JPS6239568Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は温度ヒユーズの改良に関するものであ
る。

〈先行技術と問題点〉 温度ヒユーズとして耐熱性、熱伝導性に秀れた
絶縁基板上に一対の電極を設け、これらの電極間
に低融点金属層を設け、低融点金属層上にフラツ
クス剤を塗布し、基板上に樹脂をモールドせる基
板型温度ヒユーズが公知である。

周知の通り、低融点金属層を用いた温度ヒユー
ズにおいては、保護すべき電気機器が許容温度に
達すると低融点金属層が溶断し、電気機器への通
電が遮断される。この低融点金属層の溶断におい
ては、フラツクス剤が低融点金属層表面の酸化物
を溶融状態の低融点金属から分離し、溶融低融点
金属の球状化を促進し、その球状化によつて発生
するくびれに溶融フラツクスが食い込んで、溶断
が達成される。

上記溶融低融点金属の球状化は、溶融したフラ
ツクスの充満空間内で溶融低融点金属が表面張力
によつて球状化する結果である。

而るに、上記した基板型温度ヒユーズにおいて
は、フラツクスが層状であつて薄く、フラツクス
充満空間が充分でなく、溶融低融点金属の球状化
が困難であつて、当該金属の溶断特性が悪い。フ
ラツクス層を厚くすれば、かかる不利は解消でき
るが、温度ヒユーズの厚肉化を避け得ず、基板型
温度ヒユーズの小型化に不利である。

〈考案の目的〉 本考案の目的は、溶融低融点金属の球状化をよ
く促進でき、しかも充分に薄型となし得る基板型
温度ヒユーズを提供することにある。

〈考案の構成〉 本考案に係る温度ヒユーズは絶縁基板端面の中
間に凹部を設け、該凹部にフラツクス剤を充填
し、上記基板端面に温度ヒユーズ素子用の低融点
金属体を上記の充填フラツクス剤上を通過させて
設けたことを特徴とする構成である。

〈実施例の説明〉 以下、図面により本考案を説明する。

図面は本考案に係る温度ヒユーズの斜視説明図
を示し、絶縁基板１の両端面に電極２，２を設
け、基板１の先端端面の中間に凹部３を設け、該
凹部３にフラツクス剤４１を充填し、基板１の先
端端面に沿つて低融点金属層５を設け、該金属層
５上にもフラツクス剤４２を設けてある。基板の
少なくとも先端部は樹脂モールドにより絶縁する
（図の６で示してある）。

上記絶縁基板１には、耐熱性並びに熱伝導性に
秀れたもの、例えばセラミツクス板が用いられ
る。電極２，２には銀系導電塗料の焼付けや、銅
箔を用いることができる。

上記温度ヒユーズにおける低融点金属の溶融時
にはフラツクス剤も溶融し、基板１の凹部３にお
いては、溶融せる低融点金属の球状化に充分なス
ペースが存在するから、溶融した低融点金属の球
状化５０に伴う該金属層の溶断が円滑に行なわれ
る。

〈考案の効果〉 本考案に係る温度ヒユーズは上述した通りの構
成であり、基板にフラツクスを充填せる凹部を設
け、この凹部空間を利用して温度ヒユーズエレメ
ントである低融点金属の球状化溶断を促すように
しているから、溶断作動を迅速に行なわせること
ができる。また、凹部を絶縁基板端面に設けてい
るから、絶縁基板を薄くしても、凹部の深さ（図
におけるｈ）を充分に深くでき（絶縁基板の平面
部に凹部を設ける場合は、基板厚以上の深さの凹
部を設けることができないので、凹部の深さを深
くするには、基板厚を厚くしなければならな
い）、上記球状化溶断効果の向上を達成しつつ温
度ヒユーズの薄肉化を図り得る。

【図面の簡単な説明】

図面は本考案に係る温度ヒユーズを示す斜視説
明図である。 図において、１は絶縁基板、３は凹部、４１は
フラツクス剤、５は低融点金属体である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁基板端面の中間に凹部を設け、該凹部にフ
   ラツクス剤を充填し、上記基板端面において温度
   ヒユーズ素子用の低融点金属体を上記の充填フラ
   ツクス剤上を通過させて設けたことを特徴とする
   温度ヒユーズ。