JPH0358450A - 半導体装置のセラミックパーケージ - Google Patents
半導体装置のセラミックパーケージInfo
- Publication number
- JPH0358450A JPH0358450A JP1195007A JP19500789A JPH0358450A JP H0358450 A JPH0358450 A JP H0358450A JP 1195007 A JP1195007 A JP 1195007A JP 19500789 A JP19500789 A JP 19500789A JP H0358450 A JPH0358450 A JP H0358450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer periphery
- layer
- bonding
- cavity
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のセラミックパッケージに関する。
従来、この種の半導体装置のセラミックパッケージ（以
下パッケージと記す）は、第３図に示すように、キャビ
ティ３の外周に金めつきを施した金属シールリング６と
、金属キャップ４をローラ電極５により、電気溶接を行
って封止するという方法によって得られていた。
下パッケージと記す）は、第３図に示すように、キャビ
ティ３の外周に金めつきを施した金属シールリング６と
、金属キャップ４をローラ電極５により、電気溶接を行
って封止するという方法によって得られていた。
上述したセラミックパッケージは、金属シールリングが
キャビティ外周に存在するため、第４図に示すように、
ボンディング工程に於て、ボンディングワイヤ９やボン
ダのワイヤクランパ８が金属シールリング６と接触し、
ボンディング不良を発生させるという欠点がある． 本発明の目的は、ボンディングワイヤやホンダのワイヤ
クランバが金属リングと接触し、ボンディング不良を発
生することがないパッケージを提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、半導体装置のセラミックパッケージに於て、
キャビティの外周に沿って帯状の金めつき層を施し、更
に、該金めつき層の外周に沿って溝部が形或されている
． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
キャビティ外周に存在するため、第４図に示すように、
ボンディング工程に於て、ボンディングワイヤ９やボン
ダのワイヤクランパ８が金属シールリング６と接触し、
ボンディング不良を発生させるという欠点がある． 本発明の目的は、ボンディングワイヤやホンダのワイヤ
クランバが金属リングと接触し、ボンディング不良を発
生することがないパッケージを提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、半導体装置のセラミックパッケージに於て、
キャビティの外周に沿って帯状の金めつき層を施し、更
に、該金めつき層の外周に沿って溝部が形或されている
． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ＞，（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
断面図、第２図は第１図（ａ），（ｂ）の金めつき層に
金属キャップを溶接し封止する方法を説明する断面図で
ある。
断面図、第２図は第１図（ａ），（ｂ）の金めつき層に
金属キャップを溶接し封止する方法を説明する断面図で
ある。
第１図（ａ＞，（ｂ）に示すように、セラミック基板の
キャビティ３の外周に沿って帯状の金めつき層１が施さ
れ、更に、この金めつきＮ１の外周に沿って溝部２が形
成されている。
キャビティ３の外周に沿って帯状の金めつき層１が施さ
れ、更に、この金めつきＮ１の外周に沿って溝部２が形
成されている。
このように、キャビティ３の外周に沿って金めつき層１
と溝部２を形成することにより、ボンディング工程に於
て、ボンデイングワイヤやボンダのワイヤクランバが金
めつき層１と接触し、ボンディング不良を発生させるこ
となく、第２図に示すように、ローラ電極５により、金
属キャップ４と金めっき層１を溶接し、パッケージを封
止することができる。
と溝部２を形成することにより、ボンディング工程に於
て、ボンデイングワイヤやボンダのワイヤクランバが金
めつき層１と接触し、ボンディング不良を発生させるこ
となく、第２図に示すように、ローラ電極５により、金
属キャップ４と金めっき層１を溶接し、パッケージを封
止することができる。
以上説明したように本発明は、金属シールリングの突起
をなくし、ローラ電極との接触を防ぐ溝部を設ける事に
より、第４図に示すように、ホンディング工程に於て、
ボンディングワイヤつと金属シールリング６の接触をな
くし、良好なボンディング性が与られるという効果があ
る。
をなくし、ローラ電極との接触を防ぐ溝部を設ける事に
より、第４図に示すように、ホンディング工程に於て、
ボンディングワイヤつと金属シールリング６の接触をな
くし、良好なボンディング性が与られるという効果があ
る。
第１図（ａ＞．（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
断面図、第２図は第１図（ａ），（ｂ）の金めつき層に
金属キャップを溶接し封止する方法を説明する断面図、
第３図は従来のパッケージの封止方法の一例を説明する
断面図、第４図は従来のパッケージのワイヤボンディン
グ方法の一例を説明する断面図である。 １・・・金めつき層、２・・・渭部、３・・・キャビテ
ィ、４・・・金属キャップ、５・・・ローラ電極、６・
・・金属シールリング、７・・・ボンディングツール、
８・・・ワイヤクランバ、９・・・ボンディングワイヤ
。
断面図、第２図は第１図（ａ），（ｂ）の金めつき層に
金属キャップを溶接し封止する方法を説明する断面図、
第３図は従来のパッケージの封止方法の一例を説明する
断面図、第４図は従来のパッケージのワイヤボンディン
グ方法の一例を説明する断面図である。 １・・・金めつき層、２・・・渭部、３・・・キャビテ
ィ、４・・・金属キャップ、５・・・ローラ電極、６・
・・金属シールリング、７・・・ボンディングツール、
８・・・ワイヤクランバ、９・・・ボンディングワイヤ
。
Claims (1)
- 半導体装置のセラミックパッケージに於て、キャビティ
の外周に沿って帯状の金めつき層を施し、更に、該金め
っき層の外周に沿って溝部を形成したことを特徴とする
半導体装置のセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195007A JPH0358450A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置のセラミックパーケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195007A JPH0358450A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置のセラミックパーケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358450A true JPH0358450A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16333984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1195007A Pending JPH0358450A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置のセラミックパーケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102837136A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-26 | 陕西华经微电子股份有限公司 | 一种异形结构封装外壳平行缝焊工艺及装置 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1195007A patent/JPH0358450A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102837136A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-26 | 陕西华经微电子股份有限公司 | 一种异形结构封装外壳平行缝焊工艺及装置 |
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