JPS6314468Y2 - - Google Patents
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- JPS6314468Y2 JPS6314468Y2 JP1979076336U JP7633679U JPS6314468Y2 JP S6314468 Y2 JPS6314468 Y2 JP S6314468Y2 JP 1979076336 U JP1979076336 U JP 1979076336U JP 7633679 U JP7633679 U JP 7633679U JP S6314468 Y2 JPS6314468 Y2 JP S6314468Y2
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- semiconductor element
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- semiconductor
- heat sink
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、平型半導体素子の上下両面を放熱体
の間にはさんで、上下両方向への放熱を図つた平
型半導体装置に関する。
の間にはさんで、上下両方向への放熱を図つた平
型半導体装置に関する。
従来、平型半導体素子と、この半導体素子を間
にはさんだ上下一対の放熱体との間の横ずれ防
止、回転止め、中心軸合せのためには、テブロン
系、シリコンゴム系、セラツク系の絶縁材料から
なる型詰め物を用いることや、放熱体にろう付け
した弾性金属の位置決め部材を用いることが行わ
れているが、前記の型詰め物を用いることにおい
ては、型詰め物の製品の寸法精度のバラツキが大
きく、製品歩留まりが悪いのでコスト高となる。
また、弾性金属の位置決め部材による方法はろう
付け工程が入るための工数増加の欠点がある。
にはさんだ上下一対の放熱体との間の横ずれ防
止、回転止め、中心軸合せのためには、テブロン
系、シリコンゴム系、セラツク系の絶縁材料から
なる型詰め物を用いることや、放熱体にろう付け
した弾性金属の位置決め部材を用いることが行わ
れているが、前記の型詰め物を用いることにおい
ては、型詰め物の製品の寸法精度のバラツキが大
きく、製品歩留まりが悪いのでコスト高となる。
また、弾性金属の位置決め部材による方法はろう
付け工程が入るための工数増加の欠点がある。
本考案の目的は、上記のような寸法精度のバラ
ツキに関係がなく、しかも、ろう付け工程不要の
位置決め部材により放熱体と半導体素子の位置合
せが容易で横ずれなどが防止された平型半導体装
置を提供することである。
ツキに関係がなく、しかも、ろう付け工程不要の
位置決め部材により放熱体と半導体素子の位置合
せが容易で横ずれなどが防止された平型半導体装
置を提供することである。
本考案の平型半導体装置は、半導体素子を間に
はさむ上下一対の放熱体の少くとも一方の放熱体
と半導体素子の接触部周辺に、半導体素子の側面
と放熱体の側面に周辺３個所以上でともに接触
し、半導体素子および放熱体を同軸位置に保持す
る垂直方向の立爪を有する弾性金属からなる環状
体が設けられている。
はさむ上下一対の放熱体の少くとも一方の放熱体
と半導体素子の接触部周辺に、半導体素子の側面
と放熱体の側面に周辺３個所以上でともに接触
し、半導体素子および放熱体を同軸位置に保持す
る垂直方向の立爪を有する弾性金属からなる環状
体が設けられている。
次に図面を参照して本考案を説明する。第１図
は従来の平形半導体装置の断面図である。１は半
導体素子基体を示し、アルミニウム系から成るろ
う材にて、タングステンからなる一方の熱補償体
２に溶着され、半導体素子３を形成している。こ
の半導体素子３は、銅からなる下側の放熱体５に
ろう材６でろう付されたリン青銅等から成る金属
性弾性体７により放熱体５に固定される。他のモ
リブデンからなる薄い爪付き熱補償体８は、銅か
らなる上側の放熱体４に側面にて加圧接触固定さ
れている。
は従来の平形半導体装置の断面図である。１は半
導体素子基体を示し、アルミニウム系から成るろ
う材にて、タングステンからなる一方の熱補償体
２に溶着され、半導体素子３を形成している。こ
の半導体素子３は、銅からなる下側の放熱体５に
ろう材６でろう付されたリン青銅等から成る金属
性弾性体７により放熱体５に固定される。他のモ
リブデンからなる薄い爪付き熱補償体８は、銅か
らなる上側の放熱体４に側面にて加圧接触固定さ
れている。
これらが環状絶縁体１０を持ち、銅等の主導通
板９、コバー、鉄、銅等から成るフランジ１１を
有するケース１４と銅等の主導通板９とコバー、
鉄、銅等から成るフランジ１２を有するキヤツプ
１５がフランジ周辺部１３にて気密封止されてい
る。
板９、コバー、鉄、銅等から成るフランジ１１を
有するケース１４と銅等の主導通板９とコバー、
鉄、銅等から成るフランジ１２を有するキヤツプ
１５がフランジ周辺部１３にて気密封止されてい
る。
このような従来の半導体装置は、前述したよう
に、半導体素子３と放熱体５の位置合せ用の弾性
金属部材７は、放熱体５にろう付け固定で用いら
れるが、このろう付けには意外と手数がかかると
いう欠点を有している。
に、半導体素子３と放熱体５の位置合せ用の弾性
金属部材７は、放熱体５にろう付け固定で用いら
れるが、このろう付けには意外と手数がかかると
いう欠点を有している。
第２図は上述の欠点をなくした本考案にかかる
位置合せ用弾性金属部材からなる環状体１６によ
り放熱体５と半導体素子３の位置合せを示した断
面図であり、位置合せ部材１６は第３図に示すよ
うに、内径が放熱体５の凸形小径部の外径にほぼ
嵌合する内径と、半導体素子３の熱補償板２の外
径とほぼ等しい外径のリン青銅板からなる環状体
であり、その外径周辺４個所には、上方向垂直に
曲げられた立爪１７を有し、またその内周周辺４
個所にも、下方に曲げられた立爪１８を有してお
り、まず、内周爪１８を先にして位置合せ部材１
６を放熱体５の凸形小径部に押し込む。爪１８の
先端はテーパを施してあるため、この押し込みは
容易にできる。つぎに半導体素子３の熱補償板２
を位置合せ部材１６の外周立爪１７に沿わせて押
し込むことにより、半導体素子３と放熱体５は同
軸位置に位置合せ固定される。
位置合せ用弾性金属部材からなる環状体１６によ
り放熱体５と半導体素子３の位置合せを示した断
面図であり、位置合せ部材１６は第３図に示すよ
うに、内径が放熱体５の凸形小径部の外径にほぼ
嵌合する内径と、半導体素子３の熱補償板２の外
径とほぼ等しい外径のリン青銅板からなる環状体
であり、その外径周辺４個所には、上方向垂直に
曲げられた立爪１７を有し、またその内周周辺４
個所にも、下方に曲げられた立爪１８を有してお
り、まず、内周爪１８を先にして位置合せ部材１
６を放熱体５の凸形小径部に押し込む。爪１８の
先端はテーパを施してあるため、この押し込みは
容易にできる。つぎに半導体素子３の熱補償板２
を位置合せ部材１６の外周立爪１７に沿わせて押
し込むことにより、半導体素子３と放熱体５は同
軸位置に位置合せ固定される。
このように、本考案では、位置合せ環状体１６
はその立爪１７と１８の弾性により半導体素子お
よび放熱体の外周側面に圧接し位置決めするの
で、製品寸法のバラツキは弾性力に吸収されて影
響がなくなり、また、嵌合だけで半導体素子と放
熱体を位置合せ固定するので、厄介なろう付け工
程不要という効果がある。
はその立爪１７と１８の弾性により半導体素子お
よび放熱体の外周側面に圧接し位置決めするの
で、製品寸法のバラツキは弾性力に吸収されて影
響がなくなり、また、嵌合だけで半導体素子と放
熱体を位置合せ固定するので、厄介なろう付け工
程不要という効果がある。
なお、上記は半導体素子３の熱補償板側と放熱
体との位置合せについて述べたが、本考案は半導
体基体側と放熱体との位置合せにも用いることが
できるのはいうまでもない。
体との位置合せについて述べたが、本考案は半導
体基体側と放熱体との位置合せにも用いることが
できるのはいうまでもない。
第１図は従来の平型半導体装置の断面図、第２
図は本考案実施例の要部断面図、第３図は本考案
にかかる半導体素子と放熱体との位置合せ用の環
状体の平面図である。 １……半導体基体、２……熱補償板、３……半
導体素子、４，５……放熱体、１４……ケース、
１５……キヤツプ、１６……弾性金属の位置合せ
用環状体、１７……上曲げ立爪、１８……下曲げ
立爪。
図は本考案実施例の要部断面図、第３図は本考案
にかかる半導体素子と放熱体との位置合せ用の環
状体の平面図である。 １……半導体基体、２……熱補償板、３……半
導体素子、４，５……放熱体、１４……ケース、
１５……キヤツプ、１６……弾性金属の位置合せ
用環状体、１７……上曲げ立爪、１８……下曲げ
立爪。
Claims (1)
- 半導体基体と該半導体基体の一主表面側に固着
された熱補償板とからなる半導体素子が第１およ
び第２の放熱体の間にはさまれて加圧保持された
平型半導体装置において、前記第１の放熱体の前
記半導体素子と加圧接触する側は該半導体素子と
は径が異なつて形成され、前記第１の放熱体と前
記半導体素子との加圧接触面の外周部を平面的に
とり囲む弾性金属の環状体を有し、該環状体の一
方の側から延びて前記第１の放熱体の側面と圧接
する第１の立爪と前記環状体の他方の側から延び
て前記半導体素子の側面に圧接する第２の立爪と
を有し、これら第１および第２の立爪は前記環状
体にそれぞれ３個所以上平均して分散配置されて
いることを特徴とする平型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979076336U JPS6314468Y2 (ja) | 1979-06-05 | 1979-06-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979076336U JPS6314468Y2 (ja) | 1979-06-05 | 1979-06-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55176566U JPS55176566U (ja) | 1980-12-18 |
| JPS6314468Y2 true JPS6314468Y2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=29309837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979076336U Expired JPS6314468Y2 (ja) | 1979-06-05 | 1979-06-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314468Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-06-05 JP JP1979076336U patent/JPS6314468Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55176566U (ja) | 1980-12-18 |
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