JP2003133465A - 気密封止パッケージおよびこれを用いたデバイス - Google Patents

気密封止パッケージおよびこれを用いたデバイス

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JP2003133465A JP2001330452A JP2001330452A JP2003133465A JP 2003133465 A JP2003133465 A JP 2003133465A JP 2001330452 A JP2001330452 A JP 2001330452A JP 2001330452 A JP2001330452 A JP 2001330452A JP 2003133465 A JP2003133465 A JP 2003133465A
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のようにセラミック容器の溶着部表面に
金属膜を形成し、蓋体の表面にろう材を設け、シーム溶
接する構成では、セラミック容器の反りや形状の不均一
性のために金属膜とろう材の間に一部隙間ができ、部分
的に接合不良が発生するという課題を有していた。 【解決手段】 セラミック製基体６の側壁部７の上面
で、蓋体１０と対向する部分にメタライズ層８を設ける
と共に、メタライズ層８の上に環状で連続したろう材９
を設け、蓋体１０の少なくともセラミック製基体６と対
向する面に第１の金属層１１を設け、セラミック製基体
６と蓋体１０を対向させ、ろう材９を溶融させて封止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品を内蔵し、
気密封止するのに用いられる気密封止パッケージおよび
これを用いたデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年電子機器の高機能化、高精度化、小
型化、軽量化が要望され、デバイスについても同様の要
望が高まっている。
【０００３】従来この要望を満足させるために、金属キ
ャップによる封止に代えてセラミック容器を用い小型
化、軽量化を図る構成が知られている。この方法はセラ
ミック容器と金属製蓋体をシールリングを介してシーム
溶接するもので、ある程度の小型化は可能であるが必ず
シールリングが必要なことからこれ以上の小型化は困難
であると言われている。
【０００４】一方この問題を解決する手段として例えば
特開平１１−３１２７４８号公報に記載された構成が知
られている。すなわち、セラミック容器の溶着部にメタ
ライズ層を形成し、その上にＮｉメッキ、Ａｕメッキな
どの金属膜を形成し、蓋体に金属膜を形成し、その上に
ろう材を設け、シーム溶接することによりシールリング
を使用せずに封止する構成が用いられていた。
【０００５】また、強度的にシーム溶接できないセラミ
ック容器、例えば、ガラスセラミックスを用いたセラミ
ック容器や小型のセラミック容器などではリフロー炉に
よる加熱や紫外線または赤外線を用いて加熱することに
より封止する方法が用いられていた。
【０００６】図５（ａ）は従来例におけるデバイスの封
止する前の部材の状態を示す断面図、図５（ｂ）は従来
例におけるデバイスのろう材が溶融する前の状態を示す
断面図、図５（ｃ）は従来例におけるデバイスのろう材
が溶融した後の状態を示す断面図、図６（ａ）は従来例
における蓋体のセラミック製基体に対向する面の状態を
示す平面図、図６（ｂ）は従来例におけるセラミック製
基体の蓋体に対向する面の状態を示す平面図である。
【０００７】図５、図６において、５０はセラミック製
基体６に設けたメタライズ層、５１は蓋体１０に設けた
第３の金属層、５２は第３の金属層５１の上に設けたろ
う材、５３はメタライズ層５０とろう材５２の間に形成
された空隙部、５４はセラミック製基体６の角部、５５
はセラミック製基体６の蓋体周辺の中央部、５６は第４
の金属層、５７はフィレットである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の気密封止パッケ
ージは主にセラミックにより形成されており、セラミッ
クの成形、焼成時に発生する歪みのために側壁部が内側
または外側に反る傾向があるが、どちらかと言えば内側
に反るものが多い。
【０００９】従来の気密封止パッケージの構成では、セ
ラミック製基体６の側壁部７上面の全面にメタライズ層
５０を設け、蓋体１０に第３の金属層５１を設け、第３
の金属層５１の上に連続した環状のろう材５２を設けた
構成であり、ろう材５２を溶融させることによりろう材
５２とメタライズ層５０を接合するものであるが、この
ような構成では、溶融したろう材５２が表面張力により
蓋体１０の角部５４に集まり蓋体周辺の中央部５５では
ろう材５２が少ない状態となり、セラミック製基体６の
側壁部７が内側に反っていると、蓋体１０の角部５４は
セラミック製基体６の側壁部７上面と接触し易いと共に
ろう材５２の量も多いため良好な接合状態が確保できる
が、蓋体周辺の中央部５５では蓋体１０と側壁部７の間
隔が広くなると共にろう材５２の量が少なくなるため接
合状態が不均一になる。
【００１０】また、ろう材５２の下地が第３の金属層５
１であることから比較的平滑な表面状態をしているが、
メタライズ層５０は下地がセラミック製基体６であるこ
とから凹凸のある粗い表面状態をしており、これらを相
対向させて接合してもろう材５２が粗い表面状態のメタ
ライズ層５０のために十分広がらず濡れ性が悪い状態と
なる。
【００１１】さらに、ろう材５２が溶融した時にセラミ
ック製基体６の側壁部７上面のメタライズ層５０と蓋体
１０の外周部にろう材５２のフィレット５７が生成し、
ろう材５２の一部が蓋体１０の外周部に集まり、蓋体１
０の内周部分のろう材量が相対的に少なくなる。
【００１２】このような状態でセラミック製基体６の側
壁部７が例えば内側に反っていると、蓋体１０の内周部
でセラミック製基体６の側壁部７と蓋体１０を十分に濡
らすだけのろう材量が不足する状態となり、蓋体１０と
メタライズ層５０の間にろう材５２の空隙部５３が生成
すると共に、セラミック製基体６の角部５４では蓋体１
０と接合できるがセラミック製基体６の蓋体周辺の中央
部５５ではろう材５２と第４の金属層５６との隙間１３
が広くなるため、溶融したろう材５２で広い範囲の隙間
を埋めなければならないため、ろう材５２が不足気味と
なり十分な接続状態を保つことができなくなり、接合不
良が発生すると共に場合によっては封止不良が発生して
しまう。
【００１３】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、セラミック容器と蓋体の接合性を改善することに
より気密性を改善した気密封止パッケージおよびこれを
用いたデバイスを提供することを目的とするものであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を有するものである。
【００１５】本発明の請求項１に記載の発明は、凹部を
有するセラミック製基体と、このセラミック製基体を封
止するための蓋体からなり、セラミック製基体の側壁部
上面で蓋体と対向する部分にメタライズ層を設けると共
に、このメタライズ層の上に環状で連続したろう材を設
け、蓋体の少なくともセラミック製基体と対向する面に
第１の金属層を設け、セラミック製基体と蓋体を対向さ
せ、ろう材を溶融させて封止した気密封止パッケージと
いう構成を有しており、これによりセラミック製基体に
ろう材を設けることによりセラミック製基体が反ってい
ても蓋体はその加工時の平坦性のままであり、セラミッ
ク製基体と蓋体の間に生じる隙間を小さくすることがで
き、接合性を高められると共にろう材を蓋体に対向する
部分にのみ設けることによりろう材の使用量を削減する
ことができるため、コストを低減することができるとい
う作用効果が得られる。
【００１６】本発明の請求項２に記載の発明は、蓋体か
らのろう材のはみ出し量が０．２ｍｍ以下であるという
構成を有しており、これにより不必要なろう材の使用量
を削減することができるため、コストを低減することが
できるという作用効果が得られる。
【００１７】本発明の請求項３に記載の発明は、メタラ
イズ層の材質はＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかである
という構成を有しており、これによりセラミック製基体
とメタライズ層の接合を良くすることができるため、セ
ラミック製基体と蓋体の接合性を高めることができると
いう作用効果が得られる。
【００１８】本発明の請求項４に記載の発明は、ろう材
はセラミック製基体の側壁部上面の内周に近接して部分
的に設けたという構成を有しており、これによりろう材
をセラミック製基体の凹部周辺に設けることができるた
め、セラミック製基体と蓋体を接合した際にろう材のは
み出しを抑制することができるという作用効果が得られ
る。
【００１９】本発明の請求項５に記載の発明は、ろう材
の材質はＡｇろう、Ａｕろう、Ｎｉろう、半田ろう、Ａ
ｕ−Ｓｎろう、Ａｇ−Ｓｎろうのいずれかであるという
構成を有しており、これによりセラミック製基体と蓋体
の接合性を高めることができるという作用効果が得られ
る。
【００２０】本発明の請求項６に記載の発明は、蓋体は
金属であるという構成を有しており、これにより蓋体の
平坦性及び平滑性を確保し易くできるとともに、蓋体に
設ける第１の金属層をクラッドなどの方法により容易に
設けることができるため、第１の金属層を容易に安価に
形成することができるという作用効果が得られる。
【００２１】本発明の請求項７に記載の発明は、第１の
金属層はＮｉ層またはＮｉ層の上にＡｕ層を設けたもの
であるという構成を有しており、これにより蓋体の表面
均一性を高めると共に平滑性を高め、平滑なＡｕ層を得
られるため、薄いＡｕ層でもセラミック製基体に設けた
ろう材と良好な接合を実現できるという作用効果が得ら
れる。
【００２２】本発明の請求項８に記載の発明は、第１の
金属層はメッキにより形成したという構成を有してお
り、これにより簡単な方法で第１の金属層を形成するこ
とができるという作用効果が得られる。
【００２３】本発明の請求項９に記載の発明は、第１の
金属層はクラッドにより形成したという構成を有してお
り、これにより第１の金属層を容易に安価に形成するこ
とができるという作用効果が得られる。
【００２４】本発明の請求項１０に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部および／または側壁部上面は内側
または外側へ反っているという構成を有しており、これ
によりセラミック製基体の側壁部および／または側壁部
上面が内側へ反っていてもろう材により気密封止するこ
とができるという作用効果が得られる。
【００２５】本発明の請求項１１に記載の発明は、セラ
ミック製基体に配設したろう材は、封止する前に予め熱
処理した後洗浄を施すという構成を有しており、これに
よりろう材をメタル化すると共に、ろう材中に含まれる
フラックスを予め除去することができるため、セラミッ
ク製基体およびろう材の取り扱いを容易にすると共に、
セラミック製基体に内蔵する電子部品へのフラックスの
影響を除去することができる。
【００２６】本発明の請求項１２に記載の発明は、メタ
ライズ層の上に第２の金属層を形成したという構成を有
しており、これによりメタライズ層の酸化を防止すると
共に濡れ性を良くすることができるため、接合性、気密
性を良くすることができるという作用効果が得られる。
【００２７】本発明の請求項１３に記載の発明は、第２
の金属層はＡｕ、Ｎｉ、Ｓｎの単一層またはそれらを複
数層重ねたもののいずれかであるという構成を有してお
り、これによりメタライズ層の酸化を防止すると共に濡
れ性を良くすることができるため、接合性、気密性を良
くすることができるという作用効果が得られる。
【００２８】本発明の請求項１４に記載の発明は、第２
の金属層はメッキにより形成したという構成を有してお
り、これにより薄い膜厚の第２の金属層を容易に形成す
ることができるという作用効果が得られる。
【００２９】本発明の請求項１５に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で、蓋体と対向する部分にメ
タライズ層を設けると共にメタライズ層の上に環状で連
続したろう材を設け、蓋体の少なくともセラミック製基
体と対向する面に第１の金属層を設け、セラミック製基
体の凹部に電子部品を配設し、セラミック製基体と前記
蓋体を対向させ、ろう材を溶融させて封止したデバイス
という構成を有しており、これによりセラミック製基体
が反っていても蓋体の平坦性を維持しながらセラミック
製基体と蓋体との間にできる隙間を小さくすることがで
きるため、接合性を高められると共に、ろう材を蓋体に
対向する部分にのみ設けることによりろう材の使用量を
削減することができるため、デバイスのコストを低減す
ることができるという作用効果が得られる。
【００３０】本発明の請求項１６に記載の発明は、電子
部品は弾性表面波素子であるという構成を有しており、
これにより弾性表面波素子を内蔵し気密性に優れたデバ
イスを得ることができるという作用効果が得られる。
【００３１】本発明の請求項１７に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で、蓋体と対向する部分にメ
タライズ層を設けると共に、メタライズ層の上に少なく
とも１箇所以上の不連続部を有するろう材を設け、蓋体
の少なくともセラミック製基体と対向する面に第１の金
属層を設け、セラミック製基体と蓋体を対向させ、ろう
材を溶融させ、封止した気密封止パッケージという構成
を有しており、これによりセラミック製基体が反ってい
ても蓋体の平坦性を維持しながらセラミック製基体と蓋
体との間にできる隙間を小さくすることができ、接合性
を高められると共に、ろう材を蓋体に対向する部分に不
連続部を有して設けることにより、ろう材が溶融して封
止する際にろう材がパッケージの外側へ突き出すのを抑
制し、気密不良、外観不良を低減することができると共
に、ろう材の使用量を削減することができるため、コス
トを低減することができるという作用効果が得られる。
【００３２】本発明の請求項１８に記載の発明は、ろう
材の不連続部はセラミック製基体の角部であるという構
成を有しており、これにより封止時にセラミック製基体
の角部のろう材の不連続部を通してセラミック製基体の
凹部の内圧が上昇するのを抑制すると共に角部でのろう
材量を減らすことができるため、ろう材がパッケージの
外側へ突き出し、気密不良、外観不良となるのを抑制す
ることができると共に、ろう材の使用量を削減でき、コ
ストを低減することができるという作用効果が得られ
る。
【００３３】本発明の請求項１９に記載の発明は、蓋体
の形状からろう材のはみ出し量が０．２ｍｍ以下である
という構成を有しており、これによりろう材の使用量を
削減することができるため、コストを低減することがで
きるという作用効果が得られる。
【００３４】本発明の請求項２０に記載の発明は、メタ
ライズ層の材質はＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかであ
るという構成を有しており、これによりセラミック製基
体とろう材を良好に接合することができるという作用効
果が得られる。
【００３５】本発明の請求項２１に記載の発明は、ろう
材の材質はＡｇろう、Ａｕろう、Ｎｉろう、半田ろう、
Ａｕ−Ｓｎろうのいずれかであるという構成を有してお
り、これによりセラミック製基体と蓋体を良好に接合す
ることができるという作用効果が得られる。
【００３６】本発明の請求項２２に記載の発明は、蓋体
は金属であるという構成を有しており、これにより蓋体
の加工を容易にし平坦性および平滑性を確保し易くなる
と共に蓋体に担持させる第１の金属層をクラッドなどの
方法で容易に作製することができるという作用効果が得
られる。
【００３７】本発明の請求項２３に記載の発明は、第１
の金属層はＮｉ層またはＮｉ層の上にＡｕ層を設けたも
のであるという構成を有しており、これによりセラミッ
ク製基体と蓋体の接合性、気密性を良くすることができ
るという作用効果が得られる。
【００３８】本発明の請求項２４に記載の発明は、第１
の金属層はメッキにより形成したという構成を有してお
り、これにより蓋体に第１の金属層を容易に形成するこ
とができるという作用効果が得られる。
【００３９】本発明の請求項２５に記載の発明は、第１
の金属層はクラッドにより形成したという構成を有して
おり、これにより蓋体に第１の金属層を予め容易に形成
することができるという作用効果が得られる。
【００４０】本発明の請求項２６に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部および／または前記側壁部上面は
内側または外側へ反っているという構成を有しており、
これによりセラミック製基体が反っていてもろう材と第
１の金属層の濡れ性を良くすることができるため、セラ
ミック製基体と蓋体の接合性、気密性を良くすることが
できるという作用効果が得られる。
【００４１】本発明の請求項２７に記載の発明は、セラ
ミック製基体に配設したろう材は、封止する前に予め熱
処理した後洗浄を施すという構成を有しており、これに
よりろう材をメタル化すると共に、ろう材中に含まれる
フラックスを予め除去することができるため、セラミッ
ク製基体およびろう材の取り扱いを容易にすると共に、
セラミック製基体に内蔵する電子部品へのフラックスの
影響を除去することができる。
【００４２】本発明の請求項２８に記載の発明は、メタ
ライズ層の上に第２の金属層を形成したという構成を有
しており、これによりメタライズ層の酸化を防止すると
共に濡れ性を良くすることができるため、接合性、気密
性を良くすることができるという作用効果が得られる。
【００４３】本発明の請求項２９に記載の発明は、第２
の金属層はＡｕ、Ｎｉ、Ｓｎの単一層またはそれらを複
数層重ねたもののいずれかであるという構成を有してお
り、これによりメタライズ層の酸化を防止すると共に濡
れ性を良くすることができるため、接合性、気密性を良
くすることができるという作用効果が得られる。
【００４４】本発明の請求項３０に記載の発明は、第２
の金属層はメッキにより形成したという構成を有してお
り、これにより薄い膜厚の第２の金属層を容易に形成す
ることができるという作用効果が得られる。
【００４５】本発明の請求項３１に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で、蓋体と対向する部分にメ
タライズ層を設けると共にメタライズ層の上に少なくと
も１箇所以上の不連続部を有するろう材を設け、蓋体の
少なくともセラミック製基体と対向する面に第１の金属
層を設け、セラミック製基体の凹部に電子部品を配設
し、セラミック製基体と蓋体を対向させ、ろう材を溶融
させ、封止したデバイスという構成を有しており、これ
により気密性、外観に優れたデバイスを得ることができ
るという作用効果が得られる。
【００４６】本発明の請求項３２に記載の発明は、電子
部品は弾性表面波素子であるという構成を有しており、
これにより気密性、外観に優れた弾性表面波素子を内蔵
したデバイスを得ることができるという作用効果が得ら
れる。
【００４７】本発明の請求項３３に記載の発明は、凹部
を有するセラミック製基体と蓋体をろう材にて封止した
気密封止パッケージであって、セラミック製基体の側壁
部上面で蓋体と対向する部分にメタライズ層を設けると
共に、メタライズ層の上に少なくとも１箇所以上の不連
続部を有するろう材を設け、封止した後ろう材の不連続
部でのろう材のはみ出し量がろう材の不連続部以外の場
所でのろう材のはみ出し量よりも少ない気密封止パッケ
ージという構成を有しており、これによりろう材の不連
続部でのろう材のはみ出し量を少なくすることができる
ため、接合性、気密性、外観に優れた気密封止パッケー
ジを得ることができるという作用効果が得られる。
【００４８】本発明の請求項３４に記載の発明は、ろう
材の不連続部はセラミック製基体の側壁部の角部である
という構成を有しており、これにより封止時にセラミッ
ク製基体の角部のろう材の不連続部を通してセラミック
製基体の凹部の内圧が上昇するのを抑制することができ
るため、ろう材がパッケージの外側へ突き出すのを抑制
し、気密不良、外観不良を低減することができると共
に、セラミック製基体の角部でのろう材の使用量を削減
でき、コストを低減することができるという作用効果が
得られる。
【００４９】本発明の請求項３５に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で蓋体と対向する部分にメタ
ライズ層を設けると共にメタライズ層の上に少なくとも
１箇所以上の不連続部を有するろう材を設け、封止した
後ろう材の不連続部でのろう材のはみ出し量がろう材の
不連続部以外の場所でのろう材のはみ出し量よりも少な
いデバイスという構成を有しており、これによりろう材
のない部分を設けることによりろう材量を調整すること
ができるため、ろう材がパッケージの外側へ突き出すの
を抑制し、気密不良、外観不良を低減することができる
と共に、ろう材の使用量を削減でき、コストを低減する
ことができるという作用効果が得られる。
【００５０】本発明の請求項３６に記載の発明は、ろう
材の不連続部はセラミック製基体の側壁部の角部である
という構成を有しており、これにより角部でのろう材量
を調整することができるため、ろう材がパッケージの外
側へ突き出すのを抑制し、気密不良、外観不良を低減す
ることができると共に、ろう材の使用量を削減でき、コ
ストを低減することができるという作用効果が得られ
る。
【００５１】本発明の請求項３７に記載の発明は、電子
部品は弾性表面波素子であるという構成を有しており、
これにより弾性表面波素子を内蔵し、気密性、外観に優
れたデバイスを得ることができるという作用効果が得ら
れる。
【００５２】本発明の請求項３８に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で蓋体と対向する部分にメタ
ライズ層を設けると共に、メタライズ層の上に環状で連
続したろう材を設け、蓋体の少なくともセラミック製基
体と対向する面に第１の金属層を設け、セラミック製基
体と蓋体を対向させ、ろう材を溶融させて封止した状態
で、蓋体の外周部にろう材のフィレットがほとんどない
気密封止パッケージという構成を有しており、これによ
りろう材がパッケージの外周部へはみ出すのを抑制し、
気密不良、外観不良を低減することができるという作用
効果が得られる。
【００５３】本発明の請求項３９に記載の発明は、セラ
ミック製基体の側壁部上面で蓋体と対向する部分にメタ
ライズ層を設けると共に、メタライズ層の上に少なくと
も１箇所以上の不連続部を有するろう材を設け、蓋体の
少なくともセラミック製基体と対向する面に第１の金属
層を設け、セラミック製基体と蓋体を対向させ、ろう材
を溶融させて封止した状態で、蓋体の外周部にろう材の
フィレットがほとんどない気密封止パッケージという構
成を有しており、これによりろう材がパッケージの外周
部へはみ出すのを抑制し、気密不良、外観不良を低減す
ることができると共に、ろう材の使用量を削減でき、コ
ストを低減することができるという作用効果が得られ
る。
【００５４】本発明の請求項４０に記載の発明は、フィ
レットがほとんどない部分は少なくとも１箇所以上の不
連続部を有するろう材を設けた周辺部分であるという構
成を有しており、これにより少ないろう材量で効率良く
接合、封止することができると共に、ろう材の使用量を
削減でき、コストを低減することができるという作用効
果が得られる。
【００５５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下に本発明の
実施の形態１を用いて、本発明の請求項１〜１６、３８
について説明する。
【００５６】図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけ
るデバイスを封止する前の部材の状態を示す断面図、図
１（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるデバイスのろ
う材が溶融する前の状態を示す断面図、図２（ａ）は同
蓋体のセラミック製基体に対向する面の状態を示す平面
図、図２（ｂ）は同セラミック製基体にろう材を塗布し
た状態を示す平面図である。
【００５７】図１において、１は弾性表面波素子、２は
弾性表面波素子に設けたパッド電極、３はバンプ、４は
引き出し電極、５は外部端子電極、６はセラミック製基
体、７はセラミック製基体６の側壁部、８はメタライズ
層、９はろう材、１０は蓋体、１１は第１の金属層、１
２は第２の金属層、１３はろう材９と第１の金属層１１
の隙間である。
【００５８】なお、図１、図２は実施の形態１を模式的
に示したものであり、それぞれの厚みや寸法の相対的な
関係を示したものではない。
【００５９】このように本発明では、図１、図２に示し
たようにセラミック製基体６の側壁部７の上面で、蓋体
１０と対向する部分にメタライズ層８を設けると共にメ
タライズ層８の上に側壁部７上面の内周に近接してろう
材９を設け、蓋体１０の少なくともセラミック製基体６
と対向する面に第１の金属層１１を設け、セラミック製
基体６と蓋体１０を対向させ、ろう材９を溶融させて封
止する構成にすることにより、セラミック製基体６の側
壁部７が内側または外側に反っていてもセラミック製基
体６と蓋体１０との間隔を狭くし、ろう材９と第１の金
属層１１の間に例えば図５（ｃ）に示した空隙部５３な
どが形成されないようにすると共に、ろう材９の表面状
態を平滑にすることによりろう材９の濡れ性を改善し、
接合状態を良くすることができることに着目したもので
ある。
【００６０】本発明による弾性表面波素子をパッケージ
に内蔵したデバイスは以下のようにして作製する。
【００６１】ドクターブレード法などによりＡｌ2Ｏ3を
主成分とするグリーンシートを作製し、所定寸法に切断
する。グリーンシートの一部は打ち抜きなどの方法によ
り開口を設ける。
【００６２】次に、グリーンシートの所定部分にＷなど
からなる導電ペーストをスクリーン印刷などの方法で塗
布し、引き出し電極４用の電極を塗布する。
【００６３】次に、グリーンシートと、開口部を有する
グリーンシートを所定場所に所定の枚数積層し、凹部を
有し引き出し電極４を形成した積層体を得た後、切断し
て個片に分割する。
【００６４】次に、積層体の側壁部７の上面およびセラ
ミック製基体６の端面にＷなどからなる導体ペーストを
スクリーン印刷などの方法で塗布し、その後電気炉など
で１５００℃で６時間焼成し、引き出し電極４、メタラ
イズ層８、外部端子電極５を設けたセラミック製基体６
を得る。また、メタライズ層８の材質としてはＷに代え
てＭｏなどの融点の高い金属を用いてもかまわない。
【００６５】次に、引き出し電極４、メタライズ層８、
外部端子電極５の表面に電解法などにより膜厚が１〜７
μｍのＮｉメッキの上に膜厚が０．２〜１μｍのＡｕメ
ッキなどからなる第２の金属層１２を設ける。なお、電
解法に代えて無電解法を用いる場合の膜厚は、Ａｕメッ
キが０．５〜１．５μｍにすることが望ましい。なお、
メッキの材質としては耐酸化性、濡れ性を考慮してＡｕ
メッキまたはＮｉメッキ、Ｓｎメッキなどを単一層また
は複数層重ねて設けることが望ましい。
【００６６】一方、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの合金からな
る金属を所定寸法に切断した蓋体１０にＡｕ又はＮｉな
どをメッキまたは圧延などの方法によりクラッド接合す
ることにより第１の金属層１１を形成する。第１の金属
層１１をメッキで形成する場合、電解法により膜厚が１
〜１０μｍのＮｉメッキを形成し、さらに電解法により
膜厚が０．１〜１μｍのＡｕメッキを施す。なお、電解
法に代えて無電解法を用いる場合の膜厚は、Ｎｉメッキ
が１〜１０μｍ、Ａｕメッキが０．５〜１．５μｍにす
ることが望ましい。
【００６７】なお、蓋体１０の材質はセラミックでも金
属でもかまわないが、セラミックを用いた場合担持させ
る第１の金属層１１の厚みを薄くできないため、例えば
第１の金属層１１の材質としてＡｕなどを用いた場合材
料コストが高くなってしまう。一方蓋体１０の材質とし
て金属を用いた場合、担持させる第１の金属層１１を例
えば圧延などの方法を用いて１０〜４０μｍのように薄
く形成することができるため、例えば第１の金属層１１
の材質としてＡｕ合金などを用いた場合でも材料コスト
を低く抑えることができる。従って、蓋体１０の材質と
しては金属を用いる方が望ましい。
【００６８】また、蓋体１０に設けた第１の金属層１１
は全面に設けても、片面にのみ設けても、主平面にのみ
設けてもいずれであってもかまわない。また、第１の金
属層１１の材質としては、接合の密着性を向上させ異種
金属との合金化を抑制できるＮｉなどの金属の上に濡れ
性を良くするためにＡｕなどの金属を用いるのが有効で
ある。第１の金属層１１としては複数の金属を重ねる例
を示したが、目的に応じて１種類の金属により形成して
もかまわない。例えば濡れ性を良くするためにＡｕなど
により第１の金属層１１を形成してもよい。
【００６９】また、第１の金属層１１を形成する方法と
してはメッキやクラッドなどを用いることができるが、
メッキを用いた場合第１の金属層１１の厚みを薄くする
ことができるため、例えばＡｕなどの高価な金属であっ
てもコスト的に判断しても用いることが可能となる。ま
た、クラッドにより第１の金属層１１を形成した場合は
予め大きな金属板にクラッドさせたものを個片に切断す
ることにより、簡易な方法で大量に蓋体１０を形成する
ことができる。
【００７０】次に、得られたセラミック製基体６の側壁
部７の上面にセラミック製基体６の側壁部７の上面の内
周に近接して、蓋体１０と対向する部分にＡｕ−Ｓｎな
どからなるろう材９を設ける。ろう材９は塗布したまま
の状態で封止に用いてもよいが、予め熱処理することに
よりろう材９を一旦溶融し表面状態を平滑にした上で封
止に用いる方が濡れ性が安定するため接合性、気密性を
安定させることができる。ろう材９の材質としてはＡｕ
−Ｓｎの合金に代えて、Ａｇ−Ｓｎの合金又はその混合
物、Ｐｂ−Ｓｎ系半田又はＡｕ系ろう、Ａｇ系ろう、Ｓ
ｎ系ろうなどを用いてもかまわない。
【００７１】次に弾性表面波素子１のパッド電極２にＡ
ｕなどからなるバンプを形成し、セラミック製基体６の
凹部に設けた引き出し電極４と位置を調整して弾性表面
波素子１をセラミック製基体６にフェイスダウン実装す
る。
【００７２】次に、セラミック製基体６の開口部に蓋体
１０を第１の金属層１１を設けた面を対向させ、位置合
わせして重ね合わせ、押圧しながら約３５０℃で熱処理
し、セラミック製基体６と蓋体１０を封止し、弾性表面
波素子１が内部に封止されたデバイスを得る。
【００７３】側壁部７が内側へ反っている場合、セラミ
ック製基体６の側壁部７の上面で、蓋体１０と対向する
部分にメタライズ層８を設けると共に、メタライズ層８
の上に環状で連続したろう材９を設け、蓋体１０と対向
した部分にのみろう材９を形成することにより、必要な
部分にのみろう材９を設けることができ、ろう材９の使
用量を削減し、材料コストを低減することができる。こ
れによりセラミック製基体６と蓋体１０の間で蓋体１０
からはみ出すろう材９の量を少なくすることができ、ろ
う材９のはみ出しによる外観不良を低減することができ
る。
【００７４】本実施の形態１の場合はみ出し量は０．１
ｍｍであったが、ばらつきを考慮してもはみ出し量を
０．２ｍｍ以下にすることができる。また、ろう材９が
広がりやすくなり盛り上がりを小さくすることができる
ため、ろう材９が溶融する前の状態では、ろう材９と第
１の金属層１１との間にできる隙間１３を小さくするこ
とができる。従って、溶融したろう材により埋めなけれ
ばならない隙間を小さくすることができるため、接合性
および気密性を改善することができる。
【００７５】以上に示したように本発明によれば、セラ
ミック製基体６の側壁部７の上面で、蓋体１０と対向す
る部分にメタライズ層８を設けると共にメタライズ層８
の上に側壁部７上面の内周に近接してろう材９を設け、
蓋体１０の少なくともセラミック製基体６と対向する面
に第１の金属層１１を設け、セラミック製基体６と蓋体
１０を対向させ、ろう材９を溶融させて封止する構成に
することにより、セラミック製基体６の側壁部７が内側
または外側に反っていてもセラミック製基体６と蓋体１
０との間隔を狭くでき、ろう材９と第１の金属層１１の
間に空隙部５３が形成されないようにすると共に、ろう
材９の濡れ性を改善し、接合性および気密性を改善する
ことができると共に、ろう材９の使用量を削減し、材料
コストを低減でき、蓋体１０からはみ出すろう材９の量
を少なくすることができ、ろう材９のはみ出しによる外
観不良を低減することのできる気密封止パッケージおよ
びこれを用いたデバイスを得ることができる。
【００７６】（実施の形態２）以下に本発明の実施の形
態２を用いて、本発明の請求項１７〜３７，３９，４０
について説明する。
【００７７】図３は本発明の実施の形態２におけるデバ
イスのろう材が溶融する前の状態を示す断面図、図４
（ａ）は本発明の実施の形態２における蓋体のセラミッ
ク製基体に対向する面の状態を示す平面図、図４（ｂ）
は本発明の実施の形態２におけるセラミック製基体にろ
う材を塗布した状態を示す平面図である。
【００７８】図３、図４において実施の形態１の図１
（ａ）、図１（ｂ）で説明したものと同一のものは同一
番号を付与し、詳細な説明は省略する。
【００７９】本実施の形態２の図３、図４（ａ）、図４
（ｂ）と実施の形態１の図１（ｂ）、図２（ａ）、図２
（ｂ）とで相違する点は、セラミック製基体６の材質、
セラミック製基体６の焼成温度、メタライズ層８の材
質、セラミック製基体６の側壁部７の上面に設けたろう
材３０の形状である。
【００８０】すなわち、実施の形態１においては、セラ
ミック製基体６の材質はＡｌ2Ｏ3、セラミック製基体６
の焼成温度は１５００℃、メタライズ層８の材質はＷ、
ろう材９の形状は環状の連続した形状であるが、本実施
の形態２においては、セラミック製基体６の材質はＢａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系のセラミック組成に、ＢａＯ
−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系のガラス組成を添加したものであ
り、セラミック製基体６の焼成温度は９００℃、メタラ
イズ層８の材質はＡｇ、ろう材３０の形状は少なくとも
１箇所以上の不連続部を有する形状であるという構成に
したものであり、それ以外は実施の形態１と同様にして
弾性表面波素子をセラミック製基体６に内蔵したデバイ
スを作製した。
【００８１】図４（ｂ）において、ろう材３０はセラミ
ック製基体６の側壁部７の上面で、蓋体１０と対向する
部分にメタライズ層８を設けると共にメタライズ層８の
上に、側壁部７の上面の内周に近接し、角部３１に不連
続部を有するように設けることにより、溶融したろう材
３０が角部３１に集まることがないためろう材３０の盛
り上がり量をより少なくすることができ、第１の金属層
１１とろう材３０の間の隙間１３をより小さくすること
ができる。
【００８２】また、ろう材３０を角部３１に不連続部を
有するように設けることにより、ろう材３０が溶融する
前の状態ではセラミック製基体６の凹部と外部がつなが
っているため、ろう材３０を溶融するために熱が加わっ
てもセラミック製基体６の凹部の内圧が高くならないよ
うにすることができる。
【００８３】すなわち、セラミック製基体６の側壁部７
の上面で、蓋体１０と対向する部分にメタライズ層８を
設けると共にメタライズ層８の上に側壁部７の上面の内
周に近接し、角部３１に不連続部を有するようにろう材
３０を設けることにより、第１の金属層１１とろう材３
０の間の隙間１３をより小さくすることができ、溶融し
たろう材３０で埋めなければならない領域をさらに小さ
くすることができるため、セラミック製基体６と蓋体１
０の接合性、気密性をさらに高めることができると共
に、ろう材３０の溶融時にセラミック製基体６の凹部の
内圧が高くならないためろう材３０が外部へはみ出すこ
とをなくせるため、外観不良を低減することができる。
【００８４】なお、角部３１に設けたろう材３０の不連
続部は少なくとも１箇所あればセラミック製基体６の内
圧を下げることができ外観不良の発生を抑制できるが、
複数箇所あれば内圧を下げる効果をさらに高めることが
できる。
【００８５】また、ろう材３０の不連続部を角部３１以
外の場所に設けてもセラミック製基体６の内圧を下げる
ことができ、外観不良の発生を抑制できるため、角部３
１以外の場所にろう材３０の不連続部を設けてもかまわ
ない。
【００８６】また、ろう材３０の盛り上がりはセラミッ
ク製基体６の角部３１が最も大きくなるため、角部３１
にろう材３０の不連続部を設けることによりろう材３０
の盛り上がりを全体的に小さくすることができ、セラミ
ック製基体６と蓋体１０の接合性、気密性を効率よく改
善することができる。
【００８７】従って、実施の形態１と比較すると、セラ
ミック製基体６の角部３１全てにろう材３０の不連続部
を設けることにより、セラミック製基体６の内圧を下げ
ると共にろう材３０の盛り上がりを小さくすることがで
き、ろう材３０のはみ出しによる外観不良を抑制すると
共に、セラミック製基体６と蓋体１０の接合性、気密性
にさらに優れた気密封止パッケージおよびこれを用いた
デバイスを得ることができる。
【００８８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、セラミッ
ク製基体の側壁部の上面で、蓋体と対向する部分にメタ
ライズ層を設けると共に、メタライズ層の上に側壁部の
上面の内周に近接してろう材を設け、蓋体の少なくとも
セラミック製基体と対向する面に第１の金属層を設け、
セラミック製基体と蓋体を対向させ、ろう材を溶融させ
て封止する構成にすることにより、セラミック製基体の
側壁部が内側または外側に反っていてもセラミック製基
体と蓋体との間隔を狭くでき、ろう材と第１の金属層の
間に空隙部が形成されないようにすると共に、ろう材の
下地にメタライズ層を設けることによりろう材の表面状
態をより平滑にすることによりろう材の濡れ性を改善
し、接合性および気密性に優れた気密封止パッケージお
よびこれを用いたデバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるデバイス
の封止する前の部材の状態を示す断面図 （ｂ）本発明の実施の形態１におけるデバイスのろう材
が溶融する前の状態を示す断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１における蓋体のセ
ラミック製基体に対向する面の状態を示す平面図 （ｂ）本発明の実施の形態１におけるセラミック製基体
にろう材を塗布した状態を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるデバイスのろう
材が溶融する前の状態を示す断面図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２における蓋体のセ
ラミック製基体に対向する面の状態を示す平面図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるセラミック製基体
にろう材を塗布した状態を示す平面図
【図５】（ａ）従来例におけるデバイスの封止する前の
部材の状態を示す断面図 （ｂ）従来例におけるデバイスのろう材が溶融する前の
状態を示す断面図 （ｃ）従来例におけるデバイスのろう材が溶融した後の
状態を示す断面図
【図６】（ａ）従来例における蓋体のセラミック製基体
に対向する面の状態を示す平面図 （ｂ）従来例におけるセラミック製基体の蓋体に対向す
る面の状態を示す平面図
【符号の説明】
１ 弾性表面波素子 ２ パッド電極 ３ バンプ ４ 引き出し電極 ５ 外部端子電極 ６ セラミック製基体 ７ 側壁部 ８ メタライズ層 ９ ろう材 １０ 蓋体 １１ 第１の金属層 １２ 第２の金属層 １３ ろう材と第１の金属層の隙間 ３０ ろう材 ３１ 角部 ５０ メタライズ層 ５１ 第３の金属層 ５２ ろう材 ５３ 空隙部 ５４ 角部 ５５ 蓋体周辺の中央部 ５６ 第４の金属層 ５７ フィレット
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/08 Ｈ０１Ｌ 23/08 Ｃ Ｈ０３Ｈ 9/25 Ｈ０３Ｈ 9/25 Ａ

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 凹部を有するセラミック製基体と、この
    セラミック製基体を封止するための蓋体からなり、前記
    セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する部
    分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層の
    上に環状で連続したろう材を設け、前記蓋体の少なくと
    も前記セラミック製基体と対向する面に第１の金属層を
    設け、前記セラミック製基体と前記蓋体を対向させ、前
    記ろう材を溶融させて封止した気密封止パッケージ。
  2. 【請求項２】 蓋体からのろう材のはみ出し量が０．２
    ｍｍ以下である請求項１に記載の気密封止パッケージ。
  3. 【請求項３】 メタライズ層の材質はＷ、Ｍｏ、Ａｇ、
    Ｃｕのいずれかである請求項１に記載の気密封止パッケ
    ージ。
  4. 【請求項４】 ろう材はセラミック製基体の側壁部上面
    の内周に近接して部分的に設けた請求項１に記載の気密
    封止パッケージ。
  5. 【請求項５】 ろう材の材質はＡｇろう、Ａｕろう、Ｎ
    ｉろう、半田ろう、Ａｕ−Ｓｎろう、Ａｇ−Ｓｎろうの
    いずれかである請求項１に記載の気密封止パッケージ。
  6. 【請求項６】 蓋体は金属である請求項１に記載の気密
    封止パッケージ。
  7. 【請求項７】 第１の金属層はＮｉ層またはＮｉ層の上
    にＡｕ層を設けたものである請求項１に記載の気密封止
    パッケージ。
  8. 【請求項８】 第１の金属層はメッキにより形成した請
    求項１に記載の気密封止パッケージ。
  9. 【請求項９】 第１の金属層はクラッドにより形成した
    請求項１に記載の気密封止パッケージ。
  10. 【請求項１０】 セラミック製基体の側壁部および／ま
    たは前記側壁部上面は内側または外側へ反っている請求
    項１に記載の気密封止パッケージ。
  11. 【請求項１１】 セラミック製基体に配設したろう材
    は、封止する前に予め熱処理した後洗浄を施す請求項１
    に記載の気密封止パッケージ。
  12. 【請求項１２】 メタライズ層の上に第２の金属層を形
    成した請求項１に記載の気密封止パッケージ。
  13. 【請求項１３】 第２の金属層はＡｕ、Ｎｉ、Ｓｎの単
    一層またはそれらを複数層重ねたもののいずれかである
    請求項１２に記載の気密封止パッケージ。
  14. 【請求項１４】 第２の金属層はメッキにより形成した
    請求項１２に記載の気密封止パッケージ。
  15. 【請求項１５】 凹部を有するセラミック製基体と、こ
    のセラミック製基体を封止するための蓋体からなり、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に環状で連続したろう材を設け、前記蓋体の少なく
    とも前記セラミック製基体と対向する面に第１の金属層
    を設け、前記セラミック製基体の前記凹部に電子部品を
    配設し、前記セラミック製基体と前記蓋体を対向させ、
    前記ろう材を溶融させて封止したデバイス。
  16. 【請求項１６】 電子部品は弾性表面波素子である請求
    項１５に記載のデバイス。
  17. 【請求項１７】 凹部を有するセラミック製基体と、こ
    のセラミック製基体を封止するための蓋体からなり、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に少なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材
    を設け、前記蓋体の少なくとも前記セラミック製基体と
    対向する面に第１の金属層を設け、前記セラミック製基
    体と前記蓋体を対向させ、前記ろう材を溶融させて封止
    した気密封止パッケージ。
  18. 【請求項１８】 ろう材の不連続部はセラミック製基体
    の角部である請求項１７に記載の気密封止パッケージ。
  19. 【請求項１９】 蓋体からのろう材のはみ出し量が０．
    ２ｍｍ以下である請求項１７に記載の気密封止パッケー
    ジ。
  20. 【請求項２０】 メタライズ層の材質はＷ、Ｍｏ、Ａ
    ｇ、Ｃｕのいずれかである請求項１７に記載の気密封止
    パッケージ。
  21. 【請求項２１】 ろう材の材質はＡｇろう、Ａｕろう、
    Ｎｉろう、半田ろう、Ａｕ−Ｓｎろうのいずれかである
    請求項１７に記載の気密封止パッケージ。
  22. 【請求項２２】 蓋体は金属である請求項１７に記載の
    気密封止パッケージ。
  23. 【請求項２３】 第１の金属層はＮｉ層またはＮｉ層の
    上にＡｕ層を設けたものである請求項１７に記載の気密
    封止パッケージ。
  24. 【請求項２４】 第１の金属層はメッキにより形成した
    請求項１７に記載の気密封止パッケージ。
  25. 【請求項２５】 第１の金属層はクラッドにより形成し
    た請求項１７に記載の気密封止パッケージ。
  26. 【請求項２６】 セラミック製基体の側壁部および／ま
    たは前記側壁部上面は内側または外側へ反っている請求
    項１７に記載の気密封止パッケージ。
  27. 【請求項２７】 セラミック製基体に配設したろう材
    は、封止する前に予め熱処理した後洗浄を施す請求項１
    ７に記載の気密封止パッケージ。
  28. 【請求項２８】 メタライズ層の上に第２の金属層を形
    成した請求項１７に記載の気密封止パッケージ。
  29. 【請求項２９】 第２の金属層はＡｕ、Ｎｉ、Ｓｎの単
    一層またはそれらを複数層重ねたもののいずれかである
    請求項２８に記載の気密封止パッケージ。
  30. 【請求項３０】 第２の金属層はメッキにより形成した
    請求項２８に記載の気密封止パッケージ。
  31. 【請求項３１】 凹部を有するセラミック製基体と、こ
    のセラミック製基体を封止するための蓋体からなり、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に少なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材
    を設け、前記蓋体の少なくともセラミック製基体と対向
    する面に第１の金属層を設け、前記セラミック製基体の
    前記凹部に電子部品を配設し、前記セラミック製基体と
    前記蓋体を対向させ、前記ろう材を溶融させて封止した
    デバイス。
  32. 【請求項３２】 電子部品は弾性表面波素子である請求
    項３１に記載のデバイス。
  33. 【請求項３３】 凹部を有するセラミック製基体と蓋体
    をろう材にて封止した気密封止パッケージであって、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に少なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材
    を設け、封止した後前記ろう材の不連続部でのろう材の
    はみ出し量が前記ろう材の不連続部以外の場所でのろう
    材のはみ出し量よりも少なくした気密封止パッケージ。
  34. 【請求項３４】 ろう材の不連続部はセラミック製基体
    の側壁部の角部である請求項３３に記載の気密封止パッ
    ケージ。
  35. 【請求項３５】 凹部を有するセラミック製基体の前記
    凹部に電子部品を配設し、前記セラミック製基体と蓋体
    をろう材にて封止した気密封止パッケージであって、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に少なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材
    を設け、封止した後前記ろう材の不連続部でのろう材の
    はみ出し量が前記ろう材の不連続部以外の場所でのろう
    材のはみ出し量よりも少なくしたデバイス。
  36. 【請求項３６】 ろう材の不連続部はセラミック製基体
    の側壁部の角部である請求項３５に記載のデバイス。
  37. 【請求項３７】 電子部品は弾性表面波素子である請求
    項３５に記載のデバイス。
  38. 【請求項３８】 凹部を有するセラミック製基体と蓋体
    をろう材にて封止した気密封止パッケージであって、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に環状で連続したろう材を設け、前記蓋体の少なく
    とも前記セラミック製基体と対向する面に第１の金属層
    を設け、前記セラミック製基体と前記蓋体を対向させ、
    前記ろう材を溶融させて封止した状態で、前記蓋体の外
    周部に前記ろう材のフィレットがほとんどない状態とし
    た気密封止パッケージ。
  39. 【請求項３９】 凹部を有するセラミック製基体と、こ
    のセラミック製基体を封止するための蓋体からなり、前
    記セラミック製基体の側壁部上面で前記蓋体と対向する
    部分にメタライズ層を設けると共に、このメタライズ層
    の上に少なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材
    を設け、前記蓋体の少なくとも前記セラミック製基体と
    対向する面に第１の金属層を設け、前記セラミック製基
    体と前記蓋体を対向させ、前記ろう材を溶融させて封止
    した状態で前記蓋体の外周部に前記ろう材のフィレット
    がほとんどない状態とした気密封止パッケージ。
  40. 【請求項４０】 フィレットがほとんどない部分は、少
    なくとも１箇所以上の不連続部を有するろう材を設けた
    周辺部分である請求項３９に記載の気密封止パッケー
    ジ。
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