JPS61177754A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置

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JPS61177754A
JPS61177754A JP60018361A JP1836185A JPS61177754A JP S61177754 A JPS61177754 A JP S61177754A JP 60018361 A JP60018361 A JP 60018361A JP 1836185 A JP1836185 A JP 1836185A JP S61177754 A JPS61177754 A JP S61177754A
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resin
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    • H01L2924/351—Thermal stress

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に樹脂封止
形半導体装置における半導体ベーシックエレメントの熱
応力緩衝材の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
従来例によるこの種の樹脂封止形半導体装置として、第
２図に示すものがあり、これは平板状に形成された１対
の熱応力緩衝材２．３間に半導体ペレット１を配置し、
この半導体ベレット１と熱応力緩衝材２．３とを一体と
したものに外部端子取出し用電極４をろう付けしてベー
シンクエレメントとし、この半導体ベーシックエレメン
トに外部端子５．６を半田付けするとともに、絶縁基板
８を介して放熱ベース７に取付け、またこの放熱ベース
７にケース９を配した上で、これらにエポキシ樹脂１０
などを充填硬化させて樹脂封止したものである。
そしてこの構成の樹脂封止形半導体装置は、熱応力緩衝
材をろう付けする半導体ペレット１の接合面にガラスな
どの絶縁物を塗布することにより、この接合部を電気的
に安定した状態で保護することができ、そのため、従来
からのハーメチックシールを施した半導体素子とか、ト
ランスファモールドで樹脂封止した半導体素子に比較し
て、コンパクトかつ安価に提供できるものとしてその需
要が多い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、この従来例による樹脂封止形半導体装置にお
いては、前記半導体ペレット１にガラスパッシベーショ
ンダイオードを用いた場合には、その両面に配置される
熱応力緩衝材２．３の材料として熱膨張係数の小さいモ
リブデン、タングステンなどが用いられており、これら
によって半導体ペレット１を温度サイクル、通電時など
での熱応力による歪から保護し得るようになっている。
しかし一方、このような場合に熱応力緩衝材２゜３とし
てのモリブデン、タングステンなどを半導体ペレット１
にろう付けするためには、一般に、Ｎｉメッキを施して
いるが、このＮｉメッキは熱応力緩衝材２．３であるモ
リブデン、タングステンなどの全面にＮｉメッキを施す
のが普通であって、この全面にメッキを施した状態でこ
れを所定温度に昇温された水素雰囲気の加熱炉内を通過
させてろう付けさせると、半導体ペレット１に好ましく
ない影響を生ずることがある。
即ち、第３図に示すように、ガラスパッシベーションダ
イオードである半導体ペレット１のガラスパッシベーシ
ョン部のある表面（図示下面）側にろう付けされる熱応
力緩衝材２は全面Ｎｉメッキが施されているため、ここ
に介在されるろう材１１は熱応力緩衝材２の側面に流れ
出しく図示１１ａ参照）、ろう材１１の厚みを確保でき
ず、信頼性上の不都合があった。また半導体ペレット１
の裏面側にろう付けされる熱応力緩衝材３についても、
ここに介在するろう材１２．１３により同様に側面まで
ろう材が流れ出しく図示１４参照）、半導体ペレット１
の裏面と外部端子取出し用電極６とがこのろう材１４に
より短絡を生ずることがあり、このようにして製造され
た樹脂封止形半導体装置では、このろう材の短絡部１４
により半導体ペレット１が引張られ、ペレットに割れが
生じないという不都合があった。
この発明は上記のような従来の欠点を解消するためにな
されたもので、半導体ペレットの割れ等の低減、特性劣
化の防止、さらには信頼性の向上を図ることができる樹
脂封止形半導体装置を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止形半導体装置は、半導体ペレッ
トの主面にろう付けされる熱応力緩衝材の主面にのみメ
ッキを施し、側面にはメッキを施さないようにしたもの
である。
〔作用〕
この発明においては、半導体ペレットの主面にろう付け
される熱応力緩衝材の主面にのみメッキを施し、側面に
はメッキを施さないようにしたから、半導体ペレット裏
面側でろう材の流れ出しがあってもこれは熱応力緩衝材
の側面までは流れず、。
ろう材の厚みが確保できなかったり、外部端子取出し用
電極と半導体ペレットとが短絡したりすることはなく、
特性劣化、信頼性の低下を防止できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図を参照して詳細に説
明する。
第１図において、第２図及び第３図と同一符号。
は同−又は相当部分を示しており、本実施例装置では、
従来装置において半導体ペレット１にろう付けすべき熱
応力緩衝材としては、全面にＮｉメッキを施したものに
替えて、主面にのみメッキを施し、側面にはメッキを施
していない熱応力緩衝材１５．１６を用いている。
本実施例装置においても、従来装置と同様熱応力緩衝材
１５．１６及び外部端子取出し用電極４を半導体ペレッ
ト１にろう付けさせることにより半導体ベーシックエレ
メントを製造する。そして、この場合半導体ペレット１
の裏面側でろう材１２゜１３の流れ出しがあってもこれ
は熱応力緩衝材１６の側面までは流れず、また表面側で
のろう材１１の流れ出しがあってもこれは熱応力緩衝材
１５の側面までは流れず、従って前記従来例のようにろ
う材の厚みが確保できなかったり、外部端子取出し用電
極４と半導体ペレット１裏面とが短絡したりすることは
なく、ペレット１の割れなどの特性劣化を生じたり、ま
た信頼性上の不都合を招いたりすることはない。
ちなみに、本発明者の実験結果によれば、２５０〜３５
０℃の水素雰囲気の加熱炉内でろう付けを行なった場合
、従来例では１０〜１５％の特性劣化を生じていたが、
本実施例ではこれを０．１％以下に抑制し得ることを確
認できた。
なお、前記実施例においては、ガラスパッシベーション
ダイオードに適用する場合について述べたが、その他に
もガラスパッシベーションサイリスクなどのガラスパッ
シベーションを施した半導体ペレットにも同様に適用で
きることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ガラスパッシベーショ
ンダイオードなどのように、ガラスなどによって絶縁分
離された半導体ペレットの主面に、熱応力緩衝材をろう
付けさせ、また同時に外部端子取出し用電極をろう付け
させて構成する半導体ベーシックエレメントを有する樹
脂封止形半導体装置において、熱応力緩衝材の主面のみ
にメッキを施し、側面にはメッキを施さないようにした
ので、ろう付けの際のろう材の流れ出しを抑制でき、こ
れによって半導体ペレットの割れ等の低減、特性劣化の
防止、さらには信頼性の向上を図ることができ、装置の
製造歩留り向上に寄与するところ大である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による樹脂封止形半導体装
置の半導体ベーシックエレメントのろう付は部の拡大図
、第２図は従来例による樹脂封止形半導体装置の概略構
成を示す要部断面図、第３図は上記従来例の半導体ベー
シックエレメントのろう付は部の拡大図である。 １・・・半導体ペレット、１５．１６・・・熱応力緩衝
材、４・・・外部端子取出し用電極、５．６・・・外部
端子、７・・・放熱ベース、８・・・絶縁基板、９・・
・ケース、１０・・・エポキシ樹脂、１１．１２．１３
・・・ろう材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ガラスパッシベーションを施した半導体ペレット
    と、該半導体ペレットの主面にろう付けされた熱応力緩
    衝材と、該熱応力緩衝材にろう付けされた外部端子取出
    し用電極とを備えた半導体ベーシックエレメントを有す
    る樹脂封止形半導体装置において、前記熱応力緩衝材は
    その主面のみにメッキが施されていることを特徴とする
    樹脂封止形半導体装置。
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