JPH0353780B2 - - Google Patents

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JPH0353780B2
JPH0353780B2 JP60018361A JP1836185A JPH0353780B2 JP H0353780 B2 JPH0353780 B2 JP H0353780B2 JP 60018361 A JP60018361 A JP 60018361A JP 1836185 A JP1836185 A JP 1836185A JP H0353780 B2 JPH0353780 B2 JP H0353780B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に
樹脂封止形半導体装置における半導体ベーシツク
エレメントの熱応力緩衝材の改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
従来例によるこの種の樹脂封止形半導体装置と
して、第２図に示すものがあり、これは平板上に
形成された１対の熱応力緩衝材２，３間に半導体
ペレツト１を配置し、この半導体ペレツト１と熱
応力緩衝材２，３とを一体としたものに外部端子
取出し用電極４をろう付けしてベーシツクエレメ
ントとし、この半導体ベーシツクエレメントに外
部端子５，６を半田付けするとともに、絶縁基板
８を介して放熱ベース７に取付け、またこの放熱
ベース７にケース９を配した上で、これらにエポ
キシ樹脂１０などを充填硬化させて樹脂封止した
ものである。
そしてこの構成の樹脂封止形半導体装置は、熱
応力緩衝材をろう付けする半導体ペレツト１の接
合面にガラスなどの絶縁物を塗布することによ
り、この接合部を電気的に安定した状態で保護す
ることができ、そのため、従来からのハーメチツ
クシールを施した半導体素子とか、トランスフア
モールドで樹脂封止した半導体素子に比較して、
コンパクトかつ安価に提供できるものとしてその
需要が多い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、この従来例による樹脂封止形半導体
装置においては、前記半導体ペレツト１にガラス
パツシベーシヨンダイオードを用いた場合には、
その両面に配置される熱応力緩衝材２，３の材料
として熱膨張係数の小さいモリブデン、タングス
テンなどが用いられており、これらによつて半導
体ペレツト１を温度サイクル、通電時などでの熱
応力による歪から保護し得るようになつている。
しかし一方、このような場合に熱応力緩衝材２，
３としてのモリブデン、タングステンなどを半導
体ペレツト１にろう付けするためには、一般に、
Niメツキを施しているが、このNiメツキは熱応
力緩衝材２，３であるモリブデン、タングステン
などの全面にNiメツキを施すのが普通であつて、
この全面にメツキを施した状態でこれを所定温度
に昇温された水素雰囲気の加熱炉内を通過させて
ろう付けさせると、半導体ペレツト１に好ましく
ない影響を生ずることがある。
即ち、第３図に示すように、ガラスパツシベー
シヨンダイオードである半導体ペレツト１のガラ
スパツシベーシヨン部のある表面（図示下面）側
にろう付けされる熱応力緩衝材２は全面Niメツ
キが施されているため、ここに介在されるろう材
１１は熱応力緩衝材２の側面に流れ出し（図示１
１ａ参照）、ろう材１１の厚みを確保できず、信
頼性上の不都合があつた。また半導体ペレツト１
の裏面側にろう付けされる熱応力緩衝材３につい
ても、ここに介在するろう材１２，１３により同
様に側面までろう材が流れ出し（図示１４参照）、
半導体ペレツト１の裏面と外部端子取出し用電極
４とがこのろう材１４により短絡を生ずることが
あり、このようにして製造された樹脂封止形半導
体装置では、このろう材の短絡部１４により半導
体ペレツト１が引張られ、ペレツトに割れが生じ
たりして、ペレツト自体の特性劣化を招いたり、
ペレツト表面側と同様にろう材１２，１３の厚み
を確保できないという不都合があつた。
この発明は上記のような従来の欠点を解消する
ためになされたもので、半導体ペレツトの割れ等
の低減、特性劣化の防止、さらには信頼性の向上
を図ることができる樹脂封止形半導体装置を提供
することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止形半導体装置は、半導
体ペレツトの主面にろう付けされる熱応力緩衝材
の主面にのみメツキを施し、側面にはメツキを施
さないようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、半導体ペレツトの主面に
ろう付けされる熱応力緩衝材の主面にのみメツキ
を施し、側面にはメツキを施さないようにしたか
ら、半導体ペレツト裏面側でろう材の流れ出しが
あつてもこれは熱応力緩衝材の側面までは流れ
ず、ろう材の厚みが確保できなかつたり、外部端
子取出し用電極と半導体ペレツトとが短絡したり
することはなく、特性劣化、信頼性の低下を防止
できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図を参照して
詳細に説明する。
第１図において、第２図及び第３図と同一符号
は同一又は相当部分を示しており、本実施例装置
では、従来装置において半導体ペレツト１にろう
付けすべき熱応力緩衝材としては、全面にNiメ
ツキを施したものに替えて、主面にのみメツキを
施し、側面にはメツキを施していない熱応力緩衝
材１５，１６を用いている。
本実施例装置においても、従来装置と同様熱応
力緩衝材１５，１６及び外部端子取出し用電極４
を半導体ペレツト１にろう付けさせることにより
半導体ベーシツクエレメントを製造する。そし
て、この場合半導体ペレツト１の裏面側でろう材
１２，１３の流れ出しがあつてもこれは熱応力緩
衝材１６の側面までは流れず、また表面側でのろ
う材１１の流れ出しがあつてもこれは熱応力緩衝
材１５の側面までは流れず、従つて前記従来例の
ようにろう材の厚みが確保できなかつたり、外部
端子取出し用電極４と半導体ペレツト１裏面とが
短絡したりすることはなく、ペレツト１の割れな
どの特性劣化を生じたり、また信頼性上の不都合
を招いたりすることはない。
ちなみに、本発明者の実験結果によれば、250
〜350℃の水素雰囲気の加熱炉内でろう付けを行
なつた場合、従来例では10〜15％の特性劣化を生
じていたが、本実施例ではこれを0.1％以下に抑
制し得ることを確認できた。
なお、前記実施例においては、ガラスパツシベ
ーシヨンダイオードに適用する場合について述べ
たが、その他にもガラスパツシベーシヨンサイリ
スタなどのガラスパツシベーシヨンを施した半導
体ペレツトにも同様に適用できることは勿論であ
る。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ガラスパツシ
ベーシヨンダイオードなどのように、ガラスなど
によつて絶縁分離された半導体ペレツトの主面
に、熱応力緩衝材をろう付けさせ、また同時に外
部端子取出し用電極をろう付けさせて構成する半
導体ベーシツクエレメントを有する樹脂封止形半
導体装置において、熱応力緩衝材の主面のみにメ
ツキを施し、側面にはメツキを施さないようにし
たので、ろう付けの際のろう材の流れ出しを抑制
でき、これによつて半導体ペレツトの割れ等の低
減、特性劣化の防止、さらには信頼性の向上を図
ることができ、装置の製造歩留り向上に寄与する
ところ大である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による樹脂封止形
半導体装置の半導体ベーシツクエレメントのろう
付け部の拡大図、第２図は従来例による樹脂封止
形半導体装置の概略構成を示す要部断面図、第３
図は上記従来例の半導体ベーシツクエレメントの
ろう付け部の拡大図である。 １……半導体ペレツト、１５，１６……熱応力
緩衝材、４……外部端子取出し用電極、５，６…
…外部端子、７……放熱ベース、８……絶縁基
板、９……ケース、１０……エポキシ樹脂、１
１，１２，１３……ろう材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ガラスパツシベーシヨンを施した半導体ペレ
    ツトと、該半導体ペレツトの主面にろう付けされ
    た熱応力緩衝材と、該熱応力緩衝材にろう付けさ
    れた外部端子取出し用電極とを備えた半導体ベー
    シツクエレメントを有する樹脂封止形半導体装置
    において、前記熱応力緩衝材はその主面のみにメ
    ツキが施されていることを特徴とする樹脂封止形
    半導体装置。
JP60018361A 1985-01-31 1985-01-31 樹脂封止形半導体装置 Granted JPS61177754A (ja)

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JPS61177754A JPS61177754A (ja) 1986-08-09
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4569423B2 (ja) * 2005-08-31 2010-10-27 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2011003832A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Nippon Inter Electronics Corp パワー半導体モジュール

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