JPH0263300B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0263300B2 JPH0263300B2 JP55176477A JP17647780A JPH0263300B2 JP H0263300 B2 JPH0263300 B2 JP H0263300B2 JP 55176477 A JP55176477 A JP 55176477A JP 17647780 A JP17647780 A JP 17647780A JP H0263300 B2 JPH0263300 B2 JP H0263300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal buffer
- semiconductor element
- electrodes
- buffer plate
- main surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は圧接型半導体装置とその製造方法に
かかり、特に圧接型半導体装置について、その電
極導出部材に対する半導体素子の定位手段および
その製造方法の改良に関する。
かかり、特に圧接型半導体装置について、その電
極導出部材に対する半導体素子の定位手段および
その製造方法の改良に関する。
圧接型の半導体装置の構造に例えば第1図に断
面図で示される電力用ダイオードがある。図にお
いて、1はセラミツクスで形成された絶縁筒体
で、外囲器の側壁を形成し、2,12は前記絶縁
筒体の両端面にそれぞれ対向して封着されコバー
ル(商品名)で形成された1対の環状蓋体、3
a,3cは前記筒体と同軸に、かつ環状蓋体の開
孔に挿通し封着された1対の電極導出部材で、前
記絶縁筒体、環状蓋体および電極導出部材で気密
の外囲器が構成され、この内部に電極導出部材の
対向面間に半導体素子4が熱緩衝板を介して圧接
されている。また、この半導体素子はシリコン基
板4bの一方の主面(図の上側主面)にAlまた
はAuの陰極電極4cが設けられ、他の主面(図
の下側主面)は電極を兼ねるろう層4aによつて
MoまたはWで形成された熱緩衝板5aの1主面
に固着されている。さらにこの熱緩衝板は周側面
をゴムのような絶縁物で環状に形成された定位部
材6によつて外囲器の絶縁筒体1に内壁に対し同
軸に支持され、かつ、他の主面で陽極電極導出部
材3aに圧接している。一方、半導体素子の陰極
電極4cはMoまたはWの熱緩衝板5cを介し陰
極電極導出部材3cによつて圧接されている。こ
の圧力は外囲器の封止によつて発生し、前記陽極
側の熱緩衝板と陽極電極導出部材との圧接も行な
つている。
面図で示される電力用ダイオードがある。図にお
いて、1はセラミツクスで形成された絶縁筒体
で、外囲器の側壁を形成し、2,12は前記絶縁
筒体の両端面にそれぞれ対向して封着されコバー
ル(商品名)で形成された1対の環状蓋体、3
a,3cは前記筒体と同軸に、かつ環状蓋体の開
孔に挿通し封着された1対の電極導出部材で、前
記絶縁筒体、環状蓋体および電極導出部材で気密
の外囲器が構成され、この内部に電極導出部材の
対向面間に半導体素子4が熱緩衝板を介して圧接
されている。また、この半導体素子はシリコン基
板4bの一方の主面(図の上側主面)にAlまた
はAuの陰極電極4cが設けられ、他の主面(図
の下側主面)は電極を兼ねるろう層4aによつて
MoまたはWで形成された熱緩衝板5aの1主面
に固着されている。さらにこの熱緩衝板は周側面
をゴムのような絶縁物で環状に形成された定位部
材6によつて外囲器の絶縁筒体1に内壁に対し同
軸に支持され、かつ、他の主面で陽極電極導出部
材3aに圧接している。一方、半導体素子の陰極
電極4cはMoまたはWの熱緩衝板5cを介し陰
極電極導出部材3cによつて圧接されている。こ
の圧力は外囲器の封止によつて発生し、前記陽極
側の熱緩衝板と陽極電極導出部材との圧接も行な
つている。
上に述べた従来の圧接型の半導体装置の構造に
おいて、熱緩衝板が半導体素子にろう接されてい
るので、熱緩衝板にシリコンと膨張係数が近い
MoやWを用いているが完全に消去できるもので
なく、バイメタル的構成をなし「そり」を生ず
る。そこで熱緩衝板をある厚さ以上にする必要が
ある。また、ろう接によつて半導体素子に熱歪を
生じ耐圧が低下する欠点がある。また、このろう
接は半導体装置の製造工程において手間のかかる
工程であるなどの欠点がある。
おいて、熱緩衝板が半導体素子にろう接されてい
るので、熱緩衝板にシリコンと膨張係数が近い
MoやWを用いているが完全に消去できるもので
なく、バイメタル的構成をなし「そり」を生ず
る。そこで熱緩衝板をある厚さ以上にする必要が
ある。また、ろう接によつて半導体素子に熱歪を
生じ耐圧が低下する欠点がある。また、このろう
接は半導体装置の製造工程において手間のかかる
工程であるなどの欠点がある。
このような、ろう接型装置の不都合を解消する
ために提案された構造が両面圧接型半導体装置で
あり、米国特許第3800192号明細書に開示されて
いる。この構造は半導体電極と電極取出し板に相
当するMoやCuでできた圧接板との間に、Agの
薄板でなるカツプ状電極を挿入してこの電極で実
質的な熱緩衝作用をもたせたものであるが、カツ
プ状電極の半導体素子主面への位置決め固定の精
度が出ず、工程も複雑になるなどの不都合が避け
られなかつた。
ために提案された構造が両面圧接型半導体装置で
あり、米国特許第3800192号明細書に開示されて
いる。この構造は半導体電極と電極取出し板に相
当するMoやCuでできた圧接板との間に、Agの
薄板でなるカツプ状電極を挿入してこの電極で実
質的な熱緩衝作用をもたせたものであるが、カツ
プ状電極の半導体素子主面への位置決め固定の精
度が出ず、工程も複雑になるなどの不都合が避け
られなかつた。
この発明は上記従来の欠点を改良した圧接型半
導体装置とその製造方法を提供するものである。
導体装置とその製造方法を提供するものである。
この発明にかかる圧接型半導体装置は、半導体
基板の両主面に電極を有する半導体素子と、前記
半導体素子を前記両主面で挟み前記電極に接触す
る第1および第2の熱緩衝板と、これら熱緩衝板
を前記電極に圧接する電極導出部材とを具備する
圧接型半導体装置において、前記半導体素子の周
縁で前記両主面にまたがり各主面における内周縁
が前記第1および第2の熱緩衝板の外周に実質的
に合致するように形成されて前記熱緩衝板を可滑
動に保持する電気絶縁部材を具備して、前記電気
絶縁部材が前記熱緩衝板を前記電極の所定位置に
接触定位することを特徴とする。
基板の両主面に電極を有する半導体素子と、前記
半導体素子を前記両主面で挟み前記電極に接触す
る第1および第2の熱緩衝板と、これら熱緩衝板
を前記電極に圧接する電極導出部材とを具備する
圧接型半導体装置において、前記半導体素子の周
縁で前記両主面にまたがり各主面における内周縁
が前記第1および第2の熱緩衝板の外周に実質的
に合致するように形成されて前記熱緩衝板を可滑
動に保持する電気絶縁部材を具備して、前記電気
絶縁部材が前記熱緩衝板を前記電極の所定位置に
接触定位することを特徴とする。
また、本発明に係る圧接型半導体装置の製造方
法は、半導体基板に形成され両主面に電極を有す
る半導体素子と、前記半導体素子を前記両主面で
挟み前記電極に接触する第1および第2の熱緩衝
板と、これら熱緩衝板を前記電極に圧接する電極
導出部材とを具備する圧接型半導体装置の製造方
法において、予め前記半導体素子の周縁で前記両
主面にまたがり各主面における内周縁が前記第1
および第2の熱緩衝板の外周に実質的に合致する
ように電気絶縁部材を形成する工程と、前記環状
電気絶縁部材を基準にして前記熱緩衝板を前記両
主面の前記電極上に定位する工程とを具備するこ
とを特徴とする。
法は、半導体基板に形成され両主面に電極を有す
る半導体素子と、前記半導体素子を前記両主面で
挟み前記電極に接触する第1および第2の熱緩衝
板と、これら熱緩衝板を前記電極に圧接する電極
導出部材とを具備する圧接型半導体装置の製造方
法において、予め前記半導体素子の周縁で前記両
主面にまたがり各主面における内周縁が前記第1
および第2の熱緩衝板の外周に実質的に合致する
ように電気絶縁部材を形成する工程と、前記環状
電気絶縁部材を基準にして前記熱緩衝板を前記両
主面の前記電極上に定位する工程とを具備するこ
とを特徴とする。
以下、この発明の実施例につき第2図ないし第
4図を参照して説明する。
4図を参照して説明する。
第2図に圧接型半導体装置およびその製造方法
を説明するための断面図、第3および第4図に圧
接型半導体装置における半導体素子の要部の断面
図を夫々示す。
を説明するための断面図、第3および第4図に圧
接型半導体装置における半導体素子の要部の断面
図を夫々示す。
なお、半導体素子およびこれが陽極電極導出部
材に接続される部分を除いては従来の構造と変わ
らないので、図中に同一符号を附して示し説明を
省略する。まず、この半導体装置において陽極電
極導出部材13aに熱緩衝板15aが嵌まる凹部
13bが設けられており、この凹部に熱緩衝板1
5aがその周縁で凹部側面に接触定位される。
材に接続される部分を除いては従来の構造と変わ
らないので、図中に同一符号を附して示し説明を
省略する。まず、この半導体装置において陽極電
極導出部材13aに熱緩衝板15aが嵌まる凹部
13bが設けられており、この凹部に熱緩衝板1
5aがその周縁で凹部側面に接触定位される。
次に、半導体素子14にはその陽極側主面(図
の下側主面)にAlまたはAuの陽極電極14aが
設けられるとともに、半導体基板14bの主面の
周縁に一例のシリコンゴムで形成された耐圧を兼
ねる環状の電気絶縁部材10が第3図、また第4
図に示されるように被着されている。この電気絶
縁部材10はその内周が上記熱緩衝板15aの外
周に合致するように第3図に示す如く形成され、
半導体素子14の電極14a,4cに熱緩衝板1
5aが定位に配置される。すなわち、半導体素子
周縁に予め形成した電気絶縁部材が熱緩衝板を滑
動可能に保持するため、従来の装置のような半導
体基板の両主面に形成される陽極電極および陰極
電極と、これに対接する熱緩衝板とを組立てたあ
とで電気絶縁部材10を被着した時に生じ不所望
の流れにより電極内に流入して接触不良になるの
を防止する。電気絶縁部材10の被着を確実に行
なう手段として、第4図に示すように電極の外側
にこれと若干離して熱緩衝板の外周に合わせた環
状部材24a,24cを設け、ここまで電気絶縁
部材構成材を流すとともに、これを内周の限界と
してさらに内方への流れを阻止するようにしても
よい。
の下側主面)にAlまたはAuの陽極電極14aが
設けられるとともに、半導体基板14bの主面の
周縁に一例のシリコンゴムで形成された耐圧を兼
ねる環状の電気絶縁部材10が第3図、また第4
図に示されるように被着されている。この電気絶
縁部材10はその内周が上記熱緩衝板15aの外
周に合致するように第3図に示す如く形成され、
半導体素子14の電極14a,4cに熱緩衝板1
5aが定位に配置される。すなわち、半導体素子
周縁に予め形成した電気絶縁部材が熱緩衝板を滑
動可能に保持するため、従来の装置のような半導
体基板の両主面に形成される陽極電極および陰極
電極と、これに対接する熱緩衝板とを組立てたあ
とで電気絶縁部材10を被着した時に生じ不所望
の流れにより電極内に流入して接触不良になるの
を防止する。電気絶縁部材10の被着を確実に行
なう手段として、第4図に示すように電極の外側
にこれと若干離して熱緩衝板の外周に合わせた環
状部材24a,24cを設け、ここまで電気絶縁
部材構成材を流すとともに、これを内周の限界と
してさらに内方への流れを阻止するようにしても
よい。
次に、この発明にかかる圧接型半導体装置の製
造方法の実施例につき第2図なしい第4図を参照
して説明する。
造方法の実施例につき第2図なしい第4図を参照
して説明する。
上記陽極電極導出部材13aの凹部13bに熱
緩衝板15aを嵌め定位させる。
緩衝板15aを嵌め定位させる。
次に、半導体素子14には予めその陽極側主面
(図の下側主面)にAlまたはAuの陽極電極14
aが設けられるとともに、半導体基板14bの主
面の周縁に一例のシリコンゴムで形成された電気
絶縁部材10を第3図、または第4図に示すよう
に被着する。この電気絶縁部材10はその内周が
上記熱緩衝板15aの外周に対向するように、実
質的に合致するように第3図に示す如く形成し、
その内周によつて半導体素子14を熱緩衝板15
aに対し定位に配置する。
(図の下側主面)にAlまたはAuの陽極電極14
aが設けられるとともに、半導体基板14bの主
面の周縁に一例のシリコンゴムで形成された電気
絶縁部材10を第3図、または第4図に示すよう
に被着する。この電気絶縁部材10はその内周が
上記熱緩衝板15aの外周に対向するように、実
質的に合致するように第3図に示す如く形成し、
その内周によつて半導体素子14を熱緩衝板15
aに対し定位に配置する。
この発明にかかる圧接型半導体装置は叙上の構
造、および製造方法により、ろう接を施さない構
造上の特徴とそれを実現する新規な製造方法を提
供できる。すなわち、製造に際し、固定されてな
い半導体素子をその両主面に熱緩衝板を定位に対
接させるという困難な技術問題を含み、かつ、膨
大な手間を要するろう接工程をなくして問題点を
解決するものである。このろう接がないために、
半導体素子に熱歪を生じないのでその電気的特性
が低下せず、また、半導体素子と熱緩衝板との熱
膨張差に基づき温度差により不可避のバイメタル
的な「そり」を生じない顕著な利点がある。従つ
て熱緩衝板を薄くできる経済上の利点がある。ま
た、特別に緩衝用の薄板カツプ状電極を用意する
必要もなく半導体素子に熱緩衝板を定位させるた
めの治具、部材が不要であるとともに、構造が簡
単に製造できる利点もある。
造、および製造方法により、ろう接を施さない構
造上の特徴とそれを実現する新規な製造方法を提
供できる。すなわち、製造に際し、固定されてな
い半導体素子をその両主面に熱緩衝板を定位に対
接させるという困難な技術問題を含み、かつ、膨
大な手間を要するろう接工程をなくして問題点を
解決するものである。このろう接がないために、
半導体素子に熱歪を生じないのでその電気的特性
が低下せず、また、半導体素子と熱緩衝板との熱
膨張差に基づき温度差により不可避のバイメタル
的な「そり」を生じない顕著な利点がある。従つ
て熱緩衝板を薄くできる経済上の利点がある。ま
た、特別に緩衝用の薄板カツプ状電極を用意する
必要もなく半導体素子に熱緩衝板を定位させるた
めの治具、部材が不要であるとともに、構造が簡
単に製造できる利点もある。
第1図は従来の圧接型の半導体装置の断面図、
第2図はこの発明の1実施例の圧接型半導体装置
の構造とその製造方法を説明するための圧接型半
導体装置の断面図、第3図および第4図はいずれ
も1実施例における半導体基板の周縁における電
気絶縁部材の被着形状を示す断面図である。 1……絶縁筒体、2,12……環状蓋体、3
c,3a,13a……電極導出部材、4,14…
…半導体素子、4b,14b……半導体基板、4
c,4a,14a……電極、5c,5a,15a
……熱緩衝板、10……電気絶縁部材。
第2図はこの発明の1実施例の圧接型半導体装置
の構造とその製造方法を説明するための圧接型半
導体装置の断面図、第3図および第4図はいずれ
も1実施例における半導体基板の周縁における電
気絶縁部材の被着形状を示す断面図である。 1……絶縁筒体、2,12……環状蓋体、3
c,3a,13a……電極導出部材、4,14…
…半導体素子、4b,14b……半導体基板、4
c,4a,14a……電極、5c,5a,15a
……熱緩衝板、10……電気絶縁部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板の両主面に電極を有する半導体素
子と、前記半導体素子を前記両主面で挟み前記電
極に接触する第1および第2の熱緩衝板と、これ
ら熱緩衝板を前記電極に圧接する電極導出部材と
を具備する圧接型半導体装置において、前記半導
体素子の周縁で前記両主面にまたがり各主面にお
ける内周縁が前記第1および第2の熱緩衝板の外
周に実質的に合致するように形成されて前記熱緩
衝板を可滑動に保持する電気絶縁部材を具備し
て、前記電気絶縁部材が前記熱緩衝板を前記電極
の所定位置に接触定位することを特徴とする圧接
型半導体装置。 2 半導体基板に形成され両主面に電極を有する
半導体素子と、前記半導体素子を前記両主面で挟
み前記電極に接触する第1および第2の熱緩衝板
と、これら熱緩衝板を前記電極に圧接する電極導
出部材とを具備する圧接型半導体装置の製造方法
において、予め前記半導体素子の周縁で前記両主
面にまたがり各主面における内周縁が前記第1お
よび第2の熱緩衝板の外周に実質的に合致するよ
うに電気絶縁部材を形成する工程と、前記環状電
気絶縁部材を基準にして前記熱緩衝板を前記両主
面の前記電極上に定位する工程とを具備すること
を特徴とする圧接型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55176477A JPS57100737A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Semiconductor device |
US06/637,336 US4587550A (en) | 1980-12-16 | 1984-08-03 | Press-packed semiconductor device with lateral fixing member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55176477A JPS57100737A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57100737A JPS57100737A (en) | 1982-06-23 |
JPH0263300B2 true JPH0263300B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=16014349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55176477A Granted JPS57100737A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Semiconductor device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4587550A (ja) |
JP (1) | JPS57100737A (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
GB2162366B (en) * | 1984-07-24 | 1987-09-30 | Westinghouse Brake & Signal | Semiconductor device contact arrangements |
JPH065686B2 (ja) * | 1985-09-04 | 1994-01-19 | 株式会社日立製作所 | 圧接型半導体装置 |
JPS62109327A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Hitachi Ltd | 全圧接型半導体装置 |
JPH0693468B2 (ja) * | 1988-08-09 | 1994-11-16 | 株式会社東芝 | 圧接平型半導体装置 |
JP2739970B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1998-04-15 | 株式会社東芝 | 圧接型半導体装置 |
US5299730A (en) * | 1989-08-28 | 1994-04-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing |
US5227663A (en) * | 1989-12-19 | 1993-07-13 | Lsi Logic Corporation | Integral dam and heat sink for semiconductor device assembly |
US5175612A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-29 | Lsi Logic Corporation | Heat sink for semiconductor device assembly |
US5399903A (en) * | 1990-08-15 | 1995-03-21 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device having an universal die size inner lead layout |
US5172301A (en) * | 1991-10-08 | 1992-12-15 | Lsi Logic Corporation | Heatsink for board-mounted semiconductor devices and semiconductor device assembly employing same |
US5434750A (en) * | 1992-02-07 | 1995-07-18 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package for certain non-square die shapes |
US5438477A (en) * | 1993-08-12 | 1995-08-01 | Lsi Logic Corporation | Die-attach technique for flip-chip style mounting of semiconductor dies |
US5388327A (en) * | 1993-09-15 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Fabrication of a dissolvable film carrier containing conductive bump contacts for placement on a semiconductor device package |
US5693981A (en) * | 1993-12-14 | 1997-12-02 | Lsi Logic Corporation | Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system |
US5514327A (en) * | 1993-12-14 | 1996-05-07 | Lsi Logic Corporation | Powder metal heat sink for integrated circuit devices |
SE506348C2 (sv) * | 1996-04-01 | 1997-12-08 | Tetra Laval Holdings & Finance | Förpackningsmaterialbana för en självbärande förpackningsbehållarvägg jämte av banan tillverkad förpackningsbehållare |
CN1236982A (zh) | 1998-01-22 | 1999-12-01 | 株式会社日立制作所 | 压力接触型半导体器件及其转换器 |
JP4085536B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2008-05-14 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置 |
JP5338980B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-11-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
KR101821588B1 (ko) | 2016-04-22 | 2018-01-25 | 주식회사 코아비스 | 방열 성능을 개선한 연료펌프 모듈 및 이를 제조하는 연료펌프 모듈 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5445573A (en) * | 1977-09-19 | 1979-04-10 | Toshiba Corp | Pressure welding type semiconductor device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2712619A (en) * | 1954-06-17 | 1955-07-05 | Westinghouse Air Brake Co | Dry disk rectifier assemblies |
US3328650A (en) * | 1965-01-14 | 1967-06-27 | Int Rectifier Corp | Compression bonded semiconductor device |
US3489957A (en) * | 1967-09-07 | 1970-01-13 | Power Semiconductors Inc | Semiconductor device in a sealed package |
GB1353602A (en) * | 1970-04-24 | 1974-05-22 | Int Rectifier Co Great Britain | Pressure-assembled diode assemblies diode assemblies and their manufacture |
US3800192A (en) * | 1970-08-11 | 1974-03-26 | O Schaerli | Semiconductor circuit element with pressure contact means |
US3654529A (en) * | 1971-04-05 | 1972-04-04 | Gen Electric | Loose contact press pack |
US4129243A (en) * | 1975-07-30 | 1978-12-12 | General Electric Company | Double side cooled, pressure mounted semiconductor package and process for the manufacture thereof |
DE2756005A1 (de) * | 1977-12-15 | 1979-06-21 | Siemens Ag | Spannvorrichtung fuer einen leistungshalbleiter |
JPS5929143B2 (ja) * | 1978-01-07 | 1984-07-18 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
JPS5519801A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS55152061U (ja) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | ||
JPS5949709B2 (ja) * | 1979-10-13 | 1984-12-04 | 三菱電機株式会社 | 光点弧サイリスタ装置 |
-
1980
- 1980-12-16 JP JP55176477A patent/JPS57100737A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-03 US US06/637,336 patent/US4587550A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5445573A (en) * | 1977-09-19 | 1979-04-10 | Toshiba Corp | Pressure welding type semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57100737A (en) | 1982-06-23 |
US4587550A (en) | 1986-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0263300B2 (ja) | ||
US4099200A (en) | Package for semiconductor beam lead devices | |
JPS59130449A (ja) | 絶縁型半導体素子用リードフレーム | |
US4775916A (en) | Pressure contact semiconductor device | |
JPS598358Y2 (ja) | 半導体素子パツケ−ジ | |
JPH0245334B2 (ja) | ||
JPH07112939B2 (ja) | シリコンウエハとガラス基板の陽極接合法 | |
JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
JPS62155564A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JPS59217126A (ja) | 絶対圧形半導体圧力変換素子 | |
JP3431524B2 (ja) | 気密パッケージ、その製造用金属キャップ、その金属キャップの製造方法および気密パッケージの製造方法 | |
JPS60177674A (ja) | 圧接形半導体装置の插入電極板の固定方法 | |
JPS6246277Y2 (ja) | ||
JPH0625005Y2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
JP2501657B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
JPS5965458A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS588586B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
JPH04356961A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
JPS6258648A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0530364Y2 (ja) | ||
JPH04288858A (ja) | 圧接型半導体装置 | |
JPS5814604Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0779110B2 (ja) | シリコンウェハとガラス基板の陽極接合法 | |
JPS6046037A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61216333A (ja) | 半導体装置 |