JP2017011237A - 蓋体、パッケージ、電子デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージベースとの溶融接合の生産性を向上させることが可能な蓋体の提供。
【解決手段】水晶振動片１０を収容するパッケージ２０のパッケージベース２１に接合される蓋体２２であって、基材Ｃと、基材Ｃに積層されている金属層Ｄと、を有し、基材Ｃは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金層Ｃ１と、合金層Ｃ１の一方の面に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２と、合金層Ｃ１の他方の面に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３と、を含み、金属層Ｄは、基材Ｃの第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３側に積層されている応力緩和層Ｄ１と、応力緩和層Ｄ１の第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３側とは反対側に積層されている金属ろう層Ｄ２と、を含み、金属ろう層Ｄ２が、パッケージベース２１の接合用金属層２３に溶融接合される構成であることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、蓋体、この蓋体を備えているパッケージ、このパッケージを備えている電子デバイス、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。

従来、圧電振動デバイスなどに代表される電子デバイスのパッケージの蓋体（フタ）の構成として、コバール等の金属母材の上面（パッケージ基体側とは反対側の面）に、Ｎｉ（ニッケル）メッキ層が形成され、金属母材の下面（パッケージ基体側の面）に、Ｃｕ（銅）層、Ａｇ（銀）ろう層がこの順でクラッド化されて形成されている第１構成が知られている（例えば、特許文献１、図３参照）。
また、コバール等の金属母材の上下面にＮｉメッキ層が形成され、下面のＮｉメッキ層に重ねてＣｕ層、Ａｇろう層がこの順でクラッド化されて形成されている第２構成が知られている（例えば、特許文献１、図５参照）。
第１構成、第２構成の蓋体とも、パッケージの本体であるパッケージ基体の主面周囲に周状に形成された金属膜層と溶融接合される構成になっている。

特開２００３−１５８２１１号公報

第１構成の蓋体は、金属母材の上面と下面とで、異なる金属層が形成されていることから、上下面の金属層の物性の違いにより反りなどの変形が生じ易くなる。
これにより、第１構成の蓋体は、パッケージ基体への溶融接合時に、位置ずれや仮止め不良などの不具合が生じる虞がある。

また、第２構成の蓋体は、金属母材の上下面に同種の金属層であるＮｉメッキ層が形成されていることから、第１構成の不具合は低減されるものの、Ｎｉメッキ層の物性（例えば、不純物の混入、厚さのばらつき、結晶性の低さなど）により、体積抵抗率がメッキ以外の他の構成よりも大きくなるという問題がある。
これにより、第２構成の蓋体は、パッケージ基体への溶融接合時、一例としてシーム溶接（抵抗溶接）時に、電流が流れにくくなり、シーム溶接の発熱効率が低下することから、溶融接合の生産性が悪化する虞がる。
なお、生産性を維持しようとする場合には、シーム溶接の発熱効率が低下した分、供給電力を増加させる必要があることから、消費電力が増大する虞がある。

また、第１構成、第２構成の蓋体は、更なる薄型化が進展するパッケージにおける、蓋体とパッケージ基体との熱膨張率（熱膨張係数、線膨張率ともいう）の違いに伴う溶融接合後の熱応力（残留応力）に起因したパッケージ基体の損傷などの不具合に対して、改善の余地がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる蓋体は、電子部品を収容するパッケージのパッケージベースに接合される蓋体であって、基材と、前記基材に積層されている金属層と、を有し、前記基材は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金層と、前記合金層の一方の面に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層と、前記合金層の他方の面に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層と、を含み、前記金属層は、前記基材の前記第２Ｎｉ含有クラッド層側に積層されている応力緩和層と、前記応力緩和層の前記第２Ｎｉ含有クラッド層側とは反対側に積層されている金属ろう層と、を含み、前記金属ろう層が、前記パッケージベースに溶融接合される構成であることを特徴とする。

これによれば、蓋体は、基材がＦｅ（鉄）−Ｎｉ−Ｃｏ（コバルト）を含む合金層と、合金層の一方の面に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層と、合金層の他方の面に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層と、を含んでいる。
これにより、蓋体は、基材の合金層の両面に同種の金属が積層されている構成であることから、反りなどの変形を低減することができる。
この結果、蓋体は、パッケージベース（パッケージ基体に相当）への溶融接合時に、位置ずれや仮止め不良などの不具合の発生を低減することができる。

加えて、蓋体は、合金層の両面にＮｉ含有クラッド層が積層されていることから、その物性（例えば、不純物の混入の少なさ、厚さのばらつきの少なさ、結晶性の高さ、など）により、合金層の両面にＮｉメッキ層が積層されている場合よりも、体積抵抗率を低くすることができる。
この結果、蓋体は、溶融接合時、一例としてシーム溶接時に電流が流れ易くなり、シーム溶接の発熱効率が向上することから、溶融接合の生産性を向上させることができる。また、生産性を同じとした場合には、溶融接合時の消費電力を低減することができる。

［適用例２］上記適用例にかかる蓋体において、前記第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ３と、前記第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ４とは、０．８５≦ｔ４／ｔ３≦１．１５、であることが好ましい。

これによれば、蓋体は、合金層を挟む第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ３と、第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ４とが、０．８５≦ｔ４／ｔ３≦１．１５、であることから、反りなどの変形を更に低減することができる。

［適用例３］上記適用例にかかる蓋体において、前記基材の厚さをｔとし、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、前記合金層の厚さをｔ１とし、前記第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さと前記第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さとの和をｔ２としたときの、ｔ１とｔ２との比が、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であることが好ましい。

これによれば、蓋体は、基材の厚さｔが、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、合金層の厚さｔ１と、第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さと第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さとの和ｔ２との比が、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であることから、その物性により、体積抵抗率を低減しつつ、熱膨張率を、例えば、セラミックス製のパッケージベースの熱膨張率に近似させることが可能となる。
これにより、蓋体は、パッケージベースとの溶融接合後に生じる熱応力を低減することができる。
この結果、蓋体は、パッケージベースの損傷を低減することができる。

［適用例４］上記適用例にかかる蓋体において、前記応力緩和層は、Ｃｕ含有金属であることが好ましい。

これによれば、蓋体は、応力緩和層がＣｕ含有金属であることから、Ｃｕの物性（例えば、展延性など）によりパッケージベースとの溶融接合時に生じる熱歪みを吸収し、パッケージベースに生じる応力を効果的に緩和することができる。

［適用例５］上記適用例にかかる蓋体において、前記金属ろう層は、Ａｇ含有のろう材であることが好ましい。

これによれば、蓋体は、金属ろう層がＡｇ（銀）含有のろう材であることから、その物性によりパッケージベースとの溶融接合時に、気密に且つ強固に接合することができる。

［適用例６］本適用例にかかるパッケージは、上記適用例のいずれか一例に記載の蓋体と、パッケージベースと、を備え、前記蓋体が前記パッケージベースに溶融接合されて構成される内部空間に、電子部品を収容可能なことを特徴とする。

これによれば、パッケージは、上記適用例のいずれか一例に記載の蓋体と、パッケージベースと、を備え、蓋体がパッケージベースに溶融接合されて構成される内部空間に、電子部品を収容可能なことから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮できる。

［適用例７］本適用例にかかる電子デバイスは、上記適用例に記載のパッケージと、前記パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることを特徴とする。

これによれば、電子デバイスは、上記適用例に記載のパッケージと、パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることから、上記適用例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮できる。

［適用例８］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮できる。

［適用例９］本適用例にかかる移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮できる。

水晶振動子の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は蓋体側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図。 図１（ｂ）のＢ部拡大図。 蓋体の基材のｔ１とｔ２との比（ｔ２／ｔ１）と、パッケージの気密性との関係を示す図。 蓋体の基材のｔ２／ｔ１と、熱膨張率（熱膨張係数）との関係を示すグラフ。 蓋体の基材のｔ２／ｔ１と、合成抵抗値との関係を示すグラフ。 電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図。 移動体としての自動車を示す模式斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。

（電子デバイス）
最初に、電子デバイスの一例として水晶振動子について説明する。
図１は、水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、蓋体側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図２は、図１（ｂ）のＢ部拡大図である。なお、図１（ａ）では、蓋体を省略してある。また、図１を含む以下の各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。

図１に示すように、水晶振動子１は、電子部品としての水晶振動片１０と、水晶振動片１０を内部空間Ｓに収容しているパッケージ２０と、を備え、扁平な略直方体形状に形成されている。

水晶振動片１０は、例えば、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたＡＴカット型の水晶基板であって、平面形状が略矩形状に形成され、厚みすべり振動が励振される振動部１１と振動部１１に接続された基部１２とを一体で有している。
水晶振動片１０は、振動部１１の一方の主面１３及び他方の主面１４に形成された略矩形状の励振電極１５，１６から引き出された引き出し電極１５ａ，１６ａが、基部１２に形成されている。

引き出し電極１５ａは、一方の主面１３の励振電極１５から、水晶振動片１０の長手方向（紙面左右方向）に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って他方の主面１４に回り込み、基部１２の他方の主面１４まで延在している。
引き出し電極１６ａは、他方の主面１４の励振電極１６から、水晶振動片１０の長手方向に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って一方の主面１３に回り込み、基部１２の一方の主面１３まで延在している。
励振電極１５，１６及び引き出し電極１５ａ，１６ａは、例えば、Ｃｒ（クロム）を下地層とし、その上にＡｕ（金）またはＡｕを主成分とする金属が積層された構成の金属被膜となっている。

パッケージ２０は、略矩形平板状であって、一方の主面２１ａに凹部２１ｂを有するパッケージベース２１と、パッケージベース２１の凹部２１ｂを覆い、パッケージベース２１の一方の主面２１ａ側に接合される略矩形平板状の蓋体２２と、を備えている。
パッケージベース２１には、アルミナ系セラミックスのグリーンシートを成形して積層し、焼成した絶縁性材料が用いられている。
図２に示すように、パッケージベース２１の一方の主面（蓋体２２側の面）２１ａには、接合用金属層２３が設けられている。
接合用金属層２３は、一方の主面２１ａに、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モリブデン）などのメタライズ層２３ａと、Ｎｉメッキ層２３ｂと、Ａｕメッキ層２３ｃと、が、この順で積層されている。

図２に示すように、蓋体２２は、基材Ｃと、基材Ｃに積層されている金属層Ｄと、を有している。
基材Ｃは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金層Ｃ１と、合金層Ｃ１の一方の面（紙面上側の面）に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２と、合金層Ｃ１の他方の面（紙面下側の面）に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３と、を含んでいる。
金属層Ｄは、基材Ｃの第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３側に積層されている応力緩和層Ｄ１と、応力緩和層Ｄ１の第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３側とは反対側に積層されている金属ろう層Ｄ２と、を含んでいる。

合金層Ｃ１には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金の一例として、コバールを用いることが好ましく、第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２及び第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３には、一例として、純Ｎｉ（純度９９．０％以上のＮｉ）を用いることが好ましい。
また、第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２の厚さｔ３と、第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３の厚さｔ４とは、０．８５≦ｔ４／ｔ３≦１．１５、であることが好ましい。
応力緩和層Ｄ１には、Ｃｕ含有金属を用いることが好ましく、一例として、無酸素Ｃｕ（純度９９．９５％以上のＣｕ）を用いることがより好ましい。
金属ろう層Ｄ２には、Ａｇ含有のろう材を用いることが好ましく、一例として、ＪＩＳ規格のＢＡＧ−８相当品を用いることがより好ましい。

蓋体２２は、基材Ｃの厚さをｔとし、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、合金層Ｃ１の厚さをｔ１とし、第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２の厚さｔ３と第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３の厚さｔ４との和をｔ２としたときの、ｔ１とｔ２との比が、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であることが好ましい。
蓋体２２は、金属層Ｄの金属ろう層Ｄ２が、パッケージベース２１の接合用金属層２３に溶融接合される構成となっている。
パッケージ２０は、蓋体２２がパッケージベース２１の接合用金属層２３に溶融接合されて構成される内部空間Ｓに、水晶振動片１０を収容可能な構造となっている。

図１に戻って、パッケージベース２１の凹部２１ｂの底面２１ｃには、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａに対向する位置に、略矩形状の内部端子２４ａ，２４ｂが設けられている。
水晶振動片１０は、引き出し電極１５ａ，１６ａが、金属フィラーなどの導電性物質が混合された、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系などの導電性接着剤３０を介して内部端子２４ａ，２４ｂに接合されている。

水晶振動子１は、水晶振動片１０がパッケージベース２１の内部端子２４ａ，２４ｂに接合された状態で、パッケージベース２１の凹部２１ｂが蓋体２２により覆われ、パッケージベース２１の接合用金属層２３と、蓋体２２の金属ろう層Ｄ２と、が、シーム溶接（抵抗溶接）などで溶融接合（ろう接、ろう付け）されることにより、パッケージ２０の気密に封止された内部空間Ｓに水晶振動片１０が収容されていることになる。
パッケージ２０の気密に封止された内部空間Ｓ内は、減圧された真空状態（真空度の高い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。

パッケージベース２１の一方の主面２１ａとは反対側の他方の主面２１ｄの長手方向（紙面左右方向）の両端部には、略矩形状の外部端子２５ａ，２５ｂが設けられている。
外部端子２５ａ，２５ｂは、図示しない内部配線により内部端子２４ａ，２４ｂと接続されている。詳述すると、外部端子２５ａは、内部配線により内部端子２４ａと接続され、外部端子２５ｂは、内部配線により内部端子２４ｂと接続されている。
なお、内部端子２４ａ，２４ｂ及び外部端子２５ａ，２５ｂは、例えば、Ｗ、Ｍｏなどのメタライズ層にＮｉ、Ａｕなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。

水晶振動子１は、例えば、電子機器のＩＣチップ内に集積化された発振回路から、外部端子２５ａ，２５ｂを経由して印加される駆動信号によって、水晶振動片１０が厚みすべり振動を励振されて所定の周波数で共振（発振）し、外部端子２５ａ，２５ｂから共振信号（発振信号）を出力する。

上述したように、水晶振動子１は、構成要素（カテゴリー）ごとに次のような効果を奏する。
水晶振動子１の蓋体２２は、基材ＣがＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金層Ｃ１と、合金層Ｃ１の一方の面に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２と、合金層Ｃ１の他方の面に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３と、を含んでいる。
これにより、蓋体２２は、基材Ｃの合金層Ｃ１の両面に同種の金属（ここでは、純Ｎｉ）が積層されている構成であることから、反りなどの変形を低減することができる。
この結果、蓋体２２は、パッケージベース２１への溶融接合時に、位置ずれや仮止め不良などの不具合の発生を低減することができる。

加えて、蓋体２２は、合金層Ｃ１の両面に第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２及び第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３が積層されていることから、その物性（例えば、不純物の混入の少なさ、厚さのばらつきの少なさ、結晶性の高さ、など）により合金層Ｃ１の両面にＮｉメッキ層が積層されている場合よりも、体積抵抗率を低くすることができる。
具体的には、メッキ層の体積抵抗率が８．５μΩ・ｃｍであるのに対して、クラッド層の体積抵抗率は７．０μΩ・ｃｍであり、クラッド層の方が１．５μΩ・ｃｍ低いことが確認されている。
この結果、蓋体２２は、溶融接合時（ここでは、シーム溶接時）に電流が流れ易くなり、シーム溶接の発熱効率が向上することから、シーム溶接の生産性を向上させることができる。
なお、従来の第２構成と生産性を同じとした場合には、シーム溶接時の供給電力を削減できることから、シーム溶接時の消費電力を低減することができる。

また、蓋体２２は、合金層Ｃ１を挟む第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２の厚さｔ３と、第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３の厚さｔ４とが、０．８５≦ｔ３／ｔ４≦１．１５、であることから、反りなどの変形を更に低減することができる。

また、蓋体２２は、基材Ｃの厚さｔが、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、合金層Ｃ１の厚さｔ１と、第１Ｎｉ含有クラッド層Ｃ２の厚さｔ３と第２Ｎｉ含有クラッド層Ｃ３の厚さｔ４との和ｔ２との比が、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であることから、その物性により、体積抵抗率を低減しつつ、熱膨張率を、例えば、セラミックス製のパッケージベース２１の熱膨張率に近似させることが可能となる。
これにより、蓋体２２は、パッケージベース２１との溶融接合後に生じる熱応力を低減することができる。
この結果、蓋体２２は、パッケージベース２１の損傷を低減することができる。

上記について、詳述する。図３は、蓋体の基材のｔ１とｔ２との比（ｔ２／ｔ１）と、パッケージの気密性との関係を示す図であり、図４は、蓋体の基材のｔ２／ｔ１と、熱膨張率（熱膨張係数）との関係を示すグラフであり、図５は、蓋体の基材のｔ２／ｔ１と、合成抵抗値（合金層の体積抵抗率と第１Ｎｉ含有クラッド層及び第２Ｎｉ含有クラッド層の体積抵抗率とを合成して求めた抵抗値）との関係を示すグラフである。
図４の縦軸は、蓋体の基材の熱膨張率（μｍ／ｍ／℃）を表し、横軸は、蓋体の基材のｔ２／ｔ１を表す。
図５の縦軸は、蓋体の基材の１ｃｍ²あたりの合成抵抗値を表し、横軸は、蓋体の基材のｔ２／ｔ１を表す。

ここでは、パッケージベース２１の損傷の程度を気密性評価試験で評価した。
気密性評価試験は、パッケージベース２１（ここでは、一例として平面サイズを２．０ｍｍ×１．６ｍｍ程度とした）に、基材Ｃの厚さｔは同一（ここでは、一例としてｔ＝４０μｍ程度とした）で、ｔ２／ｔ１がそれぞれ異なる蓋体２２を、同一条件でシーム溶接したパッケージ２０である試料１〜試料１０に対して行った。
気密性評価試験は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−１７に基づく気密試験を先行して実施後、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−１４に基づく温度サイクル試験を実施した。
判定は、気密試験及び温度サイクル試験とも合格の場合は○、気密試験は合格だが温度サイクル試験で不合格の場合は△、気密試験で不合格の場合は×の３段階とした。

この結果、図３に示すように、試料１（ｔ２／ｔ１＝０．０５）、試料９（ｔ２／ｔ１＝０．８２）、試料１０（ｔ２／ｔ１＝１．００）は、×判定となっている。
これは、蓋体２２（基材Ｃ）とパッケージベース２１との熱膨張率の違いが大きいことにより、初期の段階でパッケージベース２１にクラックが発生することによる。
また、試料２（ｔ２／ｔ１＝０．１１）、試料８（ｔ２／ｔ１＝０．６７）は、△判定となっている。
これは、蓋体２２（基材Ｃ）とパッケージベース２１との熱膨張率の違いが、試料１、試料９、試料１０よりは小さくなっているものの、温度サイクル試験によって繰り返し生じる熱応力に耐えられず、パッケージベース２１に徐々にクラックが発生することによる。

これらに対して、試料３（ｔ２／ｔ１＝０．１８）から、試料７（ｔ２／ｔ１＝０．５４）までは、○判定となっている。
これは、図３、図４に示すように、試料３（ｔ２／ｔ１＝０．１８）から試料７（ｔ２／ｔ１＝０．５４）までは、熱膨張率が６．４３μｍ／ｍ／℃〜８．０７μｍ／ｍ／℃の間にあることから、パッケージベース２１の熱膨張率（６．５μｍ／ｍ／℃〜７．５μｍ／ｍ／℃程度）に近似し、パッケージベース２１に生じる熱応力が低減されることによって、パッケージベース２１にクラックが発生しないことによる。
また、図５に示すように、試料３（ｔ２／ｔ１＝０．１８）から試料７（ｔ２／ｔ１＝０．５４）までは、基材Ｃの合成抵抗値が４ｍΩ弱〜６ｍΩ強の範囲にあり、シーム溶接時に電流がスムーズに流れ、発熱効率に何ら支障がないレベルとなっている。

これらのことから、蓋体２２は、基材Ｃの厚さｔが、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であれば、その物性により、体積抵抗率（合成抵抗値）を低減しつつ、熱膨張率をパッケージベース２１の熱膨張率に近似させることが可能となり、パッケージベース２１との溶融接合後に生じる熱応力を低減でき、パッケージベース２１の損傷を低減できることが裏付けられた。

また、蓋体２２は、金属層Ｄの応力緩和層Ｄ１が、Ｃｕ含有金属（ここでは、無酸素Ｃｕ）であることから、Ｃｕの物性（例えば、展延性など）によりパッケージベース２１との溶融接合時に生じる熱歪みを吸収し、パッケージベース２１に生じる応力を効果的に緩和することができる。
また、蓋体２２は、応力緩和層Ｄ１に無酸素Ｃｕを用いる場合、その物性により溶融接合時における応力緩和層Ｄ１から内部空間Ｓへのガス放出を低減することができる。
なお、応力緩和層Ｄ１には、無酸素Ｃｕ以外のＣｕ含有金属（例えば、純度が９９．９５％未満のＣｕなど）を用いてもよい。

また、蓋体２２は、金属ろう層Ｄ２がＡｇ含有のろう材であることから、その物性によりパッケージベース２１との溶融接合時に、気密に且つ強固に接合することができる。

また、水晶振動子１のパッケージ２０は、蓋体２２と、パッケージベース２１と、を備え、蓋体２２がパッケージベース２１に溶融接合されて構成される内部空間Ｓに、電子部品としての水晶振動片１０を収容可能なことから、上述した蓋体２２の効果が奏され、優れた性能（例えば、長期信頼性）を発揮できる。
なお、パッケージ２０は、パッケージベース２１に凹部２１ｂがなく、代わりに蓋体２２が、パッケージベース２１側に凹部を有するキャップ状に形成されている構成としてもよく、パッケージベース２１及び蓋体２２の両方に凹部を有する構成としてもよい。
なお、パッケージ２０は、パッケージベース２１の平面サイズを１．２ｍｍ×１．０ｍｍ程度、１．６ｍｍ×１．２ｍｍ程度、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ程度、２．５ｍｍ×２．０ｍｍ程度、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ程度のいずれかにすることにより、上述した効果をより顕著に奏することができる。

また、電子デバイスとしての水晶振動子１は、パッケージ２０と、パッケージ２０に収容されている電子部品としての水晶振動片１０と、を備えていることから、上述したパッケージ２０の効果が奏され、優れた性能（例えば、長期信頼性）を発揮できる。

（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器として、携帯電話を一例に挙げて説明する。
図６は、電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図である。
図６に示す携帯電話７００は、電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
携帯電話７００は、上述した水晶振動子１を、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置７０１、複数の操作ボタン７０２、受話口７０３、及び送話口７０４を備えて構成されている。なお、携帯電話の形態は、図示のタイプに限定されるものではなく、いわゆるスマートフォンタイプの形態でもよい。

上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ゲーム機器、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどを含む電子機器のタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上述した効果が奏され、優れた性能を発揮する電子機器を提供することができる。

（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体として、自動車を一例に挙げて説明する。
図７は、移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
図７に示す自動車８００は、電子デバイスとしての水晶振動子を備えている。
自動車８００は、上述した水晶振動子１を、例えば、搭載されている各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用いている。
これによれば、自動車８００は、上記水晶振動子を備えていることから、上述した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。

上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記自動車８００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上述した効果が奏され、優れた性能を発揮する移動体を提供することができる。

なお、水晶振動子の振動片（ここでは、水晶振動片）の形状は、図示した平板状のタイプに限定されるものではなく、中央部が厚く周辺部が薄いタイプ（例えば、コンベックスタイプ、ベベルタイプ、メサタイプ）、逆に中央部が薄く周辺部が厚いタイプ（例えば、逆メサタイプ）などでもよく、音叉型形状でもよい。

なお、振動片の材料としては、水晶に限定されるものではなく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、またはシリコン（Ｓｉ）などの半導体でもよい。
また、厚みすべり振動の駆動方法は、圧電体の圧電効果によるものの他に、クーロン力による静電駆動でもよい。

１…電子デバイスとしての水晶振動子、１０…電子部品としての水晶振動片、１１…振動部、１２…基部、１３…一方の主面、１４…他方の主面、１５，１６…励振電極、１５ａ，１６ａ…引き出し電極、２０…パッケージ、２１…パッケージベース、２１ａ…一方の主面、２１ｂ…凹部、２１ｃ…底面、２１ｄ…他方の主面、２２…蓋体、２３…接合用金属層、２３ａ…メタライズ層、２３ｂ…Ｎｉメッキ層、２３ｃ…Ａｕメッキ層、２４ａ，２４ｂ…内部端子、２５ａ，２５ｂ…外部端子、７００…電子機器としての携帯電話、７０１…液晶表示装置、７０２…操作ボタン、７０３…受話口、７０４…送話口、８００…移動体としての自動車、Ｃ…基材、Ｃ１…合金層、Ｃ２…第１Ｎｉ含有クラッド層、Ｃ３…第２Ｎｉ含有クラッド層、Ｄ…金属層、Ｄ１…応力緩和層、Ｄ２…金属ろう層、Ｓ…内部空間。

Claims (9)

1. 電子部品を収容するパッケージのパッケージベースに接合される蓋体であって、
   基材と、前記基材に積層されている金属層と、を有し、
   前記基材は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏを含む合金層と、
   前記合金層の一方の面に積層されている第１Ｎｉ含有クラッド層と、
   前記合金層の他方の面に積層されている第２Ｎｉ含有クラッド層と、を含み、
   前記金属層は、前記基材の前記第２Ｎｉ含有クラッド層側に積層されている応力緩和層と、
   前記応力緩和層の前記第２Ｎｉ含有クラッド層側とは反対側に積層されている金属ろう層と、を含み、
   前記金属ろう層が、前記パッケージベースに溶融接合される構成であることを特徴とする蓋体。
2. 前記第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ３と、前記第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さｔ４とは、０．８５≦ｔ４／ｔ３≦１．１５、であることを特徴とする請求項１に記載の蓋体。
3. 前記基材の厚さをｔとし、１０μｍ≦ｔ≦１００μｍにおいて、
   前記合金層の厚さをｔ１とし、前記第１Ｎｉ含有クラッド層の厚さと前記第２Ｎｉ含有クラッド層の厚さとの和をｔ２としたときの、ｔ１とｔ２との比が、０．１８≦ｔ２／ｔ１≦０．５４、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の蓋体。
4. 前記応力緩和層は、Ｃｕ含有金属であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の蓋体。
5. 前記金属ろう層は、Ａｇ含有のろう材であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の蓋体。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の蓋体と、
   パッケージベースと、を備え、
   前記蓋体が前記パッケージベースに溶融接合されて構成される内部空間に、電子部品を収容可能なことを特徴とするパッケージ。
7. 請求項６に記載のパッケージと、
   前記パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。
8. 請求項７に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
9. 請求項７に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。

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