JP2002016161A - パッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法。 - Google Patents
パッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法。Info
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- JP2002016161A JP2002016161A JP2000192149A JP2000192149A JP2002016161A JP 2002016161 A JP2002016161 A JP 2002016161A JP 2000192149 A JP2000192149 A JP 2000192149A JP 2000192149 A JP2000192149 A JP 2000192149A JP 2002016161 A JP2002016161 A JP 2002016161A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止部に半田層が印刷形成されたセラミック
リッドでは、封止部の線幅が細くなると均一な半田ぺ−
スト層の印刷が困難となり、封止後に気密不良が生じて
小型パッケ−ジには適用できない。また、半田層が全面
に形成されたメタルリッドを水晶振動子等を搭載する小
型パッケ−ジに使用すると、パッケ−ジの封止の際、キ
ャビティ内に半田成分が揮発して、発振周波数に変動を
きたしてしまう。 【解決手段】 パッケ−ジ部品20の封止部18に形成
される下地金属層14の表面に半田めっき層16を形成
する。
リッドでは、封止部の線幅が細くなると均一な半田ぺ−
スト層の印刷が困難となり、封止後に気密不良が生じて
小型パッケ−ジには適用できない。また、半田層が全面
に形成されたメタルリッドを水晶振動子等を搭載する小
型パッケ−ジに使用すると、パッケ−ジの封止の際、キ
ャビティ内に半田成分が揮発して、発振周波数に変動を
きたしてしまう。 【解決手段】 パッケ−ジ部品20の封止部18に形成
される下地金属層14の表面に半田めっき層16を形成
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はパッケ−ジ部品とそ
の製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジ
の封止方法に関し、より詳細には水晶振動子、半導体素
子等を搭載、封止するためのチップ部品用パッケ−ジを
構成するパッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ
−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法に関する。
の製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジ
の封止方法に関し、より詳細には水晶振動子、半導体素
子等を搭載、封止するためのチップ部品用パッケ−ジを
構成するパッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ
−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のパッケ−ジ部品として
は、図13に示すようなものがあった。図13に示した
ものは、封止部にのみ半田層が形成されたタイプのセラ
ミックリッド50であり、CPVを搭載するPGA(ピ
ングリッドアレイ)等の大型パッケ−ジ用として使用さ
れるものである。図13の(a)はセラミックリッド5
0の平面図、(b)は(a)におけるB−B線断面図を
示している。セラミック基板51の封止面の外周部には
下地金属層52が形成され、該下地金属層52の上面に
フラックスを含む半田層53が形成され、これら下地金
属層52と半田層53から封止部54が構成されてい
る。
は、図13に示すようなものがあった。図13に示した
ものは、封止部にのみ半田層が形成されたタイプのセラ
ミックリッド50であり、CPVを搭載するPGA(ピ
ングリッドアレイ)等の大型パッケ−ジ用として使用さ
れるものである。図13の(a)はセラミックリッド5
0の平面図、(b)は(a)におけるB−B線断面図を
示している。セラミック基板51の封止面の外周部には
下地金属層52が形成され、該下地金属層52の上面に
フラックスを含む半田層53が形成され、これら下地金
属層52と半田層53から封止部54が構成されてい
る。
【0003】このように構成されたセラミックリッド5
0を製造する場合、まず、アルミナ等のセラミック粉
末、バインダ、溶剤等を含むセラミック原料を金型等を
用い、成形、焼成してセラミック基板51を製造する。
次に、該セラミック基板51のパッケ−ジの封止面外周
部にAg−Pt等を含むペ−ストを印刷した後、焼き付
け、下地金属層52を形成する。次に、該下地金属層5
2に、半田粒子及びフラックスを含む半田ペーストを塗
布し、半田ペースト層を形成する。次に、該半田ペース
ト層が形成されたセラミック基板51を加熱して、前記
半田ペースト層中の半田粒子を溶融させ、半田層53を
形成する。この後、セラミック基板51を一旦冷却し、
有機溶剤等による洗浄を行って半田層53を覆うフラッ
クス分を除去して、半田層53が形成されたセラミック
リッド50の製造を完了する。
0を製造する場合、まず、アルミナ等のセラミック粉
末、バインダ、溶剤等を含むセラミック原料を金型等を
用い、成形、焼成してセラミック基板51を製造する。
次に、該セラミック基板51のパッケ−ジの封止面外周
部にAg−Pt等を含むペ−ストを印刷した後、焼き付
け、下地金属層52を形成する。次に、該下地金属層5
2に、半田粒子及びフラックスを含む半田ペーストを塗
布し、半田ペースト層を形成する。次に、該半田ペース
ト層が形成されたセラミック基板51を加熱して、前記
半田ペースト層中の半田粒子を溶融させ、半田層53を
形成する。この後、セラミック基板51を一旦冷却し、
有機溶剤等による洗浄を行って半田層53を覆うフラッ
クス分を除去して、半田層53が形成されたセラミック
リッド50の製造を完了する。
【0004】また、SAWチップ、水晶振動子、半導体
チップ等を搭載するいわゆるチップキャリア型の小型パ
ッケ−ジ用のパッケ−ジ部品としては、メタルリッドが
開発されている。図14は、従来のメタルリッドを模式
的に示した図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
におけるB−B線断面図である。メタルリッド60は、
金属基体61と該金属基体61の片面全体に半田層62
が印刷あるいは貼着されて構成されている。略矩形形状
に形成された金属基体61には、熱膨張率が小さい低熱
膨張金属として知られているFe−Ni系合金やFe−
Ni−Co系合金(コバ−ル)等が使用されている。
チップ等を搭載するいわゆるチップキャリア型の小型パ
ッケ−ジ用のパッケ−ジ部品としては、メタルリッドが
開発されている。図14は、従来のメタルリッドを模式
的に示した図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
におけるB−B線断面図である。メタルリッド60は、
金属基体61と該金属基体61の片面全体に半田層62
が印刷あるいは貼着されて構成されている。略矩形形状
に形成された金属基体61には、熱膨張率が小さい低熱
膨張金属として知られているFe−Ni系合金やFe−
Ni−Co系合金(コバ−ル)等が使用されている。
【0005】小型チップ部品を搭載するパッケ−ジの封
止には以下の方法によりメタルリッド60が使用され
る。まず、アルミナ等のセラミック基板からなるパッケ
−ジ本体の一主面に形成されたメタライズ層にコバ−ル
リングをろう付けし、さらに他の主面に形成されたメタ
ライズ層に外部接続端子等をろう付けする。次に、上記
処理が施されたパッケ−ジ本体のキャビティ部に小型チ
ップ部品を固定し、配線の接続等を行った後、メタルリ
ッド60を用いてシ−ムウエルド溶接あるいは、Au−
Sn半田で接合を行い、小型チップ部品をパッケ−ジへ
実装して封止する。
止には以下の方法によりメタルリッド60が使用され
る。まず、アルミナ等のセラミック基板からなるパッケ
−ジ本体の一主面に形成されたメタライズ層にコバ−ル
リングをろう付けし、さらに他の主面に形成されたメタ
ライズ層に外部接続端子等をろう付けする。次に、上記
処理が施されたパッケ−ジ本体のキャビティ部に小型チ
ップ部品を固定し、配線の接続等を行った後、メタルリ
ッド60を用いてシ−ムウエルド溶接あるいは、Au−
Sn半田で接合を行い、小型チップ部品をパッケ−ジへ
実装して封止する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したPGA等の大
型パッケ−ジ用のリッドとしては、外周部の封止部54
にのみ半田層53が形成されたセラミックリッド50が
使用されていたが、セラミックリッド50をC/C(3
mm角程度)等の小型チップ部品用パッケ−ジにそのま
ま適用しようとしても、小型チップ部品用パッケ−ジで
は、封止部の線幅が細くなるために、封止部のみに半田
ペ−ストを均一に印刷、塗布することが困難となり、封
止後に気密不良が発生しやすくなるという課題があっ
た。
型パッケ−ジ用のリッドとしては、外周部の封止部54
にのみ半田層53が形成されたセラミックリッド50が
使用されていたが、セラミックリッド50をC/C(3
mm角程度)等の小型チップ部品用パッケ−ジにそのま
ま適用しようとしても、小型チップ部品用パッケ−ジで
は、封止部の線幅が細くなるために、封止部のみに半田
ペ−ストを均一に印刷、塗布することが困難となり、封
止後に気密不良が発生しやすくなるという課題があっ
た。
【0007】また、上記した小型パッケ−ジ用に使用さ
れているメタルリッド60においては、製造加工の容易
性の観点から封止面全面に半田層62が形成されてお
り、小型チップ部品として水晶振動子等を収納したパッ
ケ−ジをメタルリッド60で封止しようとすると、半田
成分であるIn、Sn等がパッケ−ジのキャビティ内に
揮発して、接続端子のAu面等に付着して水晶振動子の
発振周波数に変動をきたす等、水晶振動子等を搭載する
小型パッケ−ジには適用が困難であるという課題があっ
た。
れているメタルリッド60においては、製造加工の容易
性の観点から封止面全面に半田層62が形成されてお
り、小型チップ部品として水晶振動子等を収納したパッ
ケ−ジをメタルリッド60で封止しようとすると、半田
成分であるIn、Sn等がパッケ−ジのキャビティ内に
揮発して、接続端子のAu面等に付着して水晶振動子の
発振周波数に変動をきたす等、水晶振動子等を搭載する
小型パッケ−ジには適用が困難であるという課題があっ
た。
【0008】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、小型のパッケ−ジ部品において封止部の線幅が細
くても封止部のみに半田層を確実に形成することがで
き、パッケ−ジの封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等に悪影響を与え
ることなく搭載することのできる信頼性の高いパッケ−
ジングを行うことができ、しかも、パッケ−ジ部品の封
止工程を簡略化してコストの削減を図ることができるパ
ッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を
用いたパッケ−ジの封止方法を提供することを目的とし
ている。
って、小型のパッケ−ジ部品において封止部の線幅が細
くても封止部のみに半田層を確実に形成することがで
き、パッケ−ジの封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等に悪影響を与え
ることなく搭載することのできる信頼性の高いパッケ−
ジングを行うことができ、しかも、パッケ−ジ部品の封
止工程を簡略化してコストの削減を図ることができるパ
ッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を
用いたパッケ−ジの封止方法を提供することを目的とし
ている。
【0009】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るパッケ−ジ部品(1)は、
チップ部品用のパッケ−ジ部品において、前記パッケ−
ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面に半田め
っき層が形成されていることを特徴としている。
達成するために本発明に係るパッケ−ジ部品(1)は、
チップ部品用のパッケ−ジ部品において、前記パッケ−
ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面に半田め
っき層が形成されていることを特徴としている。
【0010】上記したパッケ−ジ部品(1)によれば、
パッケ−ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面
に半田めっき層が形成されているので、パッケ−ジの封
止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減
でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、
発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。
パッケ−ジ部品の封止部に形成される下地金属層の表面
に半田めっき層が形成されているので、パッケ−ジの封
止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減
でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、
発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。
【0011】また、本発明に係るパッケ−ジ部品(2)
は、上記パッケ−ジ部品(1)において、前記半田めっ
き層が電解めっき法を用いて形成されていることを特徴
としている。上記したパッケ−ジ部品(2)によれば、
前記半田めっき層が電解めっき法を用いて形成されてい
るので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における下地金
属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の形成を
確実にしかも容易に行うことができる。
は、上記パッケ−ジ部品(1)において、前記半田めっ
き層が電解めっき法を用いて形成されていることを特徴
としている。上記したパッケ−ジ部品(2)によれば、
前記半田めっき層が電解めっき法を用いて形成されてい
るので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における下地金
属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の形成を
確実にしかも容易に行うことができる。
【0012】また、本発明に係るパッケ−ジ部品(3)
は、上記パッケ−ジ部品(1)において、前記半田めっ
き層が無電解めっき法を用いて形成されていることを特
徴としている。上記したパッケ−ジ部品(3)によれ
ば、前記半田めっき層が無電解めっき法を用いて形成さ
れているので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における
下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の
形成を確実にしかも容易に行うことができる。また、無
電解めっき法を用いるので、めっき用配線を形成してお
く必要がなく、パッケ−ジ部品基板の構成を簡単なもの
として製造コストを低く抑えることができる。
は、上記パッケ−ジ部品(1)において、前記半田めっ
き層が無電解めっき法を用いて形成されていることを特
徴としている。上記したパッケ−ジ部品(3)によれ
ば、前記半田めっき層が無電解めっき法を用いて形成さ
れているので、小型のパッケ−ジ部品で封止部における
下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に半田層の
形成を確実にしかも容易に行うことができる。また、無
電解めっき法を用いるので、めっき用配線を形成してお
く必要がなく、パッケ−ジ部品基板の構成を簡単なもの
として製造コストを低く抑えることができる。
【0013】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(4)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(3)のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がAu、Ag、Ag−P
t、Ag−Pd等の低温焼成金属層からなることを特徴
としている。
(4)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(3)のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がAu、Ag、Ag−P
t、Ag−Pd等の低温焼成金属層からなることを特徴
としている。
【0014】上記したパッケ−ジ部品(4)によれば、
前記下地金属層がAu、Ag、Ag−Pt、Ag−Pd
等の低温焼成金属層からなるので、焼き付け温度を低く
して必要エネルギ−量を低く抑えることができる。ま
た、パッケ−ジ部品の構成材料にアルミナ等の高温焼成
セラミック材料を使用した場合には、セラミック焼成
後、前記下地金属層を後付けで形成すればよく、またガ
ラスセラミック等の低温焼成セラミック材料を使用した
場合には、前記下地金属層を印刷した後、セラミックの
焼成と同時に前記下地金属層の焼き付け工程を行うこと
も可能であり、この場合セラミック材料を850〜10
00℃の温度範囲で焼成することができるのでエネルギ
−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることがで
きる。
前記下地金属層がAu、Ag、Ag−Pt、Ag−Pd
等の低温焼成金属層からなるので、焼き付け温度を低く
して必要エネルギ−量を低く抑えることができる。ま
た、パッケ−ジ部品の構成材料にアルミナ等の高温焼成
セラミック材料を使用した場合には、セラミック焼成
後、前記下地金属層を後付けで形成すればよく、またガ
ラスセラミック等の低温焼成セラミック材料を使用した
場合には、前記下地金属層を印刷した後、セラミックの
焼成と同時に前記下地金属層の焼き付け工程を行うこと
も可能であり、この場合セラミック材料を850〜10
00℃の温度範囲で焼成することができるのでエネルギ
−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることがで
きる。
【0015】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(5)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(3)のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がW、Mo等の高温焼成金
属層からなることを特徴としている。上記したパッケ−
ジ部品(5)によれば、前記下地金属層がW、Mo等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、前記セラミ
ック基板と前記下地金属層とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。
(5)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(3)のいずれ
かにおいて、前記下地金属層がW、Mo等の高温焼成金
属層からなることを特徴としている。上記したパッケ−
ジ部品(5)によれば、前記下地金属層がW、Mo等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、前記セラミ
ック基板と前記下地金属層とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。
【0016】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(6)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(5)のいずれ
かにおいて、構成主基板が単層からなることを特徴とし
ている。上記したパッケ−ジ部品(6)によれば、前記
パッケ−ジ部品の構成主基板が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。
(6)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(5)のいずれ
かにおいて、構成主基板が単層からなることを特徴とし
ている。上記したパッケ−ジ部品(6)によれば、前記
パッケ−ジ部品の構成主基板が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。
【0017】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(7)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(5)のいずれ
かにおいて、構成主基板が少なくとも2層以上の積層体
からなることを特徴としている。上記したパッケ−ジ部
品(7)によれば、前記パッケ−ジ部品の構成主基板が
少なくとも2層以上の積層体からなるので、前記パッケ
−ジ部品の機械的強度を高めることができるとともに、
構成主基板の内層部に電解めっき用配線パタ−ンを形成
して電解めっき法を施すことができ、基板表面の下地金
属層以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、
コストの低減及び高品質化を図ることができる。
(7)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(5)のいずれ
かにおいて、構成主基板が少なくとも2層以上の積層体
からなることを特徴としている。上記したパッケ−ジ部
品(7)によれば、前記パッケ−ジ部品の構成主基板が
少なくとも2層以上の積層体からなるので、前記パッケ
−ジ部品の機械的強度を高めることができるとともに、
構成主基板の内層部に電解めっき用配線パタ−ンを形成
して電解めっき法を施すことができ、基板表面の下地金
属層以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、
コストの低減及び高品質化を図ることができる。
【0018】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(8)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(7)のいずれ
かにおいて、構成基板がセラミック基板からなることを
特徴としている。上記したパッケ−ジ部品(8)によれ
ば、構成基板がセラミック基板からなるので、温度など
の外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ内部のチ
ップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。
(8)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(7)のいずれ
かにおいて、構成基板がセラミック基板からなることを
特徴としている。上記したパッケ−ジ部品(8)によれ
ば、構成基板がセラミック基板からなるので、温度など
の外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ内部のチ
ップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高いパッケ−
ジ部品を提供することができる。
【0019】また、本発明におけるパッケ−ジ部品
(9)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(7)のいずれ
かにおいて、構成基板がプラスチック基板からなること
を特徴としている。上記したパッケ−ジ部品(9)によ
れば、構成基板がプラスチック基板からなるので、セラ
ミック基板よりも安価なパッケ−ジ部品を提供すること
ができる。
(9)は、上記パッケ−ジ部品(1)〜(7)のいずれ
かにおいて、構成基板がプラスチック基板からなること
を特徴としている。上記したパッケ−ジ部品(9)によ
れば、構成基板がプラスチック基板からなるので、セラ
ミック基板よりも安価なパッケ−ジ部品を提供すること
ができる。
【0020】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(10)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)〜(6)又は(8)のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
チを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンとを形成した後、焼付けを
行う工程と、前記下地金属層に電解めっき法を施して半
田めっき層を形成する工程とを含んでいることを特徴と
している。
造方法(10)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)〜(6)又は(8)のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
チを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンとを形成した後、焼付けを
行う工程と、前記下地金属層に電解めっき法を施して半
田めっき層を形成する工程とを含んでいることを特徴と
している。
【0021】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
0)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続された
電解めっき用配線パターンとを形成し、前記下地金属層
に電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、
前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実
に前記半田めっき層を形成することができ、また、前記
下地金属層と前記電解めっき用配線パタ−ンの反対面に
前記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を
与えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々
のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基
板に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッ
ケ−ジ部品に半田めっき層を形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。
0)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層と、該下地金属層と電気的に接続された
電解めっき用配線パターンとを形成し、前記下地金属層
に電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、
前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実
に前記半田めっき層を形成することができ、また、前記
下地金属層と前記電解めっき用配線パタ−ンの反対面に
前記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を
与えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々
のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基
板に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッ
ケ−ジ部品に半田めっき層を形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。
【0022】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(11)は、上記パッケ−ジ部品(1)、(3)
〜(6)又は(8)のいずれかにおいて、セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程
と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、
セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
を形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層に
無電解めっき法を施して半田めっき層を形成する工程と
を含んでいることを特徴としている。
造方法(11)は、上記パッケ−ジ部品(1)、(3)
〜(6)又は(8)のいずれかにおいて、セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程
と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、
セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
を形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層に
無電解めっき法を施して半田めっき層を形成する工程と
を含んでいることを特徴としている。
【0023】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
1)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層を形成した後、該下地金属層に無電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができ、また、無電解めっき
法によるので、めっき用配線を形成しておく必要もな
く、さらに、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の
前記セラミック基板に無電解めっき法を施すことによ
り、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成
することができるので、製造工程の効率化を図り、製造
コストを低減することができる。
1)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に封止部
用の下地金属層を形成した後、該下地金属層に無電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができ、また、無電解めっき
法によるので、めっき用配線を形成しておく必要もな
く、さらに、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の
前記セラミック基板に無電解めっき法を施すことによ
り、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成
することができるので、製造工程の効率化を図り、製造
コストを低減することができる。
【0024】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(12)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)、(5)、(7)または(8)のいずれ
かにおいて、第1のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、第
2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解め
っき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第1のセラ
ミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラミックグリ−ン
シ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に前記
スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成し
た後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用配線パター
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施して半田めっき層を形成する工程とを含ん
でいることを特徴としている。
造方法(12)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)、(5)、(7)または(8)のいずれ
かにおいて、第1のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、第
2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解め
っき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第1のセラ
ミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラミックグリ−ン
シ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を
焼成する工程と、セラミック基板表面の所定箇所に前記
スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成し
た後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用配線パター
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施して半田めっき層を形成する工程とを含ん
でいることを特徴としている。
【0025】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
2)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に前記ス
ル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成した
後、前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−
ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田
めっき層を形成するので、前記下地金属層の線幅が細く
ても該下地金属層上に確実に前記半田めっき層を形成す
ることができ、また、前記電解めっき用配線パタ−ンが
前記セラミック基板の内層部に形成されているので、電
解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な半田が
付着することがない。さらに、前記セラミック基板表面
には、前記電解めっき用配線パタ−ンが形成されていな
いのでブレイク後の外観もよく、また、前記電解めっき
用配線パタ−ンが内層部に形成されているので前記セラ
ミック基板からのパッケ−ジ部品のブレイクを容易に行
うことができる。また、個々のパッケ−ジ部品にブレイ
クする前の前記セラミック基板に電解めっき法を施すこ
とにより、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層
を形成することができるので、製造工程の効率化を図
り、製造コストを低減することができる。
2)によれば、セラミック基板表面の所定箇所に前記ス
ル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成した
後、前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−
ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田
めっき層を形成するので、前記下地金属層の線幅が細く
ても該下地金属層上に確実に前記半田めっき層を形成す
ることができ、また、前記電解めっき用配線パタ−ンが
前記セラミック基板の内層部に形成されているので、電
解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な半田が
付着することがない。さらに、前記セラミック基板表面
には、前記電解めっき用配線パタ−ンが形成されていな
いのでブレイク後の外観もよく、また、前記電解めっき
用配線パタ−ンが内層部に形成されているので前記セラ
ミック基板からのパッケ−ジ部品のブレイクを容易に行
うことができる。また、個々のパッケ−ジ部品にブレイ
クする前の前記セラミック基板に電解めっき法を施すこ
とにより、一度に大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層
を形成することができるので、製造工程の効率化を図
り、製造コストを低減することができる。
【0026】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(13)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)〜(6)または(8)のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成す
る工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記
下地金属層に電解めっき法を施してNiめっき層を形成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層を形
成する工程とを含んでいることを特徴としている。
造方法(13)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)〜(6)または(8)のいずれかにおい
て、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止
部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的に接続され
た電解めっき用配線パターンを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチを形
成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成す
る工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記
下地金属層に電解めっき法を施してNiめっき層を形成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層を形
成する工程とを含んでいることを特徴としている。
【0027】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
3)によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的
に接続された電解めっき用配線パターンを形成して焼成
し、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金
属層に電解めっき法を施してNiめっき層を形成し、前
記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層に
電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、前
記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に
前記半田めっき層を形成することができ、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記電
解めっき用配線パタ−ンとの同時焼成により、前記セラ
ミック基板に前記下地金属層を強固に結合させることが
できる。また、前記下地金属層と前記電解めっき用配線
パタ−ンが形成されるセラミック基板11の反対面に前
記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を与
えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ部
品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々の
パッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基板
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。
3)によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層及び該下地金属層と電気的
に接続された電解めっき用配線パターンを形成して焼成
し、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金
属層に電解めっき法を施してNiめっき層を形成し、前
記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層に
電解めっき法を施して半田めっき層を形成するので、前
記下地金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に
前記半田めっき層を形成することができ、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記電
解めっき用配線パタ−ンとの同時焼成により、前記セラ
ミック基板に前記下地金属層を強固に結合させることが
できる。また、前記下地金属層と前記電解めっき用配線
パタ−ンが形成されるセラミック基板11の反対面に前
記ノッチを形成するので、電解めっき工程に悪影響を与
えることなく、前記セラミック基板からのパッケ−ジ部
品のブレイクを容易に行うことができる。また、個々の
パッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラミック基板
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。
【0028】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(14)は、上記パッケ−ジ部品(1)、(3)
〜(6)または(8)のいずれかにおいて、セラミック
グリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止部用の下地金属
層を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層
に無電解めっき法を施してNiめっき層を形成する工程
と、無電解Niめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
する工程とを含んでいることを特徴としている。
造方法(14)は、上記パッケ−ジ部品(1)、(3)
〜(6)または(8)のいずれかにおいて、セラミック
グリ−ンシ−トの表面の所定箇所に封止部用の下地金属
層を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層
に無電解めっき法を施してNiめっき層を形成する工程
と、無電解Niめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
する工程とを含んでいることを特徴としている。
【0029】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
4)によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層を形成して焼成し、該下地
金属層に無電解めっき法を施してNiめっき層を形成
し、無電解Niめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
するので、前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属
層上に確実に前記半田めっき層を形成することができ、
前記セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金
属層との同時焼成により、前記セラミック基板に前記下
地金属層を強固に結合させることができる。また、前記
セラミック基板の裏面に形成される前記ノッチによりパ
ッケ−ジ部品のブレイクを容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に無電解めっき法を施すことにより、一度に
大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することが
できるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低
減することができる。
4)によれば、セラミックグリ−ンシ−トの表面の所定
箇所に封止部用の下地金属層を形成して焼成し、該下地
金属層に無電解めっき法を施してNiめっき層を形成
し、無電解Niめっき後の前記セラミック基板の前記下
地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成
するので、前記下地金属層の線幅が細くても該下地金属
層上に確実に前記半田めっき層を形成することができ、
前記セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金
属層との同時焼成により、前記セラミック基板に前記下
地金属層を強固に結合させることができる。また、前記
セラミック基板の裏面に形成される前記ノッチによりパ
ッケ−ジ部品のブレイクを容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に無電解めっき法を施すことにより、一度に
大量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することが
できるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低
減することができる。
【0030】また、本発明におけるパッケ−ジ部品の製
造方法(15)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)、(5)、(7)または(8)のいずれ
かにおいて、第1のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、前
記セラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成する工
程と、第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所
に電解めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第
1のセラミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラミック
グリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧
着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノ
ッチを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パタ−
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施してNiめっき層を形成する工程と、前記
電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを介し
て前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層
を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。
造方法(15)は、上記パッケ−ジ部品(1)、
(2)、(4)、(5)、(7)または(8)のいずれ
かにおいて、第1のセラミックグリ−ンシ−トの所定箇
所にスル−ホ−ルを形成する工程と、該スル−ホ−ル内
に導電ペーストを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、前
記セラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成する工
程と、第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所
に電解めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、前記第
1のセラミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラミック
グリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧
着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノ
ッチを形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パタ−
ン及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解
めっき法を施してNiめっき層を形成する工程と、前記
電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを介し
て前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層
を形成する工程とを含んでいることを特徴としている。
【0031】上記したパッケ−ジ部品の製造方法(1
5)によれば、第1のセラミックグリ−ンシ−ト表面の
所定箇所に前記スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地
金属層を形成し、第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面
の所定箇所に電解めっき用配線パタ−ンを形成し、積層
して焼成後、前記電解めっき用配線パタ−ン及び前記ス
ル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施
してNiめっき層を形成し、前記電解めっき用パターン
及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができる。また、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンとを同時焼成で行うことで、
前記セラミック基板と前記下地金属層とを強固に結合さ
せることができる。また、前記電解めっき用配線パタ−
ンが前記セラミック基板の内層部に形成されているの
で、電解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な
半田を析出させることがなく、更に、前記セラミック基
板表面には前記電解めっき用配線パタ−ンがないのでブ
レイク後の外観もよく、前記セラミック基板からのパッ
ケ−ジ部品のブレイクも容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に電解めっき法を施すことにより、一度に大
量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することがで
きるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減
することができる。
5)によれば、第1のセラミックグリ−ンシ−ト表面の
所定箇所に前記スル−ホ−ルと導通する封止部用の下地
金属層を形成し、第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面
の所定箇所に電解めっき用配線パタ−ンを形成し、積層
して焼成後、前記電解めっき用配線パタ−ン及び前記ス
ル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解めっき法を施
してNiめっき層を形成し、前記電解めっき用パターン
及び前記スル−ホ−ルを介して前記下地金属層に電解め
っき法を施して半田めっき層を形成するので、前記下地
金属層の線幅が細くても該下地金属層上に確実に前記半
田めっき層を形成することができる。また、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンとを同時焼成で行うことで、
前記セラミック基板と前記下地金属層とを強固に結合さ
せることができる。また、前記電解めっき用配線パタ−
ンが前記セラミック基板の内層部に形成されているの
で、電解めっき時に前記下地金属層以外の部分に余分な
半田を析出させることがなく、更に、前記セラミック基
板表面には前記電解めっき用配線パタ−ンがないのでブ
レイク後の外観もよく、前記セラミック基板からのパッ
ケ−ジ部品のブレイクも容易に行うことができる。ま
た、個々のパッケ−ジ部品にブレイクする前の前記セラ
ミック基板に電解めっき法を施すことにより、一度に大
量のパッケ−ジ部品に半田めっき層を形成することがで
きるので、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減
することができる。
【0032】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法(16)は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品(1)〜(9)のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のパッケ−ジ本体が形成さ
れ、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭
載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々の
パッケ−ジ本体の封止部に、前記リッドの封止部を一致
するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド
の封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リ
ッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程
と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで封止
された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含んで
いることを特徴としている。
法(16)は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品(1)〜(9)のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のパッケ−ジ本体が形成さ
れ、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭
載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々の
パッケ−ジ本体の封止部に、前記リッドの封止部を一致
するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド
の封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リ
ッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程
と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで封止
された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含んで
いることを特徴としている。
【0033】上記したパッケ−ジの封止方法(16)に
よれば、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ
−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレ
イク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々のパッケ−ジ本
体の封止部に、パッケ−ジ部品であるリッドの封止部を
一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リ
ッドの封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前
記リッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−
工程と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで
封止された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含
んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニッ
トの個々のパッケ−ジに、パッケ−ジ部品である前記リ
ッドを治具等を用いてまとめて封止することができ、作
業効率を大幅に向上させ、コストを低減させることがで
きる。
よれば、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ
−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレ
イク前のパッケ−ジ本体ユニットの個々のパッケ−ジ本
体の封止部に、パッケ−ジ部品であるリッドの封止部を
一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、前記リ
ッドの封止部に形成された半田めっき層を溶融させて前
記リッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−
工程と、前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで
封止された個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含
んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニッ
トの個々のパッケ−ジに、パッケ−ジ部品である前記リ
ッドを治具等を用いてまとめて封止することができ、作
業効率を大幅に向上させ、コストを低減させることがで
きる。
【0034】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法(17)は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品(1)〜(9)のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のリッドが形成されたブレイ
ク前のリッドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形
成され、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品
が搭載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットと
を、重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッドの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッドと
前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前
記パッケ−ジ本体ユニット及び前記リッドユニットを個
々のパッケ−ジに切り離す工程とを含んでいることを特
徴としている。
法(17)は、チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本体
を、上記パッケ−ジ部品(1)〜(9)のいずれかのパ
ッケ−ジ部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの
封止方法であって、複数個のリッドが形成されたブレイ
ク前のリッドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形
成され、該パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品
が搭載されたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットと
を、重ね合わせて仮固定する工程と、前記リッドの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッドと
前記パッケ−ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前
記パッケ−ジ本体ユニット及び前記リッドユニットを個
々のパッケ−ジに切り離す工程とを含んでいることを特
徴としている。
【0035】上記したパッケ−ジの封止方法(17)に
よれば、複数個のリッドが形成されたブレイク前のリッ
ドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該
パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載され
たブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットとを、重ね合わ
せて仮固定する工程と、前記リッドの封止部に形成され
た半田めっき層を溶融させて前記リッドと前記パッケ−
ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ
本体ユニット及び前記リッドユニットを個々のパッケ−
ジに切り離す工程とを含んでいるので、ブレイク前の前
記パッケ−ジ本体ユニットに、ブレイク前の前記リッド
ユニットをそのまま用いてユニットごとまとめて封止す
ることができ、個々のパッケ−ジの封止を行う必要がな
く作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低
減させることができる。
よれば、複数個のリッドが形成されたブレイク前のリッ
ドユニットと、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該
パッケ−ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載され
たブレイク前のパッケ−ジ本体ユニットとを、重ね合わ
せて仮固定する工程と、前記リッドの封止部に形成され
た半田めっき層を溶融させて前記リッドと前記パッケ−
ジ本体とを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ
本体ユニット及び前記リッドユニットを個々のパッケ−
ジに切り離す工程とを含んでいるので、ブレイク前の前
記パッケ−ジ本体ユニットに、ブレイク前の前記リッド
ユニットをそのまま用いてユニットごとまとめて封止す
ることができ、個々のパッケ−ジの封止を行う必要がな
く作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低
減させることができる。
【0036】また、本発明におけるパッケ−ジの封止方
法(18)は、上記パッケ−ジの封止方法(16)又は
(17)において、前記リフロ−工程を、N2 等の還元
雰囲気中で行うことを特徴としている。上記したパッケ
−ジの封止方法(18)によれば、前記リフロ−工程を
N2 等の還元雰囲気で行うので、めっき法で形成された
半田層の酸化を防止でき、フラックスを含まない半田層
でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができる。
法(18)は、上記パッケ−ジの封止方法(16)又は
(17)において、前記リフロ−工程を、N2 等の還元
雰囲気中で行うことを特徴としている。上記したパッケ
−ジの封止方法(18)によれば、前記リフロ−工程を
N2 等の還元雰囲気で行うので、めっき法で形成された
半田層の酸化を防止でき、フラックスを含まない半田層
でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができる。
【0037】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るパッケ−ジ部
品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッ
ケ−ジの封止方法の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。図1は、本発明の実施の形態(1)に係るパッケ−
ジ部品の構成を示す模式図であり、(a)は複数個のパ
ッケ−ジ部品20が形成されたパッケ−ジ部品ユニット
10の部分平面図、(b)は、(a)におけるB−B線
断面図である。
品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッ
ケ−ジの封止方法の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。図1は、本発明の実施の形態(1)に係るパッケ−
ジ部品の構成を示す模式図であり、(a)は複数個のパ
ッケ−ジ部品20が形成されたパッケ−ジ部品ユニット
10の部分平面図、(b)は、(a)におけるB−B線
断面図である。
【0038】セラミック基板11からなるパッケ−ジ部
品ユニット10には、平面視略正方形のパッケ−ジ部品
20が所定間隔を設けて複数個形成され、該パッケ−ジ
部品20の外枠に沿ってノッチ17がセラミック基板1
1の両面に形成されている。前記パッケ−ジ部品20の
周縁部には、略口の字形状の封止部18が形成されてい
る。
品ユニット10には、平面視略正方形のパッケ−ジ部品
20が所定間隔を設けて複数個形成され、該パッケ−ジ
部品20の外枠に沿ってノッチ17がセラミック基板1
1の両面に形成されている。前記パッケ−ジ部品20の
周縁部には、略口の字形状の封止部18が形成されてい
る。
【0039】(b)において、パッケ−ジ部品20は、
構成主基板がセラミック基板11aとその上に積層され
たセラミック基板11bの2層のセラミック基板11か
ら構成され、セラミック基板11aのセラミック基板1
1bとの積層面には電解めっき用パタ−ン13が形成さ
れている。この電解めっき用配線パタ−ン13はセラミ
ック基板11bに形成されているスル−ホ−ル12を介
してセラミック基板11bの表面に略口の字形状に形成
されている下地金属層14と電気的に接続されている。
該下地金属層14の表面には、Niめっき層15が形成
され、該Niめっき層15の表面には半田めっき層16
が形成されている。これら前記下地金属層14、前記N
iめっき層15、前記半田めっき層16を含んで封止部
18が構成されており、この封止部18とセラミック基
板11からパッケ−ジ部品20が構成されている。
構成主基板がセラミック基板11aとその上に積層され
たセラミック基板11bの2層のセラミック基板11か
ら構成され、セラミック基板11aのセラミック基板1
1bとの積層面には電解めっき用パタ−ン13が形成さ
れている。この電解めっき用配線パタ−ン13はセラミ
ック基板11bに形成されているスル−ホ−ル12を介
してセラミック基板11bの表面に略口の字形状に形成
されている下地金属層14と電気的に接続されている。
該下地金属層14の表面には、Niめっき層15が形成
され、該Niめっき層15の表面には半田めっき層16
が形成されている。これら前記下地金属層14、前記N
iめっき層15、前記半田めっき層16を含んで封止部
18が構成されており、この封止部18とセラミック基
板11からパッケ−ジ部品20が構成されている。
【0040】図2はパッケ−ジ部品ユニット10に形成
されるパッケ−ジ部品20の製造方法を概略的に示した
フロ−チャ−トである。まず、セラミックスラリ−を形
成してドクタ−ブレ−ド法により、引き出し方向に長い
形状をしたセラミックグリ−ンシ−トを作成する(S
1)。このセラミックスラリ−はセラミック原料粉末、
有機バインダ、溶剤、可塑剤等を含んで構成されてお
り、前記セラミック原料粉末には例えば、アルミナ等の
セラミック粉末が用いられ、前記溶剤には例えばトルエ
ン、キシレン等が用いられる。次に前記セラミックグリ
−ンシ−トにパンチングを行い、所定形状のセラミック
グリ−ンシ−トを形成すると共に、前記セラミックグリ
−ンシ−トの所定箇所にスル−ホ−ルを形成する(S
2)。
されるパッケ−ジ部品20の製造方法を概略的に示した
フロ−チャ−トである。まず、セラミックスラリ−を形
成してドクタ−ブレ−ド法により、引き出し方向に長い
形状をしたセラミックグリ−ンシ−トを作成する(S
1)。このセラミックスラリ−はセラミック原料粉末、
有機バインダ、溶剤、可塑剤等を含んで構成されてお
り、前記セラミック原料粉末には例えば、アルミナ等の
セラミック粉末が用いられ、前記溶剤には例えばトルエ
ン、キシレン等が用いられる。次に前記セラミックグリ
−ンシ−トにパンチングを行い、所定形状のセラミック
グリ−ンシ−トを形成すると共に、前記セラミックグリ
−ンシ−トの所定箇所にスル−ホ−ルを形成する(S
2)。
【0041】次に、該スル−ホ−ルに導電材料として
W、Mo等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−
ル印刷を行い(S3)、下地金属層としてW、Mo等を
含んだ導体ペ−ストをスクリ−ン印刷し、封止部を構成
する下地金属層を形成する(S4)。次にS1で作成し
た別のセラミックグリ−ンシ−トには、電解めっき用配
線パタ−ンとしてW、Mo等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる(S
5)。その後、S4およびS5で前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記セラミックグ
リ−ンシ−トを積層して、加熱しながら加圧する熱圧着
を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積層体が製造される
(S6)。次に、パッケ−ジ部品20の封止部18を構
成する前記下地金属層14の外周部に沿ってノッチ17
を前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体の両主面から形
成する(S7)。その後、所定雰囲気中において前記セ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処理を
行い、セラミック基板11に下地金属層14、スル−ホ
−ル12、電解めっき用配線パタ−ン13が一体的に形
成されたセラミック基板を得る(S8)。
W、Mo等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−
ル印刷を行い(S3)、下地金属層としてW、Mo等を
含んだ導体ペ−ストをスクリ−ン印刷し、封止部を構成
する下地金属層を形成する(S4)。次にS1で作成し
た別のセラミックグリ−ンシ−トには、電解めっき用配
線パタ−ンとしてW、Mo等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる(S
5)。その後、S4およびS5で前記下地金属層と前記
電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記セラミックグ
リ−ンシ−トを積層して、加熱しながら加圧する熱圧着
を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積層体が製造される
(S6)。次に、パッケ−ジ部品20の封止部18を構
成する前記下地金属層14の外周部に沿ってノッチ17
を前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体の両主面から形
成する(S7)。その後、所定雰囲気中において前記セ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処理を
行い、セラミック基板11に下地金属層14、スル−ホ
−ル12、電解めっき用配線パタ−ン13が一体的に形
成されたセラミック基板を得る(S8)。
【0042】次に、セラミック基板11の内層部に形成
された電解めっき用配線パタ−ン13を利用して、前記
セラミック基板11表面の前記下地金属層14の表面
に、電解Niめっき法を用いてNiめっき層15を形成
する(S9)。次に内層部に形成された電解めっき用配
線パタ−ン13を利用して、前記セラミック基板11表
面の前記Niめっき層15表面に、電解半田めっき法を
用いて半田めっき層16を形成して、前記セラミック基
板11に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品
が前記セラミック基板11に製造される(S10)。次
に、パッケ−ジ部品ユニット10からパッケ−ジ部品2
0をブレイクして個々のパッケ−ジ部品20とするか、
もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユニット10の
ままにしておき(S11)、後のパッケ−ジの封止工程
に使用する。
された電解めっき用配線パタ−ン13を利用して、前記
セラミック基板11表面の前記下地金属層14の表面
に、電解Niめっき法を用いてNiめっき層15を形成
する(S9)。次に内層部に形成された電解めっき用配
線パタ−ン13を利用して、前記セラミック基板11表
面の前記Niめっき層15表面に、電解半田めっき法を
用いて半田めっき層16を形成して、前記セラミック基
板11に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品
が前記セラミック基板11に製造される(S10)。次
に、パッケ−ジ部品ユニット10からパッケ−ジ部品2
0をブレイクして個々のパッケ−ジ部品20とするか、
もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユニット10の
ままにしておき(S11)、後のパッケ−ジの封止工程
に使用する。
【0043】上記の説明から明らかなように、実施の形
態(1)に係るパッケ−ジ部品20では、パッケ−ジ部
品20の封止部18に形成される下地金属層14の表面
に半田めっき層16が形成されているので、パッケ−ジ
の封止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に
低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合で
も、発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッ
ケ−ジ部品を提供することができる。
態(1)に係るパッケ−ジ部品20では、パッケ−ジ部
品20の封止部18に形成される下地金属層14の表面
に半田めっき層16が形成されているので、パッケ−ジ
の封止時にキャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に
低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合で
も、発振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッ
ケ−ジ部品を提供することができる。
【0044】また、前記半田めっき層16が電解めっき
法を用いて形成されているので、小型のパッケ−ジ部品
20で、封止部18における下地金属層14の線幅が細
くても該下地金属層14上に半田層の形成を確実にしか
も容易に行うことができる。
法を用いて形成されているので、小型のパッケ−ジ部品
20で、封止部18における下地金属層14の線幅が細
くても該下地金属層14上に半田層の形成を確実にしか
も容易に行うことができる。
【0045】また、前記下地金属層14がW、Mo等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、セラミック
基板11と下地金属層14とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板と同時焼成を行うことができ、セラミック
基板11と下地金属層14とを強固に接合させて高品質
のパッケ−ジ部品を得ることができる。
【0046】また、前記パッケ−ジ部品20の構成主基
板であるセラミック基板11が少なくとも2層以上の積
層体からなるので、前記パッケ−ジ部品20の機械的強
度を高めることができるとともに、構成主基板である前
記セラミック基板11の内層部に電解めっき用配線パタ
−ン13を形成して、電解めっき法を施すことができ、
前記セラミック基板11表面には前記下地金属層14以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、コスト
の低減及び高品質化を図ることができる。
板であるセラミック基板11が少なくとも2層以上の積
層体からなるので、前記パッケ−ジ部品20の機械的強
度を高めることができるとともに、構成主基板である前
記セラミック基板11の内層部に電解めっき用配線パタ
−ン13を形成して、電解めっき法を施すことができ、
前記セラミック基板11表面には前記下地金属層14以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、コスト
の低減及び高品質化を図ることができる。
【0047】また、構成基板が前記セラミック基板11
からなるので、温度などの外部環境因子の変化に対して
も、パッケ−ジ内部のチップ部品の性能に影響を与えな
い信頼性の高いパッケ−ジ部品とすることができる。
からなるので、温度などの外部環境因子の変化に対して
も、パッケ−ジ内部のチップ部品の性能に影響を与えな
い信頼性の高いパッケ−ジ部品とすることができる。
【0048】また、実施の形態(1)に係るパッケ−ジ
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−ト1
1bの所定箇所にスル−ホ−ル12を形成する工程と、
該スル−ホ−ル12内に導電ペーストを充填するスル−
ホ−ル印刷工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト11
b表面の所定箇所に前記スル−ホ−ル12と導通する封
止部18用の下地金属層14を形成する工程と、セラミ
ックグリ−ンシ−ト11a表面の所定箇所に電解めっき
用配線パタ−ン13を形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−ト11bを前記セラミックグリ−ンシ−ト
11a上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体11の所定箇所にノッチ
17を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体11を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パ
タ−ン13及び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地
金属層14に電解Niめっき法を施してNiめっき層1
5を形成する工程と、前記電解めっき用パターン13及
び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地金属層14に
電解半田めっき法を施して半田めっき層16を形成する
工程とを含んでいるので、前記下地金属層14の線幅が
細くても該下地金属層14上に確実に前記半田めっき層
16が形成でき、また、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体に形成された前記下地金属層14と前記電解めっ
き用配線パタ−ン13と同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板11と前記下地金属層14とを強固に
接合させることができる。また、前記電解めっき用配線
パタ−ン13が前記セラミック基板11の内層部に形成
されているので、電解めっき時に前記下地金属層14以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、前記セ
ラミック基板11表面には前記電解めっき用配線パタ−
ン13が形成されていないのでブレイク後の外観もよ
く、前記セラミック基板11の両面から前記ノッチを形
成できるのでパッケ−ジ部品20のブレイクを容易に行
うことができる。また、セラミック基板11に電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
0に半田めっき層を形成することができるので、製造工
程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−ト1
1bの所定箇所にスル−ホ−ル12を形成する工程と、
該スル−ホ−ル12内に導電ペーストを充填するスル−
ホ−ル印刷工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト11
b表面の所定箇所に前記スル−ホ−ル12と導通する封
止部18用の下地金属層14を形成する工程と、セラミ
ックグリ−ンシ−ト11a表面の所定箇所に電解めっき
用配線パタ−ン13を形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−ト11bを前記セラミックグリ−ンシ−ト
11a上に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセ
ラミックグリ−ンシ−ト積層体11の所定箇所にノッチ
17を形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体11を焼成する工程と、前記電解めっき用配線パ
タ−ン13及び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地
金属層14に電解Niめっき法を施してNiめっき層1
5を形成する工程と、前記電解めっき用パターン13及
び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地金属層14に
電解半田めっき法を施して半田めっき層16を形成する
工程とを含んでいるので、前記下地金属層14の線幅が
細くても該下地金属層14上に確実に前記半田めっき層
16が形成でき、また、前記セラミックグリ−ンシ−ト
積層体に形成された前記下地金属層14と前記電解めっ
き用配線パタ−ン13と同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板11と前記下地金属層14とを強固に
接合させることができる。また、前記電解めっき用配線
パタ−ン13が前記セラミック基板11の内層部に形成
されているので、電解めっき時に前記下地金属層14以
外の部分に余分な半田を析出させることがなく、前記セ
ラミック基板11表面には前記電解めっき用配線パタ−
ン13が形成されていないのでブレイク後の外観もよ
く、前記セラミック基板11の両面から前記ノッチを形
成できるのでパッケ−ジ部品20のブレイクを容易に行
うことができる。また、セラミック基板11に電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
0に半田めっき層を形成することができるので、製造工
程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。
【0049】さらに、上記方法により前記封止部18に
前記下地金属層14、前記Niめっき層15及び前記半
田めっき層16が形成された前記パッケ−ジ部品20を
用いることにより、パッケ−ジ(図示しない)の封止時
に、キャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減で
き、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発
振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ
の封止を行うことができる。
前記下地金属層14、前記Niめっき層15及び前記半
田めっき層16が形成された前記パッケ−ジ部品20を
用いることにより、パッケ−ジ(図示しない)の封止時
に、キャビティ部内への半田成分の揮発を大幅に低減で
き、水晶振動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発
振周波数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ
の封止を行うことができる。
【0050】図3は実施の形態(2)に係るパッケ−ジ
部品21を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。
部品21を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。
【0051】(a)で示したパッケ−ジ部品21は、図
1(a)に示したように、セラミック基板11からなる
パッケ−ジ部品ユニット10から、ブレイクしたもので
ある。パッケ−ジ部品21は、構成主基板となるセラミ
ック基板11が単層からなり、該パッケ−ジ部品21の
周縁部の表面に略口の字形状の下地金属層14が形成さ
れ、該下地金属層14の表面に半田めっき層16が形成
されている。これら前記下地金属層14、前記半田めっ
き層16を含んで封止部18が構成されており、該封止
部18と前記セラミック基板11とから前記パッケ−ジ
部品21が構成されている。
1(a)に示したように、セラミック基板11からなる
パッケ−ジ部品ユニット10から、ブレイクしたもので
ある。パッケ−ジ部品21は、構成主基板となるセラミ
ック基板11が単層からなり、該パッケ−ジ部品21の
周縁部の表面に略口の字形状の下地金属層14が形成さ
れ、該下地金属層14の表面に半田めっき層16が形成
されている。これら前記下地金属層14、前記半田めっ
き層16を含んで封止部18が構成されており、該封止
部18と前記セラミック基板11とから前記パッケ−ジ
部品21が構成されている。
【0052】このように構成されたパッケ−ジ部品21
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図4に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図4に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。
【0053】まず、アルミナ系セラミック等を含んだ所
定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S2
1)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面か
ら、パッケ−ジ部品21の外周部にあたる部分にノッチ
を形成する(S22)。次に、前記セラミックグリ−ン
シ−トを所定温度で焼成してセラミック基板11を得る
(S23)。該セラミック基板11表面の所定箇所に、
Au、Ag、Ag−Pt、Ag−Pdのいずれかを含む
導体ぺ−ストにより、封止部にあたる下地金属層14と
該下地金属層14と導通する電解めっき用配線パタ−ン
(図示せず)を印刷する(S24a)。次に、S24a
で印刷した下地金属層14と電解めっき用配線パタ−ン
の焼付けを所定温度で行い、セラミック基板11と一体
的に形成させる(S25)。次に、前記セラミック基板
11の表面に形成された前記電解めっき用配線パタ−ン
を介して前記下地金属層14に、電解半田めっき法を施
して半田めっき層16を形成し、セラミック基板11に
封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品が形成さ
れる(S26)。そして、パッケ−ジ部品ユニット10
からパッケ−ジ部品21をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品20とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する(S27)。
定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S2
1)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面か
ら、パッケ−ジ部品21の外周部にあたる部分にノッチ
を形成する(S22)。次に、前記セラミックグリ−ン
シ−トを所定温度で焼成してセラミック基板11を得る
(S23)。該セラミック基板11表面の所定箇所に、
Au、Ag、Ag−Pt、Ag−Pdのいずれかを含む
導体ぺ−ストにより、封止部にあたる下地金属層14と
該下地金属層14と導通する電解めっき用配線パタ−ン
(図示せず)を印刷する(S24a)。次に、S24a
で印刷した下地金属層14と電解めっき用配線パタ−ン
の焼付けを所定温度で行い、セラミック基板11と一体
的に形成させる(S25)。次に、前記セラミック基板
11の表面に形成された前記電解めっき用配線パタ−ン
を介して前記下地金属層14に、電解半田めっき法を施
して半田めっき層16を形成し、セラミック基板11に
封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品が形成さ
れる(S26)。そして、パッケ−ジ部品ユニット10
からパッケ−ジ部品21をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品20とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する(S27)。
【0054】また、図3に示すパッケ−ジ部品21の別
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示すフロ−チャ−トを図5
に示す。なお、図4に示した工程と同一の工程には同一
の符号を付すこととし、詳細な説明は省略する。
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示すフロ−チャ−トを図5
に示す。なお、図4に示した工程と同一の工程には同一
の符号を付すこととし、詳細な説明は省略する。
【0055】S23での焼成後のセラミック基板11の
表面に、Au、Ag、Ag−Pt、Ag−Pdのいずれ
かを含む導体ぺ−ストを用いて印刷することにより封止
部18を構成する下地金属層14を形成する(S24
b)。次に、S24bで印刷した前記下地金属層14と
電解めっき用配線パタ−ン(図示せず)の焼付けを行
い、前記セラミック基板11と一体的に形成させる(S
25)。次に、前記セラミック基板11の表面に形成さ
れた前記下地金属層14の表面に、無電解半田めっき法
を施して半田めっき層16を形成し、封止部18が形成
される(S26)。次に、パッケ−ジ部品ユニット10
からパッケ−ジ部品20をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品20とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する(S27)。
表面に、Au、Ag、Ag−Pt、Ag−Pdのいずれ
かを含む導体ぺ−ストを用いて印刷することにより封止
部18を構成する下地金属層14を形成する(S24
b)。次に、S24bで印刷した前記下地金属層14と
電解めっき用配線パタ−ン(図示せず)の焼付けを行
い、前記セラミック基板11と一体的に形成させる(S
25)。次に、前記セラミック基板11の表面に形成さ
れた前記下地金属層14の表面に、無電解半田めっき法
を施して半田めっき層16を形成し、封止部18が形成
される(S26)。次に、パッケ−ジ部品ユニット10
からパッケ−ジ部品20をブレイクして個々のパッケ−
ジ部品20とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−
ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッケ−ジ
の封止工程に使用する(S27)。
【0056】上記の説明から明らかなように、実施の形
態(2)に係るパッケ−ジ部品21では、パッケ−ジ部
品21の封止部18を構成する下地金属層14の表面に
のみ半田めっき層16が形成されているので、パッケ−
ジ(図示せず)の封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに
搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせない信
頼性の高いパッケ−ジ部品を提供することができる。
態(2)に係るパッケ−ジ部品21では、パッケ−ジ部
品21の封止部18を構成する下地金属層14の表面に
のみ半田めっき層16が形成されているので、パッケ−
ジ(図示せず)の封止時にキャビティ部内への半田成分
の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ−ジに
搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせない信
頼性の高いパッケ−ジ部品を提供することができる。
【0057】また、セラミック基板11表面に電解めっ
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層16を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層16を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品21で封止部18におけ
る下地金属層14の線幅が細くても半田めっき層16の
形成を確実にしかも容易に行うことが可能になる。ま
た、無電解めっき法を用いる場合は、めっき用配線パタ
−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ部品基板の
構成を簡単なものとして製造コストを低く抑えることが
できる。
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層16を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層16を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品21で封止部18におけ
る下地金属層14の線幅が細くても半田めっき層16の
形成を確実にしかも容易に行うことが可能になる。ま
た、無電解めっき法を用いる場合は、めっき用配線パタ
−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ部品基板の
構成を簡単なものとして製造コストを低く抑えることが
できる。
【0058】また、前記下地金属層14がAu、Ag、
Ag−Pt、Ag−Pd等の低温焼成金属層からなるの
で、焼き付け温度を低くして必要エネルギ−量を低く抑
えることができる。また、パッケ−ジ部品の構成材料に
アルミナ等の高温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、セラミック焼成後、下地金属層14を後付けで形成
すればよく、また、別の実施の形態として、ガラスセラ
ミックなどの低温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、前記下地金属層14を印刷した後、セラミックの焼
成と同時に前記下地金属層14の焼き付け工程を行うこ
とも可能であり、この場合セラミック材料を850〜1
000℃の温度範囲で焼成することができるのでエネル
ギ−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることが
できる。
Ag−Pt、Ag−Pd等の低温焼成金属層からなるの
で、焼き付け温度を低くして必要エネルギ−量を低く抑
えることができる。また、パッケ−ジ部品の構成材料に
アルミナ等の高温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、セラミック焼成後、下地金属層14を後付けで形成
すればよく、また、別の実施の形態として、ガラスセラ
ミックなどの低温焼成セラミック材料を使用した場合に
は、前記下地金属層14を印刷した後、セラミックの焼
成と同時に前記下地金属層14の焼き付け工程を行うこ
とも可能であり、この場合セラミック材料を850〜1
000℃の温度範囲で焼成することができるのでエネル
ギ−消費量を低く抑えて製造コストを低く抑えることが
できる。
【0059】また、前記パッケ−ジ部品21の構成主基
板となるセラミック基板11が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板11からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品を提供することができる。
板となるセラミック基板11が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストの低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板11からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品を提供することができる。
【0060】また、実施の形態(2)に係るパッケ−ジ
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック基板
11表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14
と、該下地金属層14と電気的に接続された電解めっき
用パターン(図示せず)とを形成した後、焼付けを行う
工程と、前記下地金属層14に電解半田めっき法を施し
て半田めっき層16を形成する工程とを含んでいるの
で、前記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層
14上に確実に前記半田めっき層16を形成することが
でき、また、前記下地金属層14と前記電解めっき用配
線パタ−ン(図示せず)の反対面に前記ノッチを形成す
るので、電解めっき工程には影響を与えることなく、前
記セラミック基板11からのパッケ−ジ部品21のブレ
イクが容易となりうる。また、前記セラミック基板11
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品21に半田めっき層形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。
部品の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−トの
裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミ
ックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック基板
11表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14
と、該下地金属層14と電気的に接続された電解めっき
用パターン(図示せず)とを形成した後、焼付けを行う
工程と、前記下地金属層14に電解半田めっき法を施し
て半田めっき層16を形成する工程とを含んでいるの
で、前記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層
14上に確実に前記半田めっき層16を形成することが
でき、また、前記下地金属層14と前記電解めっき用配
線パタ−ン(図示せず)の反対面に前記ノッチを形成す
るので、電解めっき工程には影響を与えることなく、前
記セラミック基板11からのパッケ−ジ部品21のブレ
イクが容易となりうる。また、前記セラミック基板11
に電解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ
−ジ部品21に半田めっき層形成することができるの
で、製造工程の効率化を図り、製造コストを低減するこ
とができる。
【0061】また、実施の形態(2)に係るパッケ−ジ
部品の別の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−
トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック
基板11表面の所定箇所に封止部用の下地金属層14を
形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層14
に無電解半田めっき法を施して半田めっき層16を形成
する工程とを含んでいるので、前記下地金属層14の線
幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記半田めっ
き層16が形成でき、また、無電解半田めっき法を用い
ているので、めっき用配線パタ−ンを形成しておく必要
もなく、さらに、前記セラミック基板11に無電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
1に半田めっき層16を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。
部品の別の製造方法によれば、セラミックグリ−ンシ−
トの裏面の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セ
ラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、セラミック
基板11表面の所定箇所に封止部用の下地金属層14を
形成した後、焼付けを行う工程と、前記下地金属層14
に無電解半田めっき法を施して半田めっき層16を形成
する工程とを含んでいるので、前記下地金属層14の線
幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記半田めっ
き層16が形成でき、また、無電解半田めっき法を用い
ているので、めっき用配線パタ−ンを形成しておく必要
もなく、さらに、前記セラミック基板11に無電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
1に半田めっき層16を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。
【0062】また、上記方法により前記封止部18に前
記下地金属層14及び前記半田めっき層16が形成され
た前記パッケ−ジ部品21を用いることにより、パッケ
−ジ(図示しない)の封止時に、キャビティ部内への半
田成分の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ
−ジに搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせ
ない信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことができ
る。
記下地金属層14及び前記半田めっき層16が形成され
た前記パッケ−ジ部品21を用いることにより、パッケ
−ジ(図示しない)の封止時に、キャビティ部内への半
田成分の揮発を大幅に低減でき、水晶振動子等をパッケ
−ジに搭載する場合でも、発振周波数の変動を生じさせ
ない信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことができ
る。
【0063】図6は実施の形態(3)に係るパッケ−ジ
部品22を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図6(a)で示したパッケ−ジ部品22
は、図1(a)に示したセラミック基板11からなるパ
ッケ−ジ部品ユニット10として形成したものを、ブレ
イクしたものである。
部品22を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図6(a)で示したパッケ−ジ部品22
は、図1(a)に示したセラミック基板11からなるパ
ッケ−ジ部品ユニット10として形成したものを、ブレ
イクしたものである。
【0064】パッケ−ジ部品22は、構成主基板となる
セラミック基板11が単層からなり、パッケ−ジ部品2
2を構成するセラミック基板11の周縁部の表面に略口
の字形状の下地金属層14が形成され、該下地金属層の
上面にNiめっき層15が形成され、該Niめっき層の
上面に半田めっき層16が形成されている。これら前記
下地金属層14、前記Niめっき層15、前記半田めっ
き層16を含んで封止部18が構成されており、該封止
部18と前記セラミック基板11とから前記パッケ−ジ
部品22が構成されている。
セラミック基板11が単層からなり、パッケ−ジ部品2
2を構成するセラミック基板11の周縁部の表面に略口
の字形状の下地金属層14が形成され、該下地金属層の
上面にNiめっき層15が形成され、該Niめっき層の
上面に半田めっき層16が形成されている。これら前記
下地金属層14、前記Niめっき層15、前記半田めっ
き層16を含んで封止部18が構成されており、該封止
部18と前記セラミック基板11とから前記パッケ−ジ
部品22が構成されている。
【0065】このように構成されたパッケ−ジ部品22
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図7に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。
の製造方法の一つとして、電解めっき法を用いるものが
あり、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを
図7に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関する詳細な説明は省略することとする。
【0066】このように構成されたパッケ−ジ部品22
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S
31)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの表面
に、W、Moのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封
止部18にあたる下地金属層14と該下地金属層14と
導通する電解めっき用配線パタ−ン(図示せず)とを所
定形状に印刷する(S32a)。次に、前記セラミック
グリ−ンシ−トの裏面から、パッケ−ジ部品22の外周
枠にあたる部分に、ノッチを形成する(S33)。次
に、前記セラミックグリ−ンシ−トを所定温度で焼成し
て、前記下地金属層14と前記電解めっき用配線パタ−
ンと前記セラミック基板11とを一体的に形成させる
(S34)。次に、前記セラミック基板11の表面に形
成された前記電解めっき用配線パタ−ンを介して前記下
地金属層14に、電解Niめっき法を施してNiめっき
層15を形成する(S35a)。次に電解半田めっき法
を施して前記Niめっき層15の表面に半田めっき層1
6を形成し、前記セラミック基板11に封止部18の形
成された複数のパッケ−ジ部品22が形成される(S3
6a)。そして、パッケ−ジ部品ユニット10からパッ
ケ−ジ部品22をブレイクして個々のパッケ−ジ部品2
2とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユ
ニット10のままにしておき、後のパッケ−ジの封止に
使用する(S37)。
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S
31)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの表面
に、W、Moのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封
止部18にあたる下地金属層14と該下地金属層14と
導通する電解めっき用配線パタ−ン(図示せず)とを所
定形状に印刷する(S32a)。次に、前記セラミック
グリ−ンシ−トの裏面から、パッケ−ジ部品22の外周
枠にあたる部分に、ノッチを形成する(S33)。次
に、前記セラミックグリ−ンシ−トを所定温度で焼成し
て、前記下地金属層14と前記電解めっき用配線パタ−
ンと前記セラミック基板11とを一体的に形成させる
(S34)。次に、前記セラミック基板11の表面に形
成された前記電解めっき用配線パタ−ンを介して前記下
地金属層14に、電解Niめっき法を施してNiめっき
層15を形成する(S35a)。次に電解半田めっき法
を施して前記Niめっき層15の表面に半田めっき層1
6を形成し、前記セラミック基板11に封止部18の形
成された複数のパッケ−ジ部品22が形成される(S3
6a)。そして、パッケ−ジ部品ユニット10からパッ
ケ−ジ部品22をブレイクして個々のパッケ−ジ部品2
2とするか、もしくは、所要に応じてパッケ−ジ部品ユ
ニット10のままにしておき、後のパッケ−ジの封止に
使用する(S37)。
【0067】また、図6に示すパッケ−ジ部品22の別
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
8に示す。なお、図7と同一工程については、同一の符
号を付すこととし、詳細な説明は省略することとする。
の製造方法としては、無電解めっき法を用いる方法もあ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
8に示す。なお、図7と同一工程については、同一の符
号を付すこととし、詳細な説明は省略することとする。
【0068】まずアルミナ系セラミック等を含んだ所定
形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S3
1)。次に、該セラミックグリ−ンシ−トの表面に、
W、Moのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封止部
18を構成する所定形状の下地金属層14を印刷する
(S32b)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面から、パッケ−ジ部品22の外周枠にあたる部分
に、ノッチを形成する(S33)。次に、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トを所定温度で焼成して、前記下地金属
層14とセラミック基板11とを一体的に形成させる
(S34)。次に前記セラミック基板11の表面に形成
された前記下地金属層14に、無電解Niめっき法を施
してNiめっき層15を形成させる(S35b)。次に
無電解半田めっき法を施して前記Niめっき層15の表
面に半田めっき層16を形成して、セラミック基板11
に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品22が
形成される(S36b)。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト10からパッケ−ジ部品22をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品22とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止に使用する(S37)。
形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S3
1)。次に、該セラミックグリ−ンシ−トの表面に、
W、Moのいずれかを含む導体ペ−ストにより、封止部
18を構成する所定形状の下地金属層14を印刷する
(S32b)。次に、前記セラミックグリ−ンシ−トの
裏面から、パッケ−ジ部品22の外周枠にあたる部分
に、ノッチを形成する(S33)。次に、前記セラミッ
クグリ−ンシ−トを所定温度で焼成して、前記下地金属
層14とセラミック基板11とを一体的に形成させる
(S34)。次に前記セラミック基板11の表面に形成
された前記下地金属層14に、無電解Niめっき法を施
してNiめっき層15を形成させる(S35b)。次に
無電解半田めっき法を施して前記Niめっき層15の表
面に半田めっき層16を形成して、セラミック基板11
に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品22が
形成される(S36b)。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト10からパッケ−ジ部品22をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品22とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止に使用する(S37)。
【0069】上記の説明から明らかなように、実施の形
態(3)に係るパッケ−ジ部品22では、パッケ−ジ部
品22の封止部18に形成される下地金属層14の表面
に形成されるNiめっき層15の表面に半田めっき層1
6が形成されているので、パッケ−ジの封止時にキャビ
ティ部内への半田成分の揮発が大幅に低減でき、水晶振
動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発振周波数の
変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ部品を提供
することができる。
態(3)に係るパッケ−ジ部品22では、パッケ−ジ部
品22の封止部18に形成される下地金属層14の表面
に形成されるNiめっき層15の表面に半田めっき層1
6が形成されているので、パッケ−ジの封止時にキャビ
ティ部内への半田成分の揮発が大幅に低減でき、水晶振
動子等をパッケ−ジに搭載する場合でも、発振周波数の
変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジ部品を提供
することができる。
【0070】また、セラミック基板11表面に電解めっ
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層16を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層16を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品23で封止部18におけ
る前記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層1
4の上に半田層の形成を確実にしかも容易に行うことが
できる。また、無電解めっき法を用いた場合は、めっき
用配線パタ−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ
部品基板の構成を簡単なものとして製造コストを低く抑
えることができる。
き用配線パタ−ンを形成すれば前記半田めっき層16を
電解めっき法を用いて形成することができ、また、電解
めっき用配線パタ−ンを形成しなくても前記半田めっき
層16を、無電解めっき法を用いて形成することもでき
るので、小型のパッケ−ジ部品23で封止部18におけ
る前記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層1
4の上に半田層の形成を確実にしかも容易に行うことが
できる。また、無電解めっき法を用いた場合は、めっき
用配線パタ−ンを形成しておく必要がなく、パッケ−ジ
部品基板の構成を簡単なものとして製造コストを低く抑
えることができる。
【0071】また、前記下地金属層14がW、Mo等の
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板11と同時焼成を行うことができ、セラミ
ック基板11と下地金属層14とを強固に接合させて高
品質のパッケ−ジ部品を得ることができる。
高温焼成金属層からなるので、アルミナ等の高温焼成セ
ラミック基板11と同時焼成を行うことができ、セラミ
ック基板11と下地金属層14とを強固に接合させて高
品質のパッケ−ジ部品を得ることができる。
【0072】また、前記パッケ−ジ部品22の構成主基
板となるセラミック基板11が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストを低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板11からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品とすることができる。
板となるセラミック基板11が単層からなるので、構成
の簡略化に伴うコストを低減を図ることができる。ま
た、前記構成基板がセラミック基板11からなるので、
温度などの外部環境因子の変化に対しても、パッケ−ジ
内部のチップ部品の性能に影響を与えない信頼性の高い
パッケ−ジ部品とすることができる。
【0073】また、実施の形態(3)に係るパッケ−ジ
部品22の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−トの
表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14及び該
下地金属層14と電気的に接続された電解めっき用パタ
ーン(図示せず)を形成する工程と、前記セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチ(図示せず)を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層14に電解Niめっき法を施してNiめっ
き層15を形成する工程と、前記電解めっき用配線パタ
−ンを用いて前記Niめっき層15の形成された下地金
属層14に電解半田めっき法を施して半田めっき層16
を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層1
4の線幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記半
田めっき層16が形成でき、また、前記セラミックグリ
−ンシ−トに形成された前記下地金属層14と前記電解
めっき用配線パタ−ンと同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板11と前記下地金属層14とを強固に
接合させることができる。また、前記下地金属層14と
前記電解めっき用配線パタ−ンの形成されるセラミック
基板11の反対面に前記ノッチを形成するので、電解め
っき工程には悪影響を与えることなく、前記セラミック
基板11からのパッケ−ジ部品22のブレイクを容易に
行うことができる。また、前記セラミック基板11に電
解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ
部品22に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。
部品22の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−トの
表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14及び該
下地金属層14と電気的に接続された電解めっき用パタ
ーン(図示せず)を形成する工程と、前記セラミックグ
リ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッチ(図示せず)を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成
する工程と、前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前
記下地金属層14に電解Niめっき法を施してNiめっ
き層15を形成する工程と、前記電解めっき用配線パタ
−ンを用いて前記Niめっき層15の形成された下地金
属層14に電解半田めっき法を施して半田めっき層16
を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層1
4の線幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記半
田めっき層16が形成でき、また、前記セラミックグリ
−ンシ−トに形成された前記下地金属層14と前記電解
めっき用配線パタ−ンと同時焼成を行うことができ、前
記セラミック基板11と前記下地金属層14とを強固に
接合させることができる。また、前記下地金属層14と
前記電解めっき用配線パタ−ンの形成されるセラミック
基板11の反対面に前記ノッチを形成するので、電解め
っき工程には悪影響を与えることなく、前記セラミック
基板11からのパッケ−ジ部品22のブレイクを容易に
行うことができる。また、前記セラミック基板11に電
解めっき法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ
部品22に半田めっき層を形成することができるので、
製造工程の効率化を図り、製造コストを低減することが
できる。
【0074】また、実施の形態(3)に係るパッケ−ジ
部品22の別の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−
トの表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面
の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層14
に無電解Niめっき法を施してNiめっき層15を形成
する工程と、無電解Niめっき後の前記セラミック基板
の前記下地金属層14に無電解半田めっき法を施して半
田めっき層16を形成する工程とを含んでいるので、前
記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層14上
に確実に前記半田めっき層16が形成でき、前記セラミ
ック基板11の裏面にある前記ノッチによりパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、前記
セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層
14と同時焼成を行うことができ、前記セラミック基板
11と前記下地金属層14とを強固に接合させることが
できる。また、前記セラミック基板11に無電解めっき
法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品22
に半田めっき層16を形成することができるので、製造
工程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。
部品22の別の製造方法では、セラミックグリ−ンシ−
トの表面の所定箇所に封止部18用の下地金属層14を
形成する工程と、前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面
の所定箇所にノッチを形成する工程と、前記セラミック
グリ−ンシ−トを焼成する工程と、前記下地金属層14
に無電解Niめっき法を施してNiめっき層15を形成
する工程と、無電解Niめっき後の前記セラミック基板
の前記下地金属層14に無電解半田めっき法を施して半
田めっき層16を形成する工程とを含んでいるので、前
記下地金属層14の線幅が細くても該下地金属層14上
に確実に前記半田めっき層16が形成でき、前記セラミ
ック基板11の裏面にある前記ノッチによりパッケ−ジ
部品のブレイクを容易に行うことができる。また、前記
セラミックグリ−ンシ−トに形成された前記下地金属層
14と同時焼成を行うことができ、前記セラミック基板
11と前記下地金属層14とを強固に接合させることが
できる。また、前記セラミック基板11に無電解めっき
法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品22
に半田めっき層16を形成することができるので、製造
工程の効率化を図り、製造コストを低減することができ
る。
【0075】図9は実施の形態(4)に係るパッケ−ジ
部品23を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図9(a)で示したパッケ−ジ部品23
は、図1(a)に示したセラミック基板11から構成さ
れるパッケ−ジ部品ユニット10として形成したもの
を、ブレイクしたものである。
部品23を模式的に示した図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC
−C線断面図である。なお、図1の実施の形態(1)と
同一機能を有する構成部分については、同一の符号を付
すこととする。図9(a)で示したパッケ−ジ部品23
は、図1(a)に示したセラミック基板11から構成さ
れるパッケ−ジ部品ユニット10として形成したもの
を、ブレイクしたものである。
【0076】パッケ−ジ部品23は、構成主基板がセラ
ミック基板11aとその上に積層されたセラミック基板
11bの2層のセラミック基板から構成され、セラミッ
ク基板11bの上面には略口の字形状のセラミック基板
11cが積層され、キャビティ部19が形成されてお
り、セラミック基板11a〜11cによりキャップ形状
のセラミック基板11が構成されている。前記セラミッ
ク基板11aの前記セラミック基板11bとの積層面に
は電解めっき用配線パタ−ン13が形成され、該電解め
っき用配線パタ−ン13は前記セラミック基板11b及
び前記セラミック基板11cに形成されているスル−ホ
−ル12を介して前記セラミック基板11cの表面に形
成される下地金属層14と電気的に接続されている。該
下地金属層14の表面には半田めっき層16が形成され
ており、これら下地金属層14、半田めっき層16を含
んで封止部18が構成されている。
ミック基板11aとその上に積層されたセラミック基板
11bの2層のセラミック基板から構成され、セラミッ
ク基板11bの上面には略口の字形状のセラミック基板
11cが積層され、キャビティ部19が形成されてお
り、セラミック基板11a〜11cによりキャップ形状
のセラミック基板11が構成されている。前記セラミッ
ク基板11aの前記セラミック基板11bとの積層面に
は電解めっき用配線パタ−ン13が形成され、該電解め
っき用配線パタ−ン13は前記セラミック基板11b及
び前記セラミック基板11cに形成されているスル−ホ
−ル12を介して前記セラミック基板11cの表面に形
成される下地金属層14と電気的に接続されている。該
下地金属層14の表面には半田めっき層16が形成され
ており、これら下地金属層14、半田めっき層16を含
んで封止部18が構成されている。
【0077】このように構成されたパッケ−ジ部品23
を製造する方法として、電解めっき法を用いる方法があ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
10に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関しては、その詳細な説明は省略することとする。
を製造する方法として、電解めっき法を用いる方法があ
り、その製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トを図
10に示す。なお図2に示したフロ−チャ−トと同一工
程に関しては、その詳細な説明は省略することとする。
【0078】このように構成されたパッケ−ジ部品23
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S
41)。次に該セラミックグリ−ンシ−トにパンチング
を行い、所定形状のグリ−ンシ−ト11b、11cを形
成すると共に、前記セラミックグリ−ンシ−ト11b、
11cの所定箇所にスル−ホ−ル12を形成する(S4
2)。次に、該スル−ホ−ル12に導電材料としてW、
Mo等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−ル印
刷を行う(S43)。次にS41で作成した別のセラミ
ックグリ−ンシ−ト11aには、電解めっき用配線パタ
−ン13として W、Mo等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる(S
44)。その後、S43およびS44でスル−ホ−ル印
刷と電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記グリ−ン
シ−ト11a、11b、11cを積層して、加熱しなが
ら加圧する熱圧着を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積
層体が製造される(S45)。次に、パッケ−ジ部品2
3の外周枠に沿ってノッチをセラミック基板両主面から
形成する(S46)。その後、所定雰囲気中において前
記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処
理を行うと、セラミック基板11にスル−ホ−ル12、
電解めっき用配線パタ−ン13が一体的に形成される
(S47)。次に下地金属層としてAu、Ag、Ag−
Pt、Ag−Pd等もしくはW、Mo等を含んだ導体ペ
−ストをセラミック基板表面の所定箇所にスクリ−ン印
刷し、封止部18を構成する下地金属層14を形成する
(S48)。次に、下地金属層14をセラミック基板1
1と一体的に形成させるために所定の条件で焼き付けを
行う(S49)。次に内層部に形成された前記電解めっ
き用配線パタ−ン13を利用して、前記セラミック基板
11表面の前記下地金属層14に、電解半田めっき法を
施して半田めっき層16を形成して、セラミック基板1
1に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品23
が形成される(S50)。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト10からパッケ−ジ部品23をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品23とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止工程に使用する(S51)。
を製造する場合、まずアルミナ系セラミック等を含んだ
所定形状のセラミックグリ−ンシ−トの作成を行う(S
41)。次に該セラミックグリ−ンシ−トにパンチング
を行い、所定形状のグリ−ンシ−ト11b、11cを形
成すると共に、前記セラミックグリ−ンシ−ト11b、
11cの所定箇所にスル−ホ−ル12を形成する(S4
2)。次に、該スル−ホ−ル12に導電材料としてW、
Mo等を含んだ導体ペ−ストを充填するスル−ホ−ル印
刷を行う(S43)。次にS41で作成した別のセラミ
ックグリ−ンシ−ト11aには、電解めっき用配線パタ
−ン13として W、Mo等を含んだ導体ペ−ストをス
クリ−ン印刷し、所定の配線パタ−ンを形成させる(S
44)。その後、S43およびS44でスル−ホ−ル印
刷と電解めっき用配線パタ−ンを印刷した前記グリ−ン
シ−ト11a、11b、11cを積層して、加熱しなが
ら加圧する熱圧着を行い、セラミックグリ−ンシ−ト積
層体が製造される(S45)。次に、パッケ−ジ部品2
3の外周枠に沿ってノッチをセラミック基板両主面から
形成する(S46)。その後、所定雰囲気中において前
記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を所定温度で焼成処
理を行うと、セラミック基板11にスル−ホ−ル12、
電解めっき用配線パタ−ン13が一体的に形成される
(S47)。次に下地金属層としてAu、Ag、Ag−
Pt、Ag−Pd等もしくはW、Mo等を含んだ導体ペ
−ストをセラミック基板表面の所定箇所にスクリ−ン印
刷し、封止部18を構成する下地金属層14を形成する
(S48)。次に、下地金属層14をセラミック基板1
1と一体的に形成させるために所定の条件で焼き付けを
行う(S49)。次に内層部に形成された前記電解めっ
き用配線パタ−ン13を利用して、前記セラミック基板
11表面の前記下地金属層14に、電解半田めっき法を
施して半田めっき層16を形成して、セラミック基板1
1に封止部18の形成された複数のパッケ−ジ部品23
が形成される(S50)。次に、パッケ−ジ部品ユニッ
ト10からパッケ−ジ部品23をブレイクして個々のパ
ッケ−ジ部品23とするか、もしくは、所要に応じてパ
ッケ−ジ部品ユニット10のままにしておき、後のパッ
ケ−ジの封止工程に使用する(S51)。
【0079】上記説明から明らかなように、実施の形態
(4)に係るパッケ−ジ部品23では、セラミック基板
11がセラミックグリ−ンシ−ト積層体から構成され、
キャビティ部19を有するキャップ形状であるので、キ
ャビティ部の小さなパッケ−ジや表面実装されるチップ
部品等を封止するのに好適である。また、パッケ−ジ部
品23の封止部18を構成する下地金属層14の表面に
半田めっき層16が形成されているので、封止時にパッ
ケ−ジのキャビティ部内やパッケ−ジ部品23のキャビ
ティ部19内への半田成分の揮発を大幅に低減でき、水
晶振動子等をパッケ−ジに搭載した場合でも、発振周波
数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジの封止
を行うことができる。
(4)に係るパッケ−ジ部品23では、セラミック基板
11がセラミックグリ−ンシ−ト積層体から構成され、
キャビティ部19を有するキャップ形状であるので、キ
ャビティ部の小さなパッケ−ジや表面実装されるチップ
部品等を封止するのに好適である。また、パッケ−ジ部
品23の封止部18を構成する下地金属層14の表面に
半田めっき層16が形成されているので、封止時にパッ
ケ−ジのキャビティ部内やパッケ−ジ部品23のキャビ
ティ部19内への半田成分の揮発を大幅に低減でき、水
晶振動子等をパッケ−ジに搭載した場合でも、発振周波
数の変動を生じさせない信頼性の高いパッケ−ジの封止
を行うことができる。
【0080】また上記説明した実施の形態(4)に係る
パッケ−ジ部品の製造方法によれば、セラミックグリ−
ンシ−ト11b、11cの所定箇所にスル−ホ−ル12
を形成する工程と、該スル−ホ−ル12内に導電ペース
トを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、セラミックグリ
−ンシ−ト11a表面の所定箇所に電解めっき用配線パ
タ−ン13を形成する工程と、セラミックグリ−ンシ−
ト11b、11cをセラミックグリ−ンシ−ト11a上
に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセラミック
グリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形成する工
程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する
工程と、セラミック基板11表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ル12と導通する封止部18用の下地金属層14
を形成した後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用パ
ターン13及び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地
金属層14に電解半田めっき法を施して半田めっき層1
6を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層
14の線幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記
半田めっき層16が形成できる。また、前記電解めっき
用配線パタ−ン13が前記セラミック基板の内層部に形
成されスル−ホ−ル12により下地金属層14と電気的
に接続されているので、電解めっき時に前記下地金属層
以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、さら
に、前記セラミック基板11表面には、前記電解めっき
用配線パタ−ン13が形成されていないのでブレイク後
の外観がよく、前記セラミック基板11からのパッケ−
ジ部品23のブレイクを容易に行うことができる。
パッケ−ジ部品の製造方法によれば、セラミックグリ−
ンシ−ト11b、11cの所定箇所にスル−ホ−ル12
を形成する工程と、該スル−ホ−ル12内に導電ペース
トを充填するスル−ホ−ル印刷工程と、セラミックグリ
−ンシ−ト11a表面の所定箇所に電解めっき用配線パ
タ−ン13を形成する工程と、セラミックグリ−ンシ−
ト11b、11cをセラミックグリ−ンシ−ト11a上
に積層して熱圧着する工程と、該熱圧着後のセラミック
グリ−ンシ−ト積層体の所定箇所にノッチを形成する工
程と、前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する
工程と、セラミック基板11表面の所定箇所に前記スル
−ホ−ル12と導通する封止部18用の下地金属層14
を形成した後焼付けを行う工程と、前記電解めっき用パ
ターン13及び前記スル−ホ−ル12を介して前記下地
金属層14に電解半田めっき法を施して半田めっき層1
6を形成する工程とを含んでいるので、前記下地金属層
14の線幅が細くても該下地金属層14上に確実に前記
半田めっき層16が形成できる。また、前記電解めっき
用配線パタ−ン13が前記セラミック基板の内層部に形
成されスル−ホ−ル12により下地金属層14と電気的
に接続されているので、電解めっき時に前記下地金属層
以外の部分に余分な半田を析出させることがなく、さら
に、前記セラミック基板11表面には、前記電解めっき
用配線パタ−ン13が形成されていないのでブレイク後
の外観がよく、前記セラミック基板11からのパッケ−
ジ部品23のブレイクを容易に行うことができる。
【0081】また、前記セラミック基板11に電解めっ
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
3に半田めっき層16を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。
き法を施すことにより、一度に大量のパッケ−ジ部品2
3に半田めっき層16を形成することができるので、製
造工程の効率化を図り、製造コストを低減することがで
きる。
【0082】なお、実施の形態(1)〜(4)に係るパ
ッケ−ジ部品は、構成基板としてセラミック基板を使用
しているが、別の実施の形態としてプラスチック基板を
使用することも可能である。この場合は使用するプラス
チック基板の構成材料や特性に応じて適宜製造方法を設
定すればよい。
ッケ−ジ部品は、構成基板としてセラミック基板を使用
しているが、別の実施の形態としてプラスチック基板を
使用することも可能である。この場合は使用するプラス
チック基板の構成材料や特性に応じて適宜製造方法を設
定すればよい。
【0083】図11は、上記説明してきたパッケ−ジ部
品であるセラミックリッドを用いてパッケ−ジを封止す
るときの封止方法(1)についての概略を示す模式図で
ある。(a)に示すセラミックリッド30aは、上記実
施の形態(1)〜(4)で説明してきたパッケ−ジ部品
20〜23のいずれかであり、パッケ−ジ部品ユニット
10からブレイクしたものである。
品であるセラミックリッドを用いてパッケ−ジを封止す
るときの封止方法(1)についての概略を示す模式図で
ある。(a)に示すセラミックリッド30aは、上記実
施の形態(1)〜(4)で説明してきたパッケ−ジ部品
20〜23のいずれかであり、パッケ−ジ部品ユニット
10からブレイクしたものである。
【0084】(b)に示すパッケ−ジ部品支持用治具3
1は、アルミナ等のセラミック、又は、ステンレスなど
の金属から構成され、(c)に示すパッケ−ジ本体34
aのパッケ−ジ本体ユニット34における配置間隔を考
慮して所定位置に開口部32が設けられている。該開口
部32の下面の口径は、前記パッケ−ジ本体34aのシ
−ルリング部36の枠体が嵌るように設計されており、
また前記開口部32の上面の口径は下面の口径よりも大
きく設定されており、前記セラミックリッド30aが前
記開口部32に配置されやすいようになっている。
1は、アルミナ等のセラミック、又は、ステンレスなど
の金属から構成され、(c)に示すパッケ−ジ本体34
aのパッケ−ジ本体ユニット34における配置間隔を考
慮して所定位置に開口部32が設けられている。該開口
部32の下面の口径は、前記パッケ−ジ本体34aのシ
−ルリング部36の枠体が嵌るように設計されており、
また前記開口部32の上面の口径は下面の口径よりも大
きく設定されており、前記セラミックリッド30aが前
記開口部32に配置されやすいようになっている。
【0085】(c)に示すパッケ−ジ本体ユニット34
には、複数個のパッケ−ジ本体34aが形成されてい
る。パッケ−ジ本体34aは、アルミナ等のセラミック
原料を用いて略直方体状に形成され、パッケ−ジ本体3
4a上部の略中央にはキャビティ部35が形成され、該
キャビティ部35内には水晶振動子やICチップ等の素
子部品(共に図示せず)が実装され、外部と電気的に接
続されるようになっている。パッケ−ジ本体34aの封
止面にあたるパッケ−ジ本体34aの上部にはシ−ルリ
ング部36が例えばコバ−ル(Fe−Ni−Co合金)
等を用いて平面視略口の字形状に形成されている。
には、複数個のパッケ−ジ本体34aが形成されてい
る。パッケ−ジ本体34aは、アルミナ等のセラミック
原料を用いて略直方体状に形成され、パッケ−ジ本体3
4a上部の略中央にはキャビティ部35が形成され、該
キャビティ部35内には水晶振動子やICチップ等の素
子部品(共に図示せず)が実装され、外部と電気的に接
続されるようになっている。パッケ−ジ本体34aの封
止面にあたるパッケ−ジ本体34aの上部にはシ−ルリ
ング部36が例えばコバ−ル(Fe−Ni−Co合金)
等を用いて平面視略口の字形状に形成されている。
【0086】これらセラミックリッド30aを使用した
パッケ−ジ本体34aの封止方法は、まず、パッケ−ジ
本体34aのキャビティ部35にチップ部品(図示せ
ず)が搭載されたパッケ−ジ本体ユニット34の上に、
パッケ−ジ部品支持用治具31の各開口部32がパッケ
−ジ本体34aの各シ−ルリング部36に嵌るように設
置する。次にセラミックリッド30aを、パッケ−ジ部
品支持用治具31の上面に、適当に配置して、各セラミ
ックリッド30aが、各開口部32に納まるように、配
置する。開口部32への配置方法としては、パッケ−ジ
本体ユニット34ごと振動させて、各開口部32にセラ
ミックリッド30aを納めるようにすることもできる。
そして、各開口部32にセラミックリッド30aの封止
部とパッケ−ジ本体34aのシ−ルリング部36の封止
面とが合わさった状態に配置させる(図11(d)の状
態)。
パッケ−ジ本体34aの封止方法は、まず、パッケ−ジ
本体34aのキャビティ部35にチップ部品(図示せ
ず)が搭載されたパッケ−ジ本体ユニット34の上に、
パッケ−ジ部品支持用治具31の各開口部32がパッケ
−ジ本体34aの各シ−ルリング部36に嵌るように設
置する。次にセラミックリッド30aを、パッケ−ジ部
品支持用治具31の上面に、適当に配置して、各セラミ
ックリッド30aが、各開口部32に納まるように、配
置する。開口部32への配置方法としては、パッケ−ジ
本体ユニット34ごと振動させて、各開口部32にセラ
ミックリッド30aを納めるようにすることもできる。
そして、各開口部32にセラミックリッド30aの封止
部とパッケ−ジ本体34aのシ−ルリング部36の封止
面とが合わさった状態に配置させる(図11(d)の状
態)。
【0087】そして、セラミックリッド30aが配置さ
れたパッケ−ジ部品支持用治具31の上に、必要に応じ
て板状の固定治具等(図示せず)を設置して、バネやク
リップ等で挟んで、パッケ−ジ本体34aにセラミック
リッド30aを仮固定する。
れたパッケ−ジ部品支持用治具31の上に、必要に応じ
て板状の固定治具等(図示せず)を設置して、バネやク
リップ等で挟んで、パッケ−ジ本体34aにセラミック
リッド30aを仮固定する。
【0088】次に、加熱炉内にセラミックリッド30a
がパッケ−ジ本体34aに仮固定されたパッケ−ジ本体
ユニット34を搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しなが
ら、炉内温度を280〜310℃程度まで上昇させるリ
フロ−工程により、セラミックリッド30aの封止部に
形成されている半田めっき層を溶融させてセラミックリ
ッド30aとパッケ−ジ本体34aとを接合させ、その
後冷却することによりキャビティ部35を気密に封止す
る。リフロ−工程の際の雰囲気は還元性雰囲気であれ
ば、特に限定されるものではないが、通常窒素ガス雰囲
気とする。また加熱温度は、パッケ−ジ本体34aに搭
載されている水晶振動子等を保護するために320℃以
下が好ましい。
がパッケ−ジ本体34aに仮固定されたパッケ−ジ本体
ユニット34を搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しなが
ら、炉内温度を280〜310℃程度まで上昇させるリ
フロ−工程により、セラミックリッド30aの封止部に
形成されている半田めっき層を溶融させてセラミックリ
ッド30aとパッケ−ジ本体34aとを接合させ、その
後冷却することによりキャビティ部35を気密に封止す
る。リフロ−工程の際の雰囲気は還元性雰囲気であれ
ば、特に限定されるものではないが、通常窒素ガス雰囲
気とする。また加熱温度は、パッケ−ジ本体34aに搭
載されている水晶振動子等を保護するために320℃以
下が好ましい。
【0089】次に、パッケ−ジ部品支持用治具31と固
定治具等をパッケ−ジ本体ユニット34から取り外し、
個々のパッケ−ジ本体34aがセラミックリッド30a
で封止されたパッケ−ジ本体ユニット34をロ−ル治具
等(図示せず)で挟み込んで、パッケ−ジ本体ユニット
34に形成されているノッチに沿って、パッケ−ジ本体
34aを切り離していくことにより、セラミックリッド
30aで封止されたパッケ−ジ本体34aを得ることが
できる。
定治具等をパッケ−ジ本体ユニット34から取り外し、
個々のパッケ−ジ本体34aがセラミックリッド30a
で封止されたパッケ−ジ本体ユニット34をロ−ル治具
等(図示せず)で挟み込んで、パッケ−ジ本体ユニット
34に形成されているノッチに沿って、パッケ−ジ本体
34aを切り離していくことにより、セラミックリッド
30aで封止されたパッケ−ジ本体34aを得ることが
できる。
【0090】また図12は、上記説明してきたパッケ−
ジ部品であるセラミックリッド30aを用いたパッケ−
ジの封止方法(2)についての概略を示す模式図であ
る。なお、図11と同一機能を有する構成部品について
は、同一の符号を付すこととし、詳細な説明は省略す
る。
ジ部品であるセラミックリッド30aを用いたパッケ−
ジの封止方法(2)についての概略を示す模式図であ
る。なお、図11と同一機能を有する構成部品について
は、同一の符号を付すこととし、詳細な説明は省略す
る。
【0091】(a)では、パッケ−ジ部品としてセラミ
ックリッド30aが所定間隔を設けて複数個形成された
パッケ−ジ部品ユニット30を示しており、(b)で
は、前記パッケ−ジ部品ユニット30に形成されたセラ
ミックリッド30aの封止部とパッケ−ジ本体34aの
シ−ルリング部36とがそれぞれ一致するように所定間
隔を設けてパッケ−ジ本体34aが形成されているパッ
ケ−ジ本体ユニット34を示している。
ックリッド30aが所定間隔を設けて複数個形成された
パッケ−ジ部品ユニット30を示しており、(b)で
は、前記パッケ−ジ部品ユニット30に形成されたセラ
ミックリッド30aの封止部とパッケ−ジ本体34aの
シ−ルリング部36とがそれぞれ一致するように所定間
隔を設けてパッケ−ジ本体34aが形成されているパッ
ケ−ジ本体ユニット34を示している。
【0092】(c)では、これらパッケ−ジ部品ユニッ
ト30のセラミックリッド30aの封止部とパッケ−ジ
本体ユニット34のパッケ−ジ本体34aのシ−ルリン
グ部36とがそれぞれ一致するように重ねあわせた状態
であり、これらをクリップやバネ等で仮固定して、加熱
炉内に搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しながら、炉内
温度を280〜310℃程度まで上昇させるリフロ−工
程により、セラミックリッド30aの封止部に形成され
ている半田めっき層を溶融させてセラミックリッド30
aとパッケ−ジ本体34aとを接合させ、その後冷却す
ることによりキャビティ部35を気密に封止する。次
に、パッケ−ジ部品ユニット30とパッケ−ジ本体ユニ
ット34との接合体37をロ−ル治具等(図示せず)で
挟み込んで、それぞれ、パッケ−ジ部品ユニット30と
パッケ−ジ本体ユニット34に形成されているノッチに
沿って、切り離していくことにより、セラミックリッド
30aで封止されたパッケ−ジ本体34aを得ることが
できる。
ト30のセラミックリッド30aの封止部とパッケ−ジ
本体ユニット34のパッケ−ジ本体34aのシ−ルリン
グ部36とがそれぞれ一致するように重ねあわせた状態
であり、これらをクリップやバネ等で仮固定して、加熱
炉内に搬入し、窒素ガスを加熱炉内に流しながら、炉内
温度を280〜310℃程度まで上昇させるリフロ−工
程により、セラミックリッド30aの封止部に形成され
ている半田めっき層を溶融させてセラミックリッド30
aとパッケ−ジ本体34aとを接合させ、その後冷却す
ることによりキャビティ部35を気密に封止する。次
に、パッケ−ジ部品ユニット30とパッケ−ジ本体ユニ
ット34との接合体37をロ−ル治具等(図示せず)で
挟み込んで、それぞれ、パッケ−ジ部品ユニット30と
パッケ−ジ本体ユニット34に形成されているノッチに
沿って、切り離していくことにより、セラミックリッド
30aで封止されたパッケ−ジ本体34aを得ることが
できる。
【0093】上記したパッケ−ジ部品を用いたパッケ−
ジの封止方法(1)によれば、複数個のパッケ−ジ本体
34aが形成され、該パッケ−ジ本体34aのキャビテ
ィ部35にチップ部品が搭載されたブレイク前のパッケ
−ジ本体ユニット34の個々のパッケ−ジ本体34aの
封止部36に、パッケ−ジ部品であるリッド30aの封
止部を一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、
前記リッド30aの封止部に形成された半田めっき層を
溶融させて前記リッド30aと前記パッケ−ジ本体34
aとを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ本体
ユニット34から前記リッド30aで封止された個々の
パッケ−ジ本体34aを切り離す工程とを含んでいるの
で、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニット34の個
々のパッケ−ジ本体34aに、パッケ−ジ部品である前
記リッド30aを治具31等を用いてまとめて封止する
ことができ、作業効率を大幅に向上させることができ、
コストを低減させることができる。
ジの封止方法(1)によれば、複数個のパッケ−ジ本体
34aが形成され、該パッケ−ジ本体34aのキャビテ
ィ部35にチップ部品が搭載されたブレイク前のパッケ
−ジ本体ユニット34の個々のパッケ−ジ本体34aの
封止部36に、パッケ−ジ部品であるリッド30aの封
止部を一致するように重ね合わせて仮固定する工程と、
前記リッド30aの封止部に形成された半田めっき層を
溶融させて前記リッド30aと前記パッケ−ジ本体34
aとを接合させるリフロ−工程と、前記パッケ−ジ本体
ユニット34から前記リッド30aで封止された個々の
パッケ−ジ本体34aを切り離す工程とを含んでいるの
で、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユニット34の個
々のパッケ−ジ本体34aに、パッケ−ジ部品である前
記リッド30aを治具31等を用いてまとめて封止する
ことができ、作業効率を大幅に向上させることができ、
コストを低減させることができる。
【0094】また、上記したパッケ−ジ部品を用いたパ
ッケ−ジの封止方法(2)によれば、複数個のリッド3
0aが形成されたブレイク前のリッドユニット30と、
複数個のパッケ−ジ本体34aが形成され、該パッケ−
ジ本体34aのキャビティ部35にチップ部品が搭載さ
れたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニット34とを、重
ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド30aの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッド3
0aと前記パッケ−ジ本体34aとを接合させるリフロ
−工程と、前記パッケ−ジ本体ユニット34及び前記リ
ッドユニット30を個々のパッケ−ジに切り離す工程と
を含んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユ
ニット34に、ブレイク前の前記リッドユニット30を
そのまま用いてユニットごとまとめて封止することがで
き、個々のパッケ−ジの封止を行う工程が必要なくなり
作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低減
させることができる。
ッケ−ジの封止方法(2)によれば、複数個のリッド3
0aが形成されたブレイク前のリッドユニット30と、
複数個のパッケ−ジ本体34aが形成され、該パッケ−
ジ本体34aのキャビティ部35にチップ部品が搭載さ
れたブレイク前のパッケ−ジ本体ユニット34とを、重
ね合わせて仮固定する工程と、前記リッド30aの封止
部に形成された半田めっき層を溶融させて前記リッド3
0aと前記パッケ−ジ本体34aとを接合させるリフロ
−工程と、前記パッケ−ジ本体ユニット34及び前記リ
ッドユニット30を個々のパッケ−ジに切り離す工程と
を含んでいるので、ブレイク前の前記パッケ−ジ本体ユ
ニット34に、ブレイク前の前記リッドユニット30を
そのまま用いてユニットごとまとめて封止することがで
き、個々のパッケ−ジの封止を行う工程が必要なくなり
作業効率を大幅に向上させることができ、コストを低減
させることができる。
【0095】また、上記したパッケ−ジ部品を用いたパ
ッケ−ジの封止方法によれば、前記リフロ−工程をN2
等の還元雰囲気で行うので、めっき法を用いて形成され
た半田めっき層の酸化を防止でき、フラックスを含まな
い半田層でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができ
る。
ッケ−ジの封止方法によれば、前記リフロ−工程をN2
等の還元雰囲気で行うので、めっき法を用いて形成され
た半田めっき層の酸化を防止でき、フラックスを含まな
い半田層でも良好なパッケ−ジの封止を行うことができ
る。
【0096】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るパッケ−ジ部
品及びその製造方法、該パッケ−ジ部品を用いたパッケ
−ジの封止方法の実施例を説明する。以下の実施例につ
いては、実施の形態(1)に係るパッケ−ジ部品20の
セラミックリッドを用いて、パッケ−ジ本体に水晶振動
子を実装、封止したときに水晶振動子が正常に作動して
いるかどうか、異常振動が生じていないかどうかチェッ
クを行い良品率を求めた。また、比較例として、半田層
が封止面全面に形成されたメタルリッドを使用した場合
についても説明する。
品及びその製造方法、該パッケ−ジ部品を用いたパッケ
−ジの封止方法の実施例を説明する。以下の実施例につ
いては、実施の形態(1)に係るパッケ−ジ部品20の
セラミックリッドを用いて、パッケ−ジ本体に水晶振動
子を実装、封止したときに水晶振動子が正常に作動して
いるかどうか、異常振動が生じていないかどうかチェッ
クを行い良品率を求めた。また、比較例として、半田層
が封止面全面に形成されたメタルリッドを使用した場合
についても説明する。
【0097】(1)パッケ−ジ部品及びその製造方法
(実施例) 本実施例の場合には、縦130mm、横112mm、厚
さ0.64mmのアルミナ製のセラミック基板を用いて
図1に示したパッケ−ジ部品20が多数形成されたもの
をパッケ−ジ基板ユニット10として用いた。各構成の
仕様および各工程における条件を記載する。 パッケ−ジ基板ユニット10(図1に示したものと同
一の構成)の仕様 パッケ−ジ部品20の寸法:縦2.8mm、横2.8m
m 下地金属層14の構成材料:タングステン 線幅:0.4mm 厚み:30μm スル−ホ−ル12の直径:0.15mm 電解めっき用配線パタ−ン13の構成材料:タングステ
ン 厚み:30μm 焼成処理の条件 温度:1580℃ 時間:3時間
(実施例) 本実施例の場合には、縦130mm、横112mm、厚
さ0.64mmのアルミナ製のセラミック基板を用いて
図1に示したパッケ−ジ部品20が多数形成されたもの
をパッケ−ジ基板ユニット10として用いた。各構成の
仕様および各工程における条件を記載する。 パッケ−ジ基板ユニット10(図1に示したものと同
一の構成)の仕様 パッケ−ジ部品20の寸法:縦2.8mm、横2.8m
m 下地金属層14の構成材料:タングステン 線幅:0.4mm 厚み:30μm スル−ホ−ル12の直径:0.15mm 電解めっき用配線パタ−ン13の構成材料:タングステ
ン 厚み:30μm 焼成処理の条件 温度:1580℃ 時間:3時間
【0098】(2)パッケ−ジ部品によるパッケ−ジの
封止方法(実施例) 使用したパッケ−ジ本体34a(図11に示したもの
と同一の構造) 材質:アルミナ 寸法:縦3.0mm、横3.0mm、高さ1.2mm シ−ルリング部36の幅:0.4mm パッケ−ジの封止条件 温度:最大320℃ 時間:280℃、6分 雰囲気:窒素雰囲気
封止方法(実施例) 使用したパッケ−ジ本体34a(図11に示したもの
と同一の構造) 材質:アルミナ 寸法:縦3.0mm、横3.0mm、高さ1.2mm シ−ルリング部36の幅:0.4mm パッケ−ジの封止条件 温度:最大320℃ 時間:280℃、6分 雰囲気:窒素雰囲気
【0099】(3)半田層が封止面全面に形成されたメ
タルリッドの仕様(比較例) メタルリッドの寸法:縦2.8mm、横2.8mm、厚
み0.15mm メタルリッドの構成材料:コバ−ル 半田層の組成:Pb、In、Sn、Bi、Ag 厚み:25μm
タルリッドの仕様(比較例) メタルリッドの寸法:縦2.8mm、横2.8mm、厚
み0.15mm メタルリッドの構成材料:コバ−ル 半田層の組成:Pb、In、Sn、Bi、Ag 厚み:25μm
【0100】(4)パッケ−ジ部品によるパッケ−ジの
封止方法(比較例) 使用したパッケ−ジ本体は実施例で使用したものと同
一のものを使用した。 パッケ−ジの封止条件 温度:320℃ 時間:280℃以上、6分 雰囲気:窒素雰囲気
封止方法(比較例) 使用したパッケ−ジ本体は実施例で使用したものと同
一のものを使用した。 パッケ−ジの封止条件 温度:320℃ 時間:280℃以上、6分 雰囲気:窒素雰囲気
【0101】(5)結果及び評価 実施例、比較例ともに水晶振動子を実装、封止した10
0個のパッケ−ジを作成し、水晶振動子が正常に作動し
ているかどうか、異常振動が生じてないかどうかを調
べ、それぞれの良品率を求めた。その結果、実施例で
は、良品率は100%であり、すべてのものについて水
晶振動子の作動に異常は見られなかった。一方、比較例
においては、良品率は6〜8%となり、実施例と比べる
と良品率が低く、水晶振動子の作動に異常を発生する確
率が高いものであった。従って、実施例の場合には、パ
ッケ−ジに実装される水晶振動子の作動不良を生じるこ
となく、信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことがで
きる。
0個のパッケ−ジを作成し、水晶振動子が正常に作動し
ているかどうか、異常振動が生じてないかどうかを調
べ、それぞれの良品率を求めた。その結果、実施例で
は、良品率は100%であり、すべてのものについて水
晶振動子の作動に異常は見られなかった。一方、比較例
においては、良品率は6〜8%となり、実施例と比べる
と良品率が低く、水晶振動子の作動に異常を発生する確
率が高いものであった。従って、実施例の場合には、パ
ッケ−ジに実装される水晶振動子の作動不良を生じるこ
となく、信頼性の高いパッケ−ジの封止を行うことがで
きる。
【図1】(a)は本発明に係るパッケ−ジ部品の実施の
形態(1)を模式的に示した平面図、(b)は(a)に
おけるB−B線断面図である。
形態(1)を模式的に示した平面図、(b)は(a)に
おけるB−B線断面図である。
【図2】実施の形態(1)に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図3】実施の形態(2)に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
【図4】実施の形態(2)に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図5】実施の形態(2)に係るパッケ−ジ部品の別の
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図6】実施の形態(3)に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
【図7】実施の形態(3)に係るパッケ−ジ部品の製造
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図8】実施の形態(3)に係るパッケ−ジ部品の別の
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
製造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図9】実施の形態(4)に係るパッケ−ジ部品を示す
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
模式図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけ
るB−B線断面図、(c)は(a)におけるC−C線断
面図である。
【図10】実施の形態(4)に係るパッケ−ジ部品の製
造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
造方法を概略的に示したフロ−チャ−トである。
【図11】(a)〜(d)は、実施の形態に係るパッケ
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する封止方法を模式的
に示した部分斜視図である。
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する封止方法を模式的
に示した部分斜視図である。
【図12】(a)〜(d)は、実施の形態に係るパッケ
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する別の封止方法を模
式的に示した部分斜視図である。
−ジ部品でパッケ−ジ本体を封止する別の封止方法を模
式的に示した部分斜視図である。
【図13】従来のパッケ−ジ部品を示す模式図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線断面
図である。
(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線断面
図である。
【図14】従来の別のパッケ−ジ部品を示す模式図であ
り、(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線
断面図である。
り、(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線
断面図である。
10 パッケ−ジ部品ユニット 11 セラミック基板 12 スル−ホ−ル 13 電解めっき用配線パタ−ン 14 下地金属層 15 Niめっき層 16 半田めっき層 17 ノッチ 18 封止部 20 パッケ−ジ部品
Claims (18)
- 【請求項1】 チップ部品用のパッケ−ジ部品におい
て、前記パッケ−ジ部品の封止部に形成される下地金属
層の表面に半田めっき層が形成されていることを特徴と
するパッケ−ジ部品。 - 【請求項2】 前記半田めっき層が電解めっき法を用い
て形成されていることを特徴とする請求項1記載のパッ
ケ−ジ部品。 - 【請求項3】 前記半田めっき層が無電解めっき法を用
いて形成されていることを特徴とする請求項1記載のパ
ッケ−ジ部品。 - 【請求項4】 前記下地金属層がAu、Ag、Ag−P
t、Ag−Pd等の低温焼成金属層からなることを特徴
とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
部品。 - 【請求項5】 前記下地金属層がW、Mo等の高温焼成
金属層からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
かの項に記載のパッケ−ジ部品。 - 【請求項6】 構成主基板が単層からなることを特徴と
する請求項1〜5のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部
品。 - 【請求項7】 構成主基板が少なくとも2層以上の積層
体からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかの
項に記載のパッケ−ジ部品。 - 【請求項8】 構成基板がセラミック基板からなること
を特徴とする請求項1〜7のいずれかの項に記載のパッ
ケ−ジ部品。 - 【請求項9】 構成基板がプラスチック基板からなるこ
とを特徴とする請求項1〜7のいずれかの項に記載のパ
ッケ−ジ部品。 - 【請求項10】 セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所
定箇所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
と、該下地金属層と電気的に接続された電解めっき用配
線パターンとを形成した後、焼付けを行う工程と、 前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっき層を
形成する工程とを含んでいることを特徴とする請求項
1、2、4〜6、又は請求項8のいずれかの項に記載の
パッケ−ジ部品の製造方法。 - 【請求項11】 セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所
定箇所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 セラミック基板表面の所定箇所に封止部用の下地金属層
を形成した後、焼付けを行う工程と、 前記下地金属層に無電解めっき法を施して半田めっき層
を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請求項
1、3〜6又は請求項8のいずれかの項に記載のパッケ
−ジ部品の製造方法。 - 【請求項12】 第1のセラミックグリ−ンシ−トの所
定箇所にスル−ホ−ルを形成する工程と、 該スル−ホ−ル内に導電ペーストを充填するスル−ホ−
ル印刷工程と、 第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解
めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、 前記第1のセラミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラ
ミックグリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、 該熱圧着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇
所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する工程
と、 セラミック基板表面の所定箇所に前記スル−ホ−ルと導
通する封止部用の下地金属層を形成した後焼付けを行う
工程と、 前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを
介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっ
き層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請
求項1、2、4、5、7又は請求項8のいずれかの項に
記載のパッケ−ジ部品の製造方法。 - 【請求項13】 セラミックグリ−ンシ−トの表面の所
定箇所に封止部用の下地金属層及び該下地金属層と電気
的に接続された電解めっき用配線パターンを形成する工
程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
チを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層
に電解めっき法を施してNiめっき層を形成する工程
と、 前記電解めっき用配線パタ−ンを用いて前記下地金属層
に電解めっき法を施して半田めっき層を形成する工程と
を含んでいることを特徴とする請求項1、2、4〜6又
は請求項8のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部品の製
造方法。 - 【請求項14】 セラミックグリ−ンシ−トの表面の所
定箇所に封止部用の下地金属層を形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トの裏面の所定箇所にノッ
チを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−トを焼成する工程と、 前記下地金属層に無電解めっき法を施してNiめっき層
を形成する工程と、 無電解Niめっき後の前記セラミック基板の前記下地金
属層に無電解めっき法を施して半田めっき層を形成する
工程とを含んでいることを特徴とする請求項1、3〜6
又は請求項8のいずれかの項に記載のパッケ−ジ部品の
製造方法。 - 【請求項15】 第1のセラミックグリ−ンシ−トの所
定箇所にスル−ホ−ルを形成する工程と、 該スル−ホ−ル内に導電ペーストを充填するスル−ホ−
ル印刷工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に前記ス
ル−ホ−ルと導通する封止部用の下地金属層を形成する
工程と、 第2のセラミックグリ−ンシ−ト表面の所定箇所に電解
めっき用配線パタ−ンを形成する工程と、 前記第1のセラミックグリ−ンシ−トを前記第2のセラ
ミックグリ−ンシ−ト上に積層して熱圧着する工程と、 該熱圧着後のセラミックグリ−ンシ−ト積層体の所定箇
所にノッチを形成する工程と、 前記セラミックグリ−ンシ−ト積層体を焼成する工程
と、 前記電解めっき用配線パタ−ン及び前記スル−ホ−ルを
介して前記下地金属層に電解めっき法を施してNiめっ
き層を形成する工程と、 前記電解めっき用配線パターン及び前記スル−ホ−ルを
介して前記下地金属層に電解めっき法を施して半田めっ
き層を形成する工程とを含んでいることを特徴とする請
求項1、2、4、5、7又は請求項8のいずれかの項に
記載のパッケ−ジ部品の製造方法。 - 【請求項16】 チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本
体を、請求項1〜9のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの封止方法
であって、 複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ−ジ本体
のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレイク前の
パッケ−ジ本体ユニットの個々のパッケ−ジ本体の封止
部に、前記リッドの封止部を一致するように重ね合わせ
て仮固定する工程と、 前記リッドの封止部に形成された半田めっき層を溶融さ
せて前記リッドと前記パッケ−ジ本体とを接合させるリ
フロ−工程と、 前記パッケ−ジ本体ユニットから前記リッドで封止され
た個々のパッケ−ジ本体を切り離す工程とを含んでいる
ことを特徴とするパッケ−ジの封止方法。 - 【請求項17】 チップ部品が搭載されたパッケ−ジ本
体を、請求項1〜9のいずれかの項に記載のパッケ−ジ
部品であるリッドにより封止するパッケ−ジの封止方法
であって、 複数個のリッドが形成されたブレイク前のリッドユニッ
トと、複数個のパッケ−ジ本体が形成され、該パッケ−
ジ本体のキャビティ部にチップ部品が搭載されたブレイ
ク前のパッケ−ジ本体ユニットとを、重ね合わせて仮固
定する工程と、前記リッドの封止部に形成された半田め
っき層を溶融させて前記リッドと前記パッケ−ジ本体と
を接合させるリフロ−工程と、 前記パッケ−ジ本体ユニット及び前記リッドユニットを
個々のパッケ−ジに切り離す工程とを含んでいることを
特徴とするパッケ−ジの封止方法。 - 【請求項18】 前記リフロ−工程を、N2 等の還元雰
囲気中で行うことを特徴とする請求項17又は請求項1
8記載のパッケ−ジの封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000192149A JP2002016161A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | パッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法。 |
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JP2000192149A JP2002016161A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | パッケ−ジ部品とその製造方法、及び該パッケ−ジ部品を用いたパッケ−ジの封止方法。 |
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