JP2002016161A - パッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法。 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 封止部に半田層が印刷形成されたセラミック
リッドでは、封止部の線幅が細くなると均一な半田ぺ−
スト層の印刷が困難となり、封止後に気密不良が生じて
小型パッケ−ジには適用できない。また、半田層が全面
に形成されたメタルリッドを水晶振動子等を搭載する小
型パッケ−ジに使用すると、パッケ−ジの封止の際、キ
ャビティ内に半田成分が揮発して、発振周波数に変動を
きたしてしまう。 【解決手段】 パッケ−ジ部品２０の封止部１８に形成
される下地金属層１４の表面に半田めっき層１６を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパッケ−ジ部品とそ
の製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジ
の封止方法に関し、より詳細には水晶振動子、半導体素
子等を搭載、封止するためのチップ部品用パッケ−ジを
構成するパッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ
−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のパッケ−ジ部品として
は、図１３に示すようなものがあった。図１３に示した
ものは、封止部にのみ半田層が形成されたタイプのセラ
ミックリッド５０であり、ＣＰＶを搭載するＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ）等の大型パッケ−ジ用として使用さ
れるものである。図１３の（ａ）はセラミックリッド５
０の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を
示している。セラミック基板５１の封止面の外周部には
下地金属層５２が形成され、該下地金属層５２の上面に
フラックスを含む半田層５３が形成され、これら下地金
属層５２と半田層５３から封止部５４が構成されてい
る。

【０００３】このように構成されたセラミックリッド５
０を製造する場合、まず、アルミナ等のセラミック粉
末、バインダ、溶剤等を含むセラミック原料を金型等を
用い、成形、焼成してセラミック基板５１を製造する。
次に、該セラミック基板５１のパッケ−ジの封止面外周
部にＡｇ−Ｐｔ等を含むペ−ストを印刷した後、焼き付
け、下地金属層５２を形成する。次に、該下地金属層５
２に、半田粒子及びフラックスを含む半田ペーストを塗
布し、半田ペースト層を形成する。次に、該半田ペース
ト層が形成されたセラミック基板５１を加熱して、前記
半田ペースト層中の半田粒子を溶融させ、半田層５３を
形成する。この後、セラミック基板５１を一旦冷却し、
有機溶剤等による洗浄を行って半田層５３を覆うフラッ
クス分を除去して、半田層５３が形成されたセラミック
リッド５０の製造を完了する。

【０００４】また、ＳＡＷチップ、水晶振動子、半導体
チップ等を搭載するいわゆるチップキャリア型の小型パ
ッケ−ジ用のパッケ−ジ部品としては、メタルリッドが
開発されている。図１４は、従来のメタルリッドを模式
的に示した図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
におけるＢ−Ｂ線断面図である。メタルリッド６０は、
金属基体６１と該金属基体６１の片面全体に半田層６２
が印刷あるいは貼着されて構成されている。略矩形形状
に形成された金属基体６１には、熱膨張率が小さい低熱
膨張金属として知られているＦｅ−Ｎｉ系合金やＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コバ−ル）等が使用されている。

【０００５】小型チップ部品を搭載するパッケ−ジの封
止には以下の方法によりメタルリッド６０が使用され
る。まず、アルミナ等のセラミック基板からなるパッケ
−ジ本体の一主面に形成されたメタライズ層にコバ−ル
リングをろう付けし、さらに他の主面に形成されたメタ
ライズ層に外部接続端子等をろう付けする。次に、上記
処理が施されたパッケ−ジ本体のキャビティ部に小型チ
ップ部品を固定し、配線の接続等を行った後、メタルリ
ッド６０を用いてシ−ムウエルド溶接あるいは、Ａｕ−
Ｓｎ半田で接合を行い、小型チップ部品をパッケ−ジへ
実装して封止する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記したＰＧＡ等の大
型パッケ−ジ用のリッドとしては、外周部の封止部５４
にのみ半田層５３が形成されたセラミックリッド５０が
使用されていたが、セラミックリッド５０をＣ／Ｃ（３
ｍｍ角程度）等の小型チップ部品用パッケ−ジにそのま
ま適用しようとしても、小型チップ部品用パッケ−ジで
は、封止部の線幅が細くなるために、封止部のみに半田
ペ−ストを均一に印刷、塗布することが困難となり、封
止後に気密不良が発生しやすくなるという課題があっ
た。

【０００７】また、上記した小型パッケ−ジ用に使用さ
れているメタルリッド６０においては、製造加工の容易
性の観点から封止面全面に半田層６２が形成されてお
り、小型チップ部品として水晶振動子等を収納したパッ
ケ−ジをメタルリッド６０で封止しようとすると、半田
成分であるＩｎ、Ｓｎ等がパッケ−ジのキャビティ内に
揮発して、接続端子のＡｕ面等に付着して水晶振動子の
発振周波数に変動をきたす等、水晶振動子等を搭載する
小型パッケ−ジには適用が困難であるという課題があっ
た。

【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、小型のパッケ−ジ部品において封止部の線幅が細
くても封止部のみに半田層を確実に形成することがで
き、パッケ−ジの封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等に悪影響を与え
ることなく搭載することのできる信頼性の高いパッケ−
ジングを行うことができ、しかも、パッケ−ジ部品の封
止工程を簡略化してコストの削減を図ることができるパ
ッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を
用いたパッケ−ジの封止方法を提供することを目的とし
ている。

【０００９】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るパッケ−ジ部品（１）は、
チップ部品用のパッケ−ジ部品において、前記パッケ−
ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面に半田め
っき層が形成されていることを特徴としている。

【００１０】上記したパッケ−ジ部品（１）によれば、
パッケ−ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面
に半田めっき層が形成されているので、パッケ−ジの封
止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減
でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、
発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。

【００１１】また、本発明に係るパッケ−ジ部品（２）
は、上記パッケ−ジ部品（１）において、前記半田めっ
き層が電解めっき法を用いて形成されていることを特徴
としている。上記したパッケ−ジ部品（２）によれば、
前記半田めっき層が電解めっき法を用いて形成されてい
るので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における下地金
属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の形成を
確実にしかも容易に行うことができる。

【００１２】また、本発明に係るパッケ−ジ部品（３）
は、上記パッケ−ジ部品（１）において、前記半田めっ
き層が無電解めっき法を用いて形成されていることを特
徴としている。上記したパッケ−ジ部品（３）によれ
ば、前記半田めっき層が無電解めっき法を用いて形成さ
れているので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における
下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の
形成を確実にしかも容易に行うことができる。また、無
電解めっき法を用いるので、めっき用配線を形成してお
く必要がなく、パッケ−ジ部品基板の構成を簡単なもの
として製造コストを低く抑えることができる。

【００１３】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（４）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（３）のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の低温焼成金属層からなることを特徴
としている。

【００１４】上記したパッケ−ジ部品（４）によれば、
前記下地金属層がＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ
等の低温焼成金属層からなるので、焼き付け温度を低く
して必要エネルギ−量を低く抑えることができる。ま
た、パッケ−ジ部品の構成材料にアルミナ等の高温焼成
セラミック材料を使用した場合には、セラミック焼成
後、前記下地金属層を後付けで形成すればよく、またガ
ラスセラミック等の低温焼成セラミック材料を使用した
場合には、前記下地金属層を印刷した後、セラミックの
焼成と同時に前記下地金属層の焼き付け工程を行うこと
も可能であり、この場合セラミック材料を８５０〜１０
００℃の温度範囲で焼成することができるのでエネルギ
−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることがで
きる。

【００１５】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（５）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（３）のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がＷ、Ｍｏ等の高温焼成金
属層からなることを特徴としている。上記したパッケ−
ジ部品（５）によれば、前記下地金属層がＷ、Ｍｏ等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、前記セラミ
ック基板と前記下地金属層とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。

【００１６】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（６）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（５）のいずれ
かにおいて、構成主基板が単層からなることを特徴とし
ている。上記したパッケ−ジ部品（６）によれば、前記
パッケ−ジ部品の構成主基板が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。

【００１７】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（７）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（５）のいずれ
かにおいて、構成主基板が少なくとも２層以上の積層体
からなることを特徴としている。上記したパッケ−ジ部
品（７）によれば、前記パッケ−ジ部品の構成主基板が
少なくとも２層以上の積層体からなるので、前記パッケ
−ジ部品の機械的強度を高めることができるとともに、
構成主基板の内層部に電解めっき用配線パタ−ンを形成
して電解めっき法を施すことができ、基板表面の下地金
属層以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、
コストの低減及び高品質化を図ることができる。

【００１８】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（８）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（７）のいずれ
かにおいて、構成基板がセラミック基板からなることを
特徴としている。上記したパッケ−ジ部品（８）によれ
ば、構成基板がセラミック基板からなるので、温度など
の外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ内部のチ
ップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。

【００１９】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
（９）は、上記パッケ−ジ部品（１）〜（７）のいずれ
かにおいて、構成基板がプラスチック基板からなること
を特徴としている。上記したパッケ−ジ部品（９）によ
れば、構成基板がプラスチック基板からなるので、セラ
ミック基板よりも安価なパッケ−ジ部品を提供すること
ができる。

【００２０】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１０）は、上記パッケ−ジ部品（１）、
（２）、（４）〜（６）又は（８）のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
チを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンとを形成した後、焼付けを
行う工程と、前記下地金属層に電解めっき法を施して半
田めっき層を形成する工程とを含んでいることを特徴と
している。

【００２１】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
０）によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続された
電解めっき用配線パターンとを形成し、前記下地金属層
に電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、
前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実
に前記半田めっき層を形成することができ、また、前記
下地金属層と前記電解めっき用配線パタ−ンの反対面に
前記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を
与えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々
のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基
板に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッ
ケ−ジ部品に半田めっき層を形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。

【００２２】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１１）は、上記パッケ−ジ部品（１）、（３）
〜（６）又は（８）のいずれかにおいて、セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程
と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、
セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
を形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層に
無電解めっき法を施して半田めっき層を形成する工程と
を含んでいることを特徴としている。

【００２３】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
１）によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層を形成した後、該下地金属層に無電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができ、また、無電解めっき
法によるので、めっき用配線を形成しておく必要もな
く、さらに、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の
前記セラミック基板に無電解めっき法を施すことによ
り、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成
することができるので、製造工程の効率化を図り、製造
コストを低減することができる。

【００２４】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１２）は、上記パッケ−ジ部品（１）、
（２）、（４）、（５）、（７）または（８）のいずれ
かにおいて、第１のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、第
２のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解め
っき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第１のセラ
ミックグリ−ンシ−トを前記第２のセラミックグリ−ン
シ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に前記
スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成し
た後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用配線パター
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施して半田めっき層を形成する工程とを含ん
でいることを特徴としている。

【００２５】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
２）によれば、セラミック基板表面の所定箇所に前記ス
ル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成した
後、前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−
ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田
めっき層を形成するので、前記下地金属層の線幅が細く
ても該下地金属層上に確実に前記半田めっき層を形成す
ることができ、また、前記電解めっき用配線パタ−ンが
前記セラミック基板の内層部に形成されているので、電
解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な半田が
付着することがない。さらに、前記セラミック基板表面
には、前記電解めっき用配線パタ−ンが形成されていな
いのでブレイク後の外観もよく、また、前記電解めっき
用配線パタ−ンが内層部に形成されているので前記セラ
ミック基板からのパッケ−ジ部品のブレイクを容易に行
うことができる。また、個々のパッケ−ジ部品にブレイ
クする前の前記セラミック基板に電解めっき法を施すこ
とにより、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層
を形成することができるので、製造工程の効率化を図
り、製造コストを低減することができる。

【００２６】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１３）は、上記パッケ−ジ部品（１）、
（２）、（４）〜（６）または（８）のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成す
る工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記
下地金属層に電解めっき法を施してＮｉめっき層を形成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層を形
成する工程とを含んでいることを特徴としている。

【００２７】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
３）によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的
に接続された電解めっき用配線パターンを形成して焼成
し、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金
属層に電解めっき法を施してＮｉめっき層を形成し、前
記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層に
電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、前
記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に
前記半田めっき層を形成することができ、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記電
解めっき用配線パタ−ンとの同時焼成により、前記セラ
ミック基板に前記下地金属層を強固に結合させることが
できる。また、前記下地金属層と前記電解めっき用配線
パタ−ンが形成されるセラミック基板１１の反対面に前
記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を与
えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ部
品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々の
パッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基板
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。

【００２８】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１４）は、上記パッケ−ジ部品（１）、（３）
〜（６）または（８）のいずれかにおいて、セラミック
グリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止部用の下地金属
層を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層
に無電解めっき法を施してＮｉめっき層を形成する工程
と、無電解Ｎｉめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
する工程とを含んでいることを特徴としている。

【００２９】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
４）によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層を形成して焼成し、該下地
金属層に無電解めっき法を施してＮｉめっき層を形成
し、無電解Ｎｉめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
するので、前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属
層上に確実に前記半田めっき層を形成することができ、
前記セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金
属層との同時焼成により、前記セラミック基板に前記下
地金属層を強固に結合させることができる。また、前記
セラミック基板の裏面に形成される前記ノッチによりパ
ッケ−ジ部品のブレイクを容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に無電解めっき法を施すことにより、一度に
大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することが
できるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低
減することができる。

【００３０】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法（１５）は、上記パッケ−ジ部品（１）、
（２）、（４）、（５）、（７）または（８）のいずれ
かにおいて、第１のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、前
記セラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成する工
程と、第２のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所
に電解めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第
１のセラミックグリ−ンシ−トを前記第２のセラミック
グリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧
着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノ
ッチを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パタ−
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施してＮｉめっき層を形成する工程と、前記
電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを介し
て前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層
を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。

【００３１】上記したパッケ−ジ部品の製造方法（１
５）によれば、第１のセラミックグリ−ンシ−ト表面の
所定箇所に前記スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地
金属層を形成し、第２のセラミックグリ−ンシ−ト表面
の所定箇所に電解めっき用配線パタ−ンを形成し、積層
して焼成後、前記電解めっき用配線パタ−ン及び前記ス
ル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施
してＮｉめっき層を形成し、前記電解めっき用パターン
及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができる。また、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンとを同時焼成で行うことで、
前記セラミック基板と前記下地金属層とを強固に結合さ
せることができる。また、前記電解めっき用配線パタ−
ンが前記セラミック基板の内層部に形成されているの
で、電解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な
半田を析出させることがなく、更に、前記セラミック基
板表面には前記電解めっき用配線パタ−ンがないのでブ
レイク後の外観もよく、前記セラミック基板からのパッ
ケ−ジ部品のブレイクも容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に電解めっき法を施すことにより、一度に大
量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することがで
きるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減
することができる。

【００３２】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法（１６）は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品（１）〜（９）のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のパッケ−ジ本体が形成さ
れ、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭
載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々の
パッケ−ジ本体の封止部に、前記リッドの封止部を一致
するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド
の封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リ
ッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程
と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで封止
された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含んで
いることを特徴としている。

【００３３】上記したパッケ−ジの封止方法（１６）に
よれば、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ
−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレ
イク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々のパッケ−ジ本
体の封止部に、パッケ−ジ部品であるリッドの封止部を
一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リ
ッドの封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前
記リッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−
工程と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで
封止された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含
んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニッ
トの個々のパッケ−ジに、パッケ−ジ部品である前記リ
ッドを治具等を用いてまとめて封止することができ、作
業効率を大幅に向上させ、コストを低減させることがで
きる。

【００３４】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法（１７）は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品（１）〜（９）のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のリッドが形成されたブレイ
ク前のリッドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形
成され、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品
が搭載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットと
を、重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッドの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッドと
前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前
記パッケ−ジ本体ユニット及び前記リッドユニットを個
々のパッケ−ジに切り離す工程とを含んでいることを特
徴としている。

【００３５】上記したパッケ−ジの封止方法（１７）に
よれば、複数個のリッドが形成されたブレイク前のリッ
ドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該
パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載され
たブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットとを、重ね合わ
せて仮固定する工程と、前記リッドの封止部に形成され
た半田めっき層を溶融させて前記リッドと前記パッケ−
ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ
本体ユニット及び前記リッドユニットを個々のパッケ−
ジに切り離す工程とを含んでいるので、ブレイク前の前
記パッケ−ジ本体ユニットに、ブレイク前の前記リッド
ユニットをそのまま用いてユニットごとまとめて封止す
ることができ、個々のパッケ−ジの封止を行う必要がな
く作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低
減させることができる。

【００３６】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法（１８）は、上記パッケ−ジの封止方法（１６）又は
（１７）において、前記リフロ−工程を、Ｎ₂ 等の還元
雰囲気中で行うことを特徴としている。上記したパッケ
−ジの封止方法（１８）によれば、前記リフロ−工程を
Ｎ₂ 等の還元雰囲気で行うので、めっき法で形成された
半田層の酸化を防止でき、フラックスを含まない半田層
でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るパッケ−ジ部
品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッ
ケ−ジの封止方法の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。図１は、本発明の実施の形態（１）に係るパッケ−
ジ部品の構成を示す模式図であり、（ａ）は複数個のパ
ッケ−ジ部品２０が形成されたパッケ−ジ部品ユニット
１０の部分平面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ線
断面図である。

【００３８】セラミック基板１１からなるパッケ−ジ部
品ユニット１０には、平面視略正方形のパッケ−ジ部品
２０が所定間隔を設けて複数個形成され、該パッケ−ジ
部品２０の外枠に沿ってノッチ１７がセラミック基板１
１の両面に形成されている。前記パッケ−ジ部品２０の
周縁部には、略口の字形状の封止部１８が形成されてい
る。

【００３９】（ｂ）において、パッケ−ジ部品２０は、
構成主基板がセラミック基板１１ａとその上に積層され
たセラミック基板１１ｂの２層のセラミック基板１１か
ら構成され、セラミック基板１１ａのセラミック基板１
１ｂとの積層面には電解めっき用パタ−ン１３が形成さ
れている。この電解めっき用配線パタ−ン１３はセラミ
ック基板１１ｂに形成されているスル−ホ−ル１２を介
してセラミック基板１１ｂの表面に略口の字形状に形成
されている下地金属層１４と電気的に接続されている。
該下地金属層１４の表面には、Ｎｉめっき層１５が形成
され、該Ｎｉめっき層１５の表面には半田めっき層１６
が形成されている。これら前記下地金属層１４、前記Ｎ
ｉめっき層１５、前記半田めっき層１６を含んで封止部
１８が構成されており、この封止部１８とセラミック基
板１１からパッケ−ジ部品２０が構成されている。

【００４０】図２はパッケ−ジ部品ユニット１０に形成
されるパッケ−ジ部品２０の製造方法を概略的に示した
フロ−チャ−トである。まず、セラミックスラリ−を形
成してドクタ−ブレ−ド法により、引き出し方向に長い
形状をしたセラミックグリ−ンシ−トを作成する（Ｓ
１）。このセラミックスラリ−はセラミック原料粉末、
有機バインダ、溶剤、可塑剤等を含んで構成されてお
り、前記セラミック原料粉末には例えば、アルミナ等の
セラミック粉末が用いられ、前記溶剤には例えばトルエ
ン、キシレン等が用いられる。次に前記セラミックグリ
−ンシ−トにパンチングを行い、所定形状のセラミック
グリ−ンシ−トを形成すると共に、前記セラミックグリ
−ンシ−トの所定箇所にスル−ホ−ルを形成する（Ｓ
２）。

【００４１】次に、該スル−ホ−ルに導電材料として
Ｗ、Ｍｏ等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−
ル印刷を行い（Ｓ３）、下地金属層としてＷ、Ｍｏ等を
含んだ導体ペ−ストをスクリ−ン印刷し、封止部を構成
する下地金属層を形成する（Ｓ４）。次にＳ１で作成し
た別のセラミックグリ−ンシ−トには、電解めっき用配
線パタ−ンとしてＷ、Ｍｏ等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる（Ｓ
５）。その後、Ｓ４およびＳ５で前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記セラミックグ
リ−ンシ−トを積層して、加熱しながら加圧する熱圧着
を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積層体が製造される
（Ｓ６）。次に、パッケ−ジ部品２０の封止部１８を構
成する前記下地金属層１４の外周部に沿ってノッチ１７
を前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体の両主面から形
成する（Ｓ７）。その後、所定雰囲気中において前記セ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処理を
行い、セラミック基板１１に下地金属層１４、スル−ホ
−ル１２、電解めっき用配線パタ−ン１３が一体的に形
成されたセラミック基板を得る（Ｓ８）。

【００４２】次に、セラミック基板１１の内層部に形成
された電解めっき用配線パタ−ン１３を利用して、前記
セラミック基板１１表面の前記下地金属層１４の表面
に、電解Ｎｉめっき法を用いてＮｉめっき層１５を形成
する（Ｓ９）。次に内層部に形成された電解めっき用配
線パタ−ン１３を利用して、前記セラミック基板１１表
面の前記Ｎｉめっき層１５表面に、電解半田めっき法を
用いて半田めっき層１６を形成して、前記セラミック基
板１１に封止部１８の形成された複数のパッケ−ジ部品
が前記セラミック基板１１に製造される（Ｓ１０）。次
に、パッケ−ジ部品ユニット１０からパッケ−ジ部品２
０をブレイクして個々のパッケ−ジ部品２０とするか、
もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユニット１０の
ままにしておき（Ｓ１１）、後のパッケ−ジの封止工程
に使用する。

【００４３】上記の説明から明らかなように、実施の形
態（１）に係るパッケ−ジ部品２０では、パッケ−ジ部
品２０の封止部１８に形成される下地金属層１４の表面
に半田めっき層１６が形成されているので、パッケ−ジ
の封止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に
低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合で
も、発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッ
ケ−ジ部品を提供することができる。

【００４４】また、前記半田めっき層１６が電解めっき
法を用いて形成されているので、小型のパッケ−ジ部品
２０で、封止部１８における下地金属層１４の線幅が細
くても該下地金属層１４上に半田層の形成を確実にしか
も容易に行うことができる。

【００４５】また、前記下地金属層１４がＷ、Ｍｏ等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、セラミック
基板１１と下地金属層１４とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。

【００４６】また、前記パッケ−ジ部品２０の構成主基
板であるセラミック基板１１が少なくとも２層以上の積
層体からなるので、前記パッケ−ジ部品２０の機械的強
度を高めることができるとともに、構成主基板である前
記セラミック基板１１の内層部に電解めっき用配線パタ
−ン１３を形成して、電解めっき法を施すことができ、
前記セラミック基板１１表面には前記下地金属層１４以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、コスト
の低減及び高品質化を図ることができる。

【００４７】また、構成基板が前記セラミック基板１１
からなるので、温度などの外部環境因子の変化に対して
も、パッケ−ジ内部のチップ部品の性能に影響を与えな
い信頼性の高いパッケ−ジ部品とすることができる。

【００４８】また、実施の形態（１）に係るパッケ−ジ
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−ト１
１ｂの所定箇所にスル−ホ−ル１２を形成する工程と、
該スル−ホ−ル１２内に導電ペーストを充填するスル−
ホ−ル印刷工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト１１
ｂ表面の所定箇所に前記スル−ホ−ル１２と導通する封
止部１８用の下地金属層１４を形成する工程と、セラミ
ックグリ−ンシ−ト１１ａ表面の所定箇所に電解めっき
用配線パタ−ン１３を形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−ト１１ｂを前記セラミックグリ−ンシ−ト
１１ａ上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体１１の所定箇所にノッチ
１７を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体１１を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パ
タ−ン１３及び前記スル−ホ−ル１２を介して前記下地
金属層１４に電解Ｎｉめっき法を施してＮｉめっき層１
５を形成する工程と、前記電解めっき用パターン１３及
び前記スル−ホ−ル１２を介して前記下地金属層１４に
電解半田めっき法を施して半田めっき層１６を形成する
工程とを含んでいるので、前記下地金属層１４の線幅が
細くても該下地金属層１４上に確実に前記半田めっき層
１６が形成でき、また、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体に形成された前記下地金属層１４と前記電解めっ
き用配線パタ−ン１３と同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板１１と前記下地金属層１４とを強固に
接合させることができる。また、前記電解めっき用配線
パタ−ン１３が前記セラミック基板１１の内層部に形成
されているので、電解めっき時に前記下地金属層１４以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、前記セ
ラミック基板１１表面には前記電解めっき用配線パタ−
ン１３が形成されていないのでブレイク後の外観もよ
く、前記セラミック基板１１の両面から前記ノッチを形
成できるのでパッケ−ジ部品２０のブレイクを容易に行
うことができる。また、セラミック基板１１に電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品２
０に半田めっき層を形成することができるので、製造工
程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。

【００４９】さらに、上記方法により前記封止部１８に
前記下地金属層１４、前記Ｎｉめっき層１５及び前記半
田めっき層１６が形成された前記パッケ−ジ部品２０を
用いることにより、パッケ−ジ（図示しない）の封止時
に、キャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減で
き、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発
振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ
の封止を行うことができる。

【００５０】図３は実施の形態（２）に係るパッケ−ジ
部品２１を模式的に示した図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ
−Ｃ線断面図である。なお、図１の実施の形態（１）と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。

【００５１】（ａ）で示したパッケ−ジ部品２１は、図
１（ａ）に示したように、セラミック基板１１からなる
パッケ−ジ部品ユニット１０から、ブレイクしたもので
ある。パッケ−ジ部品２１は、構成主基板となるセラミ
ック基板１１が単層からなり、該パッケ−ジ部品２１の
周縁部の表面に略口の字形状の下地金属層１４が形成さ
れ、該下地金属層１４の表面に半田めっき層１６が形成
されている。これら前記下地金属層１４、前記半田めっ
き層１６を含んで封止部１８が構成されており、該封止
部１８と前記セラミック基板１１とから前記パッケ−ジ
部品２１が構成されている。

【００５２】このように構成されたパッケ−ジ部品２１
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図４に示す。なお図２に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。

【００５３】まず、アルミナ系セラミック等を含んだ所
定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う（Ｓ２
１）。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面か
ら、パッケ−ジ部品２１の外周部にあたる部分にノッチ
を形成する（Ｓ２２）。次に、前記セラミックグリ−ン
シ−トを所定温度で焼成してセラミック基板１１を得る
（Ｓ２３）。該セラミック基板１１表面の所定箇所に、
Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれかを含む
導体ぺ−ストにより、封止部にあたる下地金属層１４と
該下地金属層１４と導通する電解めっき用配線パタ−ン
（図示せず）を印刷する（Ｓ２４ａ）。次に、Ｓ２４ａ
で印刷した下地金属層１４と電解めっき用配線パタ−ン
の焼付けを所定温度で行い、セラミック基板１１と一体
的に形成させる（Ｓ２５）。次に、前記セラミック基板
１１の表面に形成された前記電解めっき用配線パタ−ン
を介して前記下地金属層１４に、電解半田めっき法を施
して半田めっき層１６を形成し、セラミック基板１１に
封止部１８の形成された複数のパッケ−ジ部品が形成さ
れる（Ｓ２６）。そして、パッケ−ジ部品ユニット１０
からパッケ−ジ部品２１をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品２０とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット１０のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する（Ｓ２７）。

【００５４】また、図３に示すパッケ−ジ部品２１の別
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示すフロ−チャ−トを図５
に示す。なお、図４に示した工程と同一の工程には同一
の符号を付すこととし、詳細な説明は省略する。

【００５５】Ｓ２３での焼成後のセラミック基板１１の
表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄのいずれ
かを含む導体ぺ−ストを用いて印刷することにより封止
部１８を構成する下地金属層１４を形成する（Ｓ２４
ｂ）。次に、Ｓ２４ｂで印刷した前記下地金属層１４と
電解めっき用配線パタ−ン（図示せず）の焼付けを行
い、前記セラミック基板１１と一体的に形成させる（Ｓ
２５）。次に、前記セラミック基板１１の表面に形成さ
れた前記下地金属層１４の表面に、無電解半田めっき法
を施して半田めっき層１６を形成し、封止部１８が形成
される（Ｓ２６）。次に、パッケ−ジ部品ユニット１０
からパッケ−ジ部品２０をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品２０とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット１０のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する（Ｓ２７）。

【００５６】上記の説明から明らかなように、実施の形
態（２）に係るパッケ−ジ部品２１では、パッケ−ジ部
品２１の封止部１８を構成する下地金属層１４の表面に
のみ半田めっき層１６が形成されているので、パッケ−
ジ（図示せず）の封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに
搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせない信
頼性の高いパッケ−ジ部品を提供することができる。

【００５７】また、セラミック基板１１表面に電解めっ
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層１６を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層１６を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品２１で封止部１８におけ
る下地金属層１４の線幅が細くても半田めっき層１６の
形成を確実にしかも容易に行うことが可能になる。ま
た、無電解めっき法を用いる場合は、めっき用配線パタ
−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ部品基板の
構成を簡単なものとして製造コストを低く抑えることが
できる。

【００５８】また、前記下地金属層１４がＡｕ、Ａｇ、
Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の低温焼成金属層からなるの
で、焼き付け温度を低くして必要エネルギ−量を低く抑
えることができる。また、パッケ−ジ部品の構成材料に
アルミナ等の高温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、セラミック焼成後、下地金属層１４を後付けで形成
すればよく、また、別の実施の形態として、ガラスセラ
ミックなどの低温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、前記下地金属層１４を印刷した後、セラミックの焼
成と同時に前記下地金属層１４の焼き付け工程を行うこ
とも可能であり、この場合セラミック材料を８５０〜１
０００℃の温度範囲で焼成することができるのでエネル
ギ−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることが
できる。

【００５９】また、前記パッケ−ジ部品２１の構成主基
板となるセラミック基板１１が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板１１からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品を提供することができる。

【００６０】また、実施の形態（２）に係るパッケ−ジ
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック基板
１１表面の所定箇所に封止部１８用の下地金属層１４
と、該下地金属層１４と電気的に接続された電解めっき
用パターン（図示せず）とを形成した後、焼付けを行う
工程と、前記下地金属層１４に電解半田めっき法を施し
て半田めっき層１６を形成する工程とを含んでいるの
で、前記下地金属層１４の線幅が細くても該下地金属層
１４上に確実に前記半田めっき層１６を形成することが
でき、また、前記下地金属層１４と前記電解めっき用配
線パタ−ン（図示せず）の反対面に前記ノッチを形成す
るので、電解めっき工程には影響を与えることなく、前
記セラミック基板１１からのパッケ−ジ部品２１のブレ
イクが容易となりうる。また、前記セラミック基板１１
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品２１に半田めっき層形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。

【００６１】また、実施の形態（２）に係るパッケ−ジ
部品の別の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−
トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック
基板１１表面の所定箇所に封止部用の下地金属層１４を
形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層１４
に無電解半田めっき法を施して半田めっき層１６を形成
する工程とを含んでいるので、前記下地金属層１４の線
幅が細くても該下地金属層１４上に確実に前記半田めっ
き層１６が形成でき、また、無電解半田めっき法を用い
ているので、めっき用配線パタ−ンを形成しておく必要
もなく、さらに、前記セラミック基板１１に無電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品２
１に半田めっき層１６を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。

【００６２】また、上記方法により前記封止部１８に前
記下地金属層１４及び前記半田めっき層１６が形成され
た前記パッケ−ジ部品２１を用いることにより、パッケ
−ジ（図示しない）の封止時に、キャビティ部内への半
田成分の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ
−ジに搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせ
ない信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことができ
る。

【００６３】図６は実施の形態（３）に係るパッケ−ジ
部品２２を模式的に示した図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ
−Ｃ線断面図である。なお、図１の実施の形態（１）と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図６（ａ）で示したパッケ−ジ部品２２
は、図１（ａ）に示したセラミック基板１１からなるパ
ッケ−ジ部品ユニット１０として形成したものを、ブレ
イクしたものである。

【００６４】パッケ−ジ部品２２は、構成主基板となる
セラミック基板１１が単層からなり、パッケ−ジ部品２
２を構成するセラミック基板１１の周縁部の表面に略口
の字形状の下地金属層１４が形成され、該下地金属層の
上面にＮｉめっき層１５が形成され、該Ｎｉめっき層の
上面に半田めっき層１６が形成されている。これら前記
下地金属層１４、前記Ｎｉめっき層１５、前記半田めっ
き層１６を含んで封止部１８が構成されており、該封止
部１８と前記セラミック基板１１とから前記パッケ−ジ
部品２２が構成されている。

【００６５】このように構成されたパッケ−ジ部品２２
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図７に示す。なお図２に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。

【００６６】このように構成されたパッケ−ジ部品２２
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う（Ｓ
３１）。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの表面
に、Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封
止部１８にあたる下地金属層１４と該下地金属層１４と
導通する電解めっき用配線パタ−ン（図示せず）とを所
定形状に印刷する（Ｓ３２ａ）。次に、前記セラミック
グリ−ンシ−トの裏面から、パッケ−ジ部品２２の外周
枠にあたる部分に、ノッチを形成する（Ｓ３３）。次
に、前記セラミックグリ−ンシ−トを所定温度で焼成し
て、前記下地金属層１４と前記電解めっき用配線パタ−
ンと前記セラミック基板１１とを一体的に形成させる
（Ｓ３４）。次に、前記セラミック基板１１の表面に形
成された前記電解めっき用配線パタ−ンを介して前記下
地金属層１４に、電解Ｎｉめっき法を施してＮｉめっき
層１５を形成する（Ｓ３５ａ）。次に電解半田めっき法
を施して前記Ｎｉめっき層１５の表面に半田めっき層１
６を形成し、前記セラミック基板１１に封止部１８の形
成された複数のパッケ−ジ部品２２が形成される（Ｓ３
６ａ）。そして、パッケ−ジ部品ユニット１０からパッ
ケ−ジ部品２２をブレイクして個々のパッケ−ジ部品２
２とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユ
ニット１０のままにしておき、後のパッケ−ジの封止に
使用する（Ｓ３７）。

【００６７】また、図６に示すパッケ−ジ部品２２の別
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
８に示す。なお、図７と同一工程については、同一の符
号を付すこととし、詳細な説明は省略することとする。

【００６８】まずアルミナ系セラミック等を含んだ所定
形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う（Ｓ３
１）。次に、該セラミックグリ−ンシ−トの表面に、
Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封止部
１８を構成する所定形状の下地金属層１４を印刷する
（Ｓ３２ｂ）。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面から、パッケ−ジ部品２２の外周枠にあたる部分
に、ノッチを形成する（Ｓ３３）。次に、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トを所定温度で焼成して、前記下地金属
層１４とセラミック基板１１とを一体的に形成させる
（Ｓ３４）。次に前記セラミック基板１１の表面に形成
された前記下地金属層１４に、無電解Ｎｉめっき法を施
してＮｉめっき層１５を形成させる（Ｓ３５ｂ）。次に
無電解半田めっき法を施して前記Ｎｉめっき層１５の表
面に半田めっき層１６を形成して、セラミック基板１１
に封止部１８の形成された複数のパッケ−ジ部品２２が
形成される（Ｓ３６ｂ）。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト１０からパッケ−ジ部品２２をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品２２とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット１０のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止に使用する（Ｓ３７）。

【００６９】上記の説明から明らかなように、実施の形
態（３）に係るパッケ−ジ部品２２では、パッケ−ジ部
品２２の封止部１８に形成される下地金属層１４の表面
に形成されるＮｉめっき層１５の表面に半田めっき層１
６が形成されているので、パッケ−ジの封止時にキャビ
ティ部内への半田成分の揮発が大幅に低減でき、水晶振
動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発振周波数の
変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ部品を提供
することができる。

【００７０】また、セラミック基板１１表面に電解めっ
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層１６を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層１６を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品２３で封止部１８におけ
る前記下地金属層１４の線幅が細くても該下地金属層１
４の上に半田層の形成を確実にしかも容易に行うことが
できる。また、無電解めっき法を用いた場合は、めっき
用配線パタ−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ
部品基板の構成を簡単なものとして製造コストを低く抑
えることができる。

【００７１】また、前記下地金属層１４がＷ、Ｍｏ等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板１１と同時焼成を行うことができ、セラミ
ック基板１１と下地金属層１４とを強固に接合させて高
品質のパッケ−ジ部品を得ることができる。

【００７２】また、前記パッケ−ジ部品２２の構成主基
板となるセラミック基板１１が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストを低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板１１からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品とすることができる。

【００７３】また、実施の形態（３）に係るパッケ−ジ
部品２２の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−トの
表面の所定箇所に封止部１８用の下地金属層１４及び該
下地金属層１４と電気的に接続された電解めっき用パタ
ーン（図示せず）を形成する工程と、前記セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチ（図示せず）を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層１４に電解Ｎｉめっき法を施してＮｉめっ
き層１５を形成する工程と、前記電解めっき用配線パタ
−ンを用いて前記Ｎｉめっき層１５の形成された下地金
属層１４に電解半田めっき法を施して半田めっき層１６
を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層１
４の線幅が細くても該下地金属層１４上に確実に前記半
田めっき層１６が形成でき、また、前記セラミックグリ
−ンシ−トに形成された前記下地金属層１４と前記電解
めっき用配線パタ−ンと同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板１１と前記下地金属層１４とを強固に
接合させることができる。また、前記下地金属層１４と
前記電解めっき用配線パタ−ンの形成されるセラミック
基板１１の反対面に前記ノッチを形成するので、電解め
っき工程には悪影響を与えることなく、前記セラミック
基板１１からのパッケ−ジ部品２２のブレイクを容易に
行うことができる。また、前記セラミック基板１１に電
解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ
部品２２に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。

【００７４】また、実施の形態（３）に係るパッケ−ジ
部品２２の別の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−
トの表面の所定箇所に封止部１８用の下地金属層１４を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面
の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層１４
に無電解Ｎｉめっき法を施してＮｉめっき層１５を形成
する工程と、無電解Ｎｉめっき後の前記セラミック基板
の前記下地金属層１４に無電解半田めっき法を施して半
田めっき層１６を形成する工程とを含んでいるので、前
記下地金属層１４の線幅が細くても該下地金属層１４上
に確実に前記半田めっき層１６が形成でき、前記セラミ
ック基板１１の裏面にある前記ノッチによりパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、前記
セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層
１４と同時焼成を行うことができ、前記セラミック基板
１１と前記下地金属層１４とを強固に接合させることが
できる。また、前記セラミック基板１１に無電解めっき
法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品２２
に半田めっき層１６を形成することができるので、製造
工程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。

【００７５】図９は実施の形態（４）に係るパッケ−ジ
部品２３を模式的に示した図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ
−Ｃ線断面図である。なお、図１の実施の形態（１）と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図９（ａ）で示したパッケ−ジ部品２３
は、図１（ａ）に示したセラミック基板１１から構成さ
れるパッケ−ジ部品ユニット１０として形成したもの
を、ブレイクしたものである。

【００７６】パッケ−ジ部品２３は、構成主基板がセラ
ミック基板１１ａとその上に積層されたセラミック基板
１１ｂの２層のセラミック基板から構成され、セラミッ
ク基板１１ｂの上面には略口の字形状のセラミック基板
１１ｃが積層され、キャビティ部１９が形成されてお
り、セラミック基板１１ａ〜１１ｃによりキャップ形状
のセラミック基板１１が構成されている。前記セラミッ
ク基板１１ａの前記セラミック基板１１ｂとの積層面に
は電解めっき用配線パタ−ン１３が形成され、該電解め
っき用配線パタ−ン１３は前記セラミック基板１１ｂ及
び前記セラミック基板１１ｃに形成されているスル−ホ
−ル１２を介して前記セラミック基板１１ｃの表面に形
成される下地金属層１４と電気的に接続されている。該
下地金属層１４の表面には半田めっき層１６が形成され
ており、これら下地金属層１４、半田めっき層１６を含
んで封止部１８が構成されている。

【００７７】このように構成されたパッケ−ジ部品２３
を製造する方法として、電解めっき法を用いる方法があ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
１０に示す。なお図２に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関しては、その詳細な説明は省略することとする。

【００７８】このように構成されたパッケ−ジ部品２３
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う（Ｓ
４１）。次に該セラミックグリ−ンシ−トにパンチング
を行い、所定形状のグリ−ンシ−ト１１ｂ、１１ｃを形
成すると共に、前記セラミックグリ−ンシ−ト１１ｂ、
１１ｃの所定箇所にスル−ホ−ル１２を形成する（Ｓ４
２）。次に、該スル−ホ−ル１２に導電材料としてＷ、
Ｍｏ等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−ル印
刷を行う（Ｓ４３）。次にＳ４１で作成した別のセラミ
ックグリ−ンシ−ト１１ａには、電解めっき用配線パタ
−ン１３として Ｗ、Ｍｏ等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる（Ｓ
４４）。その後、Ｓ４３およびＳ４４でスル−ホ−ル印
刷と電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記グリ−ン
シ−ト１１ａ、１１ｂ、１１ｃを積層して、加熱しなが
ら加圧する熱圧着を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積
層体が製造される（Ｓ４５）。次に、パッケ−ジ部品２
３の外周枠に沿ってノッチをセラミック基板両主面から
形成する（Ｓ４６）。その後、所定雰囲気中において前
記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処
理を行うと、セラミック基板１１にスル−ホ−ル１２、
電解めっき用配線パタ−ン１３が一体的に形成される
（Ｓ４７）。次に下地金属層としてＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−
Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等もしくはＷ、Ｍｏ等を含んだ導体ペ
−ストをセラミック基板表面の所定箇所にスクリ−ン印
刷し、封止部１８を構成する下地金属層１４を形成する
（Ｓ４８）。次に、下地金属層１４をセラミック基板１
１と一体的に形成させるために所定の条件で焼き付けを
行う（Ｓ４９）。次に内層部に形成された前記電解めっ
き用配線パタ−ン１３を利用して、前記セラミック基板
１１表面の前記下地金属層１４に、電解半田めっき法を
施して半田めっき層１６を形成して、セラミック基板１
１に封止部１８の形成された複数のパッケ−ジ部品２３
が形成される（Ｓ５０）。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト１０からパッケ−ジ部品２３をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品２３とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット１０のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止工程に使用する（Ｓ５１）。

【００７９】上記説明から明らかなように、実施の形態
（４）に係るパッケ−ジ部品２３では、セラミック基板
１１がセラミックグリ−ンシ−ト積層体から構成され、
キャビティ部１９を有するキャップ形状であるので、キ
ャビティ部の小さなパッケ−ジや表面実装されるチップ
部品等を封止するのに好適である。また、パッケ−ジ部
品２３の封止部１８を構成する下地金属層１４の表面に
半田めっき層１６が形成されているので、封止時にパッ
ケ−ジのキャビティ部内やパッケ−ジ部品２３のキャビ
ティ部１９内への半田成分の揮発を大幅に低減でき、水
晶振動子等をパッケ−ジに搭載した場合でも、発振周波
数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジの封止
を行うことができる。

【００８０】また上記説明した実施の形態（４）に係る
パッケ−ジ部品の製造方法によれば、セラミックグリ−
ンシ−ト１１ｂ、１１ｃの所定箇所にスル−ホ−ル１２
を形成する工程と、該スル−ホ−ル１２内に導電ペース
トを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、セラミックグリ
−ンシ−ト１１ａ表面の所定箇所に電解めっき用配線パ
タ−ン１３を形成する工程と、セラミックグリ−ンシ−
ト１１ｂ、１１ｃをセラミックグリ−ンシ−ト１１ａ上
に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセラミック
グリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形成する工
程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する
工程と、セラミック基板１１表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ル１２と導通する封止部１８用の下地金属層１４
を形成した後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用パ
ターン１３及び前記スル−ホ−ル１２を介して前記下地
金属層１４に電解半田めっき法を施して半田めっき層１
６を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層
１４の線幅が細くても該下地金属層１４上に確実に前記
半田めっき層１６が形成できる。また、前記電解めっき
用配線パタ−ン１３が前記セラミック基板の内層部に形
成されスル−ホ−ル１２により下地金属層１４と電気的
に接続されているので、電解めっき時に前記下地金属層
以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、さら
に、前記セラミック基板１１表面には、前記電解めっき
用配線パタ−ン１３が形成されていないのでブレイク後
の外観がよく、前記セラミック基板１１からのパッケ−
ジ部品２３のブレイクを容易に行うことができる。

【００８１】また、前記セラミック基板１１に電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品２
３に半田めっき層１６を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。

【００８２】なお、実施の形態（１）〜（４）に係るパ
ッケ−ジ部品は、構成基板としてセラミック基板を使用
しているが、別の実施の形態としてプラスチック基板を
使用することも可能である。この場合は使用するプラス
チック基板の構成材料や特性に応じて適宜製造方法を設
定すればよい。

【００８３】図１１は、上記説明してきたパッケ−ジ部
品であるセラミックリッドを用いてパッケ−ジを封止す
るときの封止方法（１）についての概略を示す模式図で
ある。（ａ）に示すセラミックリッド３０ａは、上記実
施の形態（１）〜（４）で説明してきたパッケ−ジ部品
２０〜２３のいずれかであり、パッケ−ジ部品ユニット
１０からブレイクしたものである。

【００８４】（ｂ）に示すパッケ−ジ部品支持用治具３
１は、アルミナ等のセラミック、又は、ステンレスなど
の金属から構成され、（ｃ）に示すパッケ−ジ本体３４
ａのパッケ−ジ本体ユニット３４における配置間隔を考
慮して所定位置に開口部３２が設けられている。該開口
部３２の下面の口径は、前記パッケ−ジ本体３４ａのシ
−ルリング部３６の枠体が嵌るように設計されており、
また前記開口部３２の上面の口径は下面の口径よりも大
きく設定されており、前記セラミックリッド３０ａが前
記開口部３２に配置されやすいようになっている。

【００８５】（ｃ）に示すパッケ−ジ本体ユニット３４
には、複数個のパッケ−ジ本体３４ａが形成されてい
る。パッケ−ジ本体３４ａは、アルミナ等のセラミック
原料を用いて略直方体状に形成され、パッケ−ジ本体３
４ａ上部の略中央にはキャビティ部３５が形成され、該
キャビティ部３５内には水晶振動子やＩＣチップ等の素
子部品（共に図示せず）が実装され、外部と電気的に接
続されるようになっている。パッケ−ジ本体３４ａの封
止面にあたるパッケ−ジ本体３４ａの上部にはシ−ルリ
ング部３６が例えばコバ−ル（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）
等を用いて平面視略口の字形状に形成されている。

【００８６】これらセラミックリッド３０ａを使用した
パッケ−ジ本体３４ａの封止方法は、まず、パッケ−ジ
本体３４ａのキャビティ部３５にチップ部品（図示せ
ず）が搭載されたパッケ−ジ本体ユニット３４の上に、
パッケ−ジ部品支持用治具３１の各開口部３２がパッケ
−ジ本体３４ａの各シ−ルリング部３６に嵌るように設
置する。次にセラミックリッド３０ａを、パッケ−ジ部
品支持用治具３１の上面に、適当に配置して、各セラミ
ックリッド３０ａが、各開口部３２に納まるように、配
置する。開口部３２への配置方法としては、パッケ−ジ
本体ユニット３４ごと振動させて、各開口部３２にセラ
ミックリッド３０ａを納めるようにすることもできる。
そして、各開口部３２にセラミックリッド３０ａの封止
部とパッケ−ジ本体３４ａのシ−ルリング部３６の封止
面とが合わさった状態に配置させる（図１１（ｄ）の状
態）。

【００８７】そして、セラミックリッド３０ａが配置さ
れたパッケ−ジ部品支持用治具３１の上に、必要に応じ
て板状の固定治具等（図示せず）を設置して、バネやク
リップ等で挟んで、パッケ−ジ本体３４ａにセラミック
リッド３０ａを仮固定する。

【００８８】次に、加熱炉内にセラミックリッド３０ａ
がパッケ−ジ本体３４ａに仮固定されたパッケ−ジ本体
ユニット３４を搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しなが
ら、炉内温度を２８０〜３１０℃程度まで上昇させるリ
フロ−工程により、セラミックリッド３０ａの封止部に
形成されている半田めっき層を溶融させてセラミックリ
ッド３０ａとパッケ−ジ本体３４ａとを接合させ、その
後冷却することによりキャビティ部３５を気密に封止す
る。リフロ−工程の際の雰囲気は還元性雰囲気であれ
ば、特に限定されるものではないが、通常窒素ガス雰囲
気とする。また加熱温度は、パッケ−ジ本体３４ａに搭
載されている水晶振動子等を保護するために３２０℃以
下が好ましい。

【００８９】次に、パッケ−ジ部品支持用治具３１と固
定治具等をパッケ−ジ本体ユニット３４から取り外し、
個々のパッケ−ジ本体３４ａがセラミックリッド３０ａ
で封止されたパッケ−ジ本体ユニット３４をロ−ル治具
等（図示せず）で挟み込んで、パッケ−ジ本体ユニット
３４に形成されているノッチに沿って、パッケ−ジ本体
３４ａを切り離していくことにより、セラミックリッド
３０ａで封止されたパッケ−ジ本体３４ａを得ることが
できる。

【００９０】また図１２は、上記説明してきたパッケ−
ジ部品であるセラミックリッド３０ａを用いたパッケ−
ジの封止方法（２）についての概略を示す模式図であ
る。なお、図１１と同一機能を有する構成部品について
は、同一の符号を付すこととし、詳細な説明は省略す
る。

【００９１】（ａ）では、パッケ−ジ部品としてセラミ
ックリッド３０ａが所定間隔を設けて複数個形成された
パッケ−ジ部品ユニット３０を示しており、（ｂ）で
は、前記パッケ−ジ部品ユニット３０に形成されたセラ
ミックリッド３０ａの封止部とパッケ−ジ本体３４ａの
シ−ルリング部３６とがそれぞれ一致するように所定間
隔を設けてパッケ−ジ本体３４ａが形成されているパッ
ケ−ジ本体ユニット３４を示している。

【００９２】（ｃ）では、これらパッケ−ジ部品ユニッ
ト３０のセラミックリッド３０ａの封止部とパッケ−ジ
本体ユニット３４のパッケ−ジ本体３４ａのシ−ルリン
グ部３６とがそれぞれ一致するように重ねあわせた状態
であり、これらをクリップやバネ等で仮固定して、加熱
炉内に搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しながら、炉内
温度を２８０〜３１０℃程度まで上昇させるリフロ−工
程により、セラミックリッド３０ａの封止部に形成され
ている半田めっき層を溶融させてセラミックリッド３０
ａとパッケ−ジ本体３４ａとを接合させ、その後冷却す
ることによりキャビティ部３５を気密に封止する。次
に、パッケ−ジ部品ユニット３０とパッケ−ジ本体ユニ
ット３４との接合体３７をロ−ル治具等（図示せず）で
挟み込んで、それぞれ、パッケ−ジ部品ユニット３０と
パッケ−ジ本体ユニット３４に形成されているノッチに
沿って、切り離していくことにより、セラミックリッド
３０ａで封止されたパッケ−ジ本体３４ａを得ることが
できる。

【００９３】上記したパッケ−ジ部品を用いたパッケ−
ジの封止方法（１）によれば、複数個のパッケ−ジ本体
３４ａが形成され、該パッケ−ジ本体３４ａのキャビテ
ィ部３５にチップ部品が搭載されたブレイク前のパッケ
−ジ本体ユニット３４の個々のパッケ−ジ本体３４ａの
封止部３６に、パッケ−ジ部品であるリッド３０ａの封
止部を一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、
前記リッド３０ａの封止部に形成された半田めっき層を
溶融させて前記リッド３０ａと前記パッケ−ジ本体３４
ａとを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ本体
ユニット３４から前記リッド３０ａで封止された個々の
パッケ−ジ本体３４ａを切り離す工程とを含んでいるの
で、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニット３４の個
々のパッケ−ジ本体３４ａに、パッケ−ジ部品である前
記リッド３０ａを治具３１等を用いてまとめて封止する
ことができ、作業効率を大幅に向上させることができ、
コストを低減させることができる。

【００９４】また、上記したパッケ−ジ部品を用いたパ
ッケ−ジの封止方法（２）によれば、複数個のリッド３
０ａが形成されたブレイク前のリッドユニット３０と、
複数個のパッケ−ジ本体３４ａが形成され、該パッケ−
ジ本体３４ａのキャビティ部３５にチップ部品が搭載さ
れたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニット３４とを、重
ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド３０ａの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッド３
０ａと前記パッケ−ジ本体３４ａとを接合させるリフロ
−工程と、前記パッケ−ジ本体ユニット３４及び前記リ
ッドユニット３０を個々のパッケ−ジに切り離す工程と
を含んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユ
ニット３４に、ブレイク前の前記リッドユニット３０を
そのまま用いてユニットごとまとめて封止することがで
き、個々のパッケ−ジの封止を行う工程が必要なくなり
作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低減
させることができる。

【００９５】また、上記したパッケ−ジ部品を用いたパ
ッケ−ジの封止方法によれば、前記リフロ−工程をＮ₂
等の還元雰囲気で行うので、めっき法を用いて形成され
た半田めっき層の酸化を防止でき、フラックスを含まな
い半田層でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができ
る。

【００９６】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るパッケ−ジ部
品及びその製造方法、該パッケ−ジ部品を用いたパッケ
−ジの封止方法の実施例を説明する。以下の実施例につ
いては、実施の形態（１）に係るパッケ−ジ部品２０の
セラミックリッドを用いて、パッケ−ジ本体に水晶振動
子を実装、封止したときに水晶振動子が正常に作動して
いるかどうか、異常振動が生じていないかどうかチェッ
クを行い良品率を求めた。また、比較例として、半田層
が封止面全面に形成されたメタルリッドを使用した場合
についても説明する。

【００９７】（１）パッケ−ジ部品及びその製造方法
（実施例） 本実施例の場合には、縦１３０ｍｍ、横１１２ｍｍ、厚
さ０．６４ｍｍのアルミナ製のセラミック基板を用いて
図１に示したパッケ−ジ部品２０が多数形成されたもの
をパッケ−ジ基板ユニット１０として用いた。各構成の
仕様および各工程における条件を記載する。 パッケ−ジ基板ユニット１０（図１に示したものと同
一の構成）の仕様 パッケ−ジ部品２０の寸法：縦２．８ｍｍ、横２．８ｍ
ｍ 下地金属層１４の構成材料：タングステン 線幅：０．４ｍｍ 厚み：３０μｍ スル−ホ−ル１２の直径：０．１５ｍｍ 電解めっき用配線パタ−ン１３の構成材料：タングステ
ン 厚み：３０μｍ 焼成処理の条件 温度：１５８０℃ 時間：３時間

【００９８】（２）パッケ−ジ部品によるパッケ−ジの
封止方法（実施例） 使用したパッケ−ジ本体３４ａ（図１１に示したもの
と同一の構造） 材質：アルミナ 寸法：縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、高さ１．２ｍｍ シ−ルリング部３６の幅：０．４ｍｍ パッケ−ジの封止条件 温度：最大３２０℃ 時間：２８０℃、６分 雰囲気：窒素雰囲気

【００９９】（３）半田層が封止面全面に形成されたメ
タルリッドの仕様（比較例） メタルリッドの寸法：縦２．８ｍｍ、横２．８ｍｍ、厚
み０．１５ｍｍ メタルリッドの構成材料：コバ−ル 半田層の組成：Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ 厚み：２５μｍ

【０１００】（４）パッケ−ジ部品によるパッケ−ジの
封止方法（比較例） 使用したパッケ−ジ本体は実施例で使用したものと同
一のものを使用した。 パッケ−ジの封止条件 温度：３２０℃ 時間：２８０℃以上、６分 雰囲気：窒素雰囲気

【０１０１】（５）結果及び評価 実施例、比較例ともに水晶振動子を実装、封止した１０
０個のパッケ−ジを作成し、水晶振動子が正常に作動し
ているかどうか、異常振動が生じてないかどうかを調
べ、それぞれの良品率を求めた。その結果、実施例で
は、良品率は１００％であり、すべてのものについて水
晶振動子の作動に異常は見られなかった。一方、比較例
においては、良品率は６〜８％となり、実施例と比べる
と良品率が低く、水晶振動子の作動に異常を発生する確
率が高いものであった。従って、実施例の場合には、パ
ッケ−ジに実装される水晶振動子の作動不良を生じるこ
となく、信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明に係るパッケ−ジ部品の実施の
形態（１）を模式的に示した平面図、（ｂ）は（ａ）に
おけるＢ−Ｂ線断面図である。

【図２】実施の形態（１）に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図３】実施の形態（２）に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ線断
面図である。

【図４】実施の形態（２）に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図５】実施の形態（２）に係るパッケ−ジ部品の別の
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図６】実施の形態（３）に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ線断
面図である。

【図７】実施の形態（３）に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図８】実施の形態（３）に係るパッケ−ジ部品の別の
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図９】実施の形態（４）に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ線断
面図である。

【図１０】実施の形態（４）に係るパッケ−ジ部品の製
造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。

【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態に係るパッケ
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する封止方法を模式的
に示した部分斜視図である。

【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態に係るパッケ
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する別の封止方法を模
式的に示した部分斜視図である。

【図１３】従来のパッケ−ジ部品を示す模式図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面
図である。

【図１４】従来の別のパッケ−ジ部品を示す模式図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線
断面図である。

【符号の説明】

１０ パッケ−ジ部品ユニット １１ セラミック基板 １２ スル−ホ−ル １３ 電解めっき用配線パタ−ン １４ 下地金属層 １５ Ｎｉめっき層 １６ 半田めっき層 １７ ノッチ １８ 封止部 ２０ パッケ−ジ部品

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ部品用のパッケ−ジ部品におい
   て、前記パッケ−ジ部品の封止部に形成される下地金属
   層の表面に半田めっき層が形成されていることを特徴と
   するパッケ−ジ部品。
2. 【請求項２】 前記半田めっき層が電解めっき法を用い
   て形成されていることを特徴とする請求項１記載のパッ
   ケ−ジ部品。
3. 【請求項３】 前記半田めっき層が無電解めっき法を用
   いて形成されていることを特徴とする請求項１記載のパ
   ッケ−ジ部品。
4. 【請求項４】 前記下地金属層がＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
   ｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の低温焼成金属層からなることを特徴
   とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
   部品。
5. 【請求項５】 前記下地金属層がＷ、Ｍｏ等の高温焼成
   金属層からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
   かの項に記載のパッケ−ジ部品。
6. 【請求項６】 構成主基板が単層からなることを特徴と
   する請求項１〜５のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部
   品。
7. 【請求項７】 構成主基板が少なくとも２層以上の積層
   体からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの
   項に記載のパッケ−ジ部品。
8. 【請求項８】 構成基板がセラミック基板からなること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれかの項に記載のパッ
   ケ−ジ部品。
9. 【請求項９】 構成基板がプラスチック基板からなるこ
   とを特徴とする請求項１〜７のいずれかの項に記載のパ
   ッケ−ジ部品。
10. 【請求項１０】 セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所
    定箇所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
    と、該下地金属層と電気的に接続された電解めっき用配
    線パターンとを形成した後、焼付けを行う工程と、 前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層を
    形成する工程とを含んでいることを特徴とする請求項
    １、２、４〜６、又は請求項８のいずれかの項に記載の
    パッケ−ジ部品の製造方法。
11. 【請求項１１】 セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所
    定箇所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
    を形成した後、焼付けを行う工程と、 前記下地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層
    を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請求項
    １、３〜６又は請求項８のいずれかの項に記載のパッケ
    −ジ部品の製造方法。
12. 【請求項１２】 第１のセラミックグリ−ンシ−トの所
    定箇所にスル−ホ−ルを形成する工程と、 該スル−ホ−ル内に導電ペーストを充填するスル−ホ−
    ル印刷工程と、 第２のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解
    めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、 前記第１のセラミックグリ−ンシ−トを前記第２のセラ
    ミックグリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、 該熱圧着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇
    所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する工程
    と、 セラミック基板表面の所定箇所に前記スル−ホ−ルと導
    通する封止部用の下地金属層を形成した後焼付けを行う
    工程と、 前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを
    介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっ
    き層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請
    求項１、２、４、５、７又は請求項８のいずれかの項に
    記載のパッケ−ジ部品の製造方法。
13. 【請求項１３】 セラミックグリ−ンシ−トの表面の所
    定箇所に封止部用の下地金属層及び該下地金属層と電気
    的に接続された電解めっき用配線パターンを形成する工
    程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
    チを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層
    に電解めっき法を施してＮｉめっき層を形成する工程
    と、 前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層
    に電解めっき法を施して半田めっき層を形成する工程と
    を含んでいることを特徴とする請求項１、２、４〜６又
    は請求項８のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部品の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 セラミックグリ−ンシ−トの表面の所
    定箇所に封止部用の下地金属層を形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
    チを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 前記下地金属層に無電解めっき法を施してＮｉめっき層
    を形成する工程と、 無電解Ｎｉめっき後の前記セラミック基板の前記下地金
    属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成する
    工程とを含んでいることを特徴とする請求項１、３〜６
    又は請求項８のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部品の
    製造方法。
15. 【請求項１５】 第１のセラミックグリ−ンシ−トの所
    定箇所にスル−ホ−ルを形成する工程と、 該スル−ホ−ル内に導電ペーストを充填するスル−ホ−
    ル印刷工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に前記ス
    ル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成する
    工程と、 第２のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解
    めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、 前記第１のセラミックグリ−ンシ−トを前記第２のセラ
    ミックグリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、 該熱圧着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇
    所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する工程
    と、 前記電解めっき用配線パタ−ン及び前記スル−ホ−ルを
    介して前記下地金属層に電解めっき法を施してＮｉめっ
    き層を形成する工程と、 前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを
    介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっ
    き層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請
    求項１、２、４、５、７又は請求項８のいずれかの項に
    記載のパッケ−ジ部品の製造方法。
16. 【請求項１６】 チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本
    体を、請求項１〜９のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
    部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの封止方法
    であって、 複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ−ジ本体
    のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレイク前の
    パッケ−ジ本体ユニットの個々のパッケ−ジ本体の封止
    部に、前記リッドの封止部を一致するように重ね合わせ
    て仮固定する工程と、 前記リッドの封止部に形成された半田めっき層を溶融さ
    せて前記リッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリ
    フロ−工程と、 前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで封止され
    た個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含んでいる
    ことを特徴とするパッケ−ジの封止方法。
17. 【請求項１７】 チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本
    体を、請求項１〜９のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
    部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの封止方法
    であって、 複数個のリッドが形成されたブレイク前のリッドユニッ
    トと、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ−
    ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレイ
    ク前のパッケ−ジ本体ユニットとを、重ね合わせて仮固
    定する工程と、前記リッドの封止部に形成された半田め
    っき層を溶融させて前記リッドと前記パッケ−ジ本体と
    を接合させるリフロ−工程と、 前記パッケ−ジ本体ユニット及び前記リッドユニットを
    個々のパッケ−ジに切り離す工程とを含んでいることを
    特徴とするパッケ−ジの封止方法。
18. 【請求項１８】 前記リフロ−工程を、Ｎ₂ 等の還元雰
    囲気中で行うことを特徴とする請求項１７又は請求項１
    ８記載のパッケ−ジの封止方法。