｍ2以下とすることが望まし
い。
ヒュ−ズは、良熱伝導性の絶縁基板上に一対の膜電極を
設け、これらの膜電極間に複数本の低融点可溶合金片を
並列接続し、それらの低融点可溶合金片にフラックスを
塗布し、このフラックス塗布低融点可溶合金片を覆って
絶縁体を被覆したことを特徴とする構成であり、一方の
膜電極における低融点可溶合金片の接続箇所の間隔より
も、他方の膜電極における低融点可溶合金片の接続箇所
の間隔を狭くすることが好ましく、例えば、一方の膜電
極を円弧状とし、他方の膜電極を前記円弧状内に位置す
るランドとし、複数本の低融点可溶合金片を両膜電極間
に放射状に接続することができる。上記の各低融点可溶
合金片の断面積は０．８ｍｍ2以下とすることが望まし
い。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は請求項１に係る基
板型温度ヒュ−ズの一例を示す図面である。図１におい
て、１１は良熱伝導性の耐熱性絶縁基板であり、例え
ば、厚み０．１ｍｍ〜１．０ｍｍのアルミナセラミック
ス板を使用できる。１２，１２は絶縁基板に設けた一対
の膜電極であり、厚みは通常５μｍ〜１００μｍとさ
れ、銀ペ−スト等の導電ぺ−ストの印刷・焼付けにより
形成できる。１３は各膜電極１２に接続したリ−ド線で
ある。１４，…は膜電極間に接続した複数本の低融点可
溶合金片であり、各低融点可溶合金片１４には断面積
０．８ｍｍ2以下、好ましくは０．４ｍｍ2以下の丸線や
箔を使用してある。１５は低融点可溶合金片１４，…上
に塗布したフラックス、１６は低融点可溶合金片及び電
極を覆って被覆した絶縁体であり、例えば、エポキシ樹
脂のディツピング塗装により形成できる。
実施の形態について説明する。図１は請求項１に係る基
板型温度ヒュ−ズの一例を示す図面である。図１におい
て、１１は良熱伝導性の耐熱性絶縁基板であり、例え
ば、厚み０．１ｍｍ〜１．０ｍｍのアルミナセラミック
ス板を使用できる。１２，１２は絶縁基板に設けた一対
の膜電極であり、厚みは通常５μｍ〜１００μｍとさ
れ、銀ペ−スト等の導電ぺ−ストの印刷・焼付けにより
形成できる。１３は各膜電極１２に接続したリ−ド線で
ある。１４，…は膜電極間に接続した複数本の低融点可
溶合金片であり、各低融点可溶合金片１４には断面積
０．８ｍｍ2以下、好ましくは０．４ｍｍ2以下の丸線や
箔を使用してある。１５は低融点可溶合金片１４，…上
に塗布したフラックス、１６は低融点可溶合金片及び電
極を覆って被覆した絶縁体であり、例えば、エポキシ樹
脂のディツピング塗装により形成できる。
【０００９】上記の実施例においては、膜電極における
低融点可溶合金片の接続箇所の間隔を両膜電極において
等しくしているが、一方の膜電極における低融点可溶合
金片の接続箇所の間隔に較べ、他方の膜電極における低
融点可溶合金片の接続箇所の間隔を狭くすることもでき
る。
低融点可溶合金片の接続箇所の間隔を両膜電極において
等しくしているが、一方の膜電極における低融点可溶合
金片の接続箇所の間隔に較べ、他方の膜電極における低
融点可溶合金片の接続箇所の間隔を狭くすることもでき
る。
【００１０】図２の（イ）は請求項３に係る基板型温度
ヒュ−ズの一例を示す図面、図２の（ロ）は図２の
（イ）におけるロ−ロ断面図である。図２において、１
１は絶縁基板である。１２１は一方の円弧状膜電極、１
２２は円弧状内のランドからなる他方の膜電極であり、
リ−ド線接続用耳部１２３を備えている。１３，１３は
各膜電極１２１，１２２に接続したリ−ド線である。１
４，…は両膜電極間に放射状に接続した複数本の低融点
可溶合金片であり、断面積が０．８ｍｍ2以下、好まし
くは０．４ｍｍ2以下の丸線や箔を使用してある。１７
は内郭が円弧状膜電極１２１の外周よりも大きく、外郭
が絶縁基板１１の外郭よりもやや小なる絶縁スペ−サ、
例えば、セラミックス板であり、リ−ド線用溝１７１を
有し、円弧状膜電極１２１を囲んで絶縁基板１１上に載
置してある。１５は低融点可溶合金片１４に塗布したフ
ラックス、１６は絶縁スペ−サ１７内に被覆した絶縁体
であり、絶縁スペ−サ１７の内郭が円弧状膜電極１２１
の外郭よりも充分に大きくされているので、円弧状膜電
極１２１を含んだ充電部位が絶縁体１５に深く埋入され
ている。
ヒュ−ズの一例を示す図面、図２の（ロ）は図２の
（イ）におけるロ−ロ断面図である。図２において、１
１は絶縁基板である。１２１は一方の円弧状膜電極、１
２２は円弧状内のランドからなる他方の膜電極であり、
リ−ド線接続用耳部１２３を備えている。１３，１３は
各膜電極１２１，１２２に接続したリ−ド線である。１
４，…は両膜電極間に放射状に接続した複数本の低融点
可溶合金片であり、断面積が０．８ｍｍ2以下、好まし
くは０．４ｍｍ2以下の丸線や箔を使用してある。１７
は内郭が円弧状膜電極１２１の外周よりも大きく、外郭
が絶縁基板１１の外郭よりもやや小なる絶縁スペ−サ、
例えば、セラミックス板であり、リ−ド線用溝１７１を
有し、円弧状膜電極１２１を囲んで絶縁基板１１上に載
置してある。１５は低融点可溶合金片１４に塗布したフ
ラックス、１６は絶縁スペ−サ１７内に被覆した絶縁体
であり、絶縁スペ−サ１７の内郭が円弧状膜電極１２１
の外郭よりも充分に大きくされているので、円弧状膜電
極１２１を含んだ充電部位が絶縁体１５に深く埋入され
ている。
【００１１】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズは、被保
護機器の過電流に基づく発熱を受熱し易い部位に取付け
られ、機器の入力端に直列に接続されて使用される。而
して、電気機器が過電流のために発熱すると、その発生
熱で温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントが溶融され、こ
の溶融金属が界面エネルギ−に基づく球状化で分断さ
れ、機器が電源からの遮断される。この場合、低融点可
溶合金片への熱の主な伝達経路が絶縁基板外面から絶縁
基板を垂直に通過し、低融点可溶合金片の中心に向かう
経路であり、低融点可溶合金片の径が大となるほど、低
融点可溶合金片の容積が大となって、低融点可溶合金片
の溶融に時間がかかる。また、溶融された低融点可溶合
金片が膜電極への濡れのために膜電極に向け界面張力で
引っ張られて移動するが、この移動量は膜電極の濡れ性
に負うところが大きく、膜電極が同じであればその移動
流量が変わらず、しかも、膜電極と絶縁被覆層との間が
密接されており溶融された低融点可溶合金の膜電極への
濡れによる移動が本来的に生じ難いため、低融点可溶合
金片の径が大となり低融点可溶合金片の容積が大きくな
ると、電極間に残る溶融合金量がそれだけ多くなって、
分断が生じ難くなる。
護機器の過電流に基づく発熱を受熱し易い部位に取付け
られ、機器の入力端に直列に接続されて使用される。而
して、電気機器が過電流のために発熱すると、その発生
熱で温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントが溶融され、こ
の溶融金属が界面エネルギ−に基づく球状化で分断さ
れ、機器が電源からの遮断される。この場合、低融点可
溶合金片への熱の主な伝達経路が絶縁基板外面から絶縁
基板を垂直に通過し、低融点可溶合金片の中心に向かう
経路であり、低融点可溶合金片の径が大となるほど、低
融点可溶合金片の容積が大となって、低融点可溶合金片
の溶融に時間がかかる。また、溶融された低融点可溶合
金片が膜電極への濡れのために膜電極に向け界面張力で
引っ張られて移動するが、この移動量は膜電極の濡れ性
に負うところが大きく、膜電極が同じであればその移動
流量が変わらず、しかも、膜電極と絶縁被覆層との間が
密接されており溶融された低融点可溶合金の膜電極への
濡れによる移動が本来的に生じ難いため、低融点可溶合
金片の径が大となり低融点可溶合金片の容積が大きくな
ると、電極間に残る溶融合金量がそれだけ多くなって、
分断が生じ難くなる。
【００１２】本発明者は低融点可溶合金片の断面積と外
径と基板型温度ヒュ−ズの作動時間との関係を、基板型
温度ヒュ−ズを低融点可溶合金片の融点と同温度＋４℃
のオイル中に浸漬することによって求めたところ、低融
点可溶合金片の断面積が０．８ｍｍ2以下であれば、作
動時間を２０秒以内に抑え得ることを見出した。本発明
に係る基板型温度ヒュ−ズにおいては、この知見を根拠
に低融点可溶合金片の断面積を０．８ｍｍ2以下として
いる。
径と基板型温度ヒュ−ズの作動時間との関係を、基板型
温度ヒュ−ズを低融点可溶合金片の融点と同温度＋４℃
のオイル中に浸漬することによって求めたところ、低融
点可溶合金片の断面積が０．８ｍｍ2以下であれば、作
動時間を２０秒以内に抑え得ることを見出した。本発明
に係る基板型温度ヒュ−ズにおいては、この知見を根拠
に低融点可溶合金片の断面積を０．８ｍｍ2以下として
いる。
【００１３】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズにおいて
は、複数本の低融点可溶合金片が並列接続されており、
各低融点可溶合金片の作動時間を厳密に同一にすること
は困難であり、ある程度のバラツキが避けられず、しか
も、均一に加熱されるとは限らないので、並列接続され
た低融点可溶合金片の何れか一個が時間的に優先して分
断され、以後、次々と分断されて行く。この場合、一の
低融点可溶合金片の分断により残りの低融点可溶合金片
に流れる電流が増大されるから、残りの低融点可溶合金
片はジュ−ル発熱によっても加熱され、それだけ分断時
間が速められ、かかる面からも基板型温度ヒュ−ズ全体
の作動を迅速化できる。更に、低融点可溶合金片の図の
ランドからなる膜電極のように面積が小となっても、低
融点可溶合金片接続箇所の間隔が狭くなるために、その
膜電極に濡れにより引き込まれる溶融合金が相互に凝集
され、その凝集力も分断に寄与するから、作動の迅速化
をよく保持できる。
は、複数本の低融点可溶合金片が並列接続されており、
各低融点可溶合金片の作動時間を厳密に同一にすること
は困難であり、ある程度のバラツキが避けられず、しか
も、均一に加熱されるとは限らないので、並列接続され
た低融点可溶合金片の何れか一個が時間的に優先して分
断され、以後、次々と分断されて行く。この場合、一の
低融点可溶合金片の分断により残りの低融点可溶合金片
に流れる電流が増大されるから、残りの低融点可溶合金
片はジュ−ル発熱によっても加熱され、それだけ分断時
間が速められ、かかる面からも基板型温度ヒュ−ズ全体
の作動を迅速化できる。更に、低融点可溶合金片の図の
ランドからなる膜電極のように面積が小となっても、低
融点可溶合金片接続箇所の間隔が狭くなるために、その
膜電極に濡れにより引き込まれる溶融合金が相互に凝集
され、その凝集力も分断に寄与するから、作動の迅速化
をよく保持できる。
【００１４】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズにおい
て、低融点可溶合金片の並列個数は必要とされる電流容
量によって定められ、通常は３〜１０個とされる。
て、低融点可溶合金片の並列個数は必要とされる電流容
量によって定められ、通常は３〜１０個とされる。
【００１５】
〔実施例１〕図１において、絶縁基板に厚み０．６ｍｍ
のアルミナセラミックス板を用い、膜電極を銀ペ−スト
の印刷・焼付けにより形成し、膜電極の巾を０．８ｍ
ｍ、長さを３．０ｍｍ、膜電極間の間隔を１．２ｍｍと
し、低融点可溶合金片には断面積０．３ｍｍ2、融点１
２６℃のものを４本使用し、フラックスにはロジンを用
い、絶縁被覆体にはエポキシ樹脂を使用した。なお、リ
−ド線には線径φ０．５５ｍｍの銅線を使用した。 〔比較例〕低融点可溶合金片の本数を一本とし、その断
面積をほぼ０．３×４ｍｍ2とした以外、実施例１に同
じとした。
のアルミナセラミックス板を用い、膜電極を銀ペ−スト
の印刷・焼付けにより形成し、膜電極の巾を０．８ｍ
ｍ、長さを３．０ｍｍ、膜電極間の間隔を１．２ｍｍと
し、低融点可溶合金片には断面積０．３ｍｍ2、融点１
２６℃のものを４本使用し、フラックスにはロジンを用
い、絶縁被覆体にはエポキシ樹脂を使用した。なお、リ
−ド線には線径φ０．５５ｍｍの銅線を使用した。 〔比較例〕低融点可溶合金片の本数を一本とし、その断
面積をほぼ０．３×４ｍｍ2とした以外、実施例１に同
じとした。
【００１６】これらの実施例及び比較例のそれぞれにつ
き（各試料数は１０個）、直流５アンペアを通電した状
態で温度１４０℃のシリコンオイルに浸漬し、浸漬後通
電遮断までの時間を測定したところ、実施例では８秒以
内であったが、比較例では１０秒〜２０秒であり、本発
明によれば、作動時間を充分に短くできることが確認で
きた。
き（各試料数は１０個）、直流５アンペアを通電した状
態で温度１４０℃のシリコンオイルに浸漬し、浸漬後通
電遮断までの時間を測定したところ、実施例では８秒以
内であったが、比較例では１０秒〜２０秒であり、本発
明によれば、作動時間を充分に短くできることが確認で
きた。
【００１７】〔実施例２〕図２において、絶縁基板に厚
み０．６ｍｍのアルミナセラミックス板を用い、膜電極
を銀ペ−ストの印刷・焼付けにより形成し、円弧状膜電
極の外径をφ５．０ｍｍ、内径をφ３．８ｍｍ、ランド
膜電極の外径をφ１．２ｍｍとし、低融点可溶合金片に
は断面積０．３ｍｍ2、融点１２６℃のものを４本使用
し、絶縁スペ−サに厚み０．８ｍｍのセラミックス板を
用い、フラックスにロジンを用い、絶縁被覆体にはエポ
キシ樹脂を使用した。なお、リ−ド線には線径φ０．５
５ｍｍの銅線を使用した。上記と同様の作動試験を行
い、浸漬後通電遮断までの時間を測定したところ、７秒
以内であり、実施例と同等の作動時間であった。
み０．６ｍｍのアルミナセラミックス板を用い、膜電極
を銀ペ−ストの印刷・焼付けにより形成し、円弧状膜電
極の外径をφ５．０ｍｍ、内径をφ３．８ｍｍ、ランド
膜電極の外径をφ１．２ｍｍとし、低融点可溶合金片に
は断面積０．３ｍｍ2、融点１２６℃のものを４本使用
し、絶縁スペ−サに厚み０．８ｍｍのセラミックス板を
用い、フラックスにロジンを用い、絶縁被覆体にはエポ
キシ樹脂を使用した。なお、リ−ド線には線径φ０．５
５ｍｍの銅線を使用した。上記と同様の作動試験を行
い、浸漬後通電遮断までの時間を測定したところ、７秒
以内であり、実施例と同等の作動時間であった。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズにおい
ては、複数個の低融点可溶合金片の並列接続のために電
流容量を大きくでき、その並列接続する低融点可溶合金
片の断面積を０．８mm2以下に抑えることにより、溶断
を迅速に行わせ得る。従って、電流容量が大で、迅速作
動の基板型温度ヒュ−ズを提供できる。
ては、複数個の低融点可溶合金片の並列接続のために電
流容量を大きくでき、その並列接続する低融点可溶合金
片の断面積を０．８mm2以下に抑えることにより、溶断
を迅速に行わせ得る。従って、電流容量が大で、迅速作
動の基板型温度ヒュ−ズを提供できる。
【図１】請求項１に係る基板型温度ヒュ−ズを示す図面
である。
である。
【図２】請求項３に係る基板型温度ヒュ−ズを示す図面
である。
である。
【図３】従来の基板型温度ヒュ−ズを示す図面である。
１１ 絶縁基板 １２ 膜電極 １２１ 円弧状膜電極 １２２ ランド膜電極 １３ リ−ド線 １４ 低融点可溶合金片 １５ フラックス １６ 絶縁体 １７ 絶縁スペ−サ
Claims (4)
- 【請求項１】良熱伝導性の絶縁基板上に一対の膜電極を
設け、これらの膜電極間に複数本の低融点可溶合金片を
並列接続し、それらの低融点可溶合金片にフラックスを
塗布し、このフラックス塗布低融点可溶合金片を覆って
絶縁体を被覆したことを特徴とする基板型温度ヒュ−
ズ。 - 【請求項２】一方の膜電極における低融点可溶合金片の
接続箇所の間隔よりも、他方の膜電極における低融点可
溶合金片の接続箇所の間隔を狭くした請求項１記載の基
板型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項３】一方の膜電極を円弧状とし、他方の膜電極
を前記円弧状内に位置するランドとし、複数本の低融点
可溶合金片を両膜電極間に放射状に接続した請求項２記
載の基板型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項４】各低融点可溶合金片の断面積が０．８ｍｍ
2以下である請求項１乃至３何れか記載の基板型温度ヒ
ュ−ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17310397A JP3889855B2 (ja) | 1997-06-14 | 1997-06-14 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17310397A JP3889855B2 (ja) | 1997-06-14 | 1997-06-14 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117876A true JPH117876A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3889855B2 JP3889855B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=15954236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17310397A Expired - Fee Related JP3889855B2 (ja) | 1997-06-14 | 1997-06-14 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3889855B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198376B1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-03-06 | Yazaki Corporation | Safety device for electric circuit |
| KR100783998B1 (ko) | 2002-12-27 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 보호 소자 |
| CN102371227A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-03-14 | 湖南天益高技术材料制造有限公司 | 一种棒线材防锈在线乳化液穿涂装备 |
| DE202014010528U1 (de) | 2014-10-27 | 2015-11-23 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Mehrfache Sicherungseinrichtung |
-
1997
- 1997-06-14 JP JP17310397A patent/JP3889855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198376B1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-03-06 | Yazaki Corporation | Safety device for electric circuit |
| KR100783998B1 (ko) | 2002-12-27 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 보호 소자 |
| CN100440415C (zh) * | 2002-12-27 | 2008-12-03 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 保护元件 |
| US7535332B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-05-19 | Sony Chemicals Corporation | Protective element |
| CN102371227A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-03-14 | 湖南天益高技术材料制造有限公司 | 一种棒线材防锈在线乳化液穿涂装备 |
| DE202014010528U1 (de) | 2014-10-27 | 2015-11-23 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Mehrfache Sicherungseinrichtung |
| DE102014115588B4 (de) | 2014-10-27 | 2022-04-28 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Sicherungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sicherungseinrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3889855B2 (ja) | 2007-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5301298B2 (ja) | 保護素子 | |
| JP5130232B2 (ja) | 保護素子 | |
| JP6580504B2 (ja) | 保護素子 | |
| JPH117876A (ja) | 基板型温度ヒュ−ズ | |
| JPH0719075Y2 (ja) | 基板型温度ヒューズ | |
| JPH1050184A (ja) | チップヒューズ素子 | |
| JPH117877A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
| JP2507073Y2 (ja) | 基板型温度ヒユ−ズ・抵抗体 | |
| JP6711704B2 (ja) | バイパス電極付き保護素子 | |
| JP4112078B2 (ja) | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ | |
| JPH117875A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
| JP6959964B2 (ja) | 保護素子 | |
| JP3252025B2 (ja) | 基板型温度ヒュ−ズ | |
| JP4112297B2 (ja) | サーモプロテクター及びサーモプロテクターの製造方法 | |
| JP2799996B2 (ja) | 温度センサー | |
| JP3696635B2 (ja) | 温度プロテクタ−の動作方法 | |
| JP3770408B2 (ja) | 基板型抵抗・温度ヒューズ及び機器の保護方法 | |
| JP2574700B2 (ja) | 平型温度ヒューズ | |
| JP3434897B2 (ja) | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ | |
| JPH10106425A (ja) | 薄型ヒュ−ズ | |
| JP4234818B2 (ja) | 抵抗温度ヒューズとその製造方法 | |
| JPH10261353A (ja) | 抵抗・温度ヒュ−ズ | |
| JPH11195361A (ja) | 基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ | |
| JPH0436530Y2 (ja) | ||
| JPH073558Y2 (ja) | 抵抗温度ヒューズ合成体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060804 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091208 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101208 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131208 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |