JPH0514439Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本考案は温度ヒユーズの改良に関するものであ
る。

＜従来の技術＞ 温度ヒユーズの作動機構は、保護すべき電気機
器の異常発熱によつて溶融した低融点金属が既に
溶融したフラツクスとの共存下、表面張力により
球状化して分断することにある。

＜解決しようとする問題点＞ 第４図は、基板型温度ヒユーズの作動状態を示
し、分断両側における球状化は実質上同一であ
り、球間の間隔D′が大であるほど、遮断確実性
（再導通の防止）、作動速度上有利である。しかし
ながら、従来の温度ヒユーズはこれらの点におい
て、それほど有利であるとは言い難い。

本考案の目的は、かかる点に鑑み温度ヒユーズ
を改良することにある。

＜問題点を解決するための技術的手段＞ 本考案に係る温度ヒユーズは、一対の電極間に
低融点金属体を溶接せる温度ヒユーズにおいて、
一方の電極と低融点金属体との溶接面積を他方の
電極と低融点金属体との溶接面積よりも広くした
ことを特徴とする構成である。

＜実施例の説明＞ 以下、図面により本考案を説明する。

第１図において、１は耐熱性・熱良伝性の絶縁
基板、例えばセラミツクス板である。２１，２２
は絶縁基板上に設けた一対の層状電極、３，３は
各電極２１，２２に接続した導線である。４は電
極間に溶接した低融点金属体であり、一方の電極
２１と低融点金属体４との接続部４１の溶接面積
は他方の電極２２と低融点金属体４との接続部４
２の溶接面積よりも広くしてある。例えば、他方
の電極と低融点金属体との界面において、電極の
一部に絶縁インクを塗布するとか、酸化被膜を形
成してある。５は低融点金属体上に被覆せるフラ
ツクス、６は絶縁基板上に設けた硬質絶縁層、例
えば、エポキシ樹脂モールド層である。

上記の基板型温度ヒユーズにおいては、温度ヒ
ユーズの作動時、第２図に示すように、各電極側
のそれぞれに対し、溶融低融点金属体が球状化す
るが、この球状化は上記の溶接面積が大であるほ
ど大きくなり、従つて、上記一方の電極２１側の
球状化直径ｙは他方の電極２２側の球状化直径ｘ
よりも大となる。低融点金属体が溶融しても、該
金属体の総体積は一定（Ｋ）であり、溶融したと
きの厚みをｋとすれば、 ｋπ／４（y₂＋x₂＝Ｋ − が成立し、ｋはｙ，ｘに関係なくほぼ一定である
と考えられるから、 y₂＋x₂＝Ａ（一定） − が成立する。

而るに、第２図において球形間の間隔Ｄは、 Ｄ＝L₀−１／２（ｘ＋ｙ） − であり、（L₀は球状化中心間の距離）、Ｄはｘ＝
ｙの場合よりも、ｘ≠ｙの場合ほど大となる。而
るに、本考案の場合、上記した通りｘ≠ｙである
から、Ｄを大きくできる。

第３図Ａは本考案の別実施例を示し、一方の電
極２１から他方の電極２２に至るほど、低融点金
属体４の巾を細くしてある。

第３図Ｂは本考案の他の実施例を示し、主電極
２１，２２間に中間電極２３を設け、中間電極２
３と低融点金属体４との溶接面積を各主電極２
１，２２と低融点金属体４との溶接面積よりも大
としてある。

第３図Ｃは本考案の他の別実施例を示し、一方
の電極（リード線）２１と低融点金属体（リード
線と同一径）４とを面一の一直線状に溶接し、他
方の電極２２と低融点金属体４とは段差をおいて
溶接してある。第３図Ｃにおいて、５はフラツク
ス、１０は絶縁筒体（例えば、セラミツクス筒
体）６０，６０はシール材（例えば、エポキシ樹
脂）である。

＜考案の効果＞ 本考案に係る温度ヒユーズは、上述した通りの
構成であり、従来の温度ヒユーズよりも、温度ヒ
ユーズ作動時における溶融低融点金属の分断球状
化間の間隔を広くでき、これに伴い、その間隔が
使用電圧に対する最小必要絶縁距離に達するまで
の時間を短かくできるので、作動速度を高速にで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る温度ヒユーズを示す説明
図、第２図は本考案温度ヒユーズの作動状態を示
す説明図、第３図Ａ，第３図Ｂ並びに第３図Ｃは
それぞれ本考案の別実施例を示す説明図、第４図
は従来の温度ヒユーズの作動状態を示す説明図で
ある。 図において、２１，２２，２３は電極、４は低
融点金属体である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一対の電極間に低融点金属体を溶接せる温度ヒ
   ユーズにおいて、一方の電極と低融点金属体との
   溶接面積を他方の電極と低融点金属体との溶接面
   積よりも広くしたことを特徴とする温度ヒユー
   ズ。