JP2001068575A

JP2001068575A - 半導体装置用のシールリングとそれを用いた半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001068575A
Application number: JP24075499A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Miyazawa; 弘明宮澤; Keisabi Maruyama; 圭佐美丸山
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1999-08-27
Filing date: 1999-08-27
Publication date: 2001-03-16
Anticipated expiration: 2019-08-27
Also published as: JP4144826B2; KR20010021439A; KR100659534B1

Abstract

(57)【要約】【課題】シールリング本体を半導体パッケージのシー
ル層に的確にろう付けできるシールリングを得る。【解決手段】鉄―ニッケル―コバルト合金からなるシ
ールリング本体１０の下地表面に、Ｃｕめっき１２とＡ
ｇめっき１４とを、そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１
２のそれぞれの厚さが７μｍ以下となるように薄く順に
施す。そして、シールリングを加熱して、シールリング
本体１０に施されたＡｇめっき１４とＣｕめっき１２と
を溶融させた際に、そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１
２とに不溶融箇所が発生するのを防ぐ。そして、そのＡ
ｇめっき１４とＣｕめっき１２とを溶融させてなる銀ろ
うを用いて、シールリング本体１０を半導体パッケージ
のシール層にリークパスが発生しないように的確に気密
にろう付けできるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを収
容したセラミックからなる半導体パッケージのキャビテ
ィ上面を覆うキャップを、キャビティの開口端周縁部の
シール層に的確に気密にろう付け可能とするための半導
体装置用シールリングと、該シールリングを用いて形成
する半導体装置の製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】上記のシールリングには、図７に示した
ような構造のものが、一般に用いられている。このシー
ルリングは、鉄―ニッケル―コバルト合金（コバール）
又は鉄―ニッケル合金（４２アロイ）からなるシールリ
ング本体１０の下地表面に、Ｎｉストライクめっき（図
示せず）が施され、そのＮｉストライクめっきが施され
たシールリング本体１０に、Ｃｕめっき１２とＡｇめっ
き１４とが順に施されて形成されている。Ｎｉストライ
クめっきは、コバール又は４２アロイからなるシールリ
ング本体１０のめっきに対しての濡れ性を向上させるた
めに施される。このＮｉストライクめっきが施されたシ
ールリング本体１０には、Ｃｕめっき１２をふくれなく
確実に密着させて施すことができる。

【０００３】このシールリングにおいては、該シールリ
ングを加熱炉に入れて加熱した際に、シールリング本体
１０に施されたＣｕめっき１２とＡｇめっき１４とを溶
融させて、銀ろう１６を形成できる。そして、その銀ろ
う１６を用いて、図６に示したように、シールリング本
体１０を、セラミックからなる半導体パッケージ４０の
キャビティ４４の開口端周縁部に形成されたシール層５
０にろう付けできる。

【０００４】なお、従来より、シールリング本体１０と
半導体パッケージのシール層５０との間に、板状の銀ろ
うを介在させたり、シールリング本体１０下面又は半導
体パッケージのシール層５０上面に銀ろうペーストを塗
布したりして、それらの板状の銀ろう又は銀ろうペース
トを用いて、シールリング本体１０を半導体パッケージ
のシール層５０にろう付けすることも行われている。

【０００５】しかしながら、そうした場合には、前記の
ようにしてシールリング本体１０にＣｕめっき１２とＡ
ｇめっき１４とを施すことによりシールリング本体１０
ろう付け用の銀ろう１６を得る場合に比べて、その板状
の銀ろうを形成する作業や、その板状の銀ろうをシール
リング本体１０とシール層５０との間に介在させる作業
や、そのシールリング本体１０下面に銀ろうペーストを
塗布する作業や、そのシール層５０上面に銀ろうペース
トを塗布する作業に多大な手数と時間を要した。

【０００６】そのため、近時は、手数の掛からない前記
のようなシールリング本体１０にＣｕめっき１２とＡｇ
めっき１４とを順に施して、シールリング本体１０ろう
付け用の銀ろう１６を得る方法が多く用いられている。
このシールリング本体１０にシールリング本体１０ろう
付け用の銀ろう１６を得るためのＣｕめっき１２とＡｇ
めっき１４とを順に施す方法は、近時の超小型の半導体
装置形成用のシールリングにおいて、特に有効であり、
多用されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シール
リング本体１０にシールリング本体１０ろう付け用の銀
ろう１６を得るためのＣｕめっき１２とＡｇめっき１４
とを順に施す前記の方法においては、シールリングを加
熱炉に入れて加熱し、シールリング本体１０に施された
Ｃｕめっき１２とＡｇめっき１４とを溶融させて、銀ろ
う１６を形成した際に、その銀ろう１６が、シールリン
グ本体１０下面とシール層５０上面との間に的確に侵入
したり、シールリング本体１０の側面とシール層５０と
に亙ってメニスカスを描くようにして付着したりせず
に、図８に示したように、その銀ろう１６の多くが、キ
ャップ６０を抵抗溶接するシールリング本体１０上面に
乗り上げた状態に付着してしまった。そして、シールリ
ング本体１０とシールリング本体１０がろう付けされた
シール層５０との間に、リークパス（微細な空気流通
路）が形成されてしまった。そして、シールリング本体
１０内側の半導体パッケージのキャビティ４４の気密性
が損なわれてしまった。

【０００８】それと共に、図６に示したように、コバー
ル又は４２アロイからなるキャップ６０をシールリング
本体１０上面にシームウエルド法により抵抗溶接した際
に、シールリング本体１０上面に乗り上げた状態に付着
した多量の銀ろう１６の影響を受けて、キャップ６０と
シールリング本体１０との間にスパークが充分に発生せ
ずに、キャップ６０をシールリング本体１０上面に的確
に気密に接合できなかった。ここで、上記のように、キ
ャップ６０をシールリング本体１０上面に的確に抵抗溶
接できない理由は、シールリング１０上面を抵抗値の低
い銀ろう１６が覆ってしまっているからである。

【０００９】また、シールリング本体１０を、半導体パ
ッケージのシール層５０に確実に気密にろう付けするた
めには、所定量以上の銀ろう１６が必要となる。そのた
めに、シールリング本体１０が大型のもの等であって、
シールリング本体１０ろう付け用の多量の銀ろう１６を
必要とするシールリングにあっては、そのシールリング
本体１０に順に施すＣｕめっき１２とＡｇめっき１４と
のうちの、熱伝導率の悪いＡｇめっき１４等の層厚を、
例えば、１１μｍ以上等に厚く形成しなければならなか
った。その結果、そのＣｕめっき１２とＡｇめっき１４
とが順に施されたシールリング本体１０を加熱炉に入れ
て加熱した際に、そのシールリング本体１０に厚く施さ
れたＡｇめっき１４等が均一に溶融せずに、Ａｇめっき
１６等の一部に不溶融箇所が発生してしまった。そし
て、そのシールリング本体１０に施されたＣｕめっき１
２とＡｇめっきと１４とを溶融させてなる銀ろう１６を
用いて、シールリング本体１０を半導体パッケージのシ
ール層５０にろう付けした際に、その銀ろう１６に、穴
あき箇所や銀ろう１６の付着不足箇所が生じてしまっ
た。そして、シールリング本体１０の側面とシール層５
０とに亙って銀ろう１６を的確にメニスカスを描くよう
に充分に付着させて、シールリング本体１０をシール層
５０に的確に気密にろう付けできなかった。

【００１０】本発明は、このような課題を解消可能な、
半導体装置用のシールリング（以下、シールリングとい
う）と、該シールリングを用いた半導体装置の製造方法
（以下、半導体装置の製造方法という）とを提供するこ
とを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１のシールリングは、鉄―ニッケル―
コバルト合金又は鉄―ニッケル合金からなるシールリン
グ本体の下地表面に、ＣｕめっきとＡｇめっきとが順に
施されて、そのＡｇめっき及びＣｕめっきのそれぞれの
厚さが７μｍ以下に形成されてなることを特徴としてい
る。

【００１２】また、本発明の発明の第２のシールリング
は、鉄―ニッケル―コバルト合金又は鉄―ニッケル合金
からなるシールリング本体の下地表面に、Ａｇめっきと
Ｃｕめっきとが交互に３層以上に順に施されて、その最
内側と最外側とには、Ａｇめっきが施されると共に、そ
のＡｇめっき及びＣｕめっきのそれぞれの厚さが７μｍ
以下に形成されてなることを特徴としている。

【００１３】また、本発明の第１又は第２のシールリン
グを用いた本発明の半導体装置の製造方法は、次の工程
を含むことを特徴としている。ａ．本発明の第１又は第２のシールリングを、半導体パ
ッケージのキャビティの開口端周縁部に形成されたメタ
ライズからなるシール層であって、その表面にＮｉめっ
きが施されたシール層上に載置する工程。ｂ．前記シールリングを載置した半導体パッケージを、
還元性雰囲気中で加熱し、前記シールリングのシールリ
ング本体に施されたＡｇめっき及びＣｕめっきを溶融さ
せて、前記シールリング本体を前記半導体パッケージの
シール層に気密にろう付けする工程。ｃ．半導体チップを、シールリング本体がろう付けされ
た半導体パッケージのキャビティに収容して、その半導
体チップの電極と、半導体パッケージの接続線路とを電
気的に接続する工程。ｄ．前記半導体チップを収容したキャビティ上面を、鉄
―ニッケル―コバルト合金又は鉄―ニッケル合金からな
るキャップにより覆って、そのキャップを、前記シール
リング本体にシームウエルド法により気密に抵抗溶接す
る工程。

【００１４】この第１又は第２のシールリングを用いた
半導体装置の製造方法においては、シールリング本体に
施された銀ろう形成用のＡｇめっきとＣｕめっきとが、
７μｍ以下の層厚に薄く形成されている。そのため、そ
のｂ工程において、シールリングを還元性雰囲気中で加
熱して、シールリング本体に施されたＡｇめっきとＣｕ
めっきとを溶融させた際に、その７μｍ以下に薄く形成
されたＡｇめっきとＣｕめっきとに溶融状態の不均一な
箇所が発生するのを防ぐことができる。そして、そのＡ
ｇめっきとＣｕめっきとを、不溶融箇所を発生させず
に、均一に溶融させることができる。そして、そのＡｇ
めっきとＣｕめっきとを溶融させてなる銀ろうを用い
て、シールリング本体を半導体パッケージのシール層に
ろう付けした際に、その銀ろうに穴あき箇所や銀ろうの
付着不足箇所が発生するのを、防ぐことができる。そし
て、シールリング本体の側面とシール層とに亙って、銀
ろうをメニスカスを描くように的確かつ充分に付着させ
ることができる。そして、シールリング本体とそれがろ
う付けされたシール層との間に、リークパス（微細な空
気流通路）が発生するのを防ぐことができる。

【００１５】また、シールリング本体の下地表面には、
シールリング本体の銀ろうに対しての濡れ性を良くする
ための、Ｎｉストライクめっきが施されていない。その
ため、シールリング本体上面の銀ろうに対しての濡れ性
が低下して、そのｂ工程において、シールリング本体に
施されたＡｇめっきとＣｕめっきとを溶融させて銀ろう
を形成した際に、その銀ろうの多くが、シールリング本
体上面に這い上がって、シールリング本体上面に付着す
るのを、防ぐことができる。その結果、そのｄ工程にお
いて、その銀ろうが付着していないシールリング本体上
面又は銀ろうの付着量の少ないシールリング本体上面
に、キャップをシームウエルド法により的確に抵抗溶接
できる。

【００１６】また、第２のシールリングを用いた半導体
装置の製造方法にあっては、そのシールリング本体の最
内側の下地表面に、鉄―ニッケル―コバルト合金又は鉄
―ニッケル合金からなるシールリング本体との密着性の
良いＡｇめっきが施されている。そのため、シールリン
グ本体の下地表面にＡｇめっきとＣｕめっきとを順に施
した際に、そのＡｇめっきやＣｕめっきにふくれを発生
させずに、そのＡｇめっきとＣｕめっきとをシールリン
グ本体に密着性良く付着させることができる。また、シ
ールリング本体の最外側には、Ｎｉめっき等との密着性
の良いＡｇめっきが施されている。そのため、シールリ
ング本体に外装用のＮｉめっき等を施した際に、シール
リング本体の最外側に残存するＡｇめっきを介して、そ
の外装用のＮｉめっき等を、シールリング本体に、ふく
れを発生させずに、密着性良く付着させることができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１のシールリン
グの好適な実施の形態を示し、図１はその一部拡大正面
断面図である。以下に、この第１のシールリングを説明
する。

【００１８】図のシールリングでは、シールリング本体
１０が、コバール又は４２アロイから形成されている。
シールリング本体１０は、方形枠体状をしている。シー
ルリング本体１０には、Ｎｉストライクめっきが施され
ずに、そのコバール又は４２アロイからなるシールリン
グ本体１０の下地表面に、Ｃｕめっき１２と、Ａｇめっ
き１４とが、順に施されている。

【００１９】Ａｇめっき１４及びＣｕめっき１２は、７
μｍ以下の層厚に薄く形成されている。具体的には、比
重が８．９６のＣｕめっき１２が、３μｍの層厚に形成
されていると共に、比重が１０．４９のＡｇめっき１４
が、６μｍの層厚に形成されている。そして、そのシー
ルリング本体１０に施されたＣｕめっき１２とＡｇめっ
き１４とを溶融させて銀ろう１６を形成した際に、その
銀ろう１６が、Ｃｕを２８重量％含み、Ａｇを７２重量
％含む、低融点の共晶銀ろうに形成されるようにしてい
る。ここで、Ａｇめっき１４及びＣｕめっき１２を７μ
ｍ以下の層厚に薄く形成している理由は、本発明者らが
実験結果から得られたデータに基づくものであって、Ａ
ｇめっき１４及びＣｕめっき１２を７μｍ以下の層厚に
薄く形成することにより、そのＡｇめっき１４及びＣｕ
めっき１２が施されたシールリング本体１０を加熱炉に
入れて加熱した際に、その薄く形成されたＡｇめっき１
４及びＣｕめっき１２を不溶融箇所が発生しないように
均一に溶融できるからである。

【００２０】この第１のシールリングにおいては、Ａｇ
めっき１４及びＣｕめっき１２を７μｍの層厚に形成す
る必要がある都合上、そのＡｇめっき１４及びＣｕめっ
き１２を溶融させて形成する銀ろう１６の量が少量に限
定されてしまう。そのため、この第１のシールリング
は、シールリング本体１０ろう付け用の銀ろう１６の量
が少なくて済む小型のシールリングに好適なものといえ
る。

【００２１】図１に示した第１のシールリングは、以上
のように構成されている。

【００２２】図２は本発明の第２のシールリングの好適
な実施の形態を示し、図２はその一部拡大正面断面図で
ある。以下に、この第２のシールリングを説明する。

【００２３】図の第２のシールリングでは、第１のシー
ルリングと同様にして、シールリング本体１０が、コバ
ール又は４２アロイから形成されている。シールリング
本体１０は、方形枠体状をしている。シールリング本体
１０には、Ｎｉストライクめっきが施されずに、そのコ
バール又は４２アロイからなるシールリング本体１０の
下地表面に、Ａｇめっき１４と、Ｃｕめっき１２とが、
交互に３層以上（図では、３層）に順に施されている。
シールリング本体１０に交互に３層以上に施されたＡｇ
めっき１４とＣｕめっき１２のうちの、最内側と最外側
とには、Ａｇめっき１４が施されている。

【００２４】Ａｇめっき１４及びＣｕめっき１２は、７
μｍ以下の層厚に薄く形成されている。具体的には、図
のＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とが交互に３層に順
に施されてなる第２のシールリングでは、その最内側と
最外側とに施された比重が８．９６のＡｇめっき１４
が、それぞれ５．５μｍの層厚に形成されていると共
に、その中間に施された比重が１０．４９のＣｕめっき
１２が、６μｍの層厚に形成されている。そして、その
シールリング本体１０に施されたＣｕめっき１２とＡｇ
めっき１４とを溶融させて銀ろう１６を形成した際に、
その銀ろう１６が、Ｃｕを２８重量％含み、Ａｇを７２
重量％含む、低融点の共晶銀ろうに形成されるようにし
ている。ここで、Ａｇめっき１４及びＣｕめっき１２を
７μｍ以下の層厚に薄く形成している理由は、図１に示
した第１のシールリングの説明で述べた理由と同じであ
る。

【００２５】図２に示した第２のシールリングは、以上
のように構成されている。

【００２６】次に、この第１又は第２のシールリングを
用いた半導体装置の製造方法であって、本発明の半導体
装置の製造方法の好適な実施の形態を、図面に従い説明
する。

【００２７】図３に示したように、第１又は第２のシー
ルリング１００を、セラミックからなる半導体パッケー
ジ４０のキャビティ４４の開口端周縁部に形成されたメ
タライズからなる幅広い方形リング状をしたシール層５
０であって、その表面にＮｉめっきが施されたシール層
５０上に載置している。半導体パッケージ４０には、例
えば、図３に示したような、外部リードが周囲に延出さ
れていないセラミックリードレスチップキャリアと呼ば
れるパッケージを用いている。そして、本発明の半導体
装置の製造方法のａ工程を行っている。

【００２８】次いで、図４に示したように、シールリン
グ１００を載置した半導体パッケージ４０を、Ｎ_２、Ｈ
_２を充満させた還元性雰囲気に保持された加熱炉（図示
せず）に入れて、約８２０℃に加熱している。そして、
シールリング１００のシールリング本体１０に施された
Ａｇめっき１４及びＣｕめっき１２を溶融させてなる銀
ろう１６を形成している。そして、その銀ろう１６を用
いて、シールリング本体１０を半導体パッケージのシー
ル層５０に気密にろう付けしている。そして、本発明の
半導体装置の製造方法のｂ工程を行っている。

【００２９】次いで、図５に示したように、シールリン
グ本体１０がろう付けされた半導体パッケージのキャビ
ティ４４に半導体チップ４２を収容している。そして、
その半導体チップ４２の電極と、半導体パッケージ４０
の周囲側面に形成された外部接続端子４７に連なるキャ
ビティ４４周囲に露出した接続線路４６の内端とを、ワ
イヤ４８等を介して電気的に接続している。そして、本
発明の半導体装置の製造方法のｃ工程を行っている。

【００３０】その後、同じ図５に示したように、半導体
チップ４２を収容したキャビティ４４の上面を、鉄―ニ
ッケル―コバルト合金（コバール）又は鉄―ニッケル合
金（４２アロイ）からなるキャップ６０により覆ってい
る。そして、そのキャップ６０を、シールリング本体１
０に、ローラ電極を用いたシームウエルド法により、気
密に抵抗溶接している。そして、本発明の半導体装置の
製造方法のｄ工程を行っている。

【００３１】本発明の半導体装置の製造方法は、以上の
工程からなり、この半導体装置の製造方法によれば、半
導体チップ４２の周囲を、半導体パッケージのキャビテ
ィ４４とシール層５０とシールリング本体１０とキャッ
プ６０とにより気密に覆うことができる。そして、半導
体チップ４２を、半導体パッケージのキャビティ４４に
気密に封止してなる半導体装置を製造できる。

【００３２】この第１又は第２のシールリングを用いた
半導体装置の製造方法においては、そのｂ工程におい
て、シールリング１００を加熱炉に入れて加熱し、シー
ルリング本体１０に施されたＡｇめっき１４とＣｕめっ
き１２とを溶融した際に、その７μｍ以下に薄く形成さ
れたＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とに溶融状態の不
均一な箇所が発生するのを防ぐことができる。そして、
そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とを、不溶融箇所
を発生させずに、均一に溶融させることができる。そし
て、そのＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とを溶融させ
てなる銀ろう１６を用いて、シールリング本体１０を半
導体パッケージのシール層５０にろう付けした際に、銀
ろう１６に穴あき箇所や銀ろう１６の付着不足箇所が発
生するのを、防ぐことができる。そして、シールリング
本体１０の側面とシール層５０とに亙って、銀ろう１６
をメニスカスを描くようにして的確かつ充分に付着させ
ることができる。

【００３３】また、シールリング本体１０の下地表面に
は、Ｎｉストライクめっきが施されていないため、その
ｂ工程において、シールリング本体１０に施されたＡｇ
めっき１４とＣｕめっき１２とを溶融させて銀ろう１６
を形成した際に、その銀ろう１６の多くが、シールリン
グ本体１０上面に這い上がって、シールリング本体１０
上面に付着するのを、防ぐことができる。その結果、そ
のｄ工程において、その銀ろう１６が付着していないシ
ールリング本体１０上面又は銀ろう１６の付着量の少な
いシールリング本体１０上面に、キャップ６０をシーム
ウエルド法により的確に抵抗溶接できる。

【００３４】また、第２のシールリングを用いた半導体
装置の製造方法にあっては、そのシールリング本体１０
の最内側の下地表面に、鉄―ニッケル―コバルト合金又
は鉄―ニッケル合金からなるシールリング本体１０との
密着性の良いＡｇめっきが施されているため、シールリ
ング本体１０にＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とを順
に施した際に、そのＡｇめっき１４やＣｕめっき１２に
ふくれが発生するのを、防ぐことができる。そして、そ
のＡｇめっき１４とＣｕめっき１２とをシールリング本
体１０に密着性良く付着させることができる。また、シ
ールリング本体１０の最外側には、Ｎｉめっき等との密
着性の良いＡｇめっきが施されているため、半導体チッ
プ４２を収容する前の、図４に示した状態の、半導体パ
ッケージ４０のシールリング本体１０に外装用のＮｉめ
っき等を施した際に、シールリング本体１０の最外側に
残存するＡｇめっき１４を介して、その外装用のＮｉめ
っき等を、シールリング本体１０に、ふくれを発生させ
ずに、密着性良く付着させることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１又は
第２のシールリングを用いた、本発明の半導体装置の製
造方法によれば、シールリング本体に施されたＡｇめっ
きとＣｕめっきとを不溶融箇所が発生しないように均一
に溶融させることができる。そして、そのＡｇめっきと
Ｃｕめっきとを均一に溶融させてなる銀ろうを用いて、
シールリング本体を半導体パッケージのシール層にろう
付けした際に、シールリング本体とシール層とに亙っ
て、銀ろうを、穴あき箇所や付着不足箇所を発生させず
に、メニスカスを描くようにして充分に付着させること
ができる。そして、シールリング本体とシール層との間
にリークパスが発生するのを防いで、シールリング本体
をシール層に的確に気密にろう付けできる。

【００３６】また、シールリング本体に施されたＡｇめ
っきとＣｕめっきとを溶融させて銀ろうを形成した際
に、その銀ろうの多くが、シールリング本体上面に這い
上がって、シールリング本体上面に付着するのを、防ぐ
ことができる。そして、キャップをシールリング本体上
面にシームウエルド法により抵抗溶接した際に、上記の
シールリング本体上面に付着した銀ろうの影響を受け
て、キャップをシールリング本体上面にシームウエルド
法により的確に抵抗溶接できなくなるのを、防ぐことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１のシールリングの一部省略断面図
である。

【図２】本発明の第２のシールリングの一部省略断面図
である。

【図３】本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図で
ある。

【図４】本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図で
ある。

【図５】本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図で
ある。

【図６】半導体装置の構造説明図である。

【図７】従来のシールリングの一部省略断面図である。

【図８】従来の半導体装置の製造方法の工程説明図であ
る。

【符号の説明】

１０シールリング本体１２Ｃｕめっき１４Ａｇめっき１６銀ろう４０半導体パッケージ４２半導体チップ４４キャビティ４６半導体パッケージの接続線路５０シール層６０キャップ１００第１又は第２のシールリング

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】鉄―ニッケル―コバルト合金又は鉄―ニ
ッケル合金からなるシールリング本体の下地表面に、Ｃ
ｕめっきとＡｇめっきとが順に施されて、そのＡｇめっ
き及びＣｕめっきのそれぞれの厚さが７μｍ以下に形成
されてなることを特徴とする半導体装置用のシールリン
グ。
【請求項２】鉄―ニッケル―コバルト合金又は鉄―ニ
ッケル合金からなるシールリング本体の下地表面に、Ａ
ｇめっきとＣｕめっきとが交互に３層以上に順に施され
て、その最内側と最外側とには、Ａｇめっきが施される
と共に、そのＡｇめっき及びＣｕめっきのそれぞれの厚
さが７μｍ以下に形成されてなることを特徴とする半導
体装置用のシールリング。
【請求項３】次の工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。ａ．請求項１又は２記載のシールリングを、半導体パッ
ケージのキャビティの開口端周縁部に形成されたメタラ
イズからなるシール層であって、その表面にＮｉめっき
が施されたシール層上に載置する工程。ｂ．前記シールリングを載置した半導体パッケージを、
還元性雰囲気中で加熱し、前記シールリングのシールリ
ング本体に施されたＡｇめっき及びＣｕめっきを溶融さ
せて、前記シールリング本体を前記半導体パッケージの
シール層に気密にろう付けする工程。ｃ．半導体チップを、シールリング本体がろう付けされ
た半導体パッケージのキャビティに収容して、その半導
体チップの電極と、半導体パッケージの接続線路とを電
気的に接続する工程。ｄ．前記半導体チップを収容したキャビティ上面を、鉄
―ニッケル―コバルト合金又は鉄―ニッケル合金からな
るキャップにより覆って、そのキャップを、前記シール
リング本体にシームウエルド法により気密に抵抗溶接す
る工程。