JP3005331B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業状の利用分野】本発明は、加圧接触型の半導体装
置に関し、特に、両電極ポスト間に加圧力が加えられな
い状態(以下、非加圧時と称する。)での半導体ペレッ
ト、その他の組立部品の外囲器内での位置ずれを防止し
た半導体装置に関するものである。 【0002】 【従来の技術】近年、パワーエレクトロニクスの分野で
は、半導体装置の大容量化が進み、半導体ペレットの直
径も大きくなり、70〜80mmφにも及ぶものがあ
る。このような大口径の半導体ペレットをモリブデン等
の熱膨張係数の異なる金属からなる温度補償板とアルミ
等を用いて固着・合金化させると、一般に約70〜80
μmにも及ぶ反りが発生する。この状態で外囲器の両端
面に設けた電極ポスト間に加圧力を加えてた場合、圧接
が不十分となり、半導体装置の性能を十分に発揮させる
ことが困難であった。そこで、最近では半導体ペレット
と上記温度補償板とを固着・合金化させることなく、両
者を重ね合わせた状態で加圧・圧接する方法(アロイフ
リー型)が採用されている。このようなアロイフリー型
の半導体装置の構造例を図3に示す。 【0003】図において、1は加圧接触型の制御電極を
有する半導体装置(サイリスタ)の全体を示す。この半
導体装置1は円筒状絶縁外囲器2を有し、この外囲器2
の両端面にアノード電極ポスト3とカソード電極ポスト
4とがそれぞれ対向配置されている。カソード電極ポス
ト4と円筒状絶縁外囲器2は、リング状薄板である可撓
板22を介して固着されている。また、アノード電極ポ
スト3の外周には溶接フランジ5が固着され、この溶接
フランジ5と円筒状絶縁外囲器2の端面に固定した溶接
フランジ6とが重ね合わされ、その周縁部を溶接して最
終的に前記外囲器2の内部が気密封止される構造となっ
ている。 【0004】また、上記外囲器2の内部には、その周縁
部に保護材7を付着させた半導体ペレット8が収納され
る。該保護材7は、前記外囲器2の内周面に接し、半導
体ペレット8の半径方向の位置決めをする役目を担って
いる。 【0005】上記半導体ペレット8のカソード側(下面
側)主面中央部に形成したゲート電極(図示せず)に対
しては、図示のようにゲート電極ポスト9が配置されて
いる。この電極ポスト9の外周部にはゲートリード線1
0が固着され、このリード線10は側方に引き出され、
円筒状絶縁外囲器2の外周の一部に設けたゲートパイプ
11を介して外部に導出されている。 【0006】さらに詳しくは、上記カソード電極ポスト
4の中央部に形成した凹所12内に、キャップ状の絶縁
体12が収められ、この絶縁体12内に皿ばね等の弾性
体14aを介して上記ゲート電極ポスト9が挿入されて
いる。また、カソード電極ポスト4には、上記凹所12
と連通する半径方向の溝15が形成され、この溝15に
前記のゲートリード線10が挿入され、前述のようにゲ
ートパイプ11を介して前記外囲器2の外部に引き出さ
れるように構成されている。 【0007】上記半導体ペレット8のアノード側(上面
側)には、モリブデン等からなる温度補償板16が固着
・合金化させることなく、独立した組立部品として配置
されている。また、上記半導体ペレット8のカソード側
(下面側)にも、その中央部にゲート電極ポスト9の逃
げ孔を設けた温度補償板17が、銀板18と共にそれぞ
れ独立した組立部品として挿入されている。 【0008】上記の組立部品は、順次、円筒状絶縁外囲
器2内に挿入された後、溶接フランジ5付きのアノード
電極ポスト3が被せられ、溶接フランジ5と円筒状絶縁
外囲器2側の溶接フランジ6とが溶接され該外囲器2の
内部が気密封止される。 【0009】上記のようにして組立てられた半導体装置
1は、最終的に図3の矢印Aで示すように、外部から所
定の加圧力が両電極ポスト3,4に加えられ、加圧接触
型の半導体装置として使用されている。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
1は、その半導体ペレット8の厚さが800μm程度と
薄く、円筒状絶縁外囲器2及びその他の組立部品の寸法
精度等について十分な配慮をしても非加圧時には、該半
導体ペレット8がいずれか一方の電極ポスト3,4側へ
移動したり、各組立部品の半径方向の位置ずれが生じて
しまう。これらは上記溶接フランジ5のスプリング作用
のみの挟持では、その抑制が困難であった。また、上記
溶接フランジ5の溶接の際に生じる反り等により両電極
ポスト3,4間の間隔がさらに大きくなり、上記半導体
ペレット8の上下方向への移動及び半径方向の位置ずれ
が助長される等の解決すべき課題があった。 【0011】本発明は、上記のような各課題を解決する
ためになされたもので、比較的簡単な構造で半導体ペレ
ット及びその他の組立部品の上下方向への移動及び半径
方向の位置ずれを防止し得る半導体装置を提供すること
を目的とするものである。 【0012】 【問題点を解決するための手段】本発明の半導体装置
は、一方の電極ポストが可撓板を介して固着された円筒
状絶縁外囲器と、該外囲器内に収納された半導体ペレッ
ト、温度補償板及びゲート電極ポスト等の組立部品と、
前記一方の電極ポストと対向配置され、溶接フランジを
介して前記外囲器の他方の端面に固着された他方の電極
ポストとを有する加圧接触型の半導体装置において、上
記いずれか一方の電極ポストに凹部を形成し、該凹部内
に第1の弾性体と、絶縁体を介して第2の弾性体とを収
納し、前記第1の弾性体で組立部品を前記円筒状絶縁外
囲器内で仮固定すると共に、前記両電極ポストを加圧し
た時に、前記第2の弾性体で、前記半導体ペレットの表
面に形成されたゲート電極面に前記ゲート電極ポストを
所定の圧力で接触させるようにしたことを特徴とするも
のである。 【0013】 【作用】本発明の半導体装置は、いずれか一方の電極ポ
ストに凹部を形成し、この凹部の中に第1、第2の弾性
体を収納し、第1の弾性体により半導体ペレット、その
他の組立部品を円筒状絶縁外囲器内で仮固定する。ま
た、第2の弾性体では、両電極ポストを外力で加圧した
時に、ゲート電極ポストを半導体ペレットのゲート電極
面に加圧接触させる。 【0014】 【実施例】以下に、本発明の実施例を図1、図2に基づ
いて説明する。なお、図2は、図1の要部を拡大した断
面図である。また、図1は、図3に示した半導体装置1
の組立部品を逆組みしたものである。 【0015】本発明では、ゲート電極ポスト9の中心部
に凹部9aを形成し、この凹部9aに第1の弾性体20
として、例えばコイルスプリングを、キャップ21を介
して挿入したことを特徴とするものである。そして、上
記弾性体20のばね力は、外部からの加圧力Fに対して
無視できる程度に小さい値に設定する。 【0016】その他の構成は、図3に示した半導体装置
1と略同様であるが、本発明では図3に示した半導体装
置1の組立部品の逆組みとするため、アノード電極ポス
ト3と円筒状絶縁外囲器2とがリング状薄板である可撓
板22を介して固着されている。一方、カソード電極ポ
スト4の中央部に形成した凹部12内には、キャップ状
の絶縁体13が収められ、この絶縁体13内に第2の絶
縁体14として、例えば皿ばねを介して上記ゲート電極
ポスト9が挿入される。また、上記カソード電極ポスト
4には、前記凹所12と連通する半径方向の溝15が形
成され、該溝15にゲートリード線10が挿入され、前
記外囲器2外へ引き出される構造となっている。 【0017】上記の構成で組立を完了した半導体装置1
は、両電極ポスト3,4間に加圧力が加えられない状態
でも、第1の弾性体20により半導体ペレット8、温度
補償板16をアノード電極ポスト3側に押圧しているの
で、それらの組立部品の移動が阻止される。 【0018】一方、両電極ポスト3,4間に所定の加圧
力Fが加えられた場合、第1の弾性体20のばね力は、
加圧力Fに対して無視できる程度に小さい値に設定され
ているので、各組立部品間が相互に密着する。 【0019】また、第2の弾性体14は、上記両電極ポ
スト3,4間に加圧力が加えられた際に、ゲート電極ポ
スト9を半導体ペレット8のゲート電極面に所定の加圧
力をもって接触させる。 【0020】なお、上記の実施例では、第1の弾性体2
0の例として、コイルスプリング、第2の弾性体14の
例として、皿ばねのみを示したが、勿論これに限定され
るものではなく、所定の弾性力を有するものであれば他
のものであっても良い。また、上記実施例では、半導体
ペレット8がサイリスタ構造であるものについて説明し
たが、トランジスタ構造のものについても容易に適用す
ることができる。さらに、図1及び図2では、図3に示
した半導体装置1の組立部品を逆組みしたものについて
示したが、勿論、図3のように組立てた半導体装置1に
対しても適用することができる。 【0021】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、いずれ
か一方の電極ポストに凹部を形成し、この凹部にゲート
電極ポストを押圧する第2の弾性体と共に、第1の弾性
体を挿入して半導体ペレット、その他の組立部品を仮固
定できるようにしたので、概略以下のような効果を奏す
る。非加圧時においても、円筒状絶縁外囲器内で半導
体ペレットをはじめ、その他の組立部品の上下方向への
移動及び半径方向への位置ずれが効果的に防止される。
上記により、半導体装置の輸送時等における振動等
でそれらの組立部品が変形したり、損傷を受けたりする
おそれが回避でき、信頼性の高い半導体装置を提供する
ことが可能となる。上記移動が防止される結果、円筒
状絶縁外囲器及びその他の組立部品の寸法精度を極端に
高める必要がなくなり、この種の半導体装置の製造コス
トを低減することができる。第1の弾性体を収納する
凹部を他の電極ポストに設けることなく、第2の弾性体
を収納する同一電極ポスト内の凹部に共通して収納する
ようにしているので、当該他の電極ポスト面への加工が
一切不要ある。上記により、半導体ペレットと他の
電極ポストとの接触面積を減少させることがなくなり、
従って主電流が通過する面積を減ずることもなく、ま
た、放熱効果の点でも有利であり、これらを総合して信
頼性の高い半導体装置が得られる。
置に関し、特に、両電極ポスト間に加圧力が加えられな
い状態(以下、非加圧時と称する。)での半導体ペレッ
ト、その他の組立部品の外囲器内での位置ずれを防止し
た半導体装置に関するものである。 【0002】 【従来の技術】近年、パワーエレクトロニクスの分野で
は、半導体装置の大容量化が進み、半導体ペレットの直
径も大きくなり、70〜80mmφにも及ぶものがあ
る。このような大口径の半導体ペレットをモリブデン等
の熱膨張係数の異なる金属からなる温度補償板とアルミ
等を用いて固着・合金化させると、一般に約70〜80
μmにも及ぶ反りが発生する。この状態で外囲器の両端
面に設けた電極ポスト間に加圧力を加えてた場合、圧接
が不十分となり、半導体装置の性能を十分に発揮させる
ことが困難であった。そこで、最近では半導体ペレット
と上記温度補償板とを固着・合金化させることなく、両
者を重ね合わせた状態で加圧・圧接する方法(アロイフ
リー型)が採用されている。このようなアロイフリー型
の半導体装置の構造例を図3に示す。 【0003】図において、1は加圧接触型の制御電極を
有する半導体装置(サイリスタ)の全体を示す。この半
導体装置1は円筒状絶縁外囲器2を有し、この外囲器2
の両端面にアノード電極ポスト3とカソード電極ポスト
4とがそれぞれ対向配置されている。カソード電極ポス
ト4と円筒状絶縁外囲器2は、リング状薄板である可撓
板22を介して固着されている。また、アノード電極ポ
スト3の外周には溶接フランジ5が固着され、この溶接
フランジ5と円筒状絶縁外囲器2の端面に固定した溶接
フランジ6とが重ね合わされ、その周縁部を溶接して最
終的に前記外囲器2の内部が気密封止される構造となっ
ている。 【0004】また、上記外囲器2の内部には、その周縁
部に保護材7を付着させた半導体ペレット8が収納され
る。該保護材7は、前記外囲器2の内周面に接し、半導
体ペレット8の半径方向の位置決めをする役目を担って
いる。 【0005】上記半導体ペレット8のカソード側(下面
側)主面中央部に形成したゲート電極(図示せず)に対
しては、図示のようにゲート電極ポスト9が配置されて
いる。この電極ポスト9の外周部にはゲートリード線1
0が固着され、このリード線10は側方に引き出され、
円筒状絶縁外囲器2の外周の一部に設けたゲートパイプ
11を介して外部に導出されている。 【0006】さらに詳しくは、上記カソード電極ポスト
4の中央部に形成した凹所12内に、キャップ状の絶縁
体12が収められ、この絶縁体12内に皿ばね等の弾性
体14aを介して上記ゲート電極ポスト9が挿入されて
いる。また、カソード電極ポスト4には、上記凹所12
と連通する半径方向の溝15が形成され、この溝15に
前記のゲートリード線10が挿入され、前述のようにゲ
ートパイプ11を介して前記外囲器2の外部に引き出さ
れるように構成されている。 【0007】上記半導体ペレット8のアノード側(上面
側)には、モリブデン等からなる温度補償板16が固着
・合金化させることなく、独立した組立部品として配置
されている。また、上記半導体ペレット8のカソード側
(下面側)にも、その中央部にゲート電極ポスト9の逃
げ孔を設けた温度補償板17が、銀板18と共にそれぞ
れ独立した組立部品として挿入されている。 【0008】上記の組立部品は、順次、円筒状絶縁外囲
器2内に挿入された後、溶接フランジ5付きのアノード
電極ポスト3が被せられ、溶接フランジ5と円筒状絶縁
外囲器2側の溶接フランジ6とが溶接され該外囲器2の
内部が気密封止される。 【0009】上記のようにして組立てられた半導体装置
1は、最終的に図3の矢印Aで示すように、外部から所
定の加圧力が両電極ポスト3,4に加えられ、加圧接触
型の半導体装置として使用されている。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
1は、その半導体ペレット8の厚さが800μm程度と
薄く、円筒状絶縁外囲器2及びその他の組立部品の寸法
精度等について十分な配慮をしても非加圧時には、該半
導体ペレット8がいずれか一方の電極ポスト3,4側へ
移動したり、各組立部品の半径方向の位置ずれが生じて
しまう。これらは上記溶接フランジ5のスプリング作用
のみの挟持では、その抑制が困難であった。また、上記
溶接フランジ5の溶接の際に生じる反り等により両電極
ポスト3,4間の間隔がさらに大きくなり、上記半導体
ペレット8の上下方向への移動及び半径方向の位置ずれ
が助長される等の解決すべき課題があった。 【0011】本発明は、上記のような各課題を解決する
ためになされたもので、比較的簡単な構造で半導体ペレ
ット及びその他の組立部品の上下方向への移動及び半径
方向の位置ずれを防止し得る半導体装置を提供すること
を目的とするものである。 【0012】 【問題点を解決するための手段】本発明の半導体装置
は、一方の電極ポストが可撓板を介して固着された円筒
状絶縁外囲器と、該外囲器内に収納された半導体ペレッ
ト、温度補償板及びゲート電極ポスト等の組立部品と、
前記一方の電極ポストと対向配置され、溶接フランジを
介して前記外囲器の他方の端面に固着された他方の電極
ポストとを有する加圧接触型の半導体装置において、上
記いずれか一方の電極ポストに凹部を形成し、該凹部内
に第1の弾性体と、絶縁体を介して第2の弾性体とを収
納し、前記第1の弾性体で組立部品を前記円筒状絶縁外
囲器内で仮固定すると共に、前記両電極ポストを加圧し
た時に、前記第2の弾性体で、前記半導体ペレットの表
面に形成されたゲート電極面に前記ゲート電極ポストを
所定の圧力で接触させるようにしたことを特徴とするも
のである。 【0013】 【作用】本発明の半導体装置は、いずれか一方の電極ポ
ストに凹部を形成し、この凹部の中に第1、第2の弾性
体を収納し、第1の弾性体により半導体ペレット、その
他の組立部品を円筒状絶縁外囲器内で仮固定する。ま
た、第2の弾性体では、両電極ポストを外力で加圧した
時に、ゲート電極ポストを半導体ペレットのゲート電極
面に加圧接触させる。 【0014】 【実施例】以下に、本発明の実施例を図1、図2に基づ
いて説明する。なお、図2は、図1の要部を拡大した断
面図である。また、図1は、図3に示した半導体装置1
の組立部品を逆組みしたものである。 【0015】本発明では、ゲート電極ポスト9の中心部
に凹部9aを形成し、この凹部9aに第1の弾性体20
として、例えばコイルスプリングを、キャップ21を介
して挿入したことを特徴とするものである。そして、上
記弾性体20のばね力は、外部からの加圧力Fに対して
無視できる程度に小さい値に設定する。 【0016】その他の構成は、図3に示した半導体装置
1と略同様であるが、本発明では図3に示した半導体装
置1の組立部品の逆組みとするため、アノード電極ポス
ト3と円筒状絶縁外囲器2とがリング状薄板である可撓
板22を介して固着されている。一方、カソード電極ポ
スト4の中央部に形成した凹部12内には、キャップ状
の絶縁体13が収められ、この絶縁体13内に第2の絶
縁体14として、例えば皿ばねを介して上記ゲート電極
ポスト9が挿入される。また、上記カソード電極ポスト
4には、前記凹所12と連通する半径方向の溝15が形
成され、該溝15にゲートリード線10が挿入され、前
記外囲器2外へ引き出される構造となっている。 【0017】上記の構成で組立を完了した半導体装置1
は、両電極ポスト3,4間に加圧力が加えられない状態
でも、第1の弾性体20により半導体ペレット8、温度
補償板16をアノード電極ポスト3側に押圧しているの
で、それらの組立部品の移動が阻止される。 【0018】一方、両電極ポスト3,4間に所定の加圧
力Fが加えられた場合、第1の弾性体20のばね力は、
加圧力Fに対して無視できる程度に小さい値に設定され
ているので、各組立部品間が相互に密着する。 【0019】また、第2の弾性体14は、上記両電極ポ
スト3,4間に加圧力が加えられた際に、ゲート電極ポ
スト9を半導体ペレット8のゲート電極面に所定の加圧
力をもって接触させる。 【0020】なお、上記の実施例では、第1の弾性体2
0の例として、コイルスプリング、第2の弾性体14の
例として、皿ばねのみを示したが、勿論これに限定され
るものではなく、所定の弾性力を有するものであれば他
のものであっても良い。また、上記実施例では、半導体
ペレット8がサイリスタ構造であるものについて説明し
たが、トランジスタ構造のものについても容易に適用す
ることができる。さらに、図1及び図2では、図3に示
した半導体装置1の組立部品を逆組みしたものについて
示したが、勿論、図3のように組立てた半導体装置1に
対しても適用することができる。 【0021】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、いずれ
か一方の電極ポストに凹部を形成し、この凹部にゲート
電極ポストを押圧する第2の弾性体と共に、第1の弾性
体を挿入して半導体ペレット、その他の組立部品を仮固
定できるようにしたので、概略以下のような効果を奏す
る。非加圧時においても、円筒状絶縁外囲器内で半導
体ペレットをはじめ、その他の組立部品の上下方向への
移動及び半径方向への位置ずれが効果的に防止される。
上記により、半導体装置の輸送時等における振動等
でそれらの組立部品が変形したり、損傷を受けたりする
おそれが回避でき、信頼性の高い半導体装置を提供する
ことが可能となる。上記移動が防止される結果、円筒
状絶縁外囲器及びその他の組立部品の寸法精度を極端に
高める必要がなくなり、この種の半導体装置の製造コス
トを低減することができる。第1の弾性体を収納する
凹部を他の電極ポストに設けることなく、第2の弾性体
を収納する同一電極ポスト内の凹部に共通して収納する
ようにしているので、当該他の電極ポスト面への加工が
一切不要ある。上記により、半導体ペレットと他の
電極ポストとの接触面積を減少させることがなくなり、
従って主電流が通過する面積を減ずることもなく、ま
た、放熱効果の点でも有利であり、これらを総合して信
頼性の高い半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す半導体装置の縦断面図で
ある。 【図2】上記実施例における要部拡大断面図である。 【図3】従来の半導体装置の一例を示す縦断面図であ
る。 【符号の説明】 1 半導体装置 2 円筒状絶縁外囲器 3 アノード電極ポスト 4 カソード電極ポスト 5 溶接フランジ 6 溶接フランジ 7 保護材 8 半導体ペレット 9 ゲート電極ポスト 9a 凹部 10 ゲートリード線 11 ゲートパイプ 12 凹所 13 絶縁体 14 第2の弾性体 14a 弾性体 15 溝 16 温度補償板 17 温度補償板 18 銀板 19 凹所 20 第1の弾性体 21 キャップ22 可撓板
ある。 【図2】上記実施例における要部拡大断面図である。 【図3】従来の半導体装置の一例を示す縦断面図であ
る。 【符号の説明】 1 半導体装置 2 円筒状絶縁外囲器 3 アノード電極ポスト 4 カソード電極ポスト 5 溶接フランジ 6 溶接フランジ 7 保護材 8 半導体ペレット 9 ゲート電極ポスト 9a 凹部 10 ゲートリード線 11 ゲートパイプ 12 凹所 13 絶縁体 14 第2の弾性体 14a 弾性体 15 溝 16 温度補償板 17 温度補償板 18 銀板 19 凹所 20 第1の弾性体 21 キャップ22 可撓板
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 一方の電極ポストが可撓板を介して固着された円筒状絶
縁外囲器と、該外囲器内に収納された半導体ペレット、
温度補償板及びゲート電極ポスト等の組立部品と、前記
一方の電極ポストと対向配置され、溶接フランジを介し
て前記外囲器の他方の端面に固着された他方の電極ポス
トとを有する加圧接触型の半導体装置において、 上記いずれか一方の電極ポストに凹部を形成し、該凹部
内に第1の弾性体と、絶縁体を介して第2の弾性体とを
収納し、前記第1の弾性体で前記組立部品を前記円筒状
絶縁外囲器内で仮固定すると共に、前記両電極ポストを
加圧した時に、前記第2の弾性体で、前記半導体ペレッ
トの表面に形成されたゲート電極面に前記ゲート電極ポ
ストを所定の圧力で接触させるようにしたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200081A JP3005331B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200081A JP3005331B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521623A JPH0521623A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3005331B2 true JP3005331B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=16418539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200081A Expired - Fee Related JP3005331B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3005331B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6287667B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-03-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3200081A patent/JP3005331B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521623A (ja) | 1993-01-29 |
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