JPS6028139B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6028139B2 JPS6028139B2 JP4232979A JP4232979A JPS6028139B2 JP S6028139 B2 JPS6028139 B2 JP S6028139B2 JP 4232979 A JP4232979 A JP 4232979A JP 4232979 A JP4232979 A JP 4232979A JP S6028139 B2 JPS6028139 B2 JP S6028139B2
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- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子装置内部で半導体素子が移動する
ことを防止した構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
ことを防止した構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
第１図は従来のゲート加圧方式の平形大容量サィリスタ
を示す断面図である。
を示す断面図である。
図中１は外部陰極電極、２は外部陽極電極、３は半導体
素子、３一１は半導体素子３の陰極電極、３−２は半導
体素子３のゲート電極、３−３は半導体素子３の半導体
基体、３−４は半導体素子３の陽極電極、４は絶縁体筒
、５は外部陰極電極１と絶縁体筒４とに磯付蔓れた金属
薄板、６は絶縁体筒４に磯付された金属薄板、７は外部
陽極電極２に磯付された金属薄板、８は絶縁体筒４に磯
付された外部ゲート電極、９はゲートリード、１０はゲ
ートリード９と外部陰極電極１とを絶縁する絶縁体管、
１１はゲートリード９を支持する絶縁性支持体、１２は
絶縁性支持体１１と外部陰極電極との間に設置され絶縁
性支持体１ １を界してゲートリード９の先端分部を半
導体素子３のゲート電極、３−１に圧接する為のコイル
バネである。この様な半導体装置を組み立てるには先ず
外部陰極電極１、絶縁体筒４金属薄板５，６外部ゲート
電極８の鍵付完了品にコイルバネ１２、絶縁性支持体１
１、ゲートリード９、絶縁体筒１０を設置し、絶縁性支
持体１１の外周部に金属板１３の内周部が係合する様に
金属板１３を設置する。
素子、３一１は半導体素子３の陰極電極、３−２は半導
体素子３のゲート電極、３−３は半導体素子３の半導体
基体、３−４は半導体素子３の陽極電極、４は絶縁体筒
、５は外部陰極電極１と絶縁体筒４とに磯付蔓れた金属
薄板、６は絶縁体筒４に磯付された金属薄板、７は外部
陽極電極２に磯付された金属薄板、８は絶縁体筒４に磯
付された外部ゲート電極、９はゲートリード、１０はゲ
ートリード９と外部陰極電極１とを絶縁する絶縁体管、
１１はゲートリード９を支持する絶縁性支持体、１２は
絶縁性支持体１１と外部陰極電極との間に設置され絶縁
性支持体１ １を界してゲートリード９の先端分部を半
導体素子３のゲート電極、３−１に圧接する為のコイル
バネである。この様な半導体装置を組み立てるには先ず
外部陰極電極１、絶縁体筒４金属薄板５，６外部ゲート
電極８の鍵付完了品にコイルバネ１２、絶縁性支持体１
１、ゲートリード９、絶縁体筒１０を設置し、絶縁性支
持体１１の外周部に金属板１３の内周部が係合する様に
金属板１３を設置する。
次に、半導体素子３を絶縁体筒４の内側に挿入し、外部
陽極電極２と金属薄板７の磯付完了品を設置して、金属
薄板６，７を溶接、外部ゲート電極８をゲートリード９
と共に溶接封止する。この様な半導体装置において半導
体素子３は、半導体素子３と絶縁体筒４とのクリアラン
スにより、第１図の横方向への移動を起こす。
陽極電極２と金属薄板７の磯付完了品を設置して、金属
薄板６，７を溶接、外部ゲート電極８をゲートリード９
と共に溶接封止する。この様な半導体装置において半導
体素子３は、半導体素子３と絶縁体筒４とのクリアラン
スにより、第１図の横方向への移動を起こす。
この場合特に半導体素子のゲート電極３一２とゲートリ
ード９の相対的な位置ずれの為に半導体素子のゲート電
極３一２とゲートリード９が接触不良を起こす危険性が
あった。この危険性は半導体装置の大容量化に伴う半導
体素子の大口蓬化によってさらに増す煩向にある。これ
は以下に示す理由によるものである。半導体素子が大口
径化すると、これに伴って絶縁体節（第１図では４）の
内径も大きくなるが、絶縁体としては、耐熱性、気密性
の面から暁結アルミナ等が用いられるが、この様な材料
は鱗結時に材料収縮を起こす為、大口蓬化に伴い寸法公
差を大きくとる必要性が生じるのである。
ード９の相対的な位置ずれの為に半導体素子のゲート電
極３一２とゲートリード９が接触不良を起こす危険性が
あった。この危険性は半導体装置の大容量化に伴う半導
体素子の大口蓬化によってさらに増す煩向にある。これ
は以下に示す理由によるものである。半導体素子が大口
径化すると、これに伴って絶縁体節（第１図では４）の
内径も大きくなるが、絶縁体としては、耐熱性、気密性
の面から暁結アルミナ等が用いられるが、この様な材料
は鱗結時に材料収縮を起こす為、大口蓬化に伴い寸法公
差を大きくとる必要性が生じるのである。
以上の様な位置ずれを起こさない構造として、ゲートボ
ンディング方式がある。
ンディング方式がある。
第２図はゲートボンディング方式の大容量平形サィリス
タの断面図である。
タの断面図である。
図中１４は金属板１３を支持する絶縁性支持体で、ゲー
トリード９の先端部は半導体素子３のゲート電極、３一
２にボンディングされている。その他、第１図と同一番
号おものは、同一構成部分を示している。この様な半導
体素子を組み立てるには、先ず半導体素子のゲート電極
、３−１にゲートリード９の先端部をボンデイングし、
ゲートリード９に絶縁体管９を設置し、次に絶縁性支持
体１４を外部陰極電極１、絶縁体筒４、金属板５，６、
外部ゲート電極との麹付完了品に装着して、金属板１３
、及び半導体素子３、ゲートリード９、絶縁体管１０組
立完了品を設置する。
トリード９の先端部は半導体素子３のゲート電極、３一
２にボンディングされている。その他、第１図と同一番
号おものは、同一構成部分を示している。この様な半導
体素子を組み立てるには、先ず半導体素子のゲート電極
、３−１にゲートリード９の先端部をボンデイングし、
ゲートリード９に絶縁体管９を設置し、次に絶縁性支持
体１４を外部陰極電極１、絶縁体筒４、金属板５，６、
外部ゲート電極との麹付完了品に装着して、金属板１３
、及び半導体素子３、ゲートリード９、絶縁体管１０組
立完了品を設置する。
次に外部陽極電極２と金属薄板７との銭付完了品を設置
し、しかる後金属簿板６，７を溶接、外部ゲート電極８
をゲートリード９と共に溶接封止する。この様な半導体
装置においては、半導体素子の中心軸を中心とする回転
移動を起こす為、ゲートリードが切断あるいは疲労する
危険性があった。
し、しかる後金属簿板６，７を溶接、外部ゲート電極８
をゲートリード９と共に溶接封止する。この様な半導体
装置においては、半導体素子の中心軸を中心とする回転
移動を起こす為、ゲートリードが切断あるいは疲労する
危険性があった。
この発明は以上２例の様な半導体素子の移動を防止し半
動体装置の信頼性を向上させ得る構造の半導体装置を提
供するものである。以下、本発明の一実施例を第３図、
第４図を用いて詳細に説明する。
動体装置の信頼性を向上させ得る構造の半導体装置を提
供するものである。以下、本発明の一実施例を第３図、
第４図を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明によるゲート加圧方式の大容量平形サリ
スタの断面図である。
スタの断面図である。
図中１５は絶縁体筒４と半導体素子３の陽極電極の間隙
に圧入された弾性体、（シリンゴム、バイトン等の耐熱
性ゴムが好ましい）である。その他、第１図と同一番号
のものは同一又は同等の構成部分を示す。
に圧入された弾性体、（シリンゴム、バイトン等の耐熱
性ゴムが好ましい）である。その他、第１図と同一番号
のものは同一又は同等の構成部分を示す。
この様な半導体装置を組み立てるには、先ず外部陰極電
極１、絶縁体筒４、金属薄板５，６、外部ゲート電極８
の鍵付完了品にコイルバネ１２、絶縁性支持体１ １、
ゲートリード９、絶縁体管１０を設置し、絶縁性支持体
１１の外周部に金属板１３の内周部が係合する様に金属
板１３を設置する。
極１、絶縁体筒４、金属薄板５，６、外部ゲート電極８
の鍵付完了品にコイルバネ１２、絶縁性支持体１ １、
ゲートリード９、絶縁体管１０を設置し、絶縁性支持体
１１の外周部に金属板１３の内周部が係合する様に金属
板１３を設置する。
次に絶縁体筒４に設けられた溝部分（第４図Ａ部分）に
弾性体１５を設置し、弾性体１５を絶縁体筒４の内壁に
押しつけながら半導体素子３を挿入する。しかる後金属
薄板６，７を溶接、外部ゲート電極８をゲートリード９
と共に溶接封止する。ゲートボンディング方式の大容量
平形サィリス夕についても上記実施例と全く同機に絶縁
体筒に溝を設け、この溝部分と半導体素子との間隙に弾
性体を圧入することによって、半導体素子の回転移動を
防止し、前記従来のものの欠点を除去することができる
。
弾性体１５を設置し、弾性体１５を絶縁体筒４の内壁に
押しつけながら半導体素子３を挿入する。しかる後金属
薄板６，７を溶接、外部ゲート電極８をゲートリード９
と共に溶接封止する。ゲートボンディング方式の大容量
平形サィリス夕についても上記実施例と全く同機に絶縁
体筒に溝を設け、この溝部分と半導体素子との間隙に弾
性体を圧入することによって、半導体素子の回転移動を
防止し、前記従来のものの欠点を除去することができる
。
本発明による半導体装置の絶縁体筒の溝の形状として第
４図にその例を示している。
４図にその例を示している。
第４図では４個の溝を設けているが、これは一例にすぎ
ず、３個、あるいは５個以上であっても良い。溝の幅Ｂ
を充分にとれば２個であってもよい。本発明は実施例に
示す様な平形サィリスタに限らず、主電極を圧援によっ
て取り出す密封形の大容量半導体素子全般に容易に適用
することができる。
ず、３個、あるいは５個以上であっても良い。溝の幅Ｂ
を充分にとれば２個であってもよい。本発明は実施例に
示す様な平形サィリスタに限らず、主電極を圧援によっ
て取り出す密封形の大容量半導体素子全般に容易に適用
することができる。
以上のようにこの発明によれば、絶縁体筒内周部と半導
体素子外周部との間隙を弾性体１５で埋め、しかも前記
弾性体の弾力、及び摩擦力によって半導体素子を保持し
ている為、半導体素子が、半導体装置内部において横方
向の移動を起こすことがなく半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
体素子外周部との間隙を弾性体１５で埋め、しかも前記
弾性体の弾力、及び摩擦力によって半導体素子を保持し
ている為、半導体素子が、半導体装置内部において横方
向の移動を起こすことがなく半導体装置の信頼性を向上
させることができる。
また、半導体素子の外周部と絶縁体筒の内周部との間隙
の全周に、一連の弾性体を設けるのではなく、絶縁体筒
の内周部の複数個の溝に対応させて、複数個の分割され
た４・片として弾性体を設けるようにしているので、弾
性体を圧入しやすく、しかも、半導体素子を中心に向っ
て均等に押圧するようにでき、さらに厚さの違ってた小
片の弾性体を複数個づつ用意するだけで、径の異なる半
導体素子に変えてこれを取付けることができる等の利点
もある。
の全周に、一連の弾性体を設けるのではなく、絶縁体筒
の内周部の複数個の溝に対応させて、複数個の分割され
た４・片として弾性体を設けるようにしているので、弾
性体を圧入しやすく、しかも、半導体素子を中心に向っ
て均等に押圧するようにでき、さらに厚さの違ってた小
片の弾性体を複数個づつ用意するだけで、径の異なる半
導体素子に変えてこれを取付けることができる等の利点
もある。
第１図は従来のゲート加圧方式による大容量平形サィリ
スタを示す断面図、第２図は従来のゲートボンディング
方式による大容量平形サィリスタを示す断面図、第３図
は本発明の一実施例によるゲート加圧方式の大容量平形
サィリスタを示す断面図、第４図は本発明による平形サ
ィリスタに用いられる絶縁体筒、外部陰極電極、金属薄
板、外部ゲート電極の磯付完了品を示す斜視図である。 図中同一番号は同一又は同等の構成部分を示す。１・・
・・・・外部陰極電極、２・・・・・・外部陽極電極、
３・…・・半導体素子、４・・・・・・絶縁体筒、５，
６，７・・・・・・金属薄板、８・・・・・・外部ゲー
ト電極、９・・・・・・ゲートリード、１０・・・・・
・絶縁体管、１１・．…・絶縁性支持体、１２・・・・
・・コイルバネ、１３・・・・・・金属板、１５・・・
・・・弾性体。 第１図 第２図 第３図 第４図
スタを示す断面図、第２図は従来のゲートボンディング
方式による大容量平形サィリスタを示す断面図、第３図
は本発明の一実施例によるゲート加圧方式の大容量平形
サィリスタを示す断面図、第４図は本発明による平形サ
ィリスタに用いられる絶縁体筒、外部陰極電極、金属薄
板、外部ゲート電極の磯付完了品を示す斜視図である。 図中同一番号は同一又は同等の構成部分を示す。１・・
・・・・外部陰極電極、２・・・・・・外部陽極電極、
３・…・・半導体素子、４・・・・・・絶縁体筒、５，
６，７・・・・・・金属薄板、８・・・・・・外部ゲー
ト電極、９・・・・・・ゲートリード、１０・・・・・
・絶縁体管、１１・．…・絶縁性支持体、１２・・・・
・・コイルバネ、１３・・・・・・金属板、１５・・・
・・・弾性体。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 少なくとも１つのＰＮ接合を有する半導体素子、こ
の半導体素子の２つの主面に対向する少なくとも２つの
外部電極、これらの外部電極を支持し、前記半導体素子
を密封する絶縁体筒、及びこの絶縁体筒の内周部で前記
半導体素子の外周部に対向する部分に複数個の溝を有し
、この溝部分における前記半導体素子の外周部と絶縁体
筒の内周部との間隙に、それぞれ弾性体を圧入して成る
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232979A JPS6028139B2 (ja) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4232979A JPS6028139B2 (ja) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55134941A JPS55134941A (en) | 1980-10-21 |
| JPS6028139B2 true JPS6028139B2 (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=12632962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4232979A Expired JPS6028139B2 (ja) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028139B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0592321U (ja) * | 1992-03-03 | 1993-12-17 | 丸井産業株式会社 | 耐火被覆材吹付け用下地金具 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042863A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 光駆動半導体装置 |
| DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
| US6781227B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-08-24 | International Rectifier Corporation | Compression assembled electronic package having a plastic molded insulation ring |
-
1979
- 1979-04-06 JP JP4232979A patent/JPS6028139B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0592321U (ja) * | 1992-03-03 | 1993-12-17 | 丸井産業株式会社 | 耐火被覆材吹付け用下地金具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55134941A (en) | 1980-10-21 |
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