JPS59171146A - 平型半導体装置 - Google Patents
平型半導体装置Info
- Publication number
- JPS59171146A JPS59171146A JP1933884A JP1933884A JPS59171146A JP S59171146 A JPS59171146 A JP S59171146A JP 1933884 A JP1933884 A JP 1933884A JP 1933884 A JP1933884 A JP 1933884A JP S59171146 A JPS59171146 A JP S59171146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- main conductor
- annular object
- surrounded
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は平型半導体装置に関する。
平型の半導体装置は両面から熱放出を行なうことのでき
る形状を有しているため、発熱；ｉ゛の大きい電力用半
導体装置として適していることがよく知られている。
る形状を有しているため、発熱；ｉ゛の大きい電力用半
導体装置として適していることがよく知られている。
従来この種の平型の半導体装置は、半導体素子を主導電
体にろう付けし、更に気密封止するために一対の容器を
電気溶接で結合し、容器中の）１！′導体素子を容器に
完全に固定していた。しかしろう付、電気溶接のいわゆ
るアッセンブリ工程では、半導体素子、容器ともに加熱
され、半導体素子及び半導体素子に接触している市極板
等熱！ｌｒ＋、−張率の差による熱Ｆ１−１力で全体が
反ってし７まう。このため、半導体素子と電極板を熱抵
抗が増大し／！いように加圧接触させると、片当）とい
う半碑一体素ｆ＝曲の極く一部にしか電極板が接触しな
い状態になり、この極く一部の接触個所に止力集中が生
じて、機械的、電気的に破壊してしまう。
体にろう付けし、更に気密封止するために一対の容器を
電気溶接で結合し、容器中の）１！′導体素子を容器に
完全に固定していた。しかしろう付、電気溶接のいわゆ
るアッセンブリ工程では、半導体素子、容器ともに加熱
され、半導体素子及び半導体素子に接触している市極板
等熱！ｌｒ＋、−張率の差による熱Ｆ１−１力で全体が
反ってし７まう。このため、半導体素子と電極板を熱抵
抗が増大し／！いように加圧接触させると、片当）とい
う半碑一体素ｆ＝曲の極く一部にしか電極板が接触しな
い状態になり、この極く一部の接触個所に止力集中が生
じて、機械的、電気的に破壊してしまう。
そこで、本発明は、前記のような従来の欠点に対処し鑑
みなされたもので、半導体素子及び電極板等に反りを発
生させないために加熱しないでアの所にシリコーン・ラ
バーでできた弾性体９をいれて置く。′＋：して中空状
の環状物体２０内には、シリコ・−ン雪でできた弾性を
有するＬ字状の環状物体１６を設け、基板支持基板１７
及び半導体素子ユ内で発生する熱を放散せしめるための
主導電体１４の位置を固定するようにしている。なおこ
の環状物体１６と中空状の環状物体親との間にすきまＡ
があけている。ここで支持基板１７等の大きさが変わっ
たり、又その環状物体の内厚が変わったりしても中空状
の環状物体４９内に挿入できるようにしている。また環
状物体１６を１・字状にし、主導電体１４を挿入したと
きの座金の役目と、蓋板８のたるみ防止の役目をはだす
ようにしている。また、サイリス、り面には電極板】９
が接触していて、この電極板１９は綿板７に接している
。
みなされたもので、半導体素子及び電極板等に反りを発
生させないために加熱しないでアの所にシリコーン・ラ
バーでできた弾性体９をいれて置く。′＋：して中空状
の環状物体２０内には、シリコ・−ン雪でできた弾性を
有するＬ字状の環状物体１６を設け、基板支持基板１７
及び半導体素子ユ内で発生する熱を放散せしめるための
主導電体１４の位置を固定するようにしている。なおこ
の環状物体１６と中空状の環状物体親との間にすきまＡ
があけている。ここで支持基板１７等の大きさが変わっ
たり、又その環状物体の内厚が変わったりしても中空状
の環状物体４９内に挿入できるようにしている。また環
状物体１６を１・字状にし、主導電体１４を挿入したと
きの座金の役目と、蓋板８のたるみ防止の役目をはだす
ようにしている。また、サイリス、り面には電極板】９
が接触していて、この電極板１９は綿板７に接している
。
更に、本発明の半導体装置を組立手順に従って説明も加
える。容器のゲート電極２に、あらかじめサイリスタ１
に取り付けられているゲート線１８をボンディングする
。そして環状物体１６を蓋板８と密４？シて１色き、そ
の環状物体】６内に主導電体１４、支持基板１７、サイ
リスタ−１及び箱、極＆１９をｌ１ｔｌｊに挿入する。
える。容器のゲート電極２に、あらかじめサイリスタ１
に取り付けられているゲート線１８をボンディングする
。そして環状物体１６を蓋板８と密４？シて１色き、そ
の環状物体】６内に主導電体１４、支持基板１７、サイ
リスタ−１及び箱、極＆１９をｌ１ｔｌｊに挿入する。
この庁）合、環状物体１Ｇの内壁部−Ｃ″支楯卑板１７
及び主導ｉｌｌ、体１４は位ｉ？ｉ決めきれろ。この後
、この実施例の場合、ゲート′ｔ↑１極板２，３のｉｊ
）’ｊのねじ部４の所でノ〕じ込んでゆく。この時図示
のａ−ｂ力向に適当な力を加えておいて容器をねじ込め
は、サイリスタｙと釦、極板１９との（多角ｔｌ１面と
４−４φ′串、体１４と支持板１７との接触面がこ′ｆ
″れることなく半導体装１コｊのアッセンブリをイ”「
ｆ、ｔ−うことかできる。
及び主導ｉｌｌ、体１４は位ｉ？ｉ決めきれろ。この後
、この実施例の場合、ゲート′ｔ↑１極板２，３のｉｊ
）’ｊのねじ部４の所でノ〕じ込んでゆく。この時図示
のａ−ｂ力向に適当な力を加えておいて容器をねじ込め
は、サイリスタｙと釦、極板１９との（多角ｔｌ１面と
４−４φ′串、体１４と支持板１７との接触面がこ′ｆ
″れることなく半導体装１コｊのアッセンブリをイ”「
ｆ、ｔ−うことかできる。
アッセンブリ後には環状物体１６と金箱叩１５とによっ
て容器内の気密が保ブζ才１、γセンブリ］−λ“イ゛
を通して半導体装置は加熱されることがないのでアッン
ブリ王程における熱応力による取りは皆無である３、さ
らに、このアッセンブリ工程は容器に封入するヘリウム
ガス中で行なうことができるので、容器内の雰囲気置換
を＃当に行なう必要はない。
て容器内の気密が保ブζ才１、γセンブリ］−λ“イ゛
を通して半導体装置は加熱されることがないのでアッン
ブリ王程における熱応力による取りは皆無である３、さ
らに、このアッセンブリ工程は容器に封入するヘリウム
ガス中で行なうことができるので、容器内の雰囲気置換
を＃当に行なう必要はない。
なお、第１図場合、ゲート線をゲート電１妨中に坤込ん
でおくか、または、ゲート線をポ」−すバイブをゲート
石、極中に坤込んでおくことも１す１ｉｉうである。
でおくか、または、ゲート線をポ」−すバイブをゲート
石、極中に坤込んでおくことも１す１ｉｉうである。
本実施例はサイリスタであるが、電力用トランジスタ、
電力用グイオートをはじめとして平型の第１図は本発明
の一実施例を示す構成断面図である。
電力用グイオートをはじめとして平型の第１図は本発明
の一実施例を示す構成断面図である。
１は半導体素子、ここではサイリスタ、２．３はゲート
電極、４はねじ、５，６は絶縁体、７．８は金属性俸板
、９は環状物体、１．０ 、１１は容器、１２は溝、１
３は中′空の孔、１４は主導′爪体、１５は金嬉環、１
６は０リング、１７は支持基板、１８はゲート線、１９
は電極板。
電極、４はねじ、５，６は絶縁体、７．８は金属性俸板
、９は環状物体、１．０ 、１１は容器、１２は溝、１
３は中′空の孔、１４は主導′爪体、１５は金嬉環、１
６は０リング、１７は支持基板、１８はゲート線、１９
は電極板。
代理人弁理士 則近；ｉ、：、、’ ７右第１図
Claims (1)
- 円板状の半導体素子と、該素子を支持し且つ該素子の外
径より大きい外径の円板状支持基板と、該基板を保持し
且つ前記素子で発生する熱を放散せしめるための前記支
持基板の外径より小さい外径の円筒状生害電体と、前記
支持基板の外側及び前記主導電体の外側と接して前記支
持基板及び前記主導電体の位置を固定せしめる弾性を有
する環状物体と、前記半導体素子を圧接するための円板
状の電極板と、前記環状物体と間隙部を有し、且つ環状
物体と同軸的に配設せしめ、前記半導体素子、支持基板
、主導電体、環状物体及び電極板を内蔵する中空状の物
体と、該中空状の物体の両端ｍ１に溶接して設けられた
金属製蓋体とを具備したことを特徴とする平ノリ“−半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1933884A JPS59171146A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 平型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1933884A JPS59171146A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 平型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1163677A Division JPS607385B2 (ja) | 1977-02-07 | 1977-02-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171146A true JPS59171146A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=11996612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1933884A Pending JPS59171146A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 平型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171146A (ja) |
-
1984
- 1984-02-07 JP JP1933884A patent/JPS59171146A/ja active Pending
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