JPH08316352A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH08316352A JPH08316352A JP7118233A JP11823395A JPH08316352A JP H08316352 A JPH08316352 A JP H08316352A JP 7118233 A JP7118233 A JP 7118233A JP 11823395 A JP11823395 A JP 11823395A JP H08316352 A JPH08316352 A JP H08316352A
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の気密封
止を完全とし、内部に収容する大型の半導体素子を長期
間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半
導体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】上面に半導体素子３を収容するための凹部１ａ
と、該凹部１ａを囲繞する枠状のメタライズ金属層７を
有する絶縁基体１と、前記枠状のメタライズ金属層７に
ロウ付けされる金属枠体８と、前記金属枠体８に取着さ
れる金属製蓋体２とから成る半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属枠体８が脚部８ａの上下に鍔部８
ｂ、８ｃを設けた、断面略コ字状をなしている。
止を完全とし、内部に収容する大型の半導体素子を長期
間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半
導体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】上面に半導体素子３を収容するための凹部１ａ
と、該凹部１ａを囲繞する枠状のメタライズ金属層７を
有する絶縁基体１と、前記枠状のメタライズ金属層７に
ロウ付けされる金属枠体８と、前記金属枠体８に取着さ
れる金属製蓋体２とから成る半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属枠体８が脚部８ａの上下に鍔部８
ｂ、８ｃを設けた、断面略コ字状をなしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（大規模集積回路素子）等
の半導体素子を内部に収容する半導体素子収納用パッケ
ージは、通常、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子を収容
するための凹部及び該凹部周辺から外周縁にかけて導出
されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶
縁基体と、半導体素子を外部電気回路に電気的に接続す
るために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介
してロウ付けされた複数個の外部リード端子と、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属から
成る蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンディ
ングワイヤを介してメタライズ配線層に接続し、しかる
後、絶縁基体上面に金属製蓋体を溶接し、絶縁基体と金
属製蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容
することによって最終製品としての半導体装置となる。
の半導体素子を内部に収容する半導体素子収納用パッケ
ージは、通常、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子を収容
するための凹部及び該凹部周辺から外周縁にかけて導出
されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶
縁基体と、半導体素子を外部電気回路に電気的に接続す
るために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介
してロウ付けされた複数個の外部リード端子と、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属から
成る蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して
接着固定するとともに該半導体素子の各電極をボンディ
ングワイヤを介してメタライズ配線層に接続し、しかる
後、絶縁基体上面に金属製蓋体を溶接し、絶縁基体と金
属製蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容
することによって最終製品としての半導体装置となる。
【０００３】尚、前記従来の半導体素子収納用パッケー
ジは通常、絶縁基体の上面に鉄ーニッケルーコバルト合
金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成る金属枠体を
予めロウ付けしておくとともに該金属枠体に金属製蓋体
をシームウエルド法等により溶接させることによって金
属製蓋体は絶縁基体の上面に取着され、これによって絶
縁基体と金属製蓋体とから成る容器が気密に封止され
る。
ジは通常、絶縁基体の上面に鉄ーニッケルーコバルト合
金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成る金属枠体を
予めロウ付けしておくとともに該金属枠体に金属製蓋体
をシームウエルド法等により溶接させることによって金
属製蓋体は絶縁基体の上面に取着され、これによって絶
縁基体と金属製蓋体とから成る容器が気密に封止され
る。
【０００４】また前記絶縁基体への金属枠体のロウ付け
はまず絶縁基体の上面で、半導体素子を収容する凹部周
囲にタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成る枠状のメタライズ金属層を従来周知のス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用することによって被
着形成し、次に前記枠状メタライズ金属層上に銀ロウ等
のロウ材と金属枠体とを順次載置させ、最後に前記ロウ
材に約８００℃の温度を印加し、ロウ材を加熱溶融させ
ることによって行われる。
はまず絶縁基体の上面で、半導体素子を収容する凹部周
囲にタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成る枠状のメタライズ金属層を従来周知のス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用することによって被
着形成し、次に前記枠状メタライズ金属層上に銀ロウ等
のロウ材と金属枠体とを順次載置させ、最後に前記ロウ
材に約８００℃の温度を印加し、ロウ材を加熱溶融させ
ることによって行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
半導体素子の応用分野の拡大に伴い半導体素子の形状が
従来に比し大きくなってきており、これに伴って絶縁基
体の凹部及び該凹部周辺にロウ付けされる金属枠体もそ
の形状が極めて大きなものとなってきたこと、金属枠体
は断面四角形状をなし、剛性が高いこと、金属製蓋体と
絶縁基体の熱膨張係数が若干相違すること等から絶縁基
体と金属製蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密
に収容し半導体装置となした後、金属製蓋体と絶縁基体
に熱が印加されると金属製蓋体と絶縁基体の間に両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生するとともに
これが金属枠体に印加されて金属枠体が絶縁基体に被着
形成したメタライズ金属層とともに絶縁基体より外れた
り、金属枠体が取着されている絶縁基体に割れやクラッ
クが発生したりして容器の気密封止が破れ、その結果、
容器の内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることができないという欠点を
有していた。
半導体素子の応用分野の拡大に伴い半導体素子の形状が
従来に比し大きくなってきており、これに伴って絶縁基
体の凹部及び該凹部周辺にロウ付けされる金属枠体もそ
の形状が極めて大きなものとなってきたこと、金属枠体
は断面四角形状をなし、剛性が高いこと、金属製蓋体と
絶縁基体の熱膨張係数が若干相違すること等から絶縁基
体と金属製蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密
に収容し半導体装置となした後、金属製蓋体と絶縁基体
に熱が印加されると金属製蓋体と絶縁基体の間に両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生するとともに
これが金属枠体に印加されて金属枠体が絶縁基体に被着
形成したメタライズ金属層とともに絶縁基体より外れた
り、金属枠体が取着されている絶縁基体に割れやクラッ
クが発生したりして容器の気密封止が破れ、その結果、
容器の内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることができないという欠点を
有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の
気密封止を完全とし、内部に収容する大型の半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
で、その目的は絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器の
気密封止を完全とし、内部に収容する大型の半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上面に半導体素
子を収容するための凹部と、該凹部を囲繞する枠状のメ
タライズ金属層を有する絶縁基体と、前記枠状のメタラ
イズ金属層にロウ付けされる金属枠体と、前記金属枠体
に取着される金属製蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記金属枠体が脚部の上下に鍔部を
設けた、断面略コ字状をなしていることを特徴とするも
のである。
子を収容するための凹部と、該凹部を囲繞する枠状のメ
タライズ金属層を有する絶縁基体と、前記枠状のメタラ
イズ金属層にロウ付けされる金属枠体と、前記金属枠体
に取着される金属製蓋体とから成る半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記金属枠体が脚部の上下に鍔部を
設けた、断面略コ字状をなしていることを特徴とするも
のである。
【０００８】また本発明は前記金属枠体の脚部の長さＬ
と厚さＴが２≦Ｌ／Ｔ≦２５であることを特徴とするも
のである。
と厚さＴが２≦Ｌ／Ｔ≦２５であることを特徴とするも
のである。
【０００９】更に本発明は前記金属枠体の脚部と鍔部の
接合角部を円弧状としたことを特徴とするものである。
接合角部を円弧状としたことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、絶縁基体に被着された枠状メタライズ金属層にロウ
付けされる金属枠体を脚部の上下に鍔部を設けた、断面
略コ字状となしたことから金属枠体にバネ性が付与さ
れ、その結果、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内
部に半導体素子を気密に収容し半導体装置となした後、
金属製蓋体と絶縁基体の両者に熱が印加され両者間に熱
応力が発生したとしてもその熱応力は金属枠体のバネ性
によって吸収され、これによって金属枠体が絶縁基体に
被着形成させたメタライズ金属層とともに絶縁基体より
外れたり、金属枠体が取着されている絶縁基体に割れや
クラックが発生することはなく、容器の気密封止を完全
として容器内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
ば、絶縁基体に被着された枠状メタライズ金属層にロウ
付けされる金属枠体を脚部の上下に鍔部を設けた、断面
略コ字状となしたことから金属枠体にバネ性が付与さ
れ、その結果、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内
部に半導体素子を気密に収容し半導体装置となした後、
金属製蓋体と絶縁基体の両者に熱が印加され両者間に熱
応力が発生したとしてもその熱応力は金属枠体のバネ性
によって吸収され、これによって金属枠体が絶縁基体に
被着形成させたメタライズ金属層とともに絶縁基体より
外れたり、金属枠体が取着されている絶縁基体に割れや
クラックが発生することはなく、容器の気密封止を完全
として容器内部に収容する半導体素子を長期間にわたり
正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
【００１１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、金属枠体の脚部の長さＬと厚さＴを２≦Ｌ／
Ｔ≦２５としておくと金属枠体のバネ性が適度となり、
金属製蓋体と絶縁基体の熱膨張係数の相違に起因して発
生する熱応力を金属枠体で完全に吸収することができ
る。
によれば、金属枠体の脚部の長さＬと厚さＴを２≦Ｌ／
Ｔ≦２５としておくと金属枠体のバネ性が適度となり、
金属製蓋体と絶縁基体の熱膨張係数の相違に起因して発
生する熱応力を金属枠体で完全に吸収することができ
る。
【００１２】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、金属枠体の脚部と鍔部の接合角部を円弧状と
すれば、金属枠体を絶縁基体に被着させたメタライズ金
属層にロウ材を介してロウ付けする際、ロウ材が金属枠
体の全周に均等に流れ、金属枠体のロウ付け強度を強固
となすことができる。
によれば、金属枠体の脚部と鍔部の接合角部を円弧状と
すれば、金属枠体を絶縁基体に被着させたメタライズ金
属層にロウ材を介してロウ付けする際、ロウ材が金属枠
体の全周に均等に流れ、金属枠体のロウ付け強度を強固
となすことができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１及び図２は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は金属製蓋体で
ある。この絶縁基体１と金属製蓋体２とで半導体素子３
を収容するための容器が構成される。
る。図１及び図２は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は金属製蓋体で
ある。この絶縁基体１と金属製蓋体２とで半導体素子３
を収容するための容器が構成される。
【００１４】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子３を
収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあり、
該凹部１ａ底面には半導体素子３がロウ材、ガラス、樹
脂等の接着剤を介して接着固定される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子３を
収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあり、
該凹部１ａ底面には半導体素子３がロウ材、ガラス、樹
脂等の接着剤を介して接着固定される。
【００１５】前記絶縁基体１は例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法等によりシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約１６０
０℃）で焼成することによって製作される。
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に
適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法等によりシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約１６０
０℃）で焼成することによって製作される。
【００１６】また前記絶縁基体１には凹部１ａ周辺から
外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層４が被着形成
されており、該メタライズ配線層４の凹部１ａ周辺部に
は半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ５を介し
て電気的に接続され、また絶縁基体１の外周縁に導出す
る部位には外部リード端子６がロウ材を介してロウ付け
される。
外周縁にかけて複数個のメタライズ配線層４が被着形成
されており、該メタライズ配線層４の凹部１ａ周辺部に
は半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ５を介し
て電気的に接続され、また絶縁基体１の外周縁に導出す
る部位には外部リード端子６がロウ材を介してロウ付け
される。
【００１７】前記絶縁基体１に設けたメタライズ配線層
４はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、該メタライズ配線層４は外部電気回路
に接続される外部リード端子６に半導体素子３の各電極
を電気的に導通させる作用を為す。
４はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、該メタライズ配線層４は外部電気回路
に接続される外部リード端子６に半導体素子３の各電極
を電気的に導通させる作用を為す。
【００１８】前記メタライズ配線層４は例えば、タング
ステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミ
ックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶
縁基体１の所定位置に被着形成される。
ステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミ
ックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶
縁基体１の所定位置に被着形成される。
【００１９】尚、前記メタライズ配線層４はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層４の酸化腐食を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
４とボンディングワイヤ５及び外部リード端子６とのロ
ウ付け接合を強固なものとなすことができる。従って、
前記メタライズ配線層４の表面にはニッケル、金等の耐
蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性が良い金属をメッキ法
により１乃至２０μｍの厚みに層着させておくことが好
ましい。
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚
みに層着させておくとメタライズ配線層４の酸化腐食を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
４とボンディングワイヤ５及び外部リード端子６とのロ
ウ付け接合を強固なものとなすことができる。従って、
前記メタライズ配線層４の表面にはニッケル、金等の耐
蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性が良い金属をメッキ法
により１乃至２０μｍの厚みに層着させておくことが好
ましい。
【００２０】また前記絶縁基体１に被着したメタライズ
配線層４にロウ付けされる外部リード端子６は鉄ーニッ
ケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料か
ら成り、半導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用を為す。
配線層４にロウ付けされる外部リード端子６は鉄ーニッ
ケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料か
ら成り、半導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用を為す。
【００２１】前記外部リード端子６は鉄ーニッケルーコ
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用し、所定の板
状に形成することによって製作される。
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用し、所定の板
状に形成することによって製作される。
【００２２】また一方、前記絶縁基体１の上面には半導
体素子３を収容する凹部１ａを囲繞するようにしてメタ
ライズ金属層７が枠状に被着形成されており、該枠状の
メタライズ金属層７には金属枠体８がロウ材９を介して
ロウ付けされている。
体素子３を収容する凹部１ａを囲繞するようにしてメタ
ライズ金属層７が枠状に被着形成されており、該枠状の
メタライズ金属層７には金属枠体８がロウ材９を介して
ロウ付けされている。
【００２３】前記枠状のメタライズ金属層７は金属枠体
８を絶縁基体１にロウ付けする際の下地金属層として作
用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末によって形成されている。
８を絶縁基体１にロウ付けする際の下地金属層として作
用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点
金属粉末によって形成されている。
【００２４】前記枠状のメタライズ金属層７はメタライ
ズ配線層４と同様の方法、具体的にはタングステン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の
上面に枠状に被着形成される。
ズ配線層４と同様の方法、具体的にはタングステン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１の
上面に枠状に被着形成される。
【００２５】前記枠状のメタライズ金属層７は更にその
上面に金属枠体８が取着されており、該金属枠体８は図
２に示す如く、脚部８ａの上下に鍔部８ｂ、８ｃを設け
た断面略コ字状を成している。
上面に金属枠体８が取着されており、該金属枠体８は図
２に示す如く、脚部８ａの上下に鍔部８ｂ、８ｃを設け
た断面略コ字状を成している。
【００２６】前記金属枠体２は金属製蓋体２を絶縁基体
１に取着する際の下地金属部材として作用し、鍔部８ｂ
を絶縁基体１の上面に被着させたメタライズ金属層７に
銀ロウ等のロウ材９を介しロウ付けすることによって絶
縁基体１の上面に取着され、また鍔部８ｃには金属製蓋
体２がシームウエルド法等の溶接によって取着される。
１に取着する際の下地金属部材として作用し、鍔部８ｂ
を絶縁基体１の上面に被着させたメタライズ金属層７に
銀ロウ等のロウ材９を介しロウ付けすることによって絶
縁基体１の上面に取着され、また鍔部８ｃには金属製蓋
体２がシームウエルド法等の溶接によって取着される。
【００２７】前記金属枠体２はその断面が略コ字状を為
し、脚部８ａにバネ性が付与されていることから鍔部８
ｃに金属製蓋体２を溶接させ、絶縁基体１と金属製蓋体
２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に収容し半
導体装置となした後、金属製蓋体２と絶縁基体１の両者
に熱が印加され両者間に熱応力が発生したとしてもその
熱応力は金属枠体８のバネ性によって吸収され、これに
よって金属枠体８が絶縁基体１に被着形成させたメタラ
イズ金属層７とともに絶縁基体１より外れたり、金属枠
体２が取着されている絶縁基体１に割れやクラックが発
生することはなく、容器の気密封止を完全として容器内
部に収容する半導体素子３を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることが可能となる。
し、脚部８ａにバネ性が付与されていることから鍔部８
ｃに金属製蓋体２を溶接させ、絶縁基体１と金属製蓋体
２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に収容し半
導体装置となした後、金属製蓋体２と絶縁基体１の両者
に熱が印加され両者間に熱応力が発生したとしてもその
熱応力は金属枠体８のバネ性によって吸収され、これに
よって金属枠体８が絶縁基体１に被着形成させたメタラ
イズ金属層７とともに絶縁基体１より外れたり、金属枠
体２が取着されている絶縁基体１に割れやクラックが発
生することはなく、容器の気密封止を完全として容器内
部に収容する半導体素子３を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることが可能となる。
【００２８】尚、前記金属枠体８は脚部８ａの長さＬと
厚さＴを２≦Ｌ／Ｔ≦２５としておくと金属枠体８のバ
ネ性が適度となり、金属製蓋体２と絶縁基体１の間に両
者の熱膨張係数の相違に起因して熱応力が発生してもそ
の熱応力を金属枠体２で完全に吸収することができ、こ
れによって絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器の
気密封止の信頼性を極めて高いものとなすことができ
る。従って、前記金属枠体８は脚部８ａの長さＬと厚さ
Ｔを２≦Ｌ／Ｔ≦２５としておくことが好ましい。
厚さＴを２≦Ｌ／Ｔ≦２５としておくと金属枠体８のバ
ネ性が適度となり、金属製蓋体２と絶縁基体１の間に両
者の熱膨張係数の相違に起因して熱応力が発生してもそ
の熱応力を金属枠体２で完全に吸収することができ、こ
れによって絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器の
気密封止の信頼性を極めて高いものとなすことができ
る。従って、前記金属枠体８は脚部８ａの長さＬと厚さ
Ｔを２≦Ｌ／Ｔ≦２５としておくことが好ましい。
【００２９】また前記金属枠体８は脚部８ａと鍔部８
ｂ、８ｃの接合角部ａを半径０．０５ｍｍ以上の円弧状
にしておけば金属枠体８の鍔部８ｂを絶縁基体１に被着
させたメタライズ金属層７に銀ロウ等のロウ材９を介し
てロウ付けする際、ロウ材９が金属枠体８の全表面に均
等に流れて金属枠体８のロウ付け強度が強固となる。従
って、前記金属枠体８は脚部８ａと鍔部８ｂ、８ｃの接
合角部ａを半径０．０５ｍｍ以上の円弧状にしておくこ
とが好ましい。
ｂ、８ｃの接合角部ａを半径０．０５ｍｍ以上の円弧状
にしておけば金属枠体８の鍔部８ｂを絶縁基体１に被着
させたメタライズ金属層７に銀ロウ等のロウ材９を介し
てロウ付けする際、ロウ材９が金属枠体８の全表面に均
等に流れて金属枠体８のロウ付け強度が強固となる。従
って、前記金属枠体８は脚部８ａと鍔部８ｂ、８ｃの接
合角部ａを半径０．０５ｍｍ以上の円弧状にしておくこ
とが好ましい。
【００３０】前記金属枠体８は鉄ーニッケルーコバルト
合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、該鉄ー
ニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に所定の
金属加工を施すことによって所定の断面コ字状に形成さ
れる。
合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、該鉄ー
ニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に所定の
金属加工を施すことによって所定の断面コ字状に形成さ
れる。
【００３１】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
をロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定す
るとともに該半導体素子３の各電極をボンディングワイ
ヤ５を介してメタライズ配線層４に電気的に接続し、し
かる後、絶縁基体１の上面にロウ付けした金属枠体８の
鍔部８ｃに金属製蓋体２をシームウエルド法等により溶
接し、絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器内部に
半導体素子３を気密に収容することによって最終製品と
しての半導体装置となる。
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３
をロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して接着固定す
るとともに該半導体素子３の各電極をボンディングワイ
ヤ５を介してメタライズ配線層４に電気的に接続し、し
かる後、絶縁基体１の上面にロウ付けした金属枠体８の
鍔部８ｃに金属製蓋体２をシームウエルド法等により溶
接し、絶縁基体１と金属製蓋体２とから成る容器内部に
半導体素子３を気密に収容することによって最終製品と
しての半導体装置となる。
【００３２】尚、本発明は上述した半導体素子収納用パ
ッケージに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
ッケージに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体に被着された枠状メタライズ金属層に
ロウ付けされる金属枠体を脚部の上下に鍔部を設けた、
断面略コ字状となしたことから金属枠体にバネ性が付与
され、その結果、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器
内部に半導体素子を気密に収容し半導体装置となした
後、金属製蓋体と絶縁基体の両者に熱が印加され両者間
に熱応力が発生したとしてもその熱応力は金属枠体のバ
ネ性によって吸収され、これによって金属枠体が絶縁基
体に被着形成させたメタライズ金属層とともに絶縁基体
より外れたり、金属枠体が取着されている絶縁基体に割
れやクラックが発生することはなく、容器の気密封止を
完全として容器内部に収容する半導体素子を長期間にわ
たり正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
よれば、絶縁基体に被着された枠状メタライズ金属層に
ロウ付けされる金属枠体を脚部の上下に鍔部を設けた、
断面略コ字状となしたことから金属枠体にバネ性が付与
され、その結果、絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器
内部に半導体素子を気密に収容し半導体装置となした
後、金属製蓋体と絶縁基体の両者に熱が印加され両者間
に熱応力が発生したとしてもその熱応力は金属枠体のバ
ネ性によって吸収され、これによって金属枠体が絶縁基
体に被着形成させたメタライズ金属層とともに絶縁基体
より外れたり、金属枠体が取着されている絶縁基体に割
れやクラックが発生することはなく、容器の気密封止を
完全として容器内部に収容する半導体素子を長期間にわ
たり正常、且つ安定に作動させることが可能となる。
【００３４】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、金属枠体の脚部の長さＬと厚さＴを２≦Ｌ／
Ｔ≦２５としておくと金属枠体のバネ性が適度となり、
金属製蓋体と絶縁基体の熱膨張係数の相違に起因して発
生する熱応力を金属枠体で完全に吸収することができ
る。
によれば、金属枠体の脚部の長さＬと厚さＴを２≦Ｌ／
Ｔ≦２５としておくと金属枠体のバネ性が適度となり、
金属製蓋体と絶縁基体の熱膨張係数の相違に起因して発
生する熱応力を金属枠体で完全に吸収することができ
る。
【００３５】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、金属枠体の脚部と鍔部の接合角部を円弧状と
すれば、金属枠体を絶縁基体に被着させたメタライズ金
属層にロウ材を介してロウ付けする際、ロウ材が金属枠
体の全周に均等に流れ、金属枠体のロウ付け強度を強固
となすことができる。
によれば、金属枠体の脚部と鍔部の接合角部を円弧状と
すれば、金属枠体を絶縁基体に被着させたメタライズ金
属層にロウ材を介してロウ付けする際、ロウ材が金属枠
体の全周に均等に流れ、金属枠体のロウ付け強度を強固
となすことができる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・凹部 ２・・・・・・金属製蓋体 ３・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・メタライズ配線層 ６・・・・・・外部リード端子 ７・・・・・・枠状のメタライズ金属層 ８・・・・・・金属枠体 ８ａ・・・・・脚部 ８ｂ、８ｃ・・鍔部 ９・・・・・・ロウ材
Claims (3)
- 【請求項１】上面に半導体素子を収容するための凹部
と、該凹部を囲繞する枠状のメタライズ金属層を有する
絶縁基体と、前記枠状のメタライズ金属層にロウ付けさ
れる金属枠体と、前記金属枠体に取着される金属製蓋体
とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記
金属枠体が脚部の上下に鍔部を設けた、断面略コ字状を
なしていることを特徴とする半導体素子収納用パッケー
ジ。 - 【請求項２】前記金属枠体の脚部の長さＬと厚さＴが２
≦Ｌ／Ｔ≦２５であることを特徴とする請求項１に記載
の半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項３】前記金属枠体の脚部と鍔部の接合角部を円
弧状としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素
子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11823395A JP3176250B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11823395A JP3176250B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316352A true JPH08316352A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3176250B2 JP3176250B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14731530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11823395A Expired - Fee Related JP3176250B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176250B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266171A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | セラミック容器 |
| JP2013251476A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックパッケージ |
| JP2019169675A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板、パッケージおよび電子装置 |
| JP2020017704A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板、パッケージおよび電子装置 |
-
1995
- 1995-05-17 JP JP11823395A patent/JP3176250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266171A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | セラミック容器 |
| JP2013251476A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックパッケージ |
| JP2019169675A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板、パッケージおよび電子装置 |
| JP2020017704A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板、パッケージおよび電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3176250B2 (ja) | 2001-06-11 |
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