JPS6279669A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6279669A JPS6279669A JP60220640A JP22064085A JPS6279669A JP S6279669 A JPS6279669 A JP S6279669A JP 60220640 A JP60220640 A JP 60220640A JP 22064085 A JP22064085 A JP 22064085A JP S6279669 A JPS6279669 A JP S6279669A
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- Japan
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- metal electrode
- cathode
- copper block
- electrode plate
- electrode plates
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ゲートターンオフサイリスク半導体装置に関
し、特にその組立の改良に関する。
し、特にその組立の改良に関する。
一般に、大電力ＧＴＯサイリスクは、ターンオフ能力を
向上させるために、カソード・エミッタが多数個の島状
に分割され、かつ個々の島状カソード・エミッタをゲー
ト電極が取り囲む構造がらなっており、個々の島状カソ
ード・エミッタはパッケージング時にモリブデン等の全
屈電極によって連結されるのが一般的である。
向上させるために、カソード・エミッタが多数個の島状
に分割され、かつ個々の島状カソード・エミッタをゲー
ト電極が取り囲む構造がらなっており、個々の島状カソ
ード・エミッタはパッケージング時にモリブデン等の全
屈電極によって連結されるのが一般的である。
１３１）（ａ）に従来のＧＴＯのエレメント１００の断
面図を示す。図中、１．２，３．４は各々ｎ形ペース、
ｐ形ベース、ｐ形エミッタ、ｎ形エミッタである。また
、５，６．７は各々陽電極、陰電極、ゲート電極である
。８は多数個に分割されたｎ形エミッタ（カソード・エ
ミッタ）４を電気的に連結する金属電極板である。また
、この【ｌ形エミフタの電気的連結は図中矢印に示す方
向に圧力をかけることによって、金属電極板８と陰極電
極６とが接触することによってなされる。
面図を示す。図中、１．２，３．４は各々ｎ形ペース、
ｐ形ベース、ｐ形エミッタ、ｎ形エミッタである。また
、５，６．７は各々陽電極、陰電極、ゲート電極である
。８は多数個に分割されたｎ形エミッタ（カソード・エ
ミッタ）４を電気的に連結する金属電極板である。また
、この【ｌ形エミフタの電気的連結は図中矢印に示す方
向に圧力をかけることによって、金属電極板８と陰極電
極６とが接触することによってなされる。
第３図（ｂ）はＣＴＯの全体組立図を示す。図中１００
は第３図（ａｌで説明したエレメントである。また図中
９．１０は各々陽極洞ブロック及び陰極銅ブロックであ
る。陰極銅ブロック１０には通常セラミックシール１）
が連結されている。また、金属電極板８は、適音エレメ
ント１００にシリコンゴム等で固定される。
は第３図（ａｌで説明したエレメントである。また図中
９．１０は各々陽極洞ブロック及び陰極銅ブロックであ
る。陰極銅ブロック１０には通常セラミックシール１）
が連結されている。また、金属電極板８は、適音エレメ
ント１００にシリコンゴム等で固定される。
一般に、陰極銅ブロック１０の金属電極板８との接触面
の寸法は同じに設計されている。しかし、実際上は、金
属電極板８のエレメント１００への１時や、エレメント
へのカソード・エミッタ等のパターン形成時のセンタリ
ングのずれによって第４図に示すように、金属電極板８
と陰極銅ブロック１０との接触面がずれるという現象が
生じる。
の寸法は同じに設計されている。しかし、実際上は、金
属電極板８のエレメント１００への１時や、エレメント
へのカソード・エミッタ等のパターン形成時のセンタリ
ングのずれによって第４図に示すように、金属電極板８
と陰極銅ブロック１０との接触面がずれるという現象が
生じる。
この状態で圧接をすると、一般に金属電極板８は硬いモ
リブデン板で、陰ｔｉ ２’Ａブロツク１０はやわらか
い銅でつくられているため、陰極銅ブロック１０に第５
図に示すような変形が発生する。この変形が生じると、
一度素子の圧接を抜き、セラミックシール１）内でエレ
メント１００が回転等によって動き、陰極銅ブロック１
０と金属電極板８の位置関係が変わった後再圧接をした
とき、陰極銅ブロック１０が変形しているため、エレメ
ント１００と金属電極板８との接触状態が変わってしま
う。接触状態が変わると、多数の島状のカソード・エミ
’７タを有するＧＴＯでは、導通面積が変わることにな
り、オン電圧やゲート・トリガ電流等の特性に影響をお
よぼす。
リブデン板で、陰ｔｉ ２’Ａブロツク１０はやわらか
い銅でつくられているため、陰極銅ブロック１０に第５
図に示すような変形が発生する。この変形が生じると、
一度素子の圧接を抜き、セラミックシール１）内でエレ
メント１００が回転等によって動き、陰極銅ブロック１
０と金属電極板８の位置関係が変わった後再圧接をした
とき、陰極銅ブロック１０が変形しているため、エレメ
ント１００と金属電極板８との接触状態が変わってしま
う。接触状態が変わると、多数の島状のカソード・エミ
’７タを有するＧＴＯでは、導通面積が変わることにな
り、オン電圧やゲート・トリガ電流等の特性に影響をお
よぼす。
本発明は、上記のような従来のものの問題点を除去する
ためになされたもので、電気特性の劣化がなく、信頼性
の高いＧＴＯを提供することを目的としている。
ためになされたもので、電気特性の劣化がなく、信頼性
の高いＧＴＯを提供することを目的としている。
この発明に係る半導体装置は、カソード・エミッタが多
数個の島状に分割されているＧＴＯにおいて、分割され
た島状カソード・エミッタを連結する金属電極板に対す
る陰極銅ブロックのあたり面を小さくしたものである。
数個の島状に分割されているＧＴＯにおいて、分割され
た島状カソード・エミッタを連結する金属電極板に対す
る陰極銅ブロックのあたり面を小さくしたものである。
この発明においては、金属電極板に対する陰極銅ブロッ
クのあたり面を小さくしたから、金属電極板のエレメン
トへの固定時や、エレメントへのカソード・エミッタ等
のパターン形成時のセンタリングのずれによっζも、陰
極銅ブロックが金属電極板よりはみ出すことがなく、圧
接をくり返しても陰極銅ブロックの変形は発生しない。
クのあたり面を小さくしたから、金属電極板のエレメン
トへの固定時や、エレメントへのカソード・エミッタ等
のパターン形成時のセンタリングのずれによっζも、陰
極銅ブロックが金属電極板よりはみ出すことがなく、圧
接をくり返しても陰極銅ブロックの変形は発生しない。
Ｓ実施例〕
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第４図（ａｌは本発明の一実施例によるＧＴＯ素子（エ
レメント）の断面図を示す。図中２１．２２゜２３．２
４は各々、ｎ形ベース、ｐ形ベース、ｐ形エミッタ、ｎ
形エミッタである。２５，２６゜２７は各々陽電極、陰
電極、ゲート電極である。
レメント）の断面図を示す。図中２１．２２゜２３．２
４は各々、ｎ形ベース、ｐ形ベース、ｐ形エミッタ、ｎ
形エミッタである。２５，２６゜２７は各々陽電極、陰
電極、ゲート電極である。
２８は金属電極板で、これは陰極銅ブロック３０とエレ
メント２００との間に介在し、エレメント２００上の島
状に分割されたカソード・エミッタにオーミック接触し
た多数個の陰電極を連結するものである。２９は陽極銅
ブロックで、陽電極２５に接触している。また３１はセ
ラミックシールで、陰極銅ブロック３０に連結されてい
る。また、このセラミックシール３１で接続された陰電
極側３０のフランジ３２は、陽極銅ブロック２９につな
がれたフランジ３３とアーク溶接等によって気密封止さ
れている。
メント２００との間に介在し、エレメント２００上の島
状に分割されたカソード・エミッタにオーミック接触し
た多数個の陰電極を連結するものである。２９は陽極銅
ブロックで、陽電極２５に接触している。また３１はセ
ラミックシールで、陰極銅ブロック３０に連結されてい
る。また、このセラミックシール３１で接続された陰電
極側３０のフランジ３２は、陽極銅ブロック２９につな
がれたフランジ３３とアーク溶接等によって気密封止さ
れている。
このような本実施例においては、陰極銅ブロック３０の
、Ｍｏ等の金属からなる金属電極板２８との接触面が、
金属電極板２８の面積よりも小さな構造になっており、
この場合、金属電極板２８のエレメント２００への固定
時や、エレメント２００へのカソード・エミッタ等のパ
ターン形成時のセンタリングのずれによっても、陰極銅
ブロック３０が金属電極板２８よりはみ出すことがない
ため（第２図参照）、圧接を（り返しても陰極銅ブロッ
ク３０の変形は発生しない。ここで陰極銅ブロック３０
は金属電極板２８よりも０ 、５ｍｍ程度小さいのが望
ましい。ただしあまり小さくしすぎると、圧接時に金属
電極板２８の周辺に十分圧力がつたわらないようになっ
てしまう。
、Ｍｏ等の金属からなる金属電極板２８との接触面が、
金属電極板２８の面積よりも小さな構造になっており、
この場合、金属電極板２８のエレメント２００への固定
時や、エレメント２００へのカソード・エミッタ等のパ
ターン形成時のセンタリングのずれによっても、陰極銅
ブロック３０が金属電極板２８よりはみ出すことがない
ため（第２図参照）、圧接を（り返しても陰極銅ブロッ
ク３０の変形は発生しない。ここで陰極銅ブロック３０
は金属電極板２８よりも０ 、５ｍｍ程度小さいのが望
ましい。ただしあまり小さくしすぎると、圧接時に金属
電極板２８の周辺に十分圧力がつたわらないようになっ
てしまう。
このような本実施例ではエレメントと金属電極板との接
触状態が安定になり、オン電圧やゲート・トリガ電流等
の特性が安定になる。従って信頼性の高いＧＴＯが得ら
れる。
触状態が安定になり、オン電圧やゲート・トリガ電流等
の特性が安定になる。従って信頼性の高いＧＴＯが得ら
れる。
以上のようにこの発明によれば、カソード・工ミッタが
多数個の島状に分割されているＧＴＯにおいて、分割さ
れた島状カソード・エミッタを連結する金属電極板に対
する陰極銅ブロックのあたり面を小さくしたので、オン
電圧やゲート・トリガ電流等の特性が安定で信頼性の高
いＧＴＯが得られる効果がある。
多数個の島状に分割されているＧＴＯにおいて、分割さ
れた島状カソード・エミッタを連結する金属電極板に対
する陰極銅ブロックのあたり面を小さくしたので、オン
電圧やゲート・トリガ電流等の特性が安定で信頼性の高
いＧＴＯが得られる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の一実施例のＧＴＯ素子の断
面図及びその一部要素の正面図、第３図は従来のＧＴＯ
素子の断面図、第４図及び第５図は従来の構造の問題点
を説明するための陰極銅ブロックと金属電極板の正面図
及び金属電極板の正面図である。 ２００はエレメント、２１はｎ形ベース、２２はｐ形ベ
ース、２３はｐ形エミッタ、２４はｎ形エミッタ、２５
は陽電極、２６は陰電掩、２７はゲート電極、２８は金
泥電極板、２９は陽極銅ブロック、３０は陰極鋼ブロッ
ク、３１はセラミックシールである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２図
面図及びその一部要素の正面図、第３図は従来のＧＴＯ
素子の断面図、第４図及び第５図は従来の構造の問題点
を説明するための陰極銅ブロックと金属電極板の正面図
及び金属電極板の正面図である。 ２００はエレメント、２１はｎ形ベース、２２はｐ形ベ
ース、２３はｐ形エミッタ、２４はｎ形エミッタ、２５
は陽電極、２６は陰電掩、２７はゲート電極、２８は金
泥電極板、２９は陽極銅ブロック、３０は陰極鋼ブロッ
ク、３１はセラミックシールである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）カソード・エミッタが多数個の島状に分割されて
いるゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと称す）
において、 陰極銅ブロックとＧＴＯエレメントのカソード・エミッ
タとの間に、上記分割された島状カソード・エミッタを
連結する金属電極板が設けられ、上記陰極銅ブロックの
上記金属電極板に対するあたり面が小さくなっているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220640A JPS6279669A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220640A JPS6279669A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279669A true JPS6279669A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16754132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220640A Pending JPS6279669A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0324929A2 (en) * | 1987-12-03 | 1989-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure connection type semiconductor device |
| US5436502A (en) * | 1991-06-24 | 1995-07-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component and method for the manufacturing thereof |
| US5506425A (en) * | 1993-03-31 | 1996-04-09 | Siemens Components, Inc. | Semiconductor device and lead frame combination |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724734B2 (ja) * | 1978-06-22 | 1982-05-26 | ||
| JPS57180137A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Hitachi Ltd | Semicondudtor device |
| JPS5858338B2 (ja) * | 1975-07-21 | 1983-12-24 | ゾエコン コ−ポレイシヨン | エステルカホウ |
| JPS59121871A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS59134876A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS603155A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置 |
| JPS615533A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 加圧接触形半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60220640A patent/JPS6279669A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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| US5506425A (en) * | 1993-03-31 | 1996-04-09 | Siemens Components, Inc. | Semiconductor device and lead frame combination |
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