JPH0436529Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436529Y2 JPH0436529Y2 JP20316986U JP20316986U JPH0436529Y2 JP H0436529 Y2 JPH0436529 Y2 JP H0436529Y2 JP 20316986 U JP20316986 U JP 20316986U JP 20316986 U JP20316986 U JP 20316986U JP H0436529 Y2 JPH0436529 Y2 JP H0436529Y2
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- JP
- Japan
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- melting point
- point metal
- low melting
- temperature fuse
- metal body
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- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。
のである。
（従来の技術）
基板型温度ヒユーズは、絶縁基板の片面上に一
対の電極を設け、これらの電極間に低融点金属体
を橋設し、この低融点金属体上にフラツクス層を
設け、絶縁基板片面の全面上に樹脂のモールド被
覆層を設けた構成である。この基板型温度ヒユー
ズの作動要領は、保護すべき電気機器が過電流に
より異常発熱すると、当該温度ヒユーズがその発
生熱を受熱し、低融点金属体が溶融し、この溶融
金属が溶融フラツクスとの共存下、球状化分断す
ることにある。
対の電極を設け、これらの電極間に低融点金属体
を橋設し、この低融点金属体上にフラツクス層を
設け、絶縁基板片面の全面上に樹脂のモールド被
覆層を設けた構成である。この基板型温度ヒユー
ズの作動要領は、保護すべき電気機器が過電流に
より異常発熱すると、当該温度ヒユーズがその発
生熱を受熱し、低融点金属体が溶融し、この溶融
金属が溶融フラツクスとの共存下、球状化分断す
ることにある。
（解決しようとする問題点）
温度ヒユーズにおいては、それが作動する以前
に、保護すべき電気機器の負荷状況に応じてヒー
トサイクルに曝され、上記基板型温度ヒユーズに
おいてはこのヒートサイクルによる繰り返し加
熱・冷却の間、電極に接する低融点金属体部分に
電極の金属粒子が移行し、その結果、同上低融点
金属体部分の融点に異常が生じ、基板型温度ヒユ
ーズを満足に作動させ得ないといつた問題があ
る。
に、保護すべき電気機器の負荷状況に応じてヒー
トサイクルに曝され、上記基板型温度ヒユーズに
おいてはこのヒートサイクルによる繰り返し加
熱・冷却の間、電極に接する低融点金属体部分に
電極の金属粒子が移行し、その結果、同上低融点
金属体部分の融点に異常が生じ、基板型温度ヒユ
ーズを満足に作動させ得ないといつた問題があ
る。
本考案の目的は、基板型温度ヒユーズにおける
かかる不合理を解消することにある。
かかる不合理を解消することにある。
（問題点を解決するための手段）
本考案に係る基板型温度ヒユーズは、絶縁基板
上に一対の電極を設け、電極間に低融点金属体を
橋設せる温度ヒユーズにおいて、各電極上の低融
点金属体部分の厚さを他部分の厚さよりも厚くし
たことを特徴とする構成である。
上に一対の電極を設け、電極間に低融点金属体を
橋設せる温度ヒユーズにおいて、各電極上の低融
点金属体部分の厚さを他部分の厚さよりも厚くし
たことを特徴とする構成である。
（実施例）
以下、図面により本考案を説明する。
第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面図である。
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面図である。
第１図並びに第２図において、１は絶縁基板で
あり、例えば、セラミツクス板を用いることがで
きる。２，２は絶縁基板上に設けた一対の電極で
あり、導電ペーストのスクリーン印刷、焼付けに
よつて形成できる。導電ペーストには、銀粒子、
銅粒子等の導電性粒子にガラスフリツト、例え
ば、鉛ガラスフリツトをバインダーとして添加
し、導電性粒子の割合を15〜30重量％としたもの
を用いることができる。３，３は各電極に接続し
たリード導線である。４は電極間に橋設した低融
点金属体であり、電極とは溶接し、各電極上の低
融点金属体部分４１の厚さを他部分４２の厚さの
1.5倍以上、好ましくは２〜４倍としてある。５
は低融点金属体上に塗布せるフラツクス層、６は
絶縁基板上に被覆せる硬化型樹脂、例えば、エポ
キシ樹脂のモールド被覆層である。
あり、例えば、セラミツクス板を用いることがで
きる。２，２は絶縁基板上に設けた一対の電極で
あり、導電ペーストのスクリーン印刷、焼付けに
よつて形成できる。導電ペーストには、銀粒子、
銅粒子等の導電性粒子にガラスフリツト、例え
ば、鉛ガラスフリツトをバインダーとして添加
し、導電性粒子の割合を15〜30重量％としたもの
を用いることができる。３，３は各電極に接続し
たリード導線である。４は電極間に橋設した低融
点金属体であり、電極とは溶接し、各電極上の低
融点金属体部分４１の厚さを他部分４２の厚さの
1.5倍以上、好ましくは２〜４倍としてある。５
は低融点金属体上に塗布せるフラツクス層、６は
絶縁基板上に被覆せる硬化型樹脂、例えば、エポ
キシ樹脂のモールド被覆層である。
上記電極上の低融点金属体部分４１の厚肉化
は、当該低融点金属体端部を折り重ね、この折り
重ねた部分、その全体を溶融して電極に溶接する
ことにより行うことができる。
は、当該低融点金属体端部を折り重ね、この折り
重ねた部分、その全体を溶融して電極に溶接する
ことにより行うことができる。
上記基板型温度ヒユーズは保護すべき電気機器に
添着して使用し、当該機器の負荷状態に応じてヒ
ートサイクルに曝される。
添着して使用し、当該機器の負荷状態に応じてヒ
ートサイクルに曝される。
このヒートサイクル下、電極（導電ペーストの
印刷）２中の金属粒子が当該電極に接する低融点
金属体部分４１に移行するが、この低融点金属体
部分４１は他部分４２に較べて厚く（1.5倍以上）
してあるので、かかる金属粒子の移行にもかかわ
らず、移行に曝されない正常部分を充分に残存さ
せることができ、この正常部分においては、融点
を当初のままに維持でき（金属粒子の移行部分に
おいては、融点が高くなる）るので、温度ヒユー
ズを正常に作動させ得る（電極上の低融点金属体
部分が溶融することにより、溶融金属の分断のた
めの球状化をその電極上部分を中心として生じさ
せ得る。而るに、電極上部分が溶融しないと球状
化中心が電極間中央側にずれ、それだけ両球状化
の間隔が近接するので、分断が生じ難くなる）。
印刷）２中の金属粒子が当該電極に接する低融点
金属体部分４１に移行するが、この低融点金属体
部分４１は他部分４２に較べて厚く（1.5倍以上）
してあるので、かかる金属粒子の移行にもかかわ
らず、移行に曝されない正常部分を充分に残存さ
せることができ、この正常部分においては、融点
を当初のままに維持でき（金属粒子の移行部分に
おいては、融点が高くなる）るので、温度ヒユー
ズを正常に作動させ得る（電極上の低融点金属体
部分が溶融することにより、溶融金属の分断のた
めの球状化をその電極上部分を中心として生じさ
せ得る。而るに、電極上部分が溶融しないと球状
化中心が電極間中央側にずれ、それだけ両球状化
の間隔が近接するので、分断が生じ難くなる）。
（考案の効果）
このように、本考案に係る基板型温度ヒユーズ
においては、電極材が低融点金属に移行しても、
温度ヒユーズを正常に作動させることができる。
従つて、本考案は基板型温度ヒユーズの実用化に
極めて有用である。
においては、電極材が低融点金属に移行しても、
温度ヒユーズを正常に作動させることができる。
従つて、本考案は基板型温度ヒユーズの実用化に
極めて有用である。
現に、絶縁基板にセラミツクス板を使用し、銀
粒子（20重量％）と鉛ガラスフリツトとからなる
導電性ペーストにより電極を形成し、低融点金属
に厚み、0.3mm、融点145℃の錫−鉛系合金を用
い、電極上の低融点金属部分の厚みを0.6mmとし、
フラツクス層にロジンを使用し、樹脂モールド層
にはエポキシ樹脂を使用した実施例品においては
130℃で1000時間加熱したのちでも、その作動温
度の変動は殆どみられなかつたが、電極上の低融
点金属体部分の厚みを他部分の厚みと同一にした
比較例品においては、上記と同一の加熱条件下の
もとで、作動温度は155℃に変化した。
粒子（20重量％）と鉛ガラスフリツトとからなる
導電性ペーストにより電極を形成し、低融点金属
に厚み、0.3mm、融点145℃の錫−鉛系合金を用
い、電極上の低融点金属部分の厚みを0.6mmとし、
フラツクス層にロジンを使用し、樹脂モールド層
にはエポキシ樹脂を使用した実施例品においては
130℃で1000時間加熱したのちでも、その作動温
度の変動は殆どみられなかつたが、電極上の低融
点金属体部分の厚みを他部分の厚みと同一にした
比較例品においては、上記と同一の加熱条件下の
もとで、作動温度は155℃に変化した。
なお、本考案は絶縁基板の片面に低融点金属体
と共に抵抗体（膜状抵抗）を設ける構成の基板型
温度ヒユーズ、または、絶縁基板の片面に低融点
金属体を、他面に抵抗体をそれぞれ設ける構成の
基板型温度ヒユーズにも適用できる。
と共に抵抗体（膜状抵抗）を設ける構成の基板型
温度ヒユーズ、または、絶縁基板の片面に低融点
金属体を、他面に抵抗体をそれぞれ設ける構成の
基板型温度ヒユーズにも適用できる。
第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す説明図、第２図は第１図における−断面図
である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、４
は低融点金属体、４１，４１は電極上低融点金属
体部分、４２は金属体の他部分である。
す説明図、第２図は第１図における−断面図
である。 図において、１は絶縁基板、２，２は電極、４
は低融点金属体、４１，４１は電極上低融点金属
体部分、４２は金属体の他部分である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に一対の電極を設け、電極間に低融
点金属体を橋設せる温度ヒユーズにおいて、各電
極上の低融点金属体部分の厚さを他部分の厚さよ
りも厚くしたことを特徴とする基板型温度ヒユー
ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316986U JPH0436529Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20316986U JPH0436529Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106043U JPS63106043U (ja) | 1988-07-08 |
| JPH0436529Y2 true JPH0436529Y2 (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=31168245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20316986U Expired JPH0436529Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436529Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP20316986U patent/JPH0436529Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63106043U (ja) | 1988-07-08 |
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