JPH0436025Y2 - - Google Patents
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- JPH0436025Y2 JPH0436025Y2 JP5018886U JP5018886U JPH0436025Y2 JP H0436025 Y2 JPH0436025 Y2 JP H0436025Y2 JP 5018886 U JP5018886 U JP 5018886U JP 5018886 U JP5018886 U JP 5018886U JP H0436025 Y2 JPH0436025 Y2 JP H0436025Y2
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- melting point
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。
のである。
＜先行技術と問題点＞
基板型温度ヒユーズは絶縁基板の片面上に一対
の層状電極を設け、電極間に層状の低融点金属体
を橋設し、各電極にそれぞれリード導体を連結
し、絶縁基板の片面を覆うように絶縁層を設けた
構成であり、低融点金属体がその融点に加熱され
ると、当該低融点金属体が溶断するに至る。
の層状電極を設け、電極間に層状の低融点金属体
を橋設し、各電極にそれぞれリード導体を連結
し、絶縁基板の片面を覆うように絶縁層を設けた
構成であり、低融点金属体がその融点に加熱され
ると、当該低融点金属体が溶断するに至る。
而して、この低融点金属体の溶断機構は、溶融
した低融点金属体が表面張力のために電極側に引
張られ、この金属溶融体が両電極間の中間で切断
され、各切断部分が前記表面張力の作用下球状化
していくことにあり、この球状化は、電極と溶融
金属体周縁との接触長さに大きく左右され、この
接触長さを長くするほど球状化を促進できる。従
つて、温度ヒユーズの遮断特性を向上できる。
した低融点金属体が表面張力のために電極側に引
張られ、この金属溶融体が両電極間の中間で切断
され、各切断部分が前記表面張力の作用下球状化
していくことにあり、この球状化は、電極と溶融
金属体周縁との接触長さに大きく左右され、この
接触長さを長くするほど球状化を促進できる。従
つて、温度ヒユーズの遮断特性を向上できる。
しかしながら、従来の基板型温度ヒユーズにお
いては、低融点金属体を電極に平面的に接触させ
ているために、上記接触長さを長くすることが困
難である。
いては、低融点金属体を電極に平面的に接触させ
ているために、上記接触長さを長くすることが困
難である。
＜考案の目的＞
本考案の目的は、基板型温度ヒユーズにおい
て、上記の接触長さを温度ヒユーズの寸法を増大
することなく長くして、遮断特性を向上すること
にある。
て、上記の接触長さを温度ヒユーズの寸法を増大
することなく長くして、遮断特性を向上すること
にある。
＜考案の構成＞
本考案に係る温度ヒユーズは、絶縁基板上に一
対の層状電極を設け、これらの電極間に低融点金
属体を橋設し、各電極にリード導体を連結した温
度ヒユーズにおいて、リード導体を延設してリー
ド導体先端部を低融点金属体に接触させたことを
特徴とする構成である。
対の層状電極を設け、これらの電極間に低融点金
属体を橋設し、各電極にリード導体を連結した温
度ヒユーズにおいて、リード導体を延設してリー
ド導体先端部を低融点金属体に接触させたことを
特徴とする構成である。
＜実施例の説明＞
以下、図面により本考案を説明する。
第１図Ａは本考案に係る温度ヒユーズを示す上
面説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ−ｂ断
面図である。
面説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ−ｂ断
面図である。
第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて、１は絶縁基
板である。２，２は絶縁基板上に設けた一対の層
状電極であり、Ag，Cu等の導電性金属を用いる
ことができ、その形成には印刷法、蒸着法を使用
できる。３，３はリード導体（例えば、Cu）で
あり、各電極２，２に溶接等によつて連結してあ
り、リード導体先端３０は電極の先端近傍にまで
延設してある。４は層状の低融点金属体（例え
ば、Sn−Pb合金系）であり、電極２，２間に橋
設してあり、リード導体の先端端面、電極先端部
並びに電極間の基板表面に接触している。５は低
融点金属体上に被覆したフラツクス、６は絶縁基
板上に被覆した樹脂モールド層である。
板である。２，２は絶縁基板上に設けた一対の層
状電極であり、Ag，Cu等の導電性金属を用いる
ことができ、その形成には印刷法、蒸着法を使用
できる。３，３はリード導体（例えば、Cu）で
あり、各電極２，２に溶接等によつて連結してあ
り、リード導体先端３０は電極の先端近傍にまで
延設してある。４は層状の低融点金属体（例え
ば、Sn−Pb合金系）であり、電極２，２間に橋
設してあり、リード導体の先端端面、電極先端部
並びに電極間の基板表面に接触している。５は低
融点金属体上に被覆したフラツクス、６は絶縁基
板上に被覆した樹脂モールド層である。
上記において、低融点金属体４を電極表面のみ
ならずリード導体先端端面にも接触させてあるか
ら、低融点金属体の溶融物が切断に際して電極側
に引張られる力を充分に大きくでき、その切断を
迅速に行なわせ得る。
ならずリード導体先端端面にも接触させてあるか
ら、低融点金属体の溶融物が切断に際して電極側
に引張られる力を充分に大きくでき、その切断を
迅速に行なわせ得る。
第２図は本考案の別実施例を示し、リード導体
先端部３０を反曲げ、その先端部裏面を低融点金
属体４に接触させている。第２図において、１は
絶縁基板を、２，２は電極を、３，３はリード導
体を、４は低融点金属体を、５はフラツクスを、
６は樹脂モールド層をそれぞれ示している。
先端部３０を反曲げ、その先端部裏面を低融点金
属体４に接触させている。第２図において、１は
絶縁基板を、２，２は電極を、３，３はリード導
体を、４は低融点金属体を、５はフラツクスを、
６は樹脂モールド層をそれぞれ示している。
第３図に示すようにリード導体先端部３０をか
ぎ状に曲げ加工してもよい。
ぎ状に曲げ加工してもよい。
第４図は本考案の他の実施例に係る抵抗・温度
ヒユーズ結合体を示している。
ヒユーズ結合体を示している。
第４図において、Ａ部は温度ヒユーズ部を示
し、その構造は第１図Ａ並びに第１図Ｂまたは第
２図あるいは第３図に示したものと同じである。
１は絶縁基板を、２，２は電極を、３，３はリー
ド導体を、４は低融点金属体を、５はフラツクス
層をそれぞれ示している。Ｂ部は抵抗部を示して
おり、一対の層状電極２１，２１間に層状抵抗体
７を橋設し、各電極２１，２１にそれぞれリード
導体３１，３１を連結してある。６は絶縁基板を
覆う樹脂モールド層である。
し、その構造は第１図Ａ並びに第１図Ｂまたは第
２図あるいは第３図に示したものと同じである。
１は絶縁基板を、２，２は電極を、３，３はリー
ド導体を、４は低融点金属体を、５はフラツクス
層をそれぞれ示している。Ｂ部は抵抗部を示して
おり、一対の層状電極２１，２１間に層状抵抗体
７を橋設し、各電極２１，２１にそれぞれリード
導体３１，３１を連結してある。６は絶縁基板を
覆う樹脂モールド層である。
この抵抗・温度ヒユーズ結合体の抵抗体７は、
所定の回路の抵抗として用い、温度ヒユーズは当
該回路の電源に対して直列に接続することができ
る。而して、抵抗体７が過電流のために発熱する
と、その熱で温度ヒユーズを溶断させて回路を電
源から遮断でき、回路を抵抗の異常発熱から保護
できる。この場合の温度ヒユーズの遮断特性は第
１図Ａ並びに第１図Ｂまたは第２図あるいは第３
図に示したものと同様であり、その秀れた遮断特
性のために回路を抵抗体の異常発熱より確実に保
護できる。
所定の回路の抵抗として用い、温度ヒユーズは当
該回路の電源に対して直列に接続することができ
る。而して、抵抗体７が過電流のために発熱する
と、その熱で温度ヒユーズを溶断させて回路を電
源から遮断でき、回路を抵抗の異常発熱から保護
できる。この場合の温度ヒユーズの遮断特性は第
１図Ａ並びに第１図Ｂまたは第２図あるいは第３
図に示したものと同様であり、その秀れた遮断特
性のために回路を抵抗体の異常発熱より確実に保
護できる。
上記何れの実施例においても、電極上に銅細片
を溶接等して電極表面積を増大することが可能で
ある。
を溶接等して電極表面積を増大することが可能で
ある。
＜考案の効果＞
本考案に係る温度ヒユーズは、上述した通り、
低融点金属体の電極側における金属材（通常、
銅）との接触周囲長さを増大させたものであり、
低融点金属体が溶融する際の電極側への引張り力
を大きくできるから、低融点金属体の溶断を迅速
化でき、基板型温度ヒユーズの作動特性をよく向
上できる。
低融点金属体の電極側における金属材（通常、
銅）との接触周囲長さを増大させたものであり、
低融点金属体が溶融する際の電極側への引張り力
を大きくできるから、低融点金属体の溶断を迅速
化でき、基板型温度ヒユーズの作動特性をよく向
上できる。
第１図Ａは本考案に係る温度ヒユーズを示す上
面説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ−ｂ断
面説明図、第２図は本考案の別実施例を示す断面
説明図、第３図並びに第４図はそれぞれ本考案の
他の別実施例を示す上面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、
３，３はリード導体、３０，３０はリード導体先
端部、４は低融点金属体である。
面説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ−ｂ断
面説明図、第２図は本考案の別実施例を示す断面
説明図、第３図並びに第４図はそれぞれ本考案の
他の別実施例を示す上面説明図である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、
３，３はリード導体、３０，３０はリード導体先
端部、４は低融点金属体である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に一対の層状電極を設け、これらの
電極間に低融点金属体を橋設し、各電極にリード
導体を連結した温度ヒユーズにおいて、リード導
体を延設して、リード導体先端部を低融点金属体
に接触させたことを特徴とする温度ヒユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5018886U JPH0436025Y2 (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5018886U JPH0436025Y2 (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161738U JPS62161738U (ja) | 1987-10-14 |
| JPH0436025Y2 true JPH0436025Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=30873312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5018886U Expired JPH0436025Y2 (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436025Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP5018886U patent/JPH0436025Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62161738U (ja) | 1987-10-14 |
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