JPS626692Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS626692Y2 JPS626692Y2 JP1981141262U JP14126281U JPS626692Y2 JP S626692 Y2 JPS626692 Y2 JP S626692Y2 JP 1981141262 U JP1981141262 U JP 1981141262U JP 14126281 U JP14126281 U JP 14126281U JP S626692 Y2 JPS626692 Y2 JP S626692Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- metal
- metal flange
- semiconductor device
- press
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体基体を銅ブロツクの間にはさ
み、さらに銅ブロツクの外側に金属フランジをか
ぶせて筒状絶縁体に組合せ、圧接により半導体基
体と銅ブロツクおよび金属フランジを接触保持さ
せた平型構造の圧接型半導体装置に関する。
み、さらに銅ブロツクの外側に金属フランジをか
ぶせて筒状絶縁体に組合せ、圧接により半導体基
体と銅ブロツクおよび金属フランジを接触保持さ
せた平型構造の圧接型半導体装置に関する。
第１図は、このような従来の圧接型半導体装置
の断面図である。第１図において、１はPN接合
が形成された半導体基体、例えばサイリスタ基体
である。サイリスタ基体１のアノード電極面には
熱歪補償用の支持板２を介して、アノード側の銅
ブロツク３と、基体１のカソード側の電極面には
カソード側の銅ブロツク４とが接触して重ねら
れ、さらに銅ブロツク３と４との外側には金属フ
ランジ６と７がそれぞれかぶせられ、金属フラン
ジ６と７の外周端は筒状絶縁体８の両端にそぞれ
固着されて、サイリスタ基体１は筒状絶縁体８と
金属フランジ６と７に囲まれた密封空間内に保持
されている。９は基体１の中心部のゲート電極か
ら引出されたゲート外部端子である。さらに、金
属フランジ６と７の中央部には、このような半導
体装置を複数個積重ねて使用するときの位置決め
用の凹部１０が形成されている。この凹部１０
は、第２図に示すように、金属フランジ６の中央
に予じめあけられた穴の周囲に、この穴の径に対
応する開口径をもつたキヤツプ状円筒１１が、そ
の開口部を接着させることにより形成されてい
る。このような接着による凹部形成は、凹部側壁
がなるべく垂直に近い成形を得るために、金属フ
ランジ本体の単なるプレス成形に代わり採用され
ている。
の断面図である。第１図において、１はPN接合
が形成された半導体基体、例えばサイリスタ基体
である。サイリスタ基体１のアノード電極面には
熱歪補償用の支持板２を介して、アノード側の銅
ブロツク３と、基体１のカソード側の電極面には
カソード側の銅ブロツク４とが接触して重ねら
れ、さらに銅ブロツク３と４との外側には金属フ
ランジ６と７がそれぞれかぶせられ、金属フラン
ジ６と７の外周端は筒状絶縁体８の両端にそぞれ
固着されて、サイリスタ基体１は筒状絶縁体８と
金属フランジ６と７に囲まれた密封空間内に保持
されている。９は基体１の中心部のゲート電極か
ら引出されたゲート外部端子である。さらに、金
属フランジ６と７の中央部には、このような半導
体装置を複数個積重ねて使用するときの位置決め
用の凹部１０が形成されている。この凹部１０
は、第２図に示すように、金属フランジ６の中央
に予じめあけられた穴の周囲に、この穴の径に対
応する開口径をもつたキヤツプ状円筒１１が、そ
の開口部を接着させることにより形成されてい
る。このような接着による凹部形成は、凹部側壁
がなるべく垂直に近い成形を得るために、金属フ
ランジ本体の単なるプレス成形に代わり採用され
ている。
ところで、このような凹部１０の形成において
は、キヤツプ状円筒１１を銅フランジ６の中央穴
の部分にろう付けするとき、ろう材１２が中央部
から周囲方向に流れてゆき、内部電極である銅ブ
ロツクの接触面、または、金属フランジとこの金
属フランジの外面に取付られる外部冷却体との接
触面にろう材の薄膜が生じ、接触界面の熱伝導性
に悪影響を及ぼす欠点があつた。
は、キヤツプ状円筒１１を銅フランジ６の中央穴
の部分にろう付けするとき、ろう材１２が中央部
から周囲方向に流れてゆき、内部電極である銅ブ
ロツクの接触面、または、金属フランジとこの金
属フランジの外面に取付られる外部冷却体との接
触面にろう材の薄膜が生じ、接触界面の熱伝導性
に悪影響を及ぼす欠点があつた。
本考案の目的は、このようなキヤツプ状円筒の
ろう付け用ろう材流れによる熱伝導性の低下の恐
れのない、信頼性の高い圧接型半導体装置を提供
するにある。
ろう付け用ろう材流れによる熱伝導性の低下の恐
れのない、信頼性の高い圧接型半導体装置を提供
するにある。
つぎに本考案を実施例により説明する。
第３図は本考案の一実施例における金属フラン
ジ位置決め用凹部付近の部分断面図である。第３
図において、金属フランジ１６に予じめあけられ
た穴に合せて、同じ内径の開口をもつキヤツプ状
円筒１１がろう付けにより接着されて凹部１０が
形成されているのであるが、この凹部１０を取囲
んで金属フランジ１６には、下りと上りのろう材
流れ防止用の段部１７，１８が設けられている。
ジ位置決め用凹部付近の部分断面図である。第３
図において、金属フランジ１６に予じめあけられ
た穴に合せて、同じ内径の開口をもつキヤツプ状
円筒１１がろう付けにより接着されて凹部１０が
形成されているのであるが、この凹部１０を取囲
んで金属フランジ１６には、下りと上りのろう材
流れ防止用の段部１７，１８が設けられている。
ろう材の流れは、通常10〜数10μｍ程度であ
る。段部１７，１８の高さが0.1〜0.3mmあれば、
ろう材１２の流の流れは段部１７，１８の中間の
ところで止まり、段部のない従来のように、銅ブ
ロツク、または外部冷却体の接触部まで流れるこ
とはなく、熱伝導度を低下させる障害が起らなく
された。さらに、段部を設けることにより、銅フ
ランジ部の強度が増し、位置決め凹部にピンを挿
着する際に銅フランジが変形するのを防止するの
にも役立つ。
る。段部１７，１８の高さが0.1〜0.3mmあれば、
ろう材１２の流の流れは段部１７，１８の中間の
ところで止まり、段部のない従来のように、銅ブ
ロツク、または外部冷却体の接触部まで流れるこ
とはなく、熱伝導度を低下させる障害が起らなく
された。さらに、段部を設けることにより、銅フ
ランジ部の強度が増し、位置決め凹部にピンを挿
着する際に銅フランジが変形するのを防止するの
にも役立つ。
第１図は従来の圧接型半導体装置の断面部、第
２図は第１図の銅フランジの位置決め用凹部の詳
細を示す部分断面図、第３図は本考案の一実施例
の位置決め用凹部を示す部分断面図である。 １……サイリスタ基体、２……支持板、３，４
……銅ブロツク、６，７……金属フランジ、８…
…筒状絶縁体、９……外部ゲート端子、１０……
位置決め用凹部、１１……キヤツプ状円筒、１２
……ろう材、１６……ろう材流れ止め用段付き金
属フランジ、１７，１８……ろう材流れ止め用段
部。
２図は第１図の銅フランジの位置決め用凹部の詳
細を示す部分断面図、第３図は本考案の一実施例
の位置決め用凹部を示す部分断面図である。 １……サイリスタ基体、２……支持板、３，４
……銅ブロツク、６，７……金属フランジ、８…
…筒状絶縁体、９……外部ゲート端子、１０……
位置決め用凹部、１１……キヤツプ状円筒、１２
……ろう材、１６……ろう材流れ止め用段付き金
属フランジ、１７，１８……ろう材流れ止め用段
部。
Claims (1)
- 一対の銅ブロツク電極の間に半導体基体がはさ
まれ、さらに前記銅ブロツク電極の外側に、中央
部に位置決め用の凹部を有する金属フランジがか
ぶせられて、この一対の金属フランジと筒型絶縁
体とにより密封容器を形成してなる圧接型半導体
装置において、前記金属フランジには前記凹部の
外周を囲んで設けられたろう材流れ止め用の上り
と下りの段部を該金属フランジのへこみによつて
有し、かつ、前記凹部は予じめあけられた穴の周
辺にキヤツプ状筒の開口部が接着されて形成され
てなるものであることを特徴とする圧接型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14126281U JPS5846451U (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14126281U JPS5846451U (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846451U JPS5846451U (ja) | 1983-03-29 |
| JPS626692Y2 true JPS626692Y2 (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=29934374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14126281U Granted JPS5846451U (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846451U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258372A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4718971U (ja) * | 1971-04-01 | 1972-11-02 |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14126281U patent/JPS5846451U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4718971U (ja) * | 1971-04-01 | 1972-11-02 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258372A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
| JP4727471B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-07-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5846451U (ja) | 1983-03-29 |
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