JP2000106408A - 電子部品収納用パッケージおよびこれに用いられる金属製蓋体 - Google Patents

電子部品収納用パッケージおよびこれに用いられる金属製蓋体

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JP2000106408A
JP2000106408A JP27446998A JP27446998A JP2000106408A JP 2000106408 A JP2000106408 A JP 2000106408A JP 27446998 A JP27446998 A JP 27446998A JP 27446998 A JP27446998 A JP 27446998A JP 2000106408 A JP2000106408 A JP 2000106408A
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nickel
electronic component
metal lid
metal
insulating base
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Maki Suzuki
真樹 鈴木
Masaaki Ishio
雅昭 石尾
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Kyocera Corp
Hitachi Metals Ltd
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Kyocera Corp
Sumitomo Special Metals Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基体のメタライズ金属層と金属製蓋体との
間に隙間が形成され、この隙間に水分が浸入してろう材
や蓋体に腐食を発生させ易い。 【解決手段】上面に電子部品3が搭載される搭載部1a
および該搭載部1aを取り囲むようにして被着された枠
状のメタライズ金属層5を有する絶縁基体1と、前記絶
縁基体1のメタライズ金属層5に間にろう材6を介して
エレクトロンビーム溶接により接合され、絶縁基体1と
の間で電子部品3を気密に封止する金属製蓋体2と、か
ら成る電子部品収納用パッケージであって、前記金属製
蓋体2は、鉄ーニッケル合金板もしくは鉄ーニッケルー
コバルト合金板から成る芯材2aの両面にニッケル層2
bが被着されており、かつ前記ニッケル層の合計の厚み
が金属製蓋体の厚みの10〜50%である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス等の
絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の内部に圧電振動
子や半導体素子等の電子部品を気密に収容するようにな
した電子部品収納用パッケージおよびこれに用いられる
金属製蓋体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】圧電振動子や半導体素子等の電子部品
は、これらの電子部品を気密に収容するための電子部品
収納用パッケージ内に収容されて使用される。
【0003】このような電子部品を気密に収容する電子
部品収納用パッケージにおいて、最も信頼性の高いとさ
れるものは酸化アルミニウム焼結体等のセラミックスか
ら成り、上面中央部に電子部品が搭載される搭載部を有
する絶縁基体と、この絶縁基体の上面に搭載部を取り囲
むようにして取着された鉄ーニッケル合金や鉄ーニッケ
ルーコバルト合金から成る金属枠体と、この金属枠体に
シーム溶接により接合される鉄ーニッケル合金や鉄ーニ
ッケルーコバルト合金から成る金属製蓋体とから構成さ
れるタイプのものであり、このタイプの電子部品収納用
パッケージの場合、絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載
した後、絶縁基体に取着された金属枠体に金属製蓋体を
載置するとともにこの金属製蓋体の外周縁にシーム溶接
機の一対のローラー電極を接触させながら転動させると
ともにこのローラー電極間に溶接のための大電流を流し
金属枠体に金属製蓋体をシーム溶接することによって内
部に電子部品が気密に収容される。
【0004】なお、このタイプの電子部品収納用パッケ
ージにおいて絶縁基体に取着された金属枠体は、絶縁基
体の上面に搭載部を取り囲むようにして枠状のメタライ
ズ金属層を被着させておくとともにこのメタライズ金属
層にニッケルめっき層を被着させ、しかる後、このニッ
ケルめっき層が被着されたメタライズ金属層に金属枠体
を銀ろう等のろう材を介してろう付けすることによって
取着されている。
【0005】しかしながら、このタイプの電子部品収納
用パッケージは、絶縁基体の搭載部に電子部品を搭載し
た後、絶縁基体に取着された金属枠体に金属製蓋体をシ
ーム溶接する際、シーム溶接装置のローラー電極の移動
速度が精々3mm/秒程度と遅く、そのため例えば3m
m角の金属製蓋体を絶縁基体にろう付けされた金属枠体
にシーム溶接するのに数秒程度の長時間を要するため生
産性が低いという欠点があった。
【0006】さらにこのタイプの電子部品収納用パッケ
ージは、絶縁基体に金属製蓋体をシーム溶接するための
下地金属として金属枠体が必要であり、金属枠体の分だ
けパッケージの高さが高いものとなってしまうとともに
パッケージが高価なものとなってしまうという欠点も有
していた。
【0007】そこでこのような欠点を解消するために、
例えば図3に断面図で示すように、上面中央部に電子部
品11を搭載する搭載部12aを、および上面外周部に搭載
部12aを取り囲む枠状のメタライズ金属層13を有するセ
ラミックス製の絶縁基体12と、金属製蓋体14とから構成
され、絶縁基体12の搭載部12aに電子部品11を搭載した
後、絶縁基体12のメタライズ金属層13に金属製蓋体14を
間に銀ろう等のろう材15を介してエレクトロンビーム溶
接することにより絶縁基体12と金属製蓋体14とを接合
し、内部に電子部品11を気密に封止するようになした電
子部品収納用パッケージが提案されている。
【0008】この絶縁基体12のメタライズ金属層13に金
属製蓋体14を間に銀ろう等のろう材15を介してエレクト
ロンビーム溶接により接合させることにより内部に電子
部品11を気密に収容するようになした電子部品収納用パ
ッケージは、絶縁基体12のメタライズ金属層13にニッケ
ルめっき(不図示)を2〜5μmの厚みに被着させてお
くとともにこのニッケルめっきが被着されたメタライズ
金属層13上に金属製蓋体14を間に銀ろう材等のろう材15
を挟んで載置し、しかる後、直径が約0.2mm程度の
エレクトロンビーム16を磁界によって枠状のメタライズ
金属層13に沿って移動させながら金属製蓋体14の上面に
照射し、この照射したエレクトロンビームによる熱エネ
ルギーでエレクトロンビームが照射された部分に対応す
るろう材15を溶融させることによって金属製蓋体14と絶
縁基体12とが接合される。
【0009】このように絶縁基体12のメタライズ金属層
13に金属製蓋体14を間に銀ろう等のろう材15を介してエ
レクトロンビーム溶接により接合するようになした電子
部品収納用パッケージによれば、エレクトロンビーム16
を磁界によって約300mm/秒以上の高速で移動させ
ることができ、例えば3mm角の金属製蓋体14を0.1
秒以下の極めて短時間のうちに絶縁基体12のメタライズ
金属層13に溶接することができ、このため生産性に極め
て優れる。更に溶接のための下地金属として金属枠体を
必要としないことから、その分、高さを低くすることが
でき、かつ安価である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この絶
縁基体12のメタライズ金属層13に金属製蓋体14を間に銀
ろう等のろう材15を介してエレクトロンビーム溶接によ
り接合するようになした電子部品収納用パッケージによ
れば、金属製蓋体14を構成する鉄ーニッケル合金や鉄ー
ニッケルーコバルト合金の熱拡散率が約5〜6×10-6
2 /sと小さいことから、金属製蓋体14上面に照射さ
れたエレクトロンビーム16による熱エネルギーが金属製
蓋体14中を横方向に拡散しにくく、そのため金属製蓋体
14上面に直径が0.2mm程度のエレクトロンビーム16
を照射すると、図4に断面図で示すように、エレクトロ
ンビーム16の照射幅に対応する狭い幅でのみろう材15が
溶融し、一般にその幅が0.3〜0.5mm程度である
メタライズ金属層13と金属製蓋体14との間に配置された
ろう材15を十分な幅にわたり溶融させることができず、
その結果、メタライズ金属層13と金属製蓋体14との間に
隙間17が形成され、この隙間17に大気中の水分が浸入し
てろう材15や金属製蓋体14に腐食を発生させ易いという
欠点を有していた。
【0011】本発明は、かかる欠点に鑑み案出されたも
のであり、その目的は、直径が小さなエレクトロンビー
ムを金属製蓋体上面に照射しても、エレクトロンビーム
の照射幅よりも広い幅でろう材を溶融させることがで
き、その結果、絶縁基体のメタライズ金属層と金属製蓋
体との間に隙間を形成することなく両者を接合して大気
中の水分によるろう材や金属製蓋体の腐食を有効に防止
することが可能な電子部品収納用パッケージおよびこれ
に用いられる蓋体を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、上面に電子部品が搭載される搭載部およ
び該搭載部を取り囲むようにして被着された枠状のメタ
ライズ金属層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体のメタ
ライズ金属層に間にろう材を介してエレクトロンビーム
溶接により接合され、前記絶縁基体との間で電子部品を
気密に封止する金属製蓋体と、から成る電子部品収納用
パッケージであって、前記金属製蓋体は、鉄ーニッケル
合金板もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金板から成る
芯材の両面にニッケル層を被着させて形成されており、
かつ前記ニッケル層の合計厚みが金属製蓋体の厚みの1
0〜50%であることを特徴とするものである。
【0013】また本発明の金属製蓋体は、電子部品が搭
載された絶縁基体にエレクトロンビーム溶接により接合
される金属製蓋体であって、前記金属製蓋体は、鉄ーニ
ッケル合金板もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金板か
ら成る芯材の両面にニッケル層を被着させて形成されて
おり、かつ前記ニッケル層の合計厚みが金属製蓋体の厚
みの10〜50%であることを特徴とするものである。
【0014】本発明の電子部品収納用パッケージおよび
これに用いられる金属製蓋体によれば、金属製蓋体は、
鉄ーニッケル合金板もしくは鉄ーニッケルーコバルト合
金板から成る芯材の両面にニッケル層を被着させて形成
されており、かつこれらのニッケル層の合計厚みが金属
製蓋体の厚みの10〜50%であることから、金属製蓋
体の上面にエレクトロンビームを照射すると、エレクト
ロンビームによる熱エネルギーが鉄ーニッケル合金や鉄
ーニッケルーコバルト合金板から成る芯材の両面に被着
させたニッケル層で横方向に良好に拡散し、その結果、
エレクトロンビームの照射幅に対して広い幅でろう材を
溶融させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の電子部品収納用パ
ッケージおよびこれに用いられる金属製蓋体を添付の図
面を基に説明する。
【0016】図1は、本発明の電子部品収納用パッケー
ジおよびこれに用いられる金属製蓋体の実施の形態の一
例を示した断面図であり、1は絶縁基体、2は金属製蓋
体、3は電子部品である。
【0017】絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成
る。そしてその上面側に電子部品3を収容するための凹
部Aが形成されており、凹部A底面には電子部品3が搭
載される搭載部1aを有している。
【0018】この絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレ
ンダーロール法を採用することによってセラミックグリ
ーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層
し、高温で焼成することによって製作される。
【0019】また絶縁基体1には、搭載部1a上面から
絶縁基体1の下面にかけて導出するタングステン、モリ
ブデン等の金属粉末焼結体から成るメタライズ配線層4
が被着形成されている。
【0020】メタライズ配線層4は、凹部A内に収容さ
れる電子部品3の各電極を外部に電気的に導出するため
の導電路として機能し、その搭載部1a上面部位には電
子部品3の電極が例えば導電性接着剤を介して電気的に
接続され、またその絶縁基体1の下面に導出した部位は
外部電気回路基板(不図示)の配線導体に例えば半田を
介して電気的に接続される。
【0021】メタライズ配線層4は、例えばタングステ
ン粉末焼結体から成る場合、タングステン粉末に適当な
有機バインダー、溶剤を添加混合して得たタングステン
ペーストを絶縁基体1となるセラミックグリーンシート
に従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印
刷塗布し、これを絶縁基体1となるセラミックグリーン
シートとともに焼成することによって絶縁基体1の搭載
部1a上面から下面にかけて所定パターンに被着導出さ
れる。
【0022】なお、メタライズ配線層4は、その露出す
る表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、かつ半田との
濡れ性に優れる金属をメッキ法により1.0〜20.0
μmの厚みに被着させておくとメタライズ配線層4の酸
化腐食を有効に防止することができるとともにメタライ
ズ配線層4と外部電気回路基板の配線導体との接続を強
固なものとなすことができる。従って、メタライズ配線
層4の表面にはニッケル、金等の耐食性に優れ、かつ半
田との濡れ性に優れる金属をメッキ法により1.0乃至
20.0μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0023】また絶縁基体1の上面外周部には搭載部1
aを取り囲むようにして枠状のメタライズ金属層5が被
着形成されている。
【0024】メタライズ金属層5は、タングステン、モ
リブデン、銅、銀、銀−パラジウム等の金属粉末焼結体
から成り、金属製蓋体2を絶縁基体1にエレクトロンビ
ーム溶接させるための下地金属として機能し、このメタ
ライズ金属層5には、金属製蓋体2が両者の間にろう材
6を介してエレクトロンビーム溶接される。
【0025】メタライズ金属層5は、例えばタングステ
ン粉末焼結体から成る場合、タングステン粉末に適当な
有機バインダー、溶剤を添加混合して得たタングステン
ペーストを絶縁基体1となるセラミックグリーンシート
上に従来周知のスクリーン印刷法を採用して予め所定厚
み、所定パターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1とな
るセラミックグリーンシートとともに焼成することによ
って絶縁基体1の上面に搭載部1aを取り囲むようにし
て枠状に被着形成される。
【0026】なお、前記メタライズ金属層5はその表面
にニッケル、金等の耐食性に優れ、かつろう材との濡れ
性に優れる金属をメッキ法により1.0〜20.0μm
の厚みに被着させておくと、メタライズ金属層5が酸化
腐食するのを有効に防止することができるとともにメタ
ライズ金属層5と金属製蓋体2とのろう材6を介した溶
接を強固なものとなすことができる。従って、前記メタ
ライズ金属層5の表面にはニッケルや金等の耐食性に優
れ、かつろう材との濡れ性に優れる金属をメッキ法によ
り1.0〜20.0μmの厚みに被着させておくことが
好ましい。
【0027】また絶縁基体1のメタライズ金属層5に間
にろう材6を介してエレクトロンビーム溶接される金属
製蓋体2は、鉄ーニッケル合金板あるいは鉄ーニッケル
ーコバルト合金板から成る芯材2aの両面にニッケル層
2bを、これらニッケル層2bの合計厚みが蓋体2の厚
みの10〜50%となるようにして被着させて形成され
たものである。そして例えばその下面全面に銀ー銅合金
や金ー錫合金、鉛ー錫合金、アルミニウムーシリコン合
金、銅ー亜鉛合金、銀ー銅ーリン合金あるいは銀ーイン
ジウムー錫合金等から成るろう材6を予め所定厚みに被
着させておくとともにこれを絶縁基体1のメタライズ金
属層5上に載置し、その上面外周部にエレクトロンビー
ム7をメタライズ金属層5に沿って照射することにより
絶縁基体1のメタライズ金属層5にろう材6を介してエ
レクトロンビーム溶接され、これにより絶縁基体1の凹
部A内に収容された電子部品3を気密に封止する。
【0028】金属製蓋体2を構成する鉄ーニッケル合金
板や鉄ーニッケルーコバルト合金板から成る芯材2a
は、その熱膨張係数が約3.5〜10×10-6/℃(0
〜400℃)程度であり、金属製蓋体2の熱膨張係数を
セラミックスから成る絶縁基体1の熱膨張係数2.5〜
10×10-6/℃に概ね近似させる作用をなす。
【0029】そして芯材2aを構成する鉄ーニッケル合
金としては、鉄が45〜70重量%、ニッケルが30〜
55重量%から成る鉄ーニッケル合金が好適に採用され
得、また鉄ーニッケルーコバルト合金としては、鉄が3
0〜70重量%、ニッケルが25〜50重量%、コバル
トが5〜20重量%から成る鉄ーニッケルーコバルト合
金が好適に採用され得る。
【0030】また鉄ーニッケル合金あるいは鉄ーニッケ
ルーコバルト合金から成る芯材2aの両面に被着された
ニッケル層2bは、金属製蓋体2の上面にエレクトロン
ビーム7を照射したときに、エレクトロンビーム7によ
る熱エネルギーを金属製蓋体2の横方向に広げて金属製
蓋体2下面の広い幅に伝達させる作用をなす。
【0031】ニッケル層2bは、その熱拡散率が22.
9×10-92 /sと大きく、このため熱がこのニッケ
ル層2bを介して金属製蓋体2を横方向に拡散し易いも
のとなり、金属製蓋体2の上面にエレクトロンビーム7
を照射すると、図2に要部拡大断面図で示すように、エ
レクトロンビーム7による熱エネルギーがニッケル層2
bにより横方向に良好に広がって金属製蓋体2下面の広
い幅に伝達される。そしてこの熱により金属製蓋体2下
面に被着させたろう材6が金属製蓋体のとメタライズ金
属層5との間で十分に広い幅で溶融し、金属製蓋体2と
メタライズ金属層5とが両者の間に隙間が形成されるこ
となくろう材6を介して接合される。
【0032】なお、芯材2aの両面に被着されたニッケ
ル層2bは、その合計厚みが金属製蓋体2の厚みの10
%未満では、金属製蓋体2の上面に照射されたエレクト
ロンビーム7による熱エネルギーを金属製蓋体2下面に
十分に広い幅に伝達させることができなくなり、また5
0%を超えると、金属製蓋体2の熱膨張係数が絶縁基体
1の熱膨張係数に比較して大きなものとなり、金属製蓋
体2を絶縁基体1にろう材6を介してエレクトロンビー
ム溶接した場合に金属製蓋体2と絶縁基体1との熱膨張
係数の相違によって両者間に大きな熱応力が発生し、こ
の熱応力により金属製蓋体2が絶縁基体1から剥離した
り、絶縁基体1にクラックが発生したりし易い。従っ
て、芯材2aの両面に被着されたニッケル層2bは、そ
の合計厚みが金属製蓋体2の厚みの10〜50%の範囲
に特定される。
【0033】金属製蓋体2は、芯材2aとなる鉄ーニッ
ケル合金や鉄ーニッケルーコバルト合金から成る板材の
両面にニッケル層2bを従来周知のクラッド法やめっき
法等により被着させるとともにこれを従来周知の打ち抜
き法により所定の形状に打ち抜くことによって製作され
る。
【0034】なお、ろう材6は、従来周知のクラッド法
やめっき法等を採用することにより金属製蓋体2の下面
に予め所定の厚みに被着される。
【0035】かくして、本発明の電子部品収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体1の搭載部1aに電子部品3を
搭載するとともに電子部品3の各電極を絶縁基体1のメ
タライズ配線層4に電気的に接続させ、次に絶縁基体1
のメタライズ金属層5の上面に金属製蓋体2を間にろう
材6を挟んで載置するとともに金属製蓋体2の上面外周
部にエレクトロンビーム7をメタライズ金属層5に沿っ
て照射することによりメタライズ金属層5に金属製蓋体
2をろう材6を介して接合させることによって内部に電
子部品3が気密に封止されることとなる。そしてこの場
合、金属製蓋体2は、鉄−ニッケル合金または鉄−ニッ
ケル−コバルト合金から成る芯材2aの両面にニッケル
層2bが被着されることにより形成されていることか
ら、金属製蓋体2の上面に照射されたエレクトロンビー
ム7による熱エネルギーが熱拡散率の大きなニッケル層
2bにより金属製蓋体2中を横方向に良好に拡散して金
属製蓋体2の下面の広い幅に伝達され、その結果、金属
製蓋体2下面に被着させたろう材6をエレクトロンビー
ム7の照射幅に対して十分に広い幅で溶融させることが
でき、金属製蓋体2とメタライズ金属層5とを両者の間
に隙間を形成することなく接合させることができる。
【0036】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば、種々の変更が可能であることはいうまで
もない。
【0037】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、絶縁基体のメタライズ金属層にろう材を介してエ
レクトロンビーム溶接される金属製蓋体が、鉄ーニッケ
ル合金または鉄ーニッケルーコバルト合金から成る芯材
の両面にニッケル層が被着されることにより形成されて
おり、かつニッケル層の合計厚みが金属製蓋体の厚みの
10〜50重量%であることから、金属製蓋体の上面に
エレクトロンビームを照射するとこのエレクトロンビー
ムによる熱エネルギーが熱拡散率の大きなニッケル層に
より金属製蓋体中を横方向に良好に拡散して金属製蓋体
の下面の広い幅に伝達され、その結果、金属製蓋体下面
に配置されたろう材をエレクトロンビームの照射幅に対
して十分に広い幅で溶融させることができ、金属製蓋体
とメタライズ金属層とを両者の間に隙間を形成すること
なく接合させることができ、大気中の水分によるろう材
や金属製蓋体の腐食を有効に防止することが可能な電子
部品収納用パッケージおよび金属製蓋体を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品収納用パッケージおよび金属
製蓋体の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す電子部品収納用パッケージおよび金
属製蓋体の要部拡大断面図である。
【図3】従来の電子部品収納用パッケージの断面図であ
る。
【図4】図3に示す電子部品収納用パッケージの要部拡
大断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体 1a・・・・搭載部 2・・・・・金属製蓋体 2a・・・・芯材 2b・・・・ニッケル層 3・・・・・電子部品 5・・・・・メタライズ金属層 6・・・・・ろう材

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面に電子部品が搭載される搭載部および
    該搭載部を取り囲むようにして被着された枠状のメタラ
    イズ金属層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体のメタラ
    イズ金属層に間にろう材を介してエレクトロンビーム溶
    接により接合され、前記絶縁基体との間で電子部品を気
    密に封止する金属製蓋体と、から成る電子部品収納用パ
    ッケージであって、前記金属製蓋体は、鉄ーニッケル合
    金板もしくは鉄ーニッケルーコバルト合金板から成る芯
    材の両面にニッケル層を被着させて形成されており、か
    つ前記ニッケル層の合計厚みが金属製蓋体の厚みの10
    〜50%であることを特徴とする電子部品収納用パッケ
    ージ。
  2. 【請求項2】電子部品が搭載された絶縁基体にエレクト
    ロンビーム溶接により接合される金属製蓋体であって、
    前記金属製蓋体は、鉄ーニッケル合金板もしくは鉄ーニ
    ッケルーコバルト合金板から成る芯材の両面にニッケル
    層を被着させて形成されており、かつ前記ニッケル層の
    合計厚みが金属製蓋体の厚みの10〜50%であること
    を特徴とする金属製蓋体。
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