JPS61114560A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61114560A JPS61114560A JP59236164A JP23616484A JPS61114560A JP S61114560 A JPS61114560 A JP S61114560A JP 59236164 A JP59236164 A JP 59236164A JP 23616484 A JP23616484 A JP 23616484A JP S61114560 A JPS61114560 A JP S61114560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- protrusion
- weld ring
- shell
- seam welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/16315—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にセラミック型
の半導体装置に関する。
の半導体装置に関する。
セラミックパッケージ等の半導体装置には金属製の蓋を
シーム溶接によって気密封止をするものがある。これは
第４図の斜視図に示すように例えば半導体チップ（図示
せず）を中央部に搭載し、外部リード２を備えたセラミ
ックベース１の上にウェルドリングと称されるニッケル
メッキおよび金メッキを施したコバール等の金属フレー
ム３を銅ろう付けし、第５図の部分断面図に示すように
コバールあるいは４２７０イ等の金属＠！薄板蓋（シェ
ル）４を載せ、このＮ４とウェルドリンク３の境界部に
同時に接触するような円錐台形状をなす電極５を使用し
て集中電流を流し全周にわたってシーム溶接を行なう。
シーム溶接によって気密封止をするものがある。これは
第４図の斜視図に示すように例えば半導体チップ（図示
せず）を中央部に搭載し、外部リード２を備えたセラミ
ックベース１の上にウェルドリングと称されるニッケル
メッキおよび金メッキを施したコバール等の金属フレー
ム３を銅ろう付けし、第５図の部分断面図に示すように
コバールあるいは４２７０イ等の金属＠！薄板蓋（シェ
ル）４を載せ、このＮ４とウェルドリンク３の境界部に
同時に接触するような円錐台形状をなす電極５を使用し
て集中電流を流し全周にわたってシーム溶接を行なう。
このような溶接方法はパラレルギャップシーム溶接また
はパラレルシーム溶接と称される。
はパラレルシーム溶接と称される。
しかしながら、このような従来の半導体装置では、各部
品の寸法公差の影響、およびウェルドリンク３あるいは
金属蓋４がセラミックベース１の中心に正確に位置決め
されない場合、また電極５の位置ずれがあった場合等に
は電極５と溶接を行なうべきウェルドリンク３および金
属蓋４どの位Ｎ関係が不適当となり加圧力不足からスパ
ーク等が発生してシーム溶接が良好に行なわれないとい
う問題がある。このような事故が多発したときは歩留り
が低下する。
品の寸法公差の影響、およびウェルドリンク３あるいは
金属蓋４がセラミックベース１の中心に正確に位置決め
されない場合、また電極５の位置ずれがあった場合等に
は電極５と溶接を行なうべきウェルドリンク３および金
属蓋４どの位Ｎ関係が不適当となり加圧力不足からスパ
ーク等が発生してシーム溶接が良好に行なわれないとい
う問題がある。このような事故が多発したときは歩留り
が低下する。
本発明はこのような問題点を解決しようとしてなされた
もので、シールが完全に行なえ、歩留りを向上させるこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
もので、シールが完全に行なえ、歩留りを向上させるこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においてはベース上面の封
止領域周縁部に搭載された金属フレームの上面に連続し
た突起を設け、この上に載置された金属板を加圧通電す
ることによりシーム溶接を行なうようにしており、確実
なシーム溶接を可能ならしめるものである。
止領域周縁部に搭載された金属フレームの上面に連続し
た突起を設け、この上に載置された金属板を加圧通電す
ることによりシーム溶接を行なうようにしており、確実
なシーム溶接を可能ならしめるものである。
以下図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを説
明する。なお、従来例と同じ部分には同一の符号を付す
ものとし、説明を省略する。
明する。なお、従来例と同じ部分には同一の符号を付す
ものとし、説明を省略する。
第１図は本発明にかかる半導体装置の構成および製造方
法を示す部分断面図であって、ウェルドリング１１の上
面には突起１２が形成されている。
法を示す部分断面図であって、ウェルドリング１１の上
面には突起１２が形成されている。
この様子は第２図の斜視図に示されており、ウェルドリ
ンク１１の上面中央部に断面が略三角形状の突起１２が
連続して周回するように形成されている。
ンク１１の上面中央部に断面が略三角形状の突起１２が
連続して周回するように形成されている。
このようなウェルドリング１１の上にシェルを載せ、そ
の上から円筒ローラ型の電極１３を押しつけ、まず六方
向に、次に載物台を９０°回転させてＢ方向に回転移動
させることによりシーム溶接が行なわれる。このときウ
ェルドリング上の突起とシェルとの間で多少寸法精度お
よび位置精度にずれが生じていても接触が確実であり、
スパークが発生したり、通電不良が発生するようなこと
はなく、安定したシーム溶接が可能となる。
の上から円筒ローラ型の電極１３を押しつけ、まず六方
向に、次に載物台を９０°回転させてＢ方向に回転移動
させることによりシーム溶接が行なわれる。このときウ
ェルドリング上の突起とシェルとの間で多少寸法精度お
よび位置精度にずれが生じていても接触が確実であり、
スパークが発生したり、通電不良が発生するようなこと
はなく、安定したシーム溶接が可能となる。
第３図に、各種の突起１２を有するウェルドリンク１１
の断面形状を示す。
の断面形状を示す。
第３図（ａ）は第１図および第２図に示したウェルドリ
ングのほぼ中央部に断面略三角形状の突起を設けた例、
第３図（１））同断面の突起をウェルドリングの最外周
部に設けた例、同様に第３図（Ｃ）は断面半円状の突起
を中央部に、第３図（ｄ）は同断面の突起を最外周部に
設けた例、第３図（ｅ）はウェルドリングの断面形状を
半円状とし全体として突起を形成した例、第３図（ｆ）
は同様にウェルドリングの断面形状を三角形状を基本と
した突状とし全体として突起を形成した例を示している
。
ングのほぼ中央部に断面略三角形状の突起を設けた例、
第３図（１））同断面の突起をウェルドリングの最外周
部に設けた例、同様に第３図（Ｃ）は断面半円状の突起
を中央部に、第３図（ｄ）は同断面の突起を最外周部に
設けた例、第３図（ｅ）はウェルドリングの断面形状を
半円状とし全体として突起を形成した例、第３図（ｆ）
は同様にウェルドリングの断面形状を三角形状を基本と
した突状とし全体として突起を形成した例を示している
。
このようなウェルドリングは素材をプレスまたはエツチ
ングで抜いた後、コイニングを施すこと等により形成す
ることができる。
ングで抜いた後、コイニングを施すこと等により形成す
ることができる。
第３図に示した各突起はいずれもシーム溶接の際良好な
溶接性を示すが、特に第３図（ｂ）および（ｄ）のよう
に最外周部に突起が形成されている例では溶接後の溶接
品質の外Ｉｌ！観察が容易であるという利点がある。
溶接性を示すが、特に第３図（ｂ）および（ｄ）のよう
に最外周部に突起が形成されている例では溶接後の溶接
品質の外Ｉｌ！観察が容易であるという利点がある。
以上の実施例においてはウェルドリングの平面形状は矩
形であったが円形状のものにも本発明を適用することが
、できる。
形であったが円形状のものにも本発明を適用することが
、できる。
また、ウェルドリングおよびシェルの材料は実施例に示
したものの他、ベース材料の熱膨張係数と近似した熱膨
張係数を有する金属材料であればいずれも使用すること
ができる。
したものの他、ベース材料の熱膨張係数と近似した熱膨
張係数を有する金属材料であればいずれも使用すること
ができる。
以上のように、本発明においては金属薄板蓋体を載置す
る金属製枠体の上面に連続した突起を備えているので、
シーム溶接の際に蓋体と枠体の接触が良好でスパークや
通電不良の発生が起りにくく安定したシーム溶接が行な
われ歩留りが向上する。
る金属製枠体の上面に連続した突起を備えているので、
シーム溶接の際に蓋体と枠体の接触が良好でスパークや
通電不良の発生が起りにくく安定したシーム溶接が行な
われ歩留りが向上する。
第１図は本発明にがかる半導体装置の構成とその製造方
法を示す部分断面図、第２図は本発明の特徴部分である
枠体を示す斜視図、第３図は枠体上面に設けられた突起
を示す断面図、第４図は従来の半導体装置を示す斜視図
、第５図はその構成と製造方法を示す部分断面図である
。 １・・・ベース、３．１１・・・つ１ルドリング、４・
・・シェル、５．１３・・・電極、１２・・・突起。 出願人代理人 猪 股 清 丁 ’＄３［２１
法を示す部分断面図、第２図は本発明の特徴部分である
枠体を示す斜視図、第３図は枠体上面に設けられた突起
を示す断面図、第４図は従来の半導体装置を示す斜視図
、第５図はその構成と製造方法を示す部分断面図である
。 １・・・ベース、３．１１・・・つ１ルドリング、４・
・・シェル、５．１３・・・電極、１２・・・突起。 出願人代理人 猪 股 清 丁 ’＄３［２１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを搭載すると共に外部接続用のリード
を備えた絶縁体ベースと、 この絶縁体ベース上面の封止領域周縁部に固着され、そ
の上面に連続した突起部を有する金属製枠体と、 この金属製枠体上に載置され、前記突起部との間でシー
ム溶接により封止固着された金属薄板蓋体と、 を備えた半導体装置。 ２、突起部が断面略三角形状である特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。 ３、突起部が断面略半円形状である特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。 ４、突起部が枠体上の最外周部に形成されたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ５、枠体および蓋体がコバールより成る特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236164A JPS61114560A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236164A JPS61114560A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114560A true JPS61114560A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16996715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236164A Pending JPS61114560A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147348A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Nippon Avionics Co Ltd | 多数個取り配線基板上の小型配線基板およびその封止方法。 |
| JP2014106016A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用パッケージの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59236164A patent/JPS61114560A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147348A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Nippon Avionics Co Ltd | 多数個取り配線基板上の小型配線基板およびその封止方法。 |
| JP2014106016A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用パッケージの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
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