JP2841940B2 - 半導体素子 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを挟んで
その両側に電極板を重ね合わせ、両者間をはんだ接合し
て組立てたディスク型半導体素子に関する。
その両側に電極板を重ね合わせ、両者間をはんだ接合し
て組立てたディスク型半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】まず、シリコン・サージアブソーバを例
に、頭記したディスク型半導体素子の従来構造を図20
ないし図23に示す。図において、1は外形が方形状で
ある半導体チップ、2は半導体チップ1を挟んでその上
下両面に重ね合わせて両者間をはんだ接合した円板状の
電極板、3は半導体チップ1と電極板2との間を接合し
たはんだ層である。ここで、半導体チップ1の上下両面
にはP形領域とN形領域とが接する接合4に沿って厚み
数μm程度の保護膜(シリコン酸化膜)5が肉盛り形成
されており、該保護膜5で囲まれた内側の面域(方形
面)をはんだ接合面6として、ここに平坦板としてなる
電極板2がはんだ付けされている。なお、半導体チップ
1に電極板2をはんだ付けするには、半導体チップ1と
電極板2との間にはんだシートを挟み込み、組立治具を
用いてチップ,電極板,はんだシートを上下に積み重ね
た状態に保持し、加熱炉に通してチップ1と電極板2と
の間をはんだ接合するようにしている。
に、頭記したディスク型半導体素子の従来構造を図20
ないし図23に示す。図において、1は外形が方形状で
ある半導体チップ、2は半導体チップ1を挟んでその上
下両面に重ね合わせて両者間をはんだ接合した円板状の
電極板、3は半導体チップ1と電極板2との間を接合し
たはんだ層である。ここで、半導体チップ1の上下両面
にはP形領域とN形領域とが接する接合4に沿って厚み
数μm程度の保護膜(シリコン酸化膜)5が肉盛り形成
されており、該保護膜5で囲まれた内側の面域(方形
面)をはんだ接合面6として、ここに平坦板としてなる
電極板2がはんだ付けされている。なお、半導体チップ
1に電極板2をはんだ付けするには、半導体チップ1と
電極板2との間にはんだシートを挟み込み、組立治具を
用いてチップ,電極板,はんだシートを上下に積み重ね
た状態に保持し、加熱炉に通してチップ1と電極板2と
の間をはんだ接合するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
に平坦な電極板を半導体チップの両面にはんだ付け接合
して組立てた従来構造では次記のような問題がある。 (1)電極板2が平坦板であると、半導体素子の組立て
の際に半導体チップ1の表面に肉盛りされた保護膜5が
邪魔となって電極板2が半導体チップ1のはんだ接合面
6に密着せず、僅かに浮いた状態になる。このために、
はんだ付け工程ではんだ量が不足すると半導体チップ1
と電極板2との間のはんだ付けが不良となり、半導体素
子の動作特性が十分に発揮できなくなる。さらに、当該
半導体素子の使用時に電極板2を介して外部から半導体
チップ1に加圧力を加えると、電極板2が保護膜5の表
面に直接接触してるために、保護膜5に集中応力が作用
し、これが原因で保護膜5にクラック,破損の生じるお
それがある。
に平坦な電極板を半導体チップの両面にはんだ付け接合
して組立てた従来構造では次記のような問題がある。 (1)電極板2が平坦板であると、半導体素子の組立て
の際に半導体チップ1の表面に肉盛りされた保護膜5が
邪魔となって電極板2が半導体チップ1のはんだ接合面
6に密着せず、僅かに浮いた状態になる。このために、
はんだ付け工程ではんだ量が不足すると半導体チップ1
と電極板2との間のはんだ付けが不良となり、半導体素
子の動作特性が十分に発揮できなくなる。さらに、当該
半導体素子の使用時に電極板2を介して外部から半導体
チップ1に加圧力を加えると、電極板2が保護膜5の表
面に直接接触してるために、保護膜5に集中応力が作用
し、これが原因で保護膜5にクラック,破損の生じるお
それがある。
【0004】(2)はんだ付けを行う際に、溶融はんだ
が電極板2の全面域に広がろうとするため、そのときに
働くはんだの表面張力により半導体チップ1が電極板2
の中心位置から勝手にずれ動き、図22,図23の鎖線
で表すように半導体チップ1の周縁一部が電極板2の外
周縁より外側にはみ出した状態ではんだ付けされること
がある。しかも、このような状態ではんだ付けされた半
導体素子は、その後の取扱い時に電極板より外側にはみ
出した半導体チップ1に物が当たるとチップに亀裂が生
じたり破損するおそれがあるため不良製品となる。
が電極板2の全面域に広がろうとするため、そのときに
働くはんだの表面張力により半導体チップ1が電極板2
の中心位置から勝手にずれ動き、図22,図23の鎖線
で表すように半導体チップ1の周縁一部が電極板2の外
周縁より外側にはみ出した状態ではんだ付けされること
がある。しかも、このような状態ではんだ付けされた半
導体素子は、その後の取扱い時に電極板より外側にはみ
出した半導体チップ1に物が当たるとチップに亀裂が生
じたり破損するおそれがあるため不良製品となる。
【0005】(3)半導体チップ1を挟んで向かい合う
2枚の電極板2の相互間隔は、半導体チップの厚み寸法
に相当した絶縁距離しか確保できないため、サージ電圧
が印加した際に半導体チップ1の特性に関係なく電極板
と電極板の間で放電が生じ、この結果としてサージアブ
ソーバでは半導体チップによるサージ吸収機能が発揮で
きなくなることがある。
2枚の電極板2の相互間隔は、半導体チップの厚み寸法
に相当した絶縁距離しか確保できないため、サージ電圧
が印加した際に半導体チップ1の特性に関係なく電極板
と電極板の間で放電が生じ、この結果としてサージアブ
ソーバでは半導体チップによるサージ吸収機能が発揮で
きなくなることがある。
【0006】(4)また、前記半導体素子の組立体に対
しては、半導体チップを外力から保護する手段として、
半導体チップ1の周面にシリコーンゴムなどを塗布,硬
化させて保護層を形成することが従来より一般に実施さ
れているが、この方法は作業性が頗る悪く、液状のシリ
コーンゴムを塗布する際に細心の注意を払わないと所定
箇所以外の不要部分、例えば電極板の表面にも誤ってシ
リコーンゴムが付着したり、半導体チップの四隅コーナ
ー部で層厚が薄くなるなど不具合が多く生じるおそれが
あり、その改善策が望まれている。
しては、半導体チップを外力から保護する手段として、
半導体チップ1の周面にシリコーンゴムなどを塗布,硬
化させて保護層を形成することが従来より一般に実施さ
れているが、この方法は作業性が頗る悪く、液状のシリ
コーンゴムを塗布する際に細心の注意を払わないと所定
箇所以外の不要部分、例えば電極板の表面にも誤ってシ
リコーンゴムが付着したり、半導体チップの四隅コーナ
ー部で層厚が薄くなるなど不具合が多く生じるおそれが
あり、その改善策が望まれている。
【0007】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、頭記したシリコン・サージアブソーバなどのデ
ィスク型半導体素子を対象に、第1の目的は、半導体チ
ップと電極板との間のはんだ付け性を改善して製品の良
品率を高め、併せて電極間に十分な絶縁距離を確保でき
るようにした半導体素子の電極構造を提供することにあ
り、第2の目的は、簡易な方法で素子組立体に対するチ
ップ周域の保護層が形成できるようにした半導体素子を
提供することにある。
であり、頭記したシリコン・サージアブソーバなどのデ
ィスク型半導体素子を対象に、第1の目的は、半導体チ
ップと電極板との間のはんだ付け性を改善して製品の良
品率を高め、併せて電極間に十分な絶縁距離を確保でき
るようにした半導体素子の電極構造を提供することにあ
り、第2の目的は、簡易な方法で素子組立体に対するチ
ップ周域の保護層が形成できるようにした半導体素子を
提供することにある。
【0008】
【0009】上記した第1の目的は、本発明により、電
極板の基板中央に半導体チップのはんだ接合面と当接し
合う凸状段部を膨出形成し、該凸状段部を、その端面よ
りも径大,半導体チップの外形よりも径小な第2段部を
備えた二段形の凸状段部に形成した構造、および、前記
の第2段部に対してその段面周縁部に溶融はんだ保持用
のノッチ,あるいはダムを形成した構造とすることによ
り達成される。そして、前記段部の周側面は裾広がりな
テーパ面とするのが好ましい。
極板の基板中央に半導体チップのはんだ接合面と当接し
合う凸状段部を膨出形成し、該凸状段部を、その端面よ
りも径大,半導体チップの外形よりも径小な第2段部を
備えた二段形の凸状段部に形成した構造、および、前記
の第2段部に対してその段面周縁部に溶融はんだ保持用
のノッチ,あるいはダムを形成した構造とすることによ
り達成される。そして、前記段部の周側面は裾広がりな
テーパ面とするのが好ましい。
【0010】また、特に凸状段部の端面外形が方形状で
ある電極板については、半導体素子の組立工程で電極板
と半導体チップとの向きを正しく合わせるための補助手
段として、電極基板の凸状段部と反対側の面にオリエン
テーションスリットを形成するか、あるいは電極基板の
周縁一部にオリエンテーションフラットを形成して実施
することができる。
ある電極板については、半導体素子の組立工程で電極板
と半導体チップとの向きを正しく合わせるための補助手
段として、電極基板の凸状段部と反対側の面にオリエン
テーションスリットを形成するか、あるいは電極基板の
周縁一部にオリエンテーションフラットを形成して実施
することができる。
【0011】一方、第2の目的を達成するために、本発
明の半導体素子においては、半導体チップを囲繞して素
子組立体の外周に電気絶縁性の熱収縮チューブを被着す
るものとする。
明の半導体素子においては、半導体チップを囲繞して素
子組立体の外周に電気絶縁性の熱収縮チューブを被着す
るものとする。
【0012】
【作用】前記構成の電極板を採用して半導体チップとは
んだ接合すると、電極板の基板中央に膨出形成した凸状
段部の端面が半導体チップのはんだ接合面に当接するの
で、この凸状段部がスペーサの役目を果たして電極板の
基板はチップ側の保護膜と非接触の状態ではんだ接合さ
れる。したがって電極板がチップ側の保護膜に直接当た
って保護膜を破損するおそれはない。さらに半導体チッ
プを挟んでその両側に向かい合う電極板の間には凸状段
部がスペーサとなって半導体チップの厚みよりも大な絶
縁距離が確保されるので電極板間での不要な放電のおそ
れがなくなる。
んだ接合すると、電極板の基板中央に膨出形成した凸状
段部の端面が半導体チップのはんだ接合面に当接するの
で、この凸状段部がスペーサの役目を果たして電極板の
基板はチップ側の保護膜と非接触の状態ではんだ接合さ
れる。したがって電極板がチップ側の保護膜に直接当た
って保護膜を破損するおそれはない。さらに半導体チッ
プを挟んでその両側に向かい合う電極板の間には凸状段
部がスペーサとなって半導体チップの厚みよりも大な絶
縁距離が確保されるので電極板間での不要な放電のおそ
れがなくなる。
【0013】そして、前記の凸状段部に第2段部を形成
した二段形構造とすることで、はんだ付けの際に溶融は
んだの広がる範囲が第2段部の段面域内に制限される。
したがって、半導体チップは溶融はんだの表面張力を受
けて電極板の第2段部の領域内に止まるように保持され
る。しかも第2段部の外径は半導体チップの対角寸法よ
りも小径に選定されているので、結果として半導体チッ
プは電極板の基板外周よりはみ出すことがなく、電極板
の中央位置に納まってはんだ接合される。ここで、第2
段部の段面周域にノッチ,ないしダムを形成することに
より、余剰の溶融はんだがノッチ,ダムで阻止されるの
で、溶融はんだが第2段部より外方に流出することがな
くなる。
した二段形構造とすることで、はんだ付けの際に溶融は
んだの広がる範囲が第2段部の段面域内に制限される。
したがって、半導体チップは溶融はんだの表面張力を受
けて電極板の第2段部の領域内に止まるように保持され
る。しかも第2段部の外径は半導体チップの対角寸法よ
りも小径に選定されているので、結果として半導体チッ
プは電極板の基板外周よりはみ出すことがなく、電極板
の中央位置に納まってはんだ接合される。ここで、第2
段部の段面周域にノッチ,ないしダムを形成することに
より、余剰の溶融はんだがノッチ,ダムで阻止されるの
で、溶融はんだが第2段部より外方に流出することがな
くなる。
【0014】さらに、前記段部の周面を裾広がりなテー
パ面とすることにより、当該半導体素子の組立体を加圧
保持した際に、外部から電極板に加わる加圧力は前記テ
ーパ面域において、はんだ層を介して半導体チップを上
下から押圧する垂直成分の分力と、これと直角方向には
んだ層を外周へ押す成分の分力とに分散される。したが
って半導体チップに荷重する集中応力が緩和されるの
で、チップの破損防止に効果がある。
パ面とすることにより、当該半導体素子の組立体を加圧
保持した際に、外部から電極板に加わる加圧力は前記テ
ーパ面域において、はんだ層を介して半導体チップを上
下から押圧する垂直成分の分力と、これと直角方向には
んだ層を外周へ押す成分の分力とに分散される。したが
って半導体チップに荷重する集中応力が緩和されるの
で、チップの破損防止に効果がある。
【0015】また、特に凸状段部の外形を方形状となし
た電極板に対して、あらかじめオリエンテーションスリ
ット,オリエンテーションフラットを形成しておくこと
により、半導体チップと電極板とを重ね合わせてはんだ
付けする組立工程で、組立治具に対し電極板のオリエン
テーションスリット,オリエンテーションフラットを基
準に半導体チップと電極板の凸状段部の辺が互いに平行
に並ぶように位置合わせが行える。
た電極板に対して、あらかじめオリエンテーションスリ
ット,オリエンテーションフラットを形成しておくこと
により、半導体チップと電極板とを重ね合わせてはんだ
付けする組立工程で、組立治具に対し電極板のオリエン
テーションスリット,オリエンテーションフラットを基
準に半導体チップと電極板の凸状段部の辺が互いに平行
に並ぶように位置合わせが行える。
【0016】一方、半導体素子の組立体に対して半導体
チップの周域に被着した熱収縮チューブは、その後の取
扱いで半導体チップを外力から保護するように働く。し
かも熱収縮チューブを採用することで、チップ周域に密
着して均一な厚さの保護層を簡単に形成でき、液状のシ
リコーンゴムを塗布,硬化する方法と比べて作業が頗る
簡単となる。
チップの周域に被着した熱収縮チューブは、その後の取
扱いで半導体チップを外力から保護するように働く。し
かも熱収縮チューブを採用することで、チップ周域に密
着して均一な厚さの保護層を簡単に形成でき、液状のシ
リコーンゴムを塗布,硬化する方法と比べて作業が頗る
簡単となる。
【0017】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。なお、図22,図23に対応する同一部材には同じ
符号が付してある。 参考例1: 図1ないし図3は本発明の参考例を示すものであり、半
導体チップ1を挟んでその両側にはんだ接合される円板
形の電極板2に対し、その基板2aの中央には半導体チ
ップ1に向けて突き出すように端面の外形が円形をなす
凸状段部2bが膨出形成されている。この凸状段部2b
の端面径寸法は半導体チップ1の保護膜5で囲まれたは
んだ接合面6(図21参照)の一辺の長さよりも小径で
あり、かつその突出高さは保護膜5の厚みよりも大に定
めてある。そして、半導体素子の組立工程では、図4で
示すように、カーボンで作られた組立用治具8の内腔
(組立用治具の内径は電極板の外径よりも0.1 〜0.2 mm
程度大)に半導体チップ1,電極板2,およびはんだシ
ート7を図示のように積み重ねて収容し、続いて治具8
を加熱炉に通してはんだ付けを行う。
る。なお、図22,図23に対応する同一部材には同じ
符号が付してある。 参考例1: 図1ないし図3は本発明の参考例を示すものであり、半
導体チップ1を挟んでその両側にはんだ接合される円板
形の電極板2に対し、その基板2aの中央には半導体チ
ップ1に向けて突き出すように端面の外形が円形をなす
凸状段部2bが膨出形成されている。この凸状段部2b
の端面径寸法は半導体チップ1の保護膜5で囲まれたは
んだ接合面6(図21参照)の一辺の長さよりも小径で
あり、かつその突出高さは保護膜5の厚みよりも大に定
めてある。そして、半導体素子の組立工程では、図4で
示すように、カーボンで作られた組立用治具8の内腔
(組立用治具の内径は電極板の外径よりも0.1 〜0.2 mm
程度大)に半導体チップ1,電極板2,およびはんだシ
ート7を図示のように積み重ねて収容し、続いて治具8
を加熱炉に通してはんだ付けを行う。
【0018】前記構成の電極板2を採用することによ
り、図1から判るように、電極板2は凸状段部2bが半
導体チップ1のはんだ接合面に当接してスペーサの役目
を果たすので、電極板2の基板2aは半導体チップ1,
特にその保護膜5とは非接触に浮いた状態ではんだ接合
される。また、はんだ付け後の組立状態でも半導体チッ
プ1を挟んで向かい合う電極板2の基板2aの周縁相互
間には半導体チップ1の厚み寸法dよりも大な絶縁距離
Dが確保される。また、はんだ付け時に溶融はんだの表
面張力の作用で半導体チップ1が電極2に対して外周側
へずれ動こうとしても、凸状段部2bがチップ側の保護
膜5に引っ掛かるので大きく側方にずれるおそれはな
く、基板2aの略中央に納まってはんだ付けされる。
り、図1から判るように、電極板2は凸状段部2bが半
導体チップ1のはんだ接合面に当接してスペーサの役目
を果たすので、電極板2の基板2aは半導体チップ1,
特にその保護膜5とは非接触に浮いた状態ではんだ接合
される。また、はんだ付け後の組立状態でも半導体チッ
プ1を挟んで向かい合う電極板2の基板2aの周縁相互
間には半導体チップ1の厚み寸法dよりも大な絶縁距離
Dが確保される。また、はんだ付け時に溶融はんだの表
面張力の作用で半導体チップ1が電極2に対して外周側
へずれ動こうとしても、凸状段部2bがチップ側の保護
膜5に引っ掛かるので大きく側方にずれるおそれはな
く、基板2aの略中央に納まってはんだ付けされる。
【0019】実施例1: 図5〜図9は本発明の請求項1,2,3に対応する実施
例を示すものである。この実施例では、参考例1で述べ
た凸状段部2bが二段形の突起として、その中段部には
凸状段部2bの端面よりも外方に張り出した第2段部2
cが形成されている。なお、この第2段部2cの外形は
半導体チップ1の対角寸法よりも小径に定めてある。こ
こで、各寸法についての具体的な数値例を示すと、半導
体チップ1の1辺の長さが 2.6mm(対角寸法が3.67mm)
に対して、電極板2は図7に表したような寸法で構成さ
れている。また、第2段部2cに対しては、その段面外
周域に図8に示すようなV字溝のノッチ2d、あるいは
図9に示すようなダム2eを形成し、はんだ付け時に溶
融はんだが第2段部2cの段面領域から外周側へ流出す
るのを防ぐようにしている。
例を示すものである。この実施例では、参考例1で述べ
た凸状段部2bが二段形の突起として、その中段部には
凸状段部2bの端面よりも外方に張り出した第2段部2
cが形成されている。なお、この第2段部2cの外形は
半導体チップ1の対角寸法よりも小径に定めてある。こ
こで、各寸法についての具体的な数値例を示すと、半導
体チップ1の1辺の長さが 2.6mm(対角寸法が3.67mm)
に対して、電極板2は図7に表したような寸法で構成さ
れている。また、第2段部2cに対しては、その段面外
周域に図8に示すようなV字溝のノッチ2d、あるいは
図9に示すようなダム2eを形成し、はんだ付け時に溶
融はんだが第2段部2cの段面領域から外周側へ流出す
るのを防ぐようにしている。
【0020】上記の構成により、はんだ付け時には溶融
はんだが第2段部2cを越えて外周側へ流出することが
なく、これにより半導体チップ1は溶融はんだの表面張
力により基板2aの中央部に引き寄せられてはんだ接合
される。したがって、図22,図23で示したようには
んだ付け工程で半導体チップ1が電極板2より外周へは
み出すことがなく、しかも第2段部2cは半導体チップ
1の保護膜5に直接接触することがなく、図5に示すよ
うに半導体チップ1が電極板2の中央位置に正しく納ま
ってはんだ接合される。
はんだが第2段部2cを越えて外周側へ流出することが
なく、これにより半導体チップ1は溶融はんだの表面張
力により基板2aの中央部に引き寄せられてはんだ接合
される。したがって、図22,図23で示したようには
んだ付け工程で半導体チップ1が電極板2より外周へは
み出すことがなく、しかも第2段部2cは半導体チップ
1の保護膜5に直接接触することがなく、図5に示すよ
うに半導体チップ1が電極板2の中央位置に正しく納ま
ってはんだ接合される。
【0021】実施例2: 図10は本発明の請求項4に対応する実施例を示すもの
である。この実施例では、電極板2の基板2aの中央に
膨出形成した凸状段部2bを円錐台形として、その周側
面が裾広がりなテーパ面2fを呈するように形成されて
いる。このように凸状段部2bの周側面をテーパ面2f
とすることにより、当該半導体素子を加圧保持した際
に、電極板2に加わる外部からの加圧力は、前記テーパ
面2fにおいて、はんだ層3を介して半導体チップ1を
上下から押圧する垂直成分の分力と、これと直角方向に
はんだ層3を外周へ押す分力とに分散される。したがっ
て半導体チップ1に対しその厚み方向に作用する応力が
緩和されるので、半導体チップの破損防止に効果を発揮
する。
である。この実施例では、電極板2の基板2aの中央に
膨出形成した凸状段部2bを円錐台形として、その周側
面が裾広がりなテーパ面2fを呈するように形成されて
いる。このように凸状段部2bの周側面をテーパ面2f
とすることにより、当該半導体素子を加圧保持した際
に、電極板2に加わる外部からの加圧力は、前記テーパ
面2fにおいて、はんだ層3を介して半導体チップ1を
上下から押圧する垂直成分の分力と、これと直角方向に
はんだ層3を外周へ押す分力とに分散される。したがっ
て半導体チップ1に対しその厚み方向に作用する応力が
緩和されるので、半導体チップの破損防止に効果を発揮
する。
【0022】実施例3: 図11ないし図15は本発明の請求項5,6に対応する
実施例を示すものである。すなわち、先述した各実施例
では電極板2に形成した凸状段部2aが円形であるもの
を示したが、これに対して図11〜図15の実施例にお
いては、凸状段部2bの端面外形が半導体チップ1と同
じ方形状をなしている。ここで、図11,図12におけ
る凸状段部2bの端面は一辺の長さが半導体チップ1の
はんだ接合面6(図21参照)の一辺の長さよりも小さ
く設定されている。また、図13は先に述べた実施例1
(図5〜図9)と同様に凸状段部を2段形構造としたも
のであり、その第2段部2cの外形寸法は半導体チップ
の対角寸法よりは小さく定めてある。さらに図13の構
成においては、第2段部2cの段面周域には図8ないし
図9と同様に溶融はんだの流出防止用のノッチ,あるい
はダムを形成する、さらに図10と同様に凸状段部の周
側面をテーパ面に形成して実施することができる。
実施例を示すものである。すなわち、先述した各実施例
では電極板2に形成した凸状段部2aが円形であるもの
を示したが、これに対して図11〜図15の実施例にお
いては、凸状段部2bの端面外形が半導体チップ1と同
じ方形状をなしている。ここで、図11,図12におけ
る凸状段部2bの端面は一辺の長さが半導体チップ1の
はんだ接合面6(図21参照)の一辺の長さよりも小さ
く設定されている。また、図13は先に述べた実施例1
(図5〜図9)と同様に凸状段部を2段形構造としたも
のであり、その第2段部2cの外形寸法は半導体チップ
の対角寸法よりは小さく定めてある。さらに図13の構
成においては、第2段部2cの段面周域には図8ないし
図9と同様に溶融はんだの流出防止用のノッチ,あるい
はダムを形成する、さらに図10と同様に凸状段部の周
側面をテーパ面に形成して実施することができる。
【0023】さらに、図11,図13に示した電極板に
対して、図14においては、電極板2の凸状突起2aを
形成した面と反対側の面に位置合わせ用のオリエンテー
ションスリット2gが、また図15においては、電極板
2の周縁一部にオリエンテーションフラット2hが形成
されている。そして、半導体素子の組立工程では、図1
6のように組立治具8の腔内底部に設けた突起8aに前
記した電極板2のオリエンテーションスリット2gを嵌
め込んで定位置に保持する。ここで、電極板2に形成し
た方形状の凸状段部2bの辺とオリエンテーションスリ
ット2gの向きとの関係をあらかじめ定めておけば、オ
リエンテーションスリット2gを基準にして、組立治具
8内で電極板2の凸状段部2bと半導体チップ1との辺
が互いに平行となるような正しい姿勢に重ね合わせては
んだ付け作業を行うことができる。なお、図14ではオ
リエンテーションスリット2gを2条の平行溝とした
が、これに限定されるものではなく、例えば十字溝とす
ることもできる。また、図17では組立治具8側にもオ
リエンテーションフラット部8bを形成しておき、半導
体素子の組立工程で組立治具8のオリエンテーションフ
ラット部8bに電極板2のオリエンテーションフラット
2hの向きを合わせて定位置に保持することにより、図
16と同様にオリエンテーションフラットを基準に組立
治具8で半導体チップと電極板との位置合わせが簡単に
実現できる。
対して、図14においては、電極板2の凸状突起2aを
形成した面と反対側の面に位置合わせ用のオリエンテー
ションスリット2gが、また図15においては、電極板
2の周縁一部にオリエンテーションフラット2hが形成
されている。そして、半導体素子の組立工程では、図1
6のように組立治具8の腔内底部に設けた突起8aに前
記した電極板2のオリエンテーションスリット2gを嵌
め込んで定位置に保持する。ここで、電極板2に形成し
た方形状の凸状段部2bの辺とオリエンテーションスリ
ット2gの向きとの関係をあらかじめ定めておけば、オ
リエンテーションスリット2gを基準にして、組立治具
8内で電極板2の凸状段部2bと半導体チップ1との辺
が互いに平行となるような正しい姿勢に重ね合わせては
んだ付け作業を行うことができる。なお、図14ではオ
リエンテーションスリット2gを2条の平行溝とした
が、これに限定されるものではなく、例えば十字溝とす
ることもできる。また、図17では組立治具8側にもオ
リエンテーションフラット部8bを形成しておき、半導
体素子の組立工程で組立治具8のオリエンテーションフ
ラット部8bに電極板2のオリエンテーションフラット
2hの向きを合わせて定位置に保持することにより、図
16と同様にオリエンテーションフラットを基準に組立
治具8で半導体チップと電極板との位置合わせが簡単に
実現できる。
【0024】実施例4 図18,図19は本発明の請求項7に対応する実施例を
示すものである。この実施例では図1に表した半導体素
子の組立体に対し、半導体チップ1を囲繞して組立体の
外周にプラスチックで作られた電気絶縁性の熱収縮チュ
ーブ9を被着してチップを外力から保護するように構成
したものである。ここで使用する熱収縮チューブ9は肉
厚が数mmから数十mm程度のものであり、半導体チップ1
と電極板2とをはんだ付けして半導体素子を組立てた後
に、図19のような熱収縮チューブ9を半導体チップ1
の外周に被せて加熱する。これにより熱収縮チューブ9
が収縮してチップ1の周面に密着して周域で均一な厚み
の保護層を形成する。
示すものである。この実施例では図1に表した半導体素
子の組立体に対し、半導体チップ1を囲繞して組立体の
外周にプラスチックで作られた電気絶縁性の熱収縮チュ
ーブ9を被着してチップを外力から保護するように構成
したものである。ここで使用する熱収縮チューブ9は肉
厚が数mmから数十mm程度のものであり、半導体チップ1
と電極板2とをはんだ付けして半導体素子を組立てた後
に、図19のような熱収縮チューブ9を半導体チップ1
の外周に被せて加熱する。これにより熱収縮チューブ9
が収縮してチップ1の周面に密着して周域で均一な厚み
の保護層を形成する。
【0025】かかる熱収縮チューブを採用することによ
り、従来のように液状のシリコーンゴムを半導体チップ
の周面に塗布して硬化させる方法と比べて作業が簡便で
あり、かつ液状シリコーンゴムが所定箇所以外の不要部
分に付着するといった不具合の生じることもない。
り、従来のように液状のシリコーンゴムを半導体チップ
の周面に塗布して硬化させる方法と比べて作業が簡便で
あり、かつ液状シリコーンゴムが所定箇所以外の不要部
分に付着するといった不具合の生じることもない。
【0026】
【発明の効果】本発明による半導体素子は、以上説明し
たように構成されているので、次記の効果を奏する。 (1)電極基板の中央に凸状段部を膨出形成したので、
はんだ付け不良を起こすことなく半導体チップのはんだ
接合面に電極板を確実にはんだ付けできる他、凸状段部
がスペーサの役目を果たして電極板の基板を半導体チッ
プ側の保護膜から浮かした状態に保持して半導体チップ
と電極板との間をはんだ接合することができ、これによ
り電極板との機械的な接触による集中応力が原因で保護
膜を破損するようなトラブルの発生を回避できる。
たように構成されているので、次記の効果を奏する。 (1)電極基板の中央に凸状段部を膨出形成したので、
はんだ付け不良を起こすことなく半導体チップのはんだ
接合面に電極板を確実にはんだ付けできる他、凸状段部
がスペーサの役目を果たして電極板の基板を半導体チッ
プ側の保護膜から浮かした状態に保持して半導体チップ
と電極板との間をはんだ接合することができ、これによ
り電極板との機械的な接触による集中応力が原因で保護
膜を破損するようなトラブルの発生を回避できる。
【0027】(2)また、半導体チップを挟んで対向し
合う電極板の相互間には、凸状段部がスペーサの役目を
果たして半導体チップの厚み寸法よりも大な絶縁距離が
確保されるので、半導体素子の使用時に電極板の間で不
用意な放電が生じるのを防止できる。 (3)さらに、かかる電極板を採用することで、はんだ
接合時に半導体チップが溶融はんだの表面張力により電
極板の中央位置に引き寄せられるようになるので、従来
の平坦電極板を使用したときのように半導体チップが外
側にずれ動いて電極板の周縁からはみ出すといった不具
合を回避でき、これにより製品の良品率が向上する。
合う電極板の相互間には、凸状段部がスペーサの役目を
果たして半導体チップの厚み寸法よりも大な絶縁距離が
確保されるので、半導体素子の使用時に電極板の間で不
用意な放電が生じるのを防止できる。 (3)さらに、かかる電極板を採用することで、はんだ
接合時に半導体チップが溶融はんだの表面張力により電
極板の中央位置に引き寄せられるようになるので、従来
の平坦電極板を使用したときのように半導体チップが外
側にずれ動いて電極板の周縁からはみ出すといった不具
合を回避でき、これにより製品の良品率が向上する。
【0028】(4)特に、凸状段部に形成した第2段部
の段面周縁にはんだ保持用のノッチ,ないしダムを形成
した構造では、溶融はんだが第2段部の領域から外側へ
流出するのが防止できるし、また、段部の周面を裾広が
りなテーパ面となすことで、半導体素子を加圧保持した
際に電極板からはんだ層を介して半導体チップに直接作
用する応力荷重を緩和し、半導体チップを破損から安全
に保護できる。 (5)また、凸状段部の端面外形を方形状とした電極板
に対しては、電極板にオリエンテーションスリット,な
いしオリエンテーションフラットを形成しておくことに
より、このオリエンテーションスリット,オリエンテー
ションフラットを基準に半導体素子の組立工程で電極板
の凸状段部と半導体チップの辺と辺が互いに平行となる
ようにする位置合わせが簡単に実現できる。
の段面周縁にはんだ保持用のノッチ,ないしダムを形成
した構造では、溶融はんだが第2段部の領域から外側へ
流出するのが防止できるし、また、段部の周面を裾広が
りなテーパ面となすことで、半導体素子を加圧保持した
際に電極板からはんだ層を介して半導体チップに直接作
用する応力荷重を緩和し、半導体チップを破損から安全
に保護できる。 (5)また、凸状段部の端面外形を方形状とした電極板
に対しては、電極板にオリエンテーションスリット,な
いしオリエンテーションフラットを形成しておくことに
より、このオリエンテーションスリット,オリエンテー
ションフラットを基準に半導体素子の組立工程で電極板
の凸状段部と半導体チップの辺と辺が互いに平行となる
ようにする位置合わせが簡単に実現できる。
【0029】(6)半導体素子の組立体に対して、半導
体チップの外周に熱収縮チューブを被着することによ
り、液状のシリコーンゴムを塗布,硬化させる従来方法
で比べて頗る簡単な作業で、しかもチップ周面に均一な
厚みの保護層を形成できる。
体チップの外周に熱収縮チューブを被着することによ
り、液状のシリコーンゴムを塗布,硬化させる従来方法
で比べて頗る簡単な作業で、しかもチップ周面に均一な
厚みの保護層を形成できる。
【図1】本発明の参考例1による半導体素子の組立状態
図
図
【図2】図1の平面図
【図3】図2における電極板の外形斜視図
【図4】半導体チップと電極板とをはんだ付けする組立
工程での状態図
工程での状態図
【図5】本発明の実施例1による半導体素子の組立構成
図
図
【図6】図5の平面図
【図7】図6における電極板の外形斜視図
【図8】ノッチ付き電極板の断面斜視図
【図9】ダム付き電極板の断面斜視図
【図10】本発明の実施例2による半導体素子の組立構
成図
成図
【図11】本発明の実施例3による半導体素子の平面図
【図12】図11における電極板の外形斜視図
【図13】図12の応用実施例を示す電極板の外形斜視
図
図
【図14】オリエンテーションスリットを備えた電極板
の外形斜視図
の外形斜視図
【図15】オリエンテーションフラットを備えた電極板
の外形斜視図
の外形斜視図
【図16】図14の電極板を採用した半導体素子の組立
工程の状態図
工程の状態図
【図17】図15の電極板を採用した半導体素子の組立
工程の状態図
工程の状態図
【図18】本発明の実施例4による半導体素子の組立構
成図
成図
【図19】図18における熱収縮チューブの外形図
【図20】本発明の半導体素子に組み込んだ半導体チッ
プの側面図
プの側面図
【図21】図20の平面図
【図22】従来の電極板を採用した半導体素子の組立構
成図
成図
【図23】図22の平面図
1 半導体チップ 2 電極板 2a 電極基板 2b 凸状段部 2c 第2段部 2d ノッチ 2e ダム 2f テーパ面 2g オリエンテーションスリット 2f オリエンテーションフラット 3 はんだ層 5 保護膜 6 半導体チップのはんだ接合面 7 はんだシート 8 組立治具 9 熱収縮チューブ
Claims (7)
- 【請求項1】方形状の半導体チップを挟んでその両側に
半導体チップの対角寸法よりも径大な電極板を重ね合わ
せ、半導体チップと電極板との間をはんだ接合して組立
てた半導体素子において、前記電極板の基板中央に半導
体チップのはんだ接合面と当接し合う凸状段部を膨出形
成し、該凸状段部が、該凸状段部の端面よりも径大,半
導体チップの外形よりも径小な第2段部を備えた二段形
の凸状段部であることを特徴とする半導体素子。 - 【請求項2】請求項1記載の半導体素子において、第2
段部の段面周縁部に溶融はんだ保持用のノッチを形成し
たことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項3】請求項1記載の半導体素子において、第2
段部の段面周縁部に溶融はんだ保持用のダムを形成した
ことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項4】方形状の半導体チップを挟んでその両側に
半導体チップの対角寸法よりも径大な電極板を重ね合わ
せ、半導体チップと電極板との間をはんだ接合して組立
てた半導体素子において、前記電極板の基板中央に半導
体チップのはんだ接合面と当接し合う凸状段部を膨出形
成し、該凸状段部の周側面が裾広がりなテーパ面である
ことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項5】方形状の半導体チップを挟んでその両側に
半導体チップの対角寸法よりも径大な電極板を重ね合わ
せ、半導体チップと電極板との間をはんだ接合して組立
てた半導体素子において、前記電極板の基板中央に半導
体チップのはんだ接合面と当接し合う凸状段部を膨出形
成し、該凸状段部の外形が方形状で、かつその端面の一
辺の長さを半導体チップ表面のはんだ接合面内に納まる
寸法に定め、電極基板の凸状段部と反対側の面に、位置
合わせ用のオリエンテーションスリットを形成したこと
を特徴とする半導体素子。 - 【請求項6】方形状の半導体チップを挟んでその両側に
半導体チップの対角寸法よりも径大な電極板を重ね合わ
せ、半導体チップと電極板との間をはんだ接合して組立
てた半導体素子において、前記電極板の基板中央に半導
体チップのはんだ接合面と当接し合う凸状段部を膨出形
成し、該凸状段部の外形が方形状で、かつその端面の一
辺の長さを半導体チップ表面のはんだ接合面内に納まる
寸法に定め、電極基板の周縁一部に、位置合わせ用のオ
リエンテーションフラットを形成したことを特徴とする
半導体素子。 - 【請求項7】請求項1,4,5又は6に記載の半導体素
子において、半導体チップを囲繞して素子組立体の外周
に電気絶縁性の熱収縮チューブを被着したことを特徴と
する半導体素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3194600A JP2841940B2 (ja) | 1990-12-19 | 1991-08-05 | 半導体素子 |
GB9126847A GB2251725B (en) | 1990-12-19 | 1991-12-18 | Semiconductor element including an electrode construction |
DE4142066A DE4142066A1 (de) | 1990-12-19 | 1991-12-19 | Elektrodenaufbau eines halbleiterelementes |
US08/047,612 US5381038A (en) | 1990-12-19 | 1993-04-08 | Semiconductor device having passivation protrusions defining electrical bonding area |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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