JP2002164456A - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents
電子部品収納用パッケージInfo
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- JP2002164456A JP2002164456A JP2000360885A JP2000360885A JP2002164456A JP 2002164456 A JP2002164456 A JP 2002164456A JP 2000360885 A JP2000360885 A JP 2000360885A JP 2000360885 A JP2000360885 A JP 2000360885A JP 2002164456 A JP2002164456 A JP 2002164456A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止用メタライズ層に剥離が発生したり、絶
縁基体にクラックが発生したりすることがない、気密信
頼性に優れる電子部品収納用パッケージを提供するこ
と。 【解決手段】 上面に電子部品３が搭載される搭載部１
ａおよびこの搭載部１ａを取り囲むようにして固着され
た枠状の封止用メタライズ層６を有する絶縁基体１と、
下面に銀−銅合金から成るろう材７が固着されており、
封止用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶接に
より接合される鉄−ニッケル合金または鉄−ニッケル−
コバルト合金から成る金属蓋体２とから成る電子部品収
納用パッケージであって、金属蓋体２の厚みを50〜80μ
ｍとし、かつろう材７の厚みを30〜50μｍとした。
縁基体にクラックが発生したりすることがない、気密信
頼性に優れる電子部品収納用パッケージを提供するこ
と。 【解決手段】 上面に電子部品３が搭載される搭載部１
ａおよびこの搭載部１ａを取り囲むようにして固着され
た枠状の封止用メタライズ層６を有する絶縁基体１と、
下面に銀−銅合金から成るろう材７が固着されており、
封止用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶接に
より接合される鉄−ニッケル合金または鉄−ニッケル−
コバルト合金から成る金属蓋体２とから成る電子部品収
納用パッケージであって、金属蓋体２の厚みを50〜80μ
ｍとし、かつろう材７の厚みを30〜50μｍとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス等の
絶縁基体と金属蓋体とから成るパッケージの内部に圧電
振動子や半導体素子等の電子部品を気密に収容するよう
になした電子部品収納用パッケージに関するものであ
る。
絶縁基体と金属蓋体とから成るパッケージの内部に圧電
振動子や半導体素子等の電子部品を気密に収容するよう
になした電子部品収納用パッケージに関するものであ
る。
【０００２】圧電振動子や半導体素子等の電子部品は、
これらの電子部品を気密に収容するための電子部品収納
用パッケージ内に収容されて使用される。
これらの電子部品を気密に収容するための電子部品収納
用パッケージ内に収容されて使用される。
【０００３】このような電子部品を気密に収容する電子
部品収納用パッケージにおいて、最も信頼性の高いとさ
れるものは酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス
から成り、上面に電子部品が搭載される搭載部およびこ
の搭載部を取り囲む枠状の封止用メタライズ層を有する
とともに表面および内部に電子部品の電極が電気的に接
続される複数のメタライズ配線導体を有する絶縁基体
と、この絶縁基体の封止用メタライズ層上に搭載部を取
り囲むようにしてろう付けされた鉄−ニッケル合金や鉄
−ニッケル−コバルト合金から成る封止用の金属枠体
と、この金属枠体にシーム溶接により直接、接合される
鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金から成
る金属蓋体とから構成されるタイプのものであり、この
タイプの電子部品収納用パッケージの場合には、絶縁基
体の搭載部に電子部品を搭載するとともに電子部品の電
極とメタライズ配線導体とを半田バンプやボンディング
ワイヤ等を介して電気的に接続した後、絶縁基体にろう
付けされた封止用の金属枠体に金属蓋体を載置するとと
もに、この金属蓋体の外周縁にシーム溶接機の一対のロ
ーラー電極を接触させながら転動させるとともにこのロ
ーラー電極間に溶接のための大電流を流し金属枠体と金
属蓋体とを直接、シーム溶接することによって内部に電
子部品が気密に収容されて製品としての電子装置とな
る。
部品収納用パッケージにおいて、最も信頼性の高いとさ
れるものは酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス
から成り、上面に電子部品が搭載される搭載部およびこ
の搭載部を取り囲む枠状の封止用メタライズ層を有する
とともに表面および内部に電子部品の電極が電気的に接
続される複数のメタライズ配線導体を有する絶縁基体
と、この絶縁基体の封止用メタライズ層上に搭載部を取
り囲むようにしてろう付けされた鉄−ニッケル合金や鉄
−ニッケル−コバルト合金から成る封止用の金属枠体
と、この金属枠体にシーム溶接により直接、接合される
鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金から成
る金属蓋体とから構成されるタイプのものであり、この
タイプの電子部品収納用パッケージの場合には、絶縁基
体の搭載部に電子部品を搭載するとともに電子部品の電
極とメタライズ配線導体とを半田バンプやボンディング
ワイヤ等を介して電気的に接続した後、絶縁基体にろう
付けされた封止用の金属枠体に金属蓋体を載置するとと
もに、この金属蓋体の外周縁にシーム溶接機の一対のロ
ーラー電極を接触させながら転動させるとともにこのロ
ーラー電極間に溶接のための大電流を流し金属枠体と金
属蓋体とを直接、シーム溶接することによって内部に電
子部品が気密に収容されて製品としての電子装置とな
る。
【０００４】しかしながら、このタイプの電子部品収納
用パッケージでは、絶縁基体に金属蓋体をシーム溶接す
るための下地金属として封止用の金属枠体を封止用メタ
ライズ層にろう付けしておく必要があり、そのため金属
枠体の分だけ電子装置の高さが高いものとなってしま
い、近時の電子装置に要求される薄型化が困難であっ
た。また、金属枠体の分だけ高価なものとなってしまう
という問題点も有していた。
用パッケージでは、絶縁基体に金属蓋体をシーム溶接す
るための下地金属として封止用の金属枠体を封止用メタ
ライズ層にろう付けしておく必要があり、そのため金属
枠体の分だけ電子装置の高さが高いものとなってしま
い、近時の電子装置に要求される薄型化が困難であっ
た。また、金属枠体の分だけ高価なものとなってしまう
という問題点も有していた。
【０００５】そこで、上述のような問題点を解消するた
めに、上面に電子部品を搭載する搭載部およびこの搭載
部を取り囲む厚みが10〜50μｍ程度の枠状の封止用メタ
ライズ層を有するとともに表面および内部に電子部品の
電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体を
有するセラミック製の絶縁基体と、下面に厚みが10〜20
μｍ程度の銀−銅共晶合金から成るろう材が固着された
厚みが100μｍ程度の鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル
コバルト合金から成る金属蓋体とから構成され、絶縁基
体の搭載部に電子部品を搭載するとともに電子部品の各
電極をメタライズ配線導体に電気的に接続した後、封止
用メタライズ層に金属蓋体をその下面に被着させたろう
材を介してシーム溶接することにより絶縁基体と金属蓋
体とを接合し、内部に電子部品を気密に封止するように
なした電子部品収納用パッケージが提案されている。
めに、上面に電子部品を搭載する搭載部およびこの搭載
部を取り囲む厚みが10〜50μｍ程度の枠状の封止用メタ
ライズ層を有するとともに表面および内部に電子部品の
電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体を
有するセラミック製の絶縁基体と、下面に厚みが10〜20
μｍ程度の銀−銅共晶合金から成るろう材が固着された
厚みが100μｍ程度の鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル
コバルト合金から成る金属蓋体とから構成され、絶縁基
体の搭載部に電子部品を搭載するとともに電子部品の各
電極をメタライズ配線導体に電気的に接続した後、封止
用メタライズ層に金属蓋体をその下面に被着させたろう
材を介してシーム溶接することにより絶縁基体と金属蓋
体とを接合し、内部に電子部品を気密に封止するように
なした電子部品収納用パッケージが提案されている。
【０００６】この封止用メタライズ層に金属蓋体を銀ろ
う等のろう材を介してシーム溶接によって接合させるこ
とにより内部に電子部品を気密に収容するようになした
電子部品収納用パッケージは、封止用メタライズ層と金
属蓋体とをろう材を介してシーム溶接により接合させる
ことから溶接のための下地金属としての金属枠体を必要
とせず、その分、高さを低くすることができ、かつ安価
である。
う等のろう材を介してシーム溶接によって接合させるこ
とにより内部に電子部品を気密に収容するようになした
電子部品収納用パッケージは、封止用メタライズ層と金
属蓋体とをろう材を介してシーム溶接により接合させる
ことから溶接のための下地金属としての金属枠体を必要
とせず、その分、高さを低くすることができ、かつ安価
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金
から成る金属蓋体を絶縁基体の封止用メタライズ層に銀
−銅合金から成るろう材を介してシーム溶接により接合
するようになした電子部品収納用パッケージにおいて
は、近時の電子装置の小型化に伴い絶縁基体の上面に被
着させた封止用メタライズ層の幅が0.3〜0.4ｍｍ程度の
狭いものとなってきており、この封止用メタライズ層に
金属蓋体をろう材を介してシーム溶接すると、封止用メ
タライズ層はその幅が0.3〜0.4ｍｍと狭いことおよび厚
みが10〜50μｍ程度と薄いことから、溶接の際に金属蓋
体が熱膨張および熱収縮することにより発生する熱応力
を封止用メタライズ層で良好に吸収することができず
に、その結果、封止用メタライズ層に剥離が発生した
り、絶縁基体にクラックが発生したりしやすく、パッケ
ージの気密信頼性が低いという問題点を有していた。
ように鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金
から成る金属蓋体を絶縁基体の封止用メタライズ層に銀
−銅合金から成るろう材を介してシーム溶接により接合
するようになした電子部品収納用パッケージにおいて
は、近時の電子装置の小型化に伴い絶縁基体の上面に被
着させた封止用メタライズ層の幅が0.3〜0.4ｍｍ程度の
狭いものとなってきており、この封止用メタライズ層に
金属蓋体をろう材を介してシーム溶接すると、封止用メ
タライズ層はその幅が0.3〜0.4ｍｍと狭いことおよび厚
みが10〜50μｍ程度と薄いことから、溶接の際に金属蓋
体が熱膨張および熱収縮することにより発生する熱応力
を封止用メタライズ層で良好に吸収することができず
に、その結果、封止用メタライズ層に剥離が発生した
り、絶縁基体にクラックが発生したりしやすく、パッケ
ージの気密信頼性が低いという問題点を有していた。
【０００８】そこで、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル
−コバルト合金から成る金属蓋体の厚みを100μｍ未満
の薄いものとすることにより、封止用メタライズ層に金
属蓋体をろう材を介してシーム溶接する際に、金属蓋体
が熱膨張および熱収縮することにより発生する熱応力を
小さなものとすることが考えられるが、金属蓋体の厚み
を100μｍ未満の薄いものとした場合、シーム溶接の際
に金属蓋体が熱膨張および熱収縮することにより発生す
る熱応力は小さくなるものの、金属蓋体が薄い分、シー
ム溶接による熱衝撃が封止用メタライズ層および絶縁基
体に大きく印加されるとともに、金属蓋体の電気抵抗が
大きくなるのでシーム溶接の電流が封止用メタライズ層
に大量に流れて封止用メタライズ層でのジュール発熱が
大きくなり、そのため、やはり封止用メタライズ層に剥
離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりして
しまう。
−コバルト合金から成る金属蓋体の厚みを100μｍ未満
の薄いものとすることにより、封止用メタライズ層に金
属蓋体をろう材を介してシーム溶接する際に、金属蓋体
が熱膨張および熱収縮することにより発生する熱応力を
小さなものとすることが考えられるが、金属蓋体の厚み
を100μｍ未満の薄いものとした場合、シーム溶接の際
に金属蓋体が熱膨張および熱収縮することにより発生す
る熱応力は小さくなるものの、金属蓋体が薄い分、シー
ム溶接による熱衝撃が封止用メタライズ層および絶縁基
体に大きく印加されるとともに、金属蓋体の電気抵抗が
大きくなるのでシーム溶接の電流が封止用メタライズ層
に大量に流れて封止用メタライズ層でのジュール発熱が
大きくなり、そのため、やはり封止用メタライズ層に剥
離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりして
しまう。
【０００９】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出
されたものであり、その目的は、封止用メタライズ層と
金属蓋体とをシーム溶接する際に、封止用メタライズ層
に剥離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したり
することがない、気密信頼性に優れる電子部品収納用パ
ッケージを提供することにある。
されたものであり、その目的は、封止用メタライズ層と
金属蓋体とをシーム溶接する際に、封止用メタライズ層
に剥離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したり
することがない、気密信頼性に優れる電子部品収納用パ
ッケージを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、上面に電子部品が搭載される搭載部およ
びこの搭載部を取り囲むようにして固着された枠状の封
止用メタライズ層を有する絶縁基体と、下面に銀−銅合
金から成るろう材が固着されており、封止用メタライズ
層にろう材を介してシーム溶接により接合される鉄−ニ
ッケル合金または鉄−ニッケル−コバルト合金から成る
金属蓋体とから成る電子部品収納用パッケージであっ
て、金属蓋体の厚みを50〜80μｍとし、かつろう材の厚
みを30〜50μｍとしたことを特徴とするものである。
パッケージは、上面に電子部品が搭載される搭載部およ
びこの搭載部を取り囲むようにして固着された枠状の封
止用メタライズ層を有する絶縁基体と、下面に銀−銅合
金から成るろう材が固着されており、封止用メタライズ
層にろう材を介してシーム溶接により接合される鉄−ニ
ッケル合金または鉄−ニッケル−コバルト合金から成る
金属蓋体とから成る電子部品収納用パッケージであっ
て、金属蓋体の厚みを50〜80μｍとし、かつろう材の厚
みを30〜50μｍとしたことを特徴とするものである。
【００１１】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、金属蓋体の厚みを50〜80μｍと薄くしたことから、
封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介してシー
ム溶接により接合する際に、金属蓋体の熱膨張および熱
収縮により発生する熱応力が小さい。また、金属蓋体に
固着させたろう材の厚みを30〜50μｍと厚くしたことか
ら、封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介して
シーム溶接により接合する際に発生する熱衝撃は厚みの
厚いろう材により良好に吸収されるとともに、シーム溶
接の電流は金属蓋体に固着された電気抵抗の低い銀−銅
合金から成るろう材に多量に流れて封止用メタライズ層
に多量に流れることはない。
ば、金属蓋体の厚みを50〜80μｍと薄くしたことから、
封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介してシー
ム溶接により接合する際に、金属蓋体の熱膨張および熱
収縮により発生する熱応力が小さい。また、金属蓋体に
固着させたろう材の厚みを30〜50μｍと厚くしたことか
ら、封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介して
シーム溶接により接合する際に発生する熱衝撃は厚みの
厚いろう材により良好に吸収されるとともに、シーム溶
接の電流は金属蓋体に固着された電気抵抗の低い銀−銅
合金から成るろう材に多量に流れて封止用メタライズ層
に多量に流れることはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の電子部品収納用パ
ッケージを添付の図面を基に説明する。
ッケージを添付の図面を基に説明する。
【００１３】図１は、本発明の電子部品収納用パッケー
ジの実施の形態の一例を示した断面図であり、同図にお
いて１は絶縁基体、２は金属蓋体、３は電子部品であ
る。そして、絶縁基体１と金属蓋体２とから成るパッケ
ージの内部に例えば圧電振動子や半導体素子等の電子部
品３が気密に封止されることによって製品としての電子
装置となる。
ジの実施の形態の一例を示した断面図であり、同図にお
いて１は絶縁基体、２は金属蓋体、３は電子部品であ
る。そして、絶縁基体１と金属蓋体２とから成るパッケ
ージの内部に例えば圧電振動子や半導体素子等の電子部
品３が気密に封止されることによって製品としての電子
装置となる。
【００１４】絶縁基体１は、電子部品３を支持するため
の支持体であり、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アル
ミニウム質焼結体等のセラミックスから成り、その上面
中央部に電子部品３を収容するための凹部Ａを有してい
る。そして凹部Ａの底面は電子部品３を搭載するための
搭載部１ａを形成しており、この搭載部１ａに電子部品
３が搭載される。
の支持体であり、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アル
ミニウム質焼結体等のセラミックスから成り、その上面
中央部に電子部品３を収容するための凹部Ａを有してい
る。そして凹部Ａの底面は電子部品３を搭載するための
搭載部１ａを形成しており、この搭載部１ａに電子部品
３が搭載される。
【００１５】なお、絶縁基体１は、例えば酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム
・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原
料粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して泥
漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレー
ド法やカレンダーロール法を採用することによってセラ
ミックグリーンシートとなし、しかる後、このセラミッ
クグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
複数枚積層し、高温で焼成することによって製作され
る。
ウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム
・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原
料粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して泥
漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレー
ド法やカレンダーロール法を採用することによってセラ
ミックグリーンシートとなし、しかる後、このセラミッ
クグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
複数枚積層し、高温で焼成することによって製作され
る。
【００１６】また、絶縁基体１には、搭載部１ａの上面
から絶縁基体１の下面にかけて導出するタングステンや
モリブデン等の金属粉末焼結体から成る複数のメタライ
ズ配線導体４が固着形成されている。
から絶縁基体１の下面にかけて導出するタングステンや
モリブデン等の金属粉末焼結体から成る複数のメタライ
ズ配線導体４が固着形成されている。
【００１７】メタライズ配線導体４は、電子部品３の各
電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能
し、通常であれば、その露出する表面に１〜20μｍ程度
の厚みのニッケルめっき層と0.1〜3.0μｍ程度の厚みの
金めっき層とが施されている。そして、その搭載部１ａ
上面部位には電子部品３の電極が例えば導電性接着剤５
を介して電気的に接続され、メタライズ配線導体４の絶
縁基体１の下面に導出した部位は、外部電気回路基板の
配線導体に例えば半田を介して電気的に接続される。
電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能
し、通常であれば、その露出する表面に１〜20μｍ程度
の厚みのニッケルめっき層と0.1〜3.0μｍ程度の厚みの
金めっき層とが施されている。そして、その搭載部１ａ
上面部位には電子部品３の電極が例えば導電性接着剤５
を介して電気的に接続され、メタライズ配線導体４の絶
縁基体１の下面に導出した部位は、外部電気回路基板の
配線導体に例えば半田を介して電気的に接続される。
【００１８】なお、メタライズ配線導体４は、例えばタ
ングステン粉末焼結体から成る場合であれば、タングス
テン粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して
得たタングステンペーストを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法により
所定パターンに印刷塗布し、これを絶縁基体１となるセ
ラミックグリーンシートとともに焼成することによっ
て、絶縁基体１の搭載部１ａ上面から下面にかけて所定
のパターンに被着形成される。
ングステン粉末焼結体から成る場合であれば、タングス
テン粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して
得たタングステンペーストを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法により
所定パターンに印刷塗布し、これを絶縁基体１となるセ
ラミックグリーンシートとともに焼成することによっ
て、絶縁基体１の搭載部１ａ上面から下面にかけて所定
のパターンに被着形成される。
【００１９】さらに、絶縁基体１の上面外周部には、タ
ングステンやモリブデン等の金属粉末焼結体から成り、
幅が0.3〜0.4ｍｍ程度で厚みが10〜50μｍ程度の枠状の
封止用メタライズ層６が搭載部１ａを取り囲むようにし
て被着形成されている。
ングステンやモリブデン等の金属粉末焼結体から成り、
幅が0.3〜0.4ｍｍ程度で厚みが10〜50μｍ程度の枠状の
封止用メタライズ層６が搭載部１ａを取り囲むようにし
て被着形成されている。
【００２０】この封止用メタライズ層６は、絶縁基体１
に金属蓋体２を接合させるための下地金属として機能
し、通常であれば、その露出する表面に１〜20μｍ程度
の厚みのニッケルめっき層と0.1〜3.0μｍ程度の厚みの
金めっき層とが施されており、その上には金属蓋体２が
ろう材７を介してシーム溶接により接合される。
に金属蓋体２を接合させるための下地金属として機能
し、通常であれば、その露出する表面に１〜20μｍ程度
の厚みのニッケルめっき層と0.1〜3.0μｍ程度の厚みの
金めっき層とが施されており、その上には金属蓋体２が
ろう材７を介してシーム溶接により接合される。
【００２１】ところで、封止用メタライズ層６に施され
るニッケルめっき層は、その厚みが５μｍ以上である
と、封止用メタライズ層６に金属蓋体２をろう材７を介
してシーム溶接により接合する際に、シーム溶接の熱に
より絶縁基体１に印加される熱衝撃をニッケルめっき層
により良好に吸収して絶縁基体１に熱衝撃による割れや
クラックが発生するのを有効に防止することができる。
したがって、封止用メタライズ層６に施されるニッケル
めっき層はその厚みを好ましくは５μｍ以上、更に好ま
しくは８μｍとしておくことが望ましい。
るニッケルめっき層は、その厚みが５μｍ以上である
と、封止用メタライズ層６に金属蓋体２をろう材７を介
してシーム溶接により接合する際に、シーム溶接の熱に
より絶縁基体１に印加される熱衝撃をニッケルめっき層
により良好に吸収して絶縁基体１に熱衝撃による割れや
クラックが発生するのを有効に防止することができる。
したがって、封止用メタライズ層６に施されるニッケル
めっき層はその厚みを好ましくは５μｍ以上、更に好ま
しくは８μｍとしておくことが望ましい。
【００２２】なお、封止用メタライズ層６は、例えばタ
ングステン粉末焼結体から成る場合であれば、タングス
テン粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して
得たタングステンペーストを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシート上に従来周知のスクリーン印刷法を採
用して予め所定厚み・所定パターンに印刷塗布し、これ
を絶縁基体１となるセラミックグリーンシートとともに
焼成することによって絶縁基体１の上面に搭載部１ａを
取り囲むようにして被着形成される。
ングステン粉末焼結体から成る場合であれば、タングス
テン粉末に適当な有機バインダー・溶剤を添加混合して
得たタングステンペーストを絶縁基体１となるセラミッ
クグリーンシート上に従来周知のスクリーン印刷法を採
用して予め所定厚み・所定パターンに印刷塗布し、これ
を絶縁基体１となるセラミックグリーンシートとともに
焼成することによって絶縁基体１の上面に搭載部１ａを
取り囲むようにして被着形成される。
【００２３】他方、金属蓋体２は、鉄−ニッケル合金板
あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金板から成る厚みが
50〜80μｍの平板であり、その下面の全面には、銀−銅
共晶合金から成るろう材７が30〜50μｍ程度の厚みに固
着されている。そして、絶縁基体１の封止用メタライズ
層６にろう材７を介してシーム溶接によって接合される
ことにより絶縁基体１との間で電子部品３を気密に封止
する。
あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金板から成る厚みが
50〜80μｍの平板であり、その下面の全面には、銀−銅
共晶合金から成るろう材７が30〜50μｍ程度の厚みに固
着されている。そして、絶縁基体１の封止用メタライズ
層６にろう材７を介してシーム溶接によって接合される
ことにより絶縁基体１との間で電子部品３を気密に封止
する。
【００２４】なお、金属蓋体２と絶縁基体１の封止用メ
タライズ層６とのろう材７を介した接合は、図２に断面
図で示すように、金属蓋体２を絶縁基体１の封止用メタ
ライズ層６に間にろう材７を挟んで載置し、この金属蓋
体２の外周縁にシーム溶接機の一対のローラー電極Ｒを
接触させながら転動させるとともに、このローラー電極
Ｒ間に溶接のための大電流を流し、この大電流による発
熱でろう材７の一部を溶融させることによって行われ
る。
タライズ層６とのろう材７を介した接合は、図２に断面
図で示すように、金属蓋体２を絶縁基体１の封止用メタ
ライズ層６に間にろう材７を挟んで載置し、この金属蓋
体２の外周縁にシーム溶接機の一対のローラー電極Ｒを
接触させながら転動させるとともに、このローラー電極
Ｒ間に溶接のための大電流を流し、この大電流による発
熱でろう材７の一部を溶融させることによって行われ
る。
【００２５】このとき、金属蓋体２はその厚みが50〜80
μｍと薄いことから、金属蓋体２を封止用メタライズ層
６にろう材７を介してシーム溶接する際に、金属蓋体２
が熱膨張および熱収縮することによって発生する熱応力
が小さいものとなり、この熱応力により封止用メタライ
ズ層６に剥離が発生したり、絶縁基体１にクラックが発
生することを防止することができる。さらに、金属蓋体
２の下面に固着させた銀−銅合金から成るろう材７はそ
の厚みが30〜50μｍと厚いことから、金属蓋体２を封止
用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶接する際
に発生する熱衝撃は厚みが30〜50μｍと厚いろう材７に
より良好に吸収されるとともに、シーム溶接の電流は電
気抵抗が低い銀−銅合金から成るろう材７に多量に流れ
て封止用メタライズ層６に多量に流れることはなく、そ
のため、シーム溶接の熱衝撃や封止用メタライズ層６で
のジュール発熱によって封止用メタライズ層６に剥離が
発生したり、絶縁基体１にクラックが発生したりするの
を防止することができる。
μｍと薄いことから、金属蓋体２を封止用メタライズ層
６にろう材７を介してシーム溶接する際に、金属蓋体２
が熱膨張および熱収縮することによって発生する熱応力
が小さいものとなり、この熱応力により封止用メタライ
ズ層６に剥離が発生したり、絶縁基体１にクラックが発
生することを防止することができる。さらに、金属蓋体
２の下面に固着させた銀−銅合金から成るろう材７はそ
の厚みが30〜50μｍと厚いことから、金属蓋体２を封止
用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶接する際
に発生する熱衝撃は厚みが30〜50μｍと厚いろう材７に
より良好に吸収されるとともに、シーム溶接の電流は電
気抵抗が低い銀−銅合金から成るろう材７に多量に流れ
て封止用メタライズ層６に多量に流れることはなく、そ
のため、シーム溶接の熱衝撃や封止用メタライズ層６で
のジュール発熱によって封止用メタライズ層６に剥離が
発生したり、絶縁基体１にクラックが発生したりするの
を防止することができる。
【００２６】なお、金属蓋体２は、その厚みが50μｍ未
満であると、蓋体としての十分な強度を得ることが困難
となり、他方、その厚みが80μｍを超えると、金属蓋体
２を封止用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶
接により接合する際に、金属蓋体２が熱膨張および熱収
縮することにより発生する熱応力が大きなものとなり、
その熱応力により封止用メタライズ層５に剥離が発生し
たり、絶縁基体１にクラックが発生したりする危険性が
大きなものとなる。したがって、金属蓋体２の厚みは50
〜80μｍの範囲に特定される。さらに、金属蓋体２の下
面に固着させた銀−銅合金から成るろう材７は、その厚
みが30μｍ未満であると、金属蓋体２を封止用メタライ
ズ層６にろう材７を介してシーム溶接する際に、シーム
溶接による熱衝撃を十分に吸収緩和することができなく
なり、他方、その厚みが50μｍを超えると、封止用メタ
ライズ層６に流れる電流が小さなものとなりすぎて、封
止用メタライズ層６とろう材７との間の発熱が不十分と
なって封止用メタライズ層６と金属蓋体２とをろう材７
を介して強固に接合することが困難となる傾向にある。
したがって、金属蓋体２の下面に固着させた銀−銅合金
から成るろう材７の厚みは30〜50μｍの範囲に特定され
る。
満であると、蓋体としての十分な強度を得ることが困難
となり、他方、その厚みが80μｍを超えると、金属蓋体
２を封止用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶
接により接合する際に、金属蓋体２が熱膨張および熱収
縮することにより発生する熱応力が大きなものとなり、
その熱応力により封止用メタライズ層５に剥離が発生し
たり、絶縁基体１にクラックが発生したりする危険性が
大きなものとなる。したがって、金属蓋体２の厚みは50
〜80μｍの範囲に特定される。さらに、金属蓋体２の下
面に固着させた銀−銅合金から成るろう材７は、その厚
みが30μｍ未満であると、金属蓋体２を封止用メタライ
ズ層６にろう材７を介してシーム溶接する際に、シーム
溶接による熱衝撃を十分に吸収緩和することができなく
なり、他方、その厚みが50μｍを超えると、封止用メタ
ライズ層６に流れる電流が小さなものとなりすぎて、封
止用メタライズ層６とろう材７との間の発熱が不十分と
なって封止用メタライズ層６と金属蓋体２とをろう材７
を介して強固に接合することが困難となる傾向にある。
したがって、金属蓋体２の下面に固着させた銀−銅合金
から成るろう材７の厚みは30〜50μｍの範囲に特定され
る。
【００２７】このような下面にろう材７が固着された金
属蓋体２は、厚みが50〜80μｍの鉄−ニッケル合金板あ
るいは鉄−ニッケル−コバルト合金板の下面に厚みが30
〜50μｍの銀−銅共晶合金から成るろう材箔が圧着され
た複合金属板を得るとともに、この複合金属板を打ち抜
き金型により打ち抜くことによって製作される。
属蓋体２は、厚みが50〜80μｍの鉄−ニッケル合金板あ
るいは鉄−ニッケル−コバルト合金板の下面に厚みが30
〜50μｍの銀−銅共晶合金から成るろう材箔が圧着され
た複合金属板を得るとともに、この複合金属板を打ち抜
き金型により打ち抜くことによって製作される。
【００２８】かくして、本発明の電子部品収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに電子部品３を
搭載するとともに、封止用メタライズ層６に金属蓋体２
をろう材７を介してシーム溶接によって接合することに
より、封止用メタライズ層６に剥離が発生したり、絶縁
基体１にクラックが発生したりすることのない、気密信
頼性に優れる電子部品収納用パッケージを提供すること
ができる。
ージによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに電子部品３を
搭載するとともに、封止用メタライズ層６に金属蓋体２
をろう材７を介してシーム溶接によって接合することに
より、封止用メタライズ層６に剥離が発生したり、絶縁
基体１にクラックが発生したりすることのない、気密信
頼性に優れる電子部品収納用パッケージを提供すること
ができる。
【００２９】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば、種々の変更が可能であることはいうまで
もない。
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば、種々の変更が可能であることはいうまで
もない。
【００３０】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、鉄−ニッケル合金または鉄−ニッケル−コバルト
合金から成る金属蓋体の厚みを50〜80μｍと薄くしたこ
とから、封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介
してシーム溶接により接合する際に、金属蓋体の熱膨張
および熱収縮により発生する熱応力が小さく、そのため
この熱応力により封止用メタライズ層に剥離が発生した
り、絶縁基体にクラックが発生したりすることを有効に
防止することができる。また、金属蓋体に固着させたろ
う材の厚みを30〜50μｍと厚くしたことから、封止用メ
タライズ層と金属蓋体とをろう材を介してシーム溶接に
より接合する際に発生する熱衝撃は厚みの厚いろう材に
より良好に吸収されるとともに、シーム溶接の電流は金
属蓋体に固着された電気抵抗の低い銀−銅合金から成る
ろう材に多量に流れて封止用メタライズ層に多量に流れ
ることはないので、シーム溶接の熱衝撃や封止用メタラ
イズ層でのジュール発熱により封止用メタライズ層に剥
離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりする
のを有効に防止することができる。したがって、本発明
の電子部品収納用パッケージによれば、気密信頼性に優
れる電子部品収納用パッケージを提供することができ
る。
れば、鉄−ニッケル合金または鉄−ニッケル−コバルト
合金から成る金属蓋体の厚みを50〜80μｍと薄くしたこ
とから、封止用メタライズ層と金属蓋体とをろう材を介
してシーム溶接により接合する際に、金属蓋体の熱膨張
および熱収縮により発生する熱応力が小さく、そのため
この熱応力により封止用メタライズ層に剥離が発生した
り、絶縁基体にクラックが発生したりすることを有効に
防止することができる。また、金属蓋体に固着させたろ
う材の厚みを30〜50μｍと厚くしたことから、封止用メ
タライズ層と金属蓋体とをろう材を介してシーム溶接に
より接合する際に発生する熱衝撃は厚みの厚いろう材に
より良好に吸収されるとともに、シーム溶接の電流は金
属蓋体に固着された電気抵抗の低い銀−銅合金から成る
ろう材に多量に流れて封止用メタライズ層に多量に流れ
ることはないので、シーム溶接の熱衝撃や封止用メタラ
イズ層でのジュール発熱により封止用メタライズ層に剥
離が発生したり、絶縁基体にクラックが発生したりする
のを有効に防止することができる。したがって、本発明
の電子部品収納用パッケージによれば、気密信頼性に優
れる電子部品収納用パッケージを提供することができ
る。
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。
態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子部品収納用パッケージの絶縁基
体１と金属蓋体２とのシーム溶接による接合を説明する
ための断面図である。
体１と金属蓋体２とのシーム溶接による接合を説明する
ための断面図である。
１・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・搭載部 ２・・・・・金属蓋体 ３・・・・・電子部品 ６・・・・・封止用メタライズ層 ７・・・・・ろう材
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に電子部品が搭載される搭載部およ
び該搭載部を取り囲むようにして固着された枠状の封止
用メタライズ層を有する絶縁基体と、下面に銀−銅合金
から成るろう材が固着されており、前記封止用メタライ
ズ層に前記ろう材を介してシーム溶接により接合される
鉄−ニッケル合金または鉄−ニッケル−コバルト合金か
ら成る金属蓋体とから成る電子部品収納用パッケージで
あって、前記金属蓋体の厚みを５０〜８０μｍとし、か
つ前記ろう材の厚みを３０〜５０μｍとしたことを特徴
とする電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360885A JP2002164456A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 電子部品収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360885A JP2002164456A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 電子部品収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164456A true JP2002164456A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18832408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000360885A Pending JP2002164456A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300032A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000360885A patent/JP2002164456A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300032A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040210 |