JPH04112578A - 平形半導体装置 - Google Patents
平形半導体装置Info
- Publication number
- JPH04112578A JPH04112578A JP23077490A JP23077490A JPH04112578A JP H04112578 A JPH04112578 A JP H04112578A JP 23077490 A JP23077490 A JP 23077490A JP 23077490 A JP23077490 A JP 23077490A JP H04112578 A JPH04112578 A JP H04112578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact electrode
- fixing member
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、GTOサイリスクなどを対象とした加圧接触
形構造の平形半導体装置の構成に関する。
形構造の平形半導体装置の構成に関する。
頭記のCTOサイリスタについては、パッケージのタイ
プ別に分けてスタヮド形、平形サイリスタが知られてい
る。ここで、平形サイリスタは、半導体基体(シリコン
ウェハにPNPN層を形成した接合体)の両端面にタン
グステン、モリブデンなどの基板を重ね合わせ、硬ろう
により合金化して接合するか、あるいはろう付けせずに
加圧接触させ、これを陽極、陰極側の電極体(銅円板)
の間に挟持してパッケージ内に封入した構成である。
プ別に分けてスタヮド形、平形サイリスタが知られてい
る。ここで、平形サイリスタは、半導体基体(シリコン
ウェハにPNPN層を形成した接合体)の両端面にタン
グステン、モリブデンなどの基板を重ね合わせ、硬ろう
により合金化して接合するか、あるいはろう付けせずに
加圧接触させ、これを陽極、陰極側の電極体(銅円板)
の間に挟持してパッケージ内に封入した構成である。
ところで、前記構成の平形半導体装置において、特に半
導体基体と基板との間をろう付けして合金化したもので
は、半導体基体と基板の熱膨張係数(Stの膨張係数は
2.8 X 10−6/”C,Moは4.9×10−’
/”C)の差により、通電時の発熱に伴うバイメタル効
果にりよ反りが発生する。この反りは半導体基体の口径
が大であるほど大きく、特にGTOサイリスタのように
1枚のシリコンウェハに微小なカソード面域をもつ多数
の小サイリスタ群を集積した素子では、半導体基体に反
りが生じると接触電極との接触性が悪化して接触電極が
十分に機能せず、電流分布が不均一となって所定の特性
が発揮できなくなるなどの問題がある。
導体基体と基板との間をろう付けして合金化したもので
は、半導体基体と基板の熱膨張係数(Stの膨張係数は
2.8 X 10−6/”C,Moは4.9×10−’
/”C)の差により、通電時の発熱に伴うバイメタル効
果にりよ反りが発生する。この反りは半導体基体の口径
が大であるほど大きく、特にGTOサイリスタのように
1枚のシリコンウェハに微小なカソード面域をもつ多数
の小サイリスタ群を集積した素子では、半導体基体に反
りが生じると接触電極との接触性が悪化して接触電極が
十分に機能せず、電流分布が不均一となって所定の特性
が発揮できなくなるなどの問題がある。
なお、前記のような反りの発生を阻止するために、通常
はスタックに組立てた状態で半導体装置を外部の圧接機
構により締め付け、反りの発生を強制的に抑えて使用す
る方式で対処しているが、この場合にはバイメタル効果
による反りの発生を抑止するには数トンにも及ぶ大きな
圧接力を必要とすることから、圧接機構が複雑、大形化
してコスト高を招く。
はスタックに組立てた状態で半導体装置を外部の圧接機
構により締め付け、反りの発生を強制的に抑えて使用す
る方式で対処しているが、この場合にはバイメタル効果
による反りの発生を抑止するには数トンにも及ぶ大きな
圧接力を必要とすることから、圧接機構が複雑、大形化
してコスト高を招く。
そこで、最近では半導体基体に基板をろう付けせず(ア
ロイフリー化)に加圧接触させるようにした方式ものが
採用される傾向にある。このアロイフリー化した加圧接
触方式は、半導体基体と基板をろう付けしないので通電
加熱によるバイメタル効果が働かず、半導体基体に反り
の生しることがない。
ロイフリー化)に加圧接触させるようにした方式ものが
採用される傾向にある。このアロイフリー化した加圧接
触方式は、半導体基体と基板をろう付けしないので通電
加熱によるバイメタル効果が働かず、半導体基体に反り
の生しることがない。
ところで、前記したアロイフリーとした加圧接触形構造
の平形半導体を構成するに際し、単に半導体基体の両面
に接触電極板(半導体基体の補強を兼ねたタングステン
、モリブデン板)を重ね合わせ、電極体の間に挟持して
パッケージ内に紐み込んだままの構成では、次記のよう
な問題点が残る。
の平形半導体を構成するに際し、単に半導体基体の両面
に接触電極板(半導体基体の補強を兼ねたタングステン
、モリブデン板)を重ね合わせ、電極体の間に挟持して
パッケージ内に紐み込んだままの構成では、次記のよう
な問題点が残る。
(1)パッケージ内に組み込んだ半導体基体、および接
触電極板を所定の位置へ確実に保持することが困難であ
り、半導体装置のパンケージに外力。
触電極板を所定の位置へ確実に保持することが困難であ
り、半導体装置のパンケージに外力。
振動などが加わると半導体基体と接触電極板とがパッケ
ージ内で相対的にずれ動いてしまう。
ージ内で相対的にずれ動いてしまう。
C2)シかも、半導体基体に対しその両面に重ね合わせ
た接触電極板が所定の位置から相対的にずれると、電極
体を介して外部から加わる圧接力が接触電極板の周縁エ
ツジ部を介して半導体基体に剪断力として作用し、これ
が原因でシリコンウェハに亀裂が生じるなど機械的な損
傷を受けて破壊することがある。
た接触電極板が所定の位置から相対的にずれると、電極
体を介して外部から加わる圧接力が接触電極板の周縁エ
ツジ部を介して半導体基体に剪断力として作用し、これ
が原因でシリコンウェハに亀裂が生じるなど機械的な損
傷を受けて破壊することがある。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、先記
のようにアロイフリー化した半導体基体。
のようにアロイフリー化した半導体基体。
および該半導体基体の両面に重ね合わせた接触電極板が
パッケージ内に組み込んだ状態で外力、振動などで不用
意にずれるを阻止し、外部から加える圧接力に対して半
導体基体を安全に保護できるようにした加圧接触形構造
の平形半導体装置を提供することを目的とする。
パッケージ内に組み込んだ状態で外力、振動などで不用
意にずれるを阻止し、外部から加える圧接力に対して半
導体基体を安全に保護できるようにした加圧接触形構造
の平形半導体装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、半導体基体と接
触電極板の両者を重ね合わせ状態でその外周を包囲する
固定部材の内部に組み込むとともに、該固定部材の一端
を電極体の外周部に嵌め合わせてパッケージ内に位置決
め固定するものとする。
触電極板の両者を重ね合わせ状態でその外周を包囲する
固定部材の内部に組み込むとともに、該固定部材の一端
を電極体の外周部に嵌め合わせてパッケージ内に位置決
め固定するものとする。
ここで、前記構成における固定部材は、弾性を有する耐
熱絶縁材料の環状体で構成されたものであり、かつ固定
部材を電極へ位置決め固定するために、固定部材の一端
面に電極体の外周に圧入する嵌合穴が開口している また、半導体基体と接触電極板とを一体かする手段とし
て、半導体基体と接触電極板との重ね合わせ体を一体化
してその周囲を絶縁物でモールド成形することもできる
。
熱絶縁材料の環状体で構成されたものであり、かつ固定
部材を電極へ位置決め固定するために、固定部材の一端
面に電極体の外周に圧入する嵌合穴が開口している また、半導体基体と接触電極板とを一体かする手段とし
て、半導体基体と接触電極板との重ね合わせ体を一体化
してその周囲を絶縁物でモールド成形することもできる
。
上記の構成によれば、半導体基体と接触電極板とが接触
状態のまま固定部材で一体的に保持される。したがって
、パッケージに外力、振動などが加わっても、パッケー
ジ内で半導体基体と接触電極板とが相互にずれ動くおそ
れがな(、これにより外部の加圧機構から加える圧接力
は、半導体装置内での電気的接続に必要な接触圧に対応
した圧接力を加えるだけで十分であり、各部品相互のず
れを防ぐような過大な圧接力は必要ない。
状態のまま固定部材で一体的に保持される。したがって
、パッケージに外力、振動などが加わっても、パッケー
ジ内で半導体基体と接触電極板とが相互にずれ動くおそ
れがな(、これにより外部の加圧機構から加える圧接力
は、半導体装置内での電気的接続に必要な接触圧に対応
した圧接力を加えるだけで十分であり、各部品相互のず
れを防ぐような過大な圧接力は必要ない。
さらに、固定部材をパッケージ側の電極体の一方に嵌合
して位置決め固定した構造の採用により、電極体を基準
に各部品をパッケージ内の組立位置に確実に位置決め固
定できる。
して位置決め固定した構造の採用により、電極体を基準
に各部品をパッケージ内の組立位置に確実に位置決め固
定できる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、第1図は本発明一実施例の組立構造、第2図はそ
の分解図を示すものであり、図において、1は半導体基
体、2,3は半導体基体1の両端面に接触式に重ね合わ
せたタングステン、モリブデン、あるいは銅、モリブデ
ンクラツド材で作られた接触電極板、4.5は前記接触
電極板2.3を上下から挟持する銅で作られた円板状の
電極体、6はパッケージである。なお、パッケージ6は
、周知のように電極体4.5の周面に接合した上下のフ
ランジ6a、 6bと、セラミック製の環状絶縁体6C
と、絶縁体6cの上面に接合して前記フランジ6aとの
間で封止溶接されるフランジ6dとから構成されている
。
の分解図を示すものであり、図において、1は半導体基
体、2,3は半導体基体1の両端面に接触式に重ね合わ
せたタングステン、モリブデン、あるいは銅、モリブデ
ンクラツド材で作られた接触電極板、4.5は前記接触
電極板2.3を上下から挟持する銅で作られた円板状の
電極体、6はパッケージである。なお、パッケージ6は
、周知のように電極体4.5の周面に接合した上下のフ
ランジ6a、 6bと、セラミック製の環状絶縁体6C
と、絶縁体6cの上面に接合して前記フランジ6aとの
間で封止溶接されるフランジ6dとから構成されている
。
一方、前記パンケージ6の内部には本発明に基づく固定
部材7が収容配備されている。この固定部材7は、シリ
コーンゴム、弗素ゴムなどの弾性絶縁材で作られたもの
であり、第2図に明示されているように底部中央に後記
の嵌合穴を開口した皿形の本体7aと、本体7aの上部
内周面に圧入されるリング状の栓体7bとを組合わせた
環状体として成る。また、前記本体7aの底部には電極
体5の外周に圧入される嵌合穴7cが開口し、さらに本
体7aの外径寸法がパッケージ6の内径に合わせて作ら
れている。
部材7が収容配備されている。この固定部材7は、シリ
コーンゴム、弗素ゴムなどの弾性絶縁材で作られたもの
であり、第2図に明示されているように底部中央に後記
の嵌合穴を開口した皿形の本体7aと、本体7aの上部
内周面に圧入されるリング状の栓体7bとを組合わせた
環状体として成る。また、前記本体7aの底部には電極
体5の外周に圧入される嵌合穴7cが開口し、さらに本
体7aの外径寸法がパッケージ6の内径に合わせて作ら
れている。
上記構成の半導体装置は次のようにして組立てられる。
まず、上部の電極体4を外した状態でパッケージ6の中
に固定部材7の本体7aを挿入し、下部電極体5の外周
に本体7aの嵌合穴7cを嵌め込んで圧入式に固定する
0次に固定部材7の皿形本体7aに対し、その内方に接
触電極板3.半導体基体1.接触電極板2をこの順に重
ね合わせて挿入し、続いて上方より栓体7bを本体7a
と上部接触電極板3の外周との間の空隙に圧入し、半導
体基体1と半導体基体を挟んでその両側に重なり合う接
触電極板2.3を一体的に保持する。最後に電極4とと
もに上部フランジ6aを被せ、フランジ6aと6dとの
間を気密溶接して完成する。なお、固定部材7における
栓体7bの外周面、および嵌合穴7cの内面は、相手側
部材に圧入して強固に固定させるために締め代を与えた
テーパ面となっている。
に固定部材7の本体7aを挿入し、下部電極体5の外周
に本体7aの嵌合穴7cを嵌め込んで圧入式に固定する
0次に固定部材7の皿形本体7aに対し、その内方に接
触電極板3.半導体基体1.接触電極板2をこの順に重
ね合わせて挿入し、続いて上方より栓体7bを本体7a
と上部接触電極板3の外周との間の空隙に圧入し、半導
体基体1と半導体基体を挟んでその両側に重なり合う接
触電極板2.3を一体的に保持する。最後に電極4とと
もに上部フランジ6aを被せ、フランジ6aと6dとの
間を気密溶接して完成する。なお、固定部材7における
栓体7bの外周面、および嵌合穴7cの内面は、相手側
部材に圧入して強固に固定させるために締め代を与えた
テーパ面となっている。
なお、固定部材7の栓体7bの抜は止め構造として、第
3図の応用実施例に示すように栓体7bの外周縁に係合
突起7dを形成し、本体7aへ圧入した状態で前記係合
突起7dを本体7aの内周壁面に食い込ませて結合する
ことができる。
3図の応用実施例に示すように栓体7bの外周縁に係合
突起7dを形成し、本体7aへ圧入した状態で前記係合
突起7dを本体7aの内周壁面に食い込ませて結合する
ことができる。
また、第4図の応用実施例は、固定部材7について先記
した本体7aと栓体7bと分けずに一体構造として作り
、鎖線で示すように固定部材7の開口端部を押し広げて
半導体基体1を内部に嵌め込み支持するようにしたもの
であり、半導体基体lを装着後に上下から接触電極板2
.3を固定部材7に圧入式に嵌め込んで半導体基体lと
重ね合わせるようにしている。
した本体7aと栓体7bと分けずに一体構造として作り
、鎖線で示すように固定部材7の開口端部を押し広げて
半導体基体1を内部に嵌め込み支持するようにしたもの
であり、半導体基体lを装着後に上下から接触電極板2
.3を固定部材7に圧入式に嵌め込んで半導体基体lと
重ね合わせるようにしている。
さらに、第5図は固定部材の別な実施例を示すものであ
り、固定部材7は樹脂モールド体であって、半導体基体
工と接触電極板2.3とを重ね合わせた積層体を一体化
してその外周を包囲するようにモールド成形されている
。また、接触電極板2.3の脱落防止を図るために電極
板の周縁一部を固定部材7が覆っている。さらに、固定
部材7の外径寸法は先記の実施例と同様にパッケージ6
(第1図参照)の内径寸法に合わせて作られている。
り、固定部材7は樹脂モールド体であって、半導体基体
工と接触電極板2.3とを重ね合わせた積層体を一体化
してその外周を包囲するようにモールド成形されている
。また、接触電極板2.3の脱落防止を図るために電極
板の周縁一部を固定部材7が覆っている。さらに、固定
部材7の外径寸法は先記の実施例と同様にパッケージ6
(第1図参照)の内径寸法に合わせて作られている。
なお、第5図の構造で、固定部材7について耐透水、吸
湿性の高い材料を選定し、かつ固定部材7と接触電極板
2.3との間で十分な接着性、気密性が確保できれば、
これを単体として第1図に示したパッケージ6を省略し
たパッケージレスの半導体装置として使用することも可
能である。
湿性の高い材料を選定し、かつ固定部材7と接触電極板
2.3との間で十分な接着性、気密性が確保できれば、
これを単体として第1図に示したパッケージ6を省略し
たパッケージレスの半導体装置として使用することも可
能である。
本発明の平形半導体装置は、以上説明したように構成さ
れているので、次記の効果を奏する。
れているので、次記の効果を奏する。
請求項1の構成においては、半導体基体と接触電8i!
@の両者を重ね合わせ状態でその外周を包囲する固定部
材の内部に組み込むとともに、該固定部材の一端を電極
体の外周部に嵌め合わせてパッケージ内に位置決め固定
したことにより、パッケージ内で半導体基体、接触電極
板を電極体を基準に所定の組立位置に位置決め固定する
ことができ、これにより外力、振動などに起因して半導
体基体。
@の両者を重ね合わせ状態でその外周を包囲する固定部
材の内部に組み込むとともに、該固定部材の一端を電極
体の外周部に嵌め合わせてパッケージ内に位置決め固定
したことにより、パッケージ内で半導体基体、接触電極
板を電極体を基準に所定の組立位置に位置決め固定する
ことができ、これにより外力、振動などに起因して半導
体基体。
接触電極板が所定位置から不用意にずれ動くことがなく
なる。したがって、外部の加圧機構により加える圧接力
を低く設定できる他、圧接力に対し半導体基体を安全に
保護してシリコンウェハの破損発生を防ぎ、半導体装置
の信鱈性を大幅に向上できる。
なる。したがって、外部の加圧機構により加える圧接力
を低く設定できる他、圧接力に対し半導体基体を安全に
保護してシリコンウェハの破損発生を防ぎ、半導体装置
の信鱈性を大幅に向上できる。
また、請求項2の構成においては、固定部材が弾性を有
する絶縁材料で作られた環状体であり、さらに請求項3
の構成においては、固定部材の一端面に電極体の外周へ
圧入する嵌合穴を開口したので、請求項1の構成におけ
る固定部材として、請求項2.3の構成を採用すること
により、半導体装置の組立作業が容易となり、かつ組立
状態で各部品を所定の組立位置に強固に位置決め固定で
きる。
する絶縁材料で作られた環状体であり、さらに請求項3
の構成においては、固定部材の一端面に電極体の外周へ
圧入する嵌合穴を開口したので、請求項1の構成におけ
る固定部材として、請求項2.3の構成を採用すること
により、半導体装置の組立作業が容易となり、かつ組立
状態で各部品を所定の組立位置に強固に位置決め固定で
きる。
さらに、請求項4の構成においては、半導体基体と接触
電極板との重ね合わせ体を一体化してその周囲を絶縁物
でモールド成形したので、その取扱いが容易で、パンケ
ージ内への組み込み作業も楽に行うことができる。
電極板との重ね合わせ体を一体化してその周囲を絶縁物
でモールド成形したので、その取扱いが容易で、パンケ
ージ内への組み込み作業も楽に行うことができる。
第1図は本発明一実施例の組立構造の断面図、第2図は
第1図の分解図、第3図、第4図はそれぞれ応用実施例
の要部断面図、第5図は更に異なる実施例の構成断面図
である1図において、1:半導体基体、2.3:接触電
極板、4.5:電極体、6:パッケージ、7:固定部材
、78:本体、7b:栓体、7c:嵌合穴、7d:保合
突起。 a 第1図 第3図 第4図 第2図 第5図
第1図の分解図、第3図、第4図はそれぞれ応用実施例
の要部断面図、第5図は更に異なる実施例の構成断面図
である1図において、1:半導体基体、2.3:接触電
極板、4.5:電極体、6:パッケージ、7:固定部材
、78:本体、7b:栓体、7c:嵌合穴、7d:保合
突起。 a 第1図 第3図 第4図 第2図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体基体の両面に接触電極板を重ね合わせ、これ
を電極体の間に挟持してパッケージ内に封入した平形半
導体装置において、半導体基体と接触電極板の両者を重
ね合わせ状態でその外周を包囲する固定部材の内部に組
み込むとともに、該固定部材の一端を電極体の外周部に
嵌め合わせてパッケージ内に位置決め固定したことを特
徴とする平形半導体装置。 2)請求項1に記載の平形半導体装置において、固定部
材が弾性を有する絶縁材料で作られた環状体としてなる
ことを特徴とする平形半導体装置。 3)請求項2に記載の平形半導体装置において、固定部
材の一端面には電極体の外周へ圧入する嵌合穴が開口し
ていることを特徴とする平形半導体装置。 4)半導体基体の両面に接触電極板を重ね合わせ、これ
を電極間に挟持してパッケージ内に封入した平形半導体
装置において、半導体基体と接触電極板との重ね合わせ
体を一体化してその周囲を絶縁物でモールド成形したこ
とを特徴とする平形半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23077490A JPH04112578A (ja) | 1990-09-01 | 1990-09-01 | 平形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23077490A JPH04112578A (ja) | 1990-09-01 | 1990-09-01 | 平形半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04112578A true JPH04112578A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16913055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23077490A Pending JPH04112578A (ja) | 1990-09-01 | 1990-09-01 | 平形半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04112578A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102290353A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-12-21 | 启东市捷捷微电子有限公司 | 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具及其使用方法 |
JP2014067977A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置、圧接型半導体装置の製造方法 |
DE102011017563B4 (de) * | 2010-04-27 | 2015-10-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Druckkontakthalbleitervorrichtung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62109327A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Hitachi Ltd | 全圧接型半導体装置 |
JPS62128537A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 平形半導体装置 |
-
1990
- 1990-09-01 JP JP23077490A patent/JPH04112578A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62109327A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Hitachi Ltd | 全圧接型半導体装置 |
JPS62128537A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 平形半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011017563B4 (de) * | 2010-04-27 | 2015-10-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Druckkontakthalbleitervorrichtung |
CN102290353A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-12-21 | 启东市捷捷微电子有限公司 | 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具及其使用方法 |
JP2014067977A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置、圧接型半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5278434A (en) | Pressure engagement structure for a full press-pack type semiconductor device | |
US2897419A (en) | Semiconductor diode | |
US4587550A (en) | Press-packed semiconductor device with lateral fixing member | |
JPH03119618A (ja) | 真空スイッチチャンバ形成方法 | |
JPH03149880A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3471880B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
US3248615A (en) | Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses | |
US3476986A (en) | Pressure contact semiconductor devices | |
JPH04112578A (ja) | 平形半導体装置 | |
US4881118A (en) | Semiconductor device | |
JP2841940B2 (ja) | 半導体素子 | |
JPH01258356A (ja) | 蓄電池の気密端子部の構成法 | |
JPS6116687Y2 (ja) | ||
JP2598573B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
JPH0737914A (ja) | 加圧接触式平形半導体素子の組立構造 | |
JP2903864B2 (ja) | 平形半導体装置の製造方法 | |
JPS5854504B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH06163748A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63128735A (ja) | 半導体装置 | |
JP4364676B2 (ja) | 電子部品用パッケ−ジの製造方法 | |
JPH0766309A (ja) | 電子部品用気密封止部材 | |
JPH04321255A (ja) | 半導体外囲器の気密封止方法 | |
JPS60150635A (ja) | 圧接型半導体装置 | |
JPH06151621A (ja) | 平形半導体装置 | |
JPH02220452A (ja) | 半導体装置 |