DE1439714A1 - Verfahren zum sperrschichtfreien Kontaktieren eines Halbleiterkoerpers - Google Patents
Verfahren zum sperrschichtfreien Kontaktieren eines HalbleiterkoerpersInfo
- Publication number
- DE1439714A1 DE1439714A1 DE19641439714 DE1439714A DE1439714A1 DE 1439714 A1 DE1439714 A1 DE 1439714A1 DE 19641439714 DE19641439714 DE 19641439714 DE 1439714 A DE1439714 A DE 1439714A DE 1439714 A1 DE1439714 A1 DE 1439714A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lot
- marked
- solder
- application
- procedure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
-
wVerfahren mm sperrschichtfreien Kontaktieren einem Halbleiterköfflro" Die Brtindung betrifft ein Verfahren zum sperrschichtfrei- en Auflöten einen Halbleiterkörpers auf eine nichtsperrende Elektrode. Ein solchen Verfahren bereitet auch heute noch Schwierigkeiffl ten,v wenn en sich m die sperrschichtfre:Le Kontaktierung von Halbleiterkörpern'handelt, die die Kollektorzone einen Tran- nistors bilden. Untersuchungen haben nämlich ergebeng daß be:L Transistoren mit einen Kollektorkö rpe r als Ausgangekürger mit dem Auftreten den sogenannten Tbjristoroffekten zu rechnen istg wenn der Kollektorkörper nicht einwaaHre:L nichtzperrend komr- taktiert ist. Unter Tbjrinto»ffekt wird eine vin rwünschte Rückinjektion von Minoritätsladungeträgern in dIe Xollektor»- ne verstanden. Der Brrindung liegt die Aufgabe zugrundip, ein VOZfahrOM aufzuzeigen, weiches ganz allgemein eine eiUwa»UZ@i* aperrochichtfreit Kontaktierung von Halbleiterkörpern ge- stattet» Die Lösung der gestellten Aufgabe besteht erfin- dungegemäß darin# daß das Lot beim sperrschichtfreien Auf- löten eines Halbleiterkörpern auf eine nichtsperrende Blek- trode begrenzt wird* Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich vor allem beim sperrachichtfreien Auflöten den Halbleiter.körpern auf ei- ne mit einem Lotüberzug versehene Elektrode bewährt. Der Firfindung liegt nämlich die Erkenntnis zugrunde, daß nur ein Teil des auf der Elektrode befindlichen Überzugsma- terials in das eigentliche Lot gelangen darf. Das Übrige Uberzugsmaterial muß dagegen am Eindringen in das Lot ge- hindert worden, wqs durch die Begrenzung des Loten Semäß der Erfindung geschieht. Zur Begrenzung des Lotes eignet sich beispielsweise ein vorzugs,weise ringföriaig ausgebildeter BegrenzungskÖrper, der beim aperrschichtfreien Auflüten einen Halbleiterkör- pers auf eine gleichzeitig als Trägerkörper dienende Elek- trode vor den Auflöten auf den Trägerkörper gelegt wird. Naoh dem den Loten In den BegrenzungekÖrper wird der aufzulötende Belbleiterkörper auf da* Lot gelegt und mehließlich mit den Trägerkörper verlbtete Die Erfindung wird im folgenden an einem AuatUhrungebeiapiel in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert* .Die Fig. 1 zeigt zunächst das Trägerblech l# welches zur Kon- taktierung den p-leitenden lialbleiterkörpern 2 von Leitunge- t7p der Kollektürzone dient und aus diesen Grunde auoh Kollek- borbloch genamt wirdp Das Kollektorbloch 1 besteht belApiels- »ine aus den Warkstotfen Nialtele Yacon oder Kovar und ist mit einem GoldUberaug 3 versehene der duroh stromlose Vorgol- dung aufgebracht wirde Im Gegensatz zu anderen bekannten Vor- fahren genügt für den Go#dübereug eine Dicke von of.5 bis 1 /u statt lo bin 2o /up Das in "3&Mwichtom" gebracht* Lot 4 be.* s"ht aue oold-Gallinao Der zur Begrenzung den Loten 4 vor49- sehene Besmamman .5 kann aus denselben Materialien wie das Kollektorbleob bestehen" Der KollektorUrper 2 ist bereit$ mit dem Bawie- und Ermittersonen sowie mit den Baute und Init- terelektroden 6 und 7 versehe4 Zur Nerstellung einer sperrechichtfreien Lötverbindung zwischen -den mit einem -GoldUberzug 3 versehenen Kollek- torbleoh 1 und dem ffalbleiterkörper 2 wird nach Fig. 2 zunächst der Begrensumgeriag .5 iut das Kollektorblech auf- gebracht, Anschließend wird das Lot 4 Ln den Begrensunge- ring 5 eint;clegt und der Halbleiterkörper auf das Gold- Gallium-Lot, welchen den Begrenzungsring Überragt, aufge- notzte, Das Lot kam beispielsweise aue'rj. In Kugelform vor- liegen, was der Fall ist, wenn en z.B. nach den Shottower- Verfahren hergestellt wird. Bei Verwendung einer Lotkugel empfiehlt en oichg das Lot in den Begrenvingsring einzu- pressen, Der eigentliche LE;tprozeß erfolgt dadurch, daß das System auf j-.#Öttennoratur gebracht und der Halbleiterkörper mit den Kollektorbloch verlätet wird, Die Wirkungsweise des Begren- zungsringes besteht darin» daß er-ein undeffinierten Ein- dringen von Gold aus dem außerhalb d(-a Begrensungsringes liegenden Teil den GoldÜberzugen in das Lot'verhindert. Ein grÖßerer Goldnachschub hätte nämlich partielle LösunjIavor- sänge mit daraus reaultierendien tiefen ,":1)pitzen in dem aus Germanium bestehenden Halbleiterkörper zur Folge, die einen Th7ristoroffekt verursachen wUrdOu. Für-das Gold-Gallium- Lot «PfiOhlt sich ein GewichtSverhältnis von 66.--34.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET0026789 | 1964-08-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1439714A1 true DE1439714A1 (de) | 1969-08-14 |
Family
ID=7553047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19641439714 Pending DE1439714A1 (de) | 1964-08-12 | 1964-08-12 | Verfahren zum sperrschichtfreien Kontaktieren eines Halbleiterkoerpers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1439714A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3635708A1 (de) * | 1986-10-21 | 1988-04-28 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren und anordnung zur kontaktierung einer elektrode mit mehreren emitter-/kathoden-bereichen eines halbleiterbauelementes |
| DE4142066A1 (de) * | 1990-12-19 | 1992-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrodenaufbau eines halbleiterelementes |
-
1964
- 1964-08-12 DE DE19641439714 patent/DE1439714A1/de active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3635708A1 (de) * | 1986-10-21 | 1988-04-28 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren und anordnung zur kontaktierung einer elektrode mit mehreren emitter-/kathoden-bereichen eines halbleiterbauelementes |
| DE4142066A1 (de) * | 1990-12-19 | 1992-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrodenaufbau eines halbleiterelementes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1765164C3 (de) | Verfahren zur Bindung von Stromleitern | |
| DE1806835C3 (de) | Solarzelle und Verfahren zur Herstellung ihrer Kontakte | |
| DE1439714A1 (de) | Verfahren zum sperrschichtfreien Kontaktieren eines Halbleiterkoerpers | |
| DE1949754A1 (de) | Verfahren zum nichtgalvanischen Plattieren von Gegenstaenden mit Nickel | |
| DE2253830A1 (de) | Integrierte halbleiteranordnung | |
| DE102016124862A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einer Lötmittelsperre | |
| DE1952499A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE1963756A1 (de) | Auf Druck ansprechender elektrischer Wandler | |
| DE1800347A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1182354B (de) | Transistor | |
| AT226779B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors, insbesondere für Schaltzwecke | |
| DE1627541A1 (de) | Verfahren zum Erzielen gleichmaessiger Loetspalte | |
| DE1960712C3 (de) | Mechanisch-elektrischer Wandler mit einem Halbleiterkörper | |
| DE1514912C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors | |
| AT228339B (de) | Siliziumgleichrichter | |
| AT222700B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium | |
| DE2028632A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE848623C (de) | Verfahren zum Herstellen einer Loetverbindung zwischen einem Metall- und einem Keramikkoerper | |
| DE1957774C (de) | Verfahren zum Herstellen einer gleichrichtenden Halbleiteranordnung | |
| DE1067529B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung des Flaechentyps | |
| AT212029B (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbundkörpern, die aus gegossenem Aluminium und Sinteraluminium bestehen | |
| AT218570B (de) | Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers | |
| AT228340B (de) | Siliziumgleichrichter | |
| DE1439273A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang,insbesondere von Gleichrichteranordnungen mit einer oder mehreren Gleichrichtertabletten aus Siliziumeinkristall | |
| DE1116829B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |