JPH0142354Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案はフラツトパツケージに関し、特に例
えば半導体装置や水晶振動子等に好適するもので
ある。

従来の技術 半導体装置や水晶振動子等の電子部品におい
て、半導体素子や水晶片等の素子は、湿気等によ
つて特性変動を起こすため、パツケージングされ
ている。樹脂でパツケージングするものもある
が、信頼性の点でカンケースやセラミツクパツケ
ージに封入したものに比較して劣るので、高信頼
性を要求される用途には、カンケースやセラミツ
クパツケージが用いられている。ところがカンケ
ースやセラミツクパツケージを用いるものでは、
水分の浸入はないが、実公昭40−36187号公報に
開示されているように、半田を用いてシールする
と、フラツクスの蒸気によつて素子が劣化するた
め、特公昭40−5175号公報に開示されているよう
に、ガラスでシールするものが考えられている。

第３図は従来のガラスシール型セラミツクフラ
ツトパツケージの一例のキヤツプを除いた平面図
を示し、第４図は第３図の−線に沿う断面図
を示す。図において、１はパツケージ本体で、ア
ルミナ、ステアタイト等のセラミツクよりなる底
板２と枠体３との間に、ガラス４を介して一対の
42合金（Fe；58％，Ni；42％）等よりなるリー
ド５，６を気密に封着したものである。７はアル
ミナ、ステアタイト等のセラミツクよりなるキヤ
ツプで、低融点ガラス８を介して前記枠体３に気
密に封着されている。図中、二点鎖線９は水晶片
等の素子で、導電性接着剤等を介して、前記一対
のリード５，６に跨つて接続固着されている。

考案が解決しようとする問題点 ところで、上記の構成においては、キヤツプ７
のシール用ガラスに、リード５，６を封着するガ
ラス４より融点の低い低融点ガラス８を使用して
はいるが、低融点ガラス８の溶融のために、全体
を抵抗式加熱炉で加熱するため、素子９が高温に
なつたり、素子９を接続固着する導電性接着剤か
らガスが発生して、素子９の特性劣化の原因にな
つていた。

そこで、本件出願人は、別途第５図に示すよう
な封止方法を提案した。第５図はキヤツプ封止前
の分解断面図を示し、次の点を除いては第４図と
同一であるため、同一部分には同一参照符号を付
して、その説明を省略する。第４図との相違点
は、パツケージ本体１を鉄、銅、アルミニウム等
の良熱伝導体よりなる放熱板１０上に載置してい
ること、低融点ガラス８をパツケージ本体１を構
成する枠体３の上面およびキヤツプ７の下面の間
に、独立してまたは枠体３およびキヤツプ７の少
なくとも一方にあらかじめ被着して配置している
こと、およびキヤツプ７の外面にヒータ１１を押
し当てていることである。

上記の封止方法によれば、キヤツプ７を伝導し
た熱で低融点ガラス８を加熱溶融させて封止で
き、しかもリード５，６はセラミツク製の枠体３
の熱抵抗によつて、低融点ガラス８よりも格段に
低温にできるので、素子９や素子９をリード５，
６に接続固定する接着剤の温度上昇を防止でき、
高温による素子９自身の劣化や、接着剤の発生ガ
スによる素子９の劣化を防止できる。

ところが、キヤツプや枠体の材質によつては、
枠体３、ガラス４、リード５，６および接着剤を
伝導する熱のみでなく、キヤツプ７の輻射熱で素
子９や接着剤の温度が上昇しやすい場合がある。

なお、特開昭56−30745号公報には、放射線に
よる半導体素子の特性劣化を防止するために、パ
ツケージ内に放射線遮蔽用遮蔽板を配設すること
が開示されているが、キヤツプの封止方法につい
ては開示されていないので、輻射熱遮蔽効果が有
るかどうか不明である。仮に、本願考案の前提と
する、キヤツプの上面にヒータを押し当ててシー
ルする方法を採用するとすれば、一応、輻射熱遮
蔽効果があるものと推定される。しかしながら、
特開昭56−30745号公報の放熱線遮蔽用遮蔽板は、
アルミニウム板、チタン板あるいはシリコン板等
の金属板で形成されているので、キヤツプからの
輻射熱で温度上昇しやすく、キヤツプシール時の
輻射熱による素子の劣化を完全に防止することが
できなかつた。

そこで、この考案は、上記のようなヒータによ
るキヤツプ封止を行なう場合に、キヤツプからの
輻射熱によつて素子が温度上昇しないフラツトパ
ツケージを提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 この考案は素子とキヤツプとの間に、セラミツ
クよりなる熱遮蔽板を配置したことを特徴とする
ものである。

作 用 上記の構成によれば、キヤツプの外面にヒータ
を押し当てて、キヤツプの伝導熱で低融点ガラス
を加熱溶融して封止する際に、キヤツプの輻射熱
が熱遮蔽板によつて遮蔽されて、素子や接着剤の
輻射熱による温度上昇を防止でき、素子の劣化を
防止できる。

実施例 第１図はこの考案の一実施例のフラツトパツケ
ージの断面図を示す。図において、次の点を除い
ては第４図と同一なので、同一部分には同一参照
符号を付して、その説明を省略する。第４図と異
なる点は、枠体３０の上面に段部３１を設けて、
この段部３１に熱伝導率の悪いステアタイト等の
セラミツクよりなる熱遮蔽板１２を配置している
ことである。

上記の構成によれば、第５図に示すようなヒー
タ１１を用いてキヤツプ７を封止する場合に、キ
ヤツプ７の輻射熱が金属板よりも比熱が格段に大
きくて温度上昇し難いセラミツクよりなる熱遮蔽
板１２によつて遮蔽されるので、素子９やこの素
子９をリード５，６に接続固定する接着剤が、キ
ヤツプ７の輻射熱によつて温度上昇することが防
止でき、素子９の特性劣化が防止できる。

第２図はこの考案の他の実施例のフラツトパツ
ケージの断面図を示す。この実施例の特徴は、枠
体３０に段部３１と共に溝３２を設けて、この溝
３２により低融点ガラス８から枠体３０を介して
熱遮蔽板１２に伝導する熱を低減するようにした
ものである。

考案の効果 この考案は以上のように、キヤツプと素子との
間に熱遮蔽板を配置したので、キヤツプの外面に
ヒータを押し当てて低融点ガラスを加熱溶融させ
て、キヤツプ封止する際に、キヤツプの輻射熱が
熱遮蔽板で遮蔽されて、素子や接着剤の温度上昇
を防止でき、素子の劣化のない半導体装置や水晶
振動子等が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの考案の異なる実施例
のフラツトパツケージの断面図である。第３図は
従来のフラツトパツケージの平面図で、第４図は
第３図の−線に沿う断面図である。第５図は
この考案の背景となるフラツトパツケージのキヤ
ツプ封止方法について説明するためのキヤツプ封
止前の分解断面図である。 １……パツケージ本体、７……キヤツプ、８…
…低融点ガラス、９……素子、１１……ヒータ、
１２……熱遮蔽板、３０……枠体、３１……段
部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ ガラスを介してリードが気密に封着され、素
   子を収納したパツケージ本体に低融点ガラスを
   介してキヤツプを封止してなるフラツトパツケ
   ージにおいて、 前記素子とキヤツプとの間に、セラミツクよ
   りなる熱遮蔽板を配置したことを特徴とするフ
   ラツトパツケージ。 ２ 前記パツケージ本体が段部を有し、この段部
   に熱遮蔽板が配置されている、実用新案登録請
   求の範囲第１項記載のフラツトパツケージ。