JPS6362378A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- JPS6362378A JPS6362378A JP20600086A JP20600086A JPS6362378A JP S6362378 A JPS6362378 A JP S6362378A JP 20600086 A JP20600086 A JP 20600086A JP 20600086 A JP20600086 A JP 20600086A JP S6362378 A JPS6362378 A JP S6362378A
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- JP
- Japan
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- electrode plate
- electrode
- gate insulator
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000006835 compression Effects 0.000 title 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 title 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯサ
イリスタと略記）、サイリスタ又はトランジスタ等の圧
接型半導体装置に係り、特に半導体基体の一方の面に圧
接される肉厚のリング状の第２電極板と金属ポスト電極
を両者間に係合するように設けたゲート絶縁体を介して
位置合わせするのに好適なリング状の第１電極板に関す
る。
イリスタと略記）、サイリスタ又はトランジスタ等の圧
接型半導体装置に係り、特に半導体基体の一方の面に圧
接される肉厚のリング状の第２電極板と金属ポスト電極
を両者間に係合するように設けたゲート絶縁体を介して
位置合わせするのに好適なリング状の第１電極板に関す
る。
従来の圧接型半導体装置は、特開昭５４−９３９６２号
公報に記載のように第１電極板の端部は切断した状態の
ままか、特開昭５９−１３４８７６号公報の様にカップ
状となっていた。カップ状とすることは。
公報に記載のように第１電極板の端部は切断した状態の
ままか、特開昭５９−１３４８７６号公報の様にカップ
状となっていた。カップ状とすることは。
第１．第２電極板を係合させて、位置合わせを達成する
とともに、第１ｉｆ！極板の端部が、半導体基板上の軟
かい電極膜に噴込まないようにすること等のためである
。しかし、外周部は考慮されていたものの、第１．第２
の電極板がリング状である場合に第１ｇ極板の内周側形
状については、ゲート絶縁体を介しての第２電極板と金
属ポスト電極の位置合わせを含めた配慮はされていなか
った。
とともに、第１ｉｆ！極板の端部が、半導体基板上の軟
かい電極膜に噴込まないようにすること等のためである
。しかし、外周部は考慮されていたものの、第１．第２
の電極板がリング状である場合に第１ｇ極板の内周側形
状については、ゲート絶縁体を介しての第２電極板と金
属ポスト電極の位置合わせを含めた配慮はされていなか
った。
尚、ゲート絶縁体はゲート電極の周囲を絶縁体で覆った
もので、ゲート電極は半導体基体のゲート電極膜に圧接
される。
もので、ゲート電極は半導体基体のゲート電極膜に圧接
される。
上記従来技術はゲート絶縁体と第２電極板の間に位置す
る第１電極板の内周側の加工精度の低い端部形状が第２
電極板と金属ポスト電極の位置合わせに影響するという
点について配慮されておらず、特にＧＴＯサイリスタで
は位置合わせの精度が悪いと装置の信頼性に影響すると
いう問題があった。
る第１電極板の内周側の加工精度の低い端部形状が第２
電極板と金属ポスト電極の位置合わせに影響するという
点について配慮されておらず、特にＧＴＯサイリスタで
は位置合わせの精度が悪いと装置の信頼性に影響すると
いう問題があった。
即ち、位置ずれを生ずることにより、局部応力が発生し
、半導体基体にクラックを生じたり、実使用中の熱サイ
クルによる応力変化が不均一となって半導体基体にクラ
ックを生じたりして、寿命が低下する。
、半導体基体にクラックを生じたり、実使用中の熱サイ
クルによる応力変化が不均一となって半導体基体にクラ
ックを生じたりして、寿命が低下する。
本発明の目的は、第１電極板の内周側の端部形状がカッ
プ状であるのと同じ効果を出し、かつ、第２電極板と金
属ポスト電極板の位置合わせに影響を与えない端部形状
を有する長寿命の圧接型半導体装置を提供する事にある
。
プ状であるのと同じ効果を出し、かつ、第２電極板と金
属ポスト電極板の位置合わせに影響を与えない端部形状
を有する長寿命の圧接型半導体装置を提供する事にある
。
上記目的は、第１電極体の内周側端部をカップ状にする
のと同じ効果を出すため、形状をテーパ状として端部が
半導体基体の電極に接触しない様にし、かつ肉厚の第２
電極板と金属ポスト電極の位置合わせとゲート電極の位
置合わせを兼ねたゲート絶縁体に接触しない径にする事
により、達成される。
のと同じ効果を出すため、形状をテーパ状として端部が
半導体基体の電極に接触しない様にし、かつ肉厚の第２
電極板と金属ポスト電極の位置合わせとゲート電極の位
置合わせを兼ねたゲート絶縁体に接触しない径にする事
により、達成される。
第１電極板の端部のテーパ状にする事は、接触相手であ
る半導体基体の電極に対しては喰込みを防ぐこと等にお
いてカップ状になっているのと同じ効果を与え、ゲート
絶縁体に接触させない事は、第２電極板と金属ポスト電
極の位置合わせに影響を与えない様になる。従って位置
合せに介在する部分が少なくなり、位置合せ精度は向上
する。
る半導体基体の電極に対しては喰込みを防ぐこと等にお
いてカップ状になっているのと同じ効果を与え、ゲート
絶縁体に接触させない事は、第２電極板と金属ポスト電
極の位置合わせに影響を与えない様になる。従って位置
合せに介在する部分が少なくなり、位置合せ精度は向上
する。
本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図において半導体基体７は一方の面を合金接合され
た第３の電極板８とこれを加圧接触する金属ポスト電極
９により、また他方の面を内周が角度θのテーパ状で外
周側がカップ状の第１電極板１とより肉厚の第２電極板
２とこれを加圧する金属ポスト電極５により加圧圧接さ
れ、バネ系６によりゲート絶縁体３を介してゲート電極
４が加圧圧接されている。ゲート絶縁体３は同時に肉厚
の第２電極板２と金属ポスト電極５を位置合わせするが
、第１１１極板１を介してないので位置合わせ精度は向
上する。
た第３の電極板８とこれを加圧接触する金属ポスト電極
９により、また他方の面を内周が角度θのテーパ状で外
周側がカップ状の第１電極板１とより肉厚の第２電極板
２とこれを加圧する金属ポスト電極５により加圧圧接さ
れ、バネ系６によりゲート絶縁体３を介してゲート電極
４が加圧圧接されている。ゲート絶縁体３は同時に肉厚
の第２電極板２と金属ポスト電極５を位置合わせするが
、第１１１極板１を介してないので位置合わせ精度は向
上する。
第２図はゲート部の構造から中間リングゲート構造と呼
ばれている従来の圧接型半導体装置で、半導体基体１７
は内側第１電極板１１と外側筒１の電極板１０と、肉厚
の内側第２電極板１３と外側第２電極板１２を介し金属
ポスト電極１５により加圧圧接されている。肉厚の第２
に極板１２゜１３は金属ポスト電極１５との位置合わせ
にゲート絶縁体１４と第１電極板１０．１１を介してい
るので、介在部品が多い分だけ位置合せわ精度は低下し
ている。第２図に本発明を適用し、内側第１電極板１１
と外側第１電極抜１２の内周側をテーパ状にした状態が
第３図である。しかし内側第２電極板１３は内側第１電
極板１８の介在により位置合わせされて精度が向上され
ないので第４図の内側第１ｆ！ｉ極板２ｏの様に外周側
をテーパ状とし、内周側をカップ状とする事で本発明の
効果が得られる。
ばれている従来の圧接型半導体装置で、半導体基体１７
は内側第１電極板１１と外側筒１の電極板１０と、肉厚
の内側第２電極板１３と外側第２電極板１２を介し金属
ポスト電極１５により加圧圧接されている。肉厚の第２
に極板１２゜１３は金属ポスト電極１５との位置合わせ
にゲート絶縁体１４と第１電極板１０．１１を介してい
るので、介在部品が多い分だけ位置合せわ精度は低下し
ている。第２図に本発明を適用し、内側第１電極板１１
と外側第１電極抜１２の内周側をテーパ状にした状態が
第３図である。しかし内側第２電極板１３は内側第１電
極板１８の介在により位置合わせされて精度が向上され
ないので第４図の内側第１ｆ！ｉ極板２ｏの様に外周側
をテーパ状とし、内周側をカップ状とする事で本発明の
効果が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ゲート電極の位置に影響されずに、第
１電極板の内外周をカップ状にしたのと同じ効果が得ら
れ、第２電極板と金属ポスト電極の位置合わせ精度を向
上できる効果があり、装置の寿命は向上する。
１電極板の内外周をカップ状にしたのと同じ効果が得ら
れ、第２電極板と金属ポスト電極の位置合わせ精度を向
上できる効果があり、装置の寿命は向上する。
第１図は本発明装置の一実施例を示す断面図、第２図は
従来装置を示す断面図、第３図は第２図に本発明を部分
的に適用した状態を示す部分断面図、第４図は本発明装
置の他の実施例を示す部分断面図である６ １．１８，１９．２０・・・第１ｉｔ極板、２，１２゜
１３・・・第２電極板、３，１４・・・ゲート絶縁体、
７・・・半導体基体、５．１５・・・金属ポスｌ−電極
。
従来装置を示す断面図、第３図は第２図に本発明を部分
的に適用した状態を示す部分断面図、第４図は本発明装
置の他の実施例を示す部分断面図である６ １．１８，１９．２０・・・第１ｉｔ極板、２，１２゜
１３・・・第２電極板、３，１４・・・ゲート絶縁体、
７・・・半導体基体、５．１５・・・金属ポスｌ−電極
。
Claims (1)
- １、半導体基体と、該半導体基体の一方の面の電極膜に
接する該半導体基体に線膨張係数が近いリング状の第１
の電極板と、第１の電極板に線膨張係数が近く肉厚の大
きいリング状の第２の電極板と、第１の電極板と第２電
極板を介し前記半導体を圧接する第１の金属ポスト電極
と、前記半導体基体の他方の面に該半導体基体の線膨張
係数が近い第３の電極板と、該第３の電極板を介して前
記半導体基体を圧接する第２の金属ポストを有し、第１
の金属ポストと第２電極板を第１の金属ポストの凹部と
第２電極板のリング内に係合するように設けられたゲー
ト絶縁体により位置合せする構造の圧接型半導体装置に
おいて、第１の電極板のゲート絶縁体の側の端部をテー
パ状、ゲート絶縁体と反対の側の端部をカップ状に持ち
上げ、テーパ状端部がゲート絶縁体に接触しないような
寸法関係とした事を特徴とする圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600086A JPS6362378A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600086A JPS6362378A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 圧接型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362378A true JPS6362378A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16516246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20600086A Pending JPS6362378A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053854A (en) * | 1987-03-25 | 1991-10-01 | Bbc Brown Boveri Ag | Semiconductor components |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP20600086A patent/JPS6362378A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053854A (en) * | 1987-03-25 | 1991-10-01 | Bbc Brown Boveri Ag | Semiconductor components |
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