JPH0530364Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は半導体装置に関し、特に耐圧劣化を防
止した半導体装置に関するものである。

［従来の技術］ 第２図に圧接スタツド型半導体装置の概略構造
を示す。図において、スタツド型ベース１上に半
導体ペレツト２が位置決め載置されている。この
半導体ペレツト２は、所定の構造に作り込んだ半
導体基板３と、この半導体基板３の両主面にモリ
ブデン等からなる温度補償板４，５を備え、半導
体基板３の周縁部はＰ−Ｎ接合部を保護するため
のシリコーンゴム等からなる絶縁部材６にて被覆
されている。この半導体ペレツト２の一方の温度
補償板５上には拡大頭部７ａを有する内部端子７
が配置され、この内部端子の拡大頭部７ａを介し
て前記半導体ペレツト２に所定の加圧力が加わる
ように、皿バネ８がスタツド型ベース１上に設け
らた内部筒体９内に挿入されている。また、この
内部筒体９の内壁と半導体ペレツト２の周縁部と
の間には、シリコーンゴム等からなる位置決め用
の絶縁物１０が挿入されている。そしてこれら全
体を包囲するように気密容器１１が設けられ、こ
の気密容器１１の上端中央部に導体パイプ１２が
取り付けられ、この導体パイプ１２を介して内部
端子７と外部端子１３とが接続されるようになつ
ている。

［考案が解決しようとする課題］ 上記のように構成の圧接スタツド型半導体装置
完成品の電気的特性試験の１つとして、断続通電
試験が行なわれている。この試験は、例えば通電
時間を５分、停止時間を５分として数万回繰り返
して行なわれ、試験終了後の耐圧劣化を測定する
ものである。

従来の構造の圧接スタツド型半導体装置に対し
て上記のような断続通電試験を実施したところ、
約３万回で最大400Vの耐圧劣化が生じている。
この原因の１つは、第３図の部分拡大図に示すよ
うに半導体基板３の周縁部を覆うシリコーンゴム
（例えば、信越化学（株）KJR−4013）からなる
絶縁部材６と、その外周に配置された同じく型取
り用シリコーンゴム（例えば、信越化学（株）
TSE3562）からなる位置決め用絶縁物１０とが
接触し、その場合に断続通電により半導体ペレツ
ト２が加熱され、両者の絶縁物も加熱され、約
120℃となる。この時、両者の絶縁物同士の接触
により有害なガスが発生するもと考えられ、この
ガスが該半導体ペレツト２の周縁部の絶縁部材６
に接触して耐圧劣化を生じさせると考察される。

以上のように従来の圧接スタツド型半導体装置
では、絶縁物同士の接触により運転中有害なガス
が発生し耐圧劣化を招来させるという解決すべき
課題があつた。

［考案の目的］ 本考案は上記のような課題を解決するためにな
されらもので、長期間劣化を生じさせることがな
い半導体装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本考案の半導体装置は半導体ペレツトの周縁部
を被覆する第１の絶縁物と、前記半導体ペレツト
を封止する容器内に位置決めするための第２の絶
縁物とを有し、前記半導体ペレツトの両主面には
電極が接続され内部端子を介して前記容器の外部
に導出される半導体装置において、前記第１の絶
縁物と、前記第２の絶縁物との間に第３の絶縁物
を介在させたものである。

［作用］ 本考案の半導体装置は第１の絶縁物と第２の絶
縁物との間に第３の絶縁物を介在させたので、第
１の絶縁物と第２の絶縁物が接触することなく、
そのため有害なガスの発生が抑制され耐圧劣化を
防止することができる。

［実施例］ 以下に本考案の一実施例を第１図の部分拡大図
を参照して説明する。

本考案の半導体装置では半導体ペレツト２の周
端部を被覆する第１の絶縁物、例えばシリコーン
ゴム（KJR−4013）からなる絶縁部材６と、半
導体ペレツト２を封止する容器内に位置決めする
ため第２の絶縁物、例えば型取り用シリコーンゴ
ム（TSE−3562）からなる位置決め用絶縁物１
０の間に、これら第１の絶縁物と第２の絶縁物が
直接接触するのを防止するために、第３の絶縁物
１４を介在させる。この第３の絶縁物１４は、例
えば厚さ0.1mmの弗素樹脂テープリングが好適で
あり、これは型打ち抜きか、旋盤加工によつて形
成される。また、上記第３の絶縁物１４は、それ
自体独立して設けることなく位置決め用絶縁物１
０の内壁面に弗素樹脂皮膜を形成するようにして
も良い。

上記第３の絶縁物１４を介在させた半導体ペレ
ツト２に対して従来と同様の試験条件にて断続通
電試験を３万回実施したところ、サンプル10個
中、すべてについて耐圧劣化が殆ど見られない結
果を得た。これは弗素樹脂からなる第３の絶縁物
の介在により第１の絶縁物と第２の絶縁物とが直
接接触せず、加熱時の有害ガスの発生が抑制され
るためと考察される。

［考案の効果］ 本考案は以上のように第１の絶縁物と第２の絶
縁物との間に第３の絶縁物を介在させたので、第
１の絶縁物と第２の絶縁物が直接接触することが
避けられ、半導体装置の耐圧劣化を抑制するでき
るなどの優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す半導体装置部
分拡大図、第２図は従来の半導体装置を示す断面
図、第３図は同じく従来の半導体装置の部分断面
図である。 １……スタツド型ベース、２……半導体ペレツ
ト、３……半導体基板、４，５……温度補償板、
６……絶縁材料（第１の絶縁物）、７……内部端
子、８……皿ばね、９……内部筒体、１０……絶
縁物（第２の絶縁物）、１１……気密容器、１２
……導体パイプ、１３……外部端子、１４……第
３の絶縁物。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体ペレツトの周縁部を被覆する第１の絶縁
   物と、前記半導体ペレツトを封止する容器内に位
   置決めするための第２の絶縁物とを有し、前記半
   導体ペレツトの両主面には電極が接続され内部端
   子を介して前記容器の外部に導出される半導体装
   置において、前記第１の絶縁物と、前記第２の絶
   縁物との間に第３の絶縁物を介在させたことを特
   徴とする半導体装置。