AT228339B - Siliziumgleichrichter - Google Patents

Description

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  Siliziumgleichrichter 
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   Die Fig. 2 zeigt die bei der Dotierung entstandenen Legierungsschichten, die mit 10 und 11 be- zeichnet sind. Die Darstellung ist schematisch, sie gibt also nicht die tatsächlichen Proportionen wie- der. 



   Das Herstellungsverfahren des   erfindungsgemässen   Gleichrichters sei an dem nachfolgenden Beispiel   erläutert ;   
Zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten aus Wolfram-Gold-Nickel mit der Zusammensetzung
98/1/1 in   Gew.-%   werden entsprechende Mengen Metallpulver mit einer Korngrösse von 0,06 mm innig gemischt und mit 3   t/cm   gepresst. Dabei erhält man eine Pressdichte von 10, 7   g/cms.   Die anschliessen- de   einstündigeSinterung beil400 C inWasserstoffatmosphäre   führt zu einer Sinter dichte von 18, 55   g/cm* ;   
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 schaften erheblich zu verbessern. Wie oben schon angegeben ist, können die Löteigenschaften durch dünne Nickel-bzw. Goldschichten noch verbessert werden.

   Die Nickelschicht kann bereits beim Pressvorgang mit aufgebracht werden. Sie kann insbesondere in Form einer Aufschlemmung aus Carbonylnickelpulver, Korngrösse 1 - 5 , mit Äthylalkohol verdünntem Äthylenglykol auf den Press- oder Sinterkörper aufgestrichen werden. Beim Aufstrich auf den Presskörper erfolgt das Sintern der Kontaktplatte und das Festsintern der Nickelschicht gleichzeitig. Wird dagegen der Aufstrich auf dem Sinterkörper vorgenommen, so wird dieser in einer zweiten Warmbehandlung bei etwa 15000C während 5 min in Wasserstoffatmosphäre mit dem Sinterkörper verbunden.

   In entsprechender Weise kann auf der Gegenseite der Platte eine Goldschicht aufgebracht werden, z.   B.   durch Aufpinseln einer Gold-Aufschlemmung auf   den Sinterkörper ;   die Befestigung der Schicht erfolgt dann durch eine Warmbehandlung bei   1100 C   während 5 min in Wasserstoffatmosphäre. 



   Zur Fertigstellung des Siliziumgleichrichters wird   z. B.   die in Fig. 1 dargestellte Schichtenfolge zusammengestellt und der Legierungs- und gleichzeitige Lötvorgang zwischen 700 und 9000C durchgeführt. Für die Verbindung der Schichten 2 und 4 bzw. 3 und 5 wird ein für den vorgenannten Temperaturbereich geeignetes Lot, das ein Hartlot sein kann, gewählt. 



   Wie schon oben ausgeführt worden ist, besteht ein wesentlicher Vorteil dieses Herstellungsverfahrens darin, dass nur eine einzige Warmbehandlung erforderlich ist. Dies gilt selbstverständlich auch dann, wenn andere Stromzuführungsformen verwendet werden. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass dasGleichrichtersystem gegenüber   thermischen Wechselbeanspruchungen verhältnismässig   wenig empfindlich und vor allem auch-insbesondere auf Grund der symmetrischen Anordnung der Kontaktplatten-wenig bruchempfindlich ist ; es entspricht daher in mechanischer und thermischer Hinsicht besonders hohen Anforderungen. 



   Hinsichtlich der Reinheit ist an die Sinter-Kontaktplatten die Forderung zu stellen, dass sie keine Fremdmetalle enthalten dürfen, die beim Legierungsvorgang durch die Legierungsschicht in das Silizium hineindiffundieren und den Leitungsmechanismus in störender Weise beeinflussen können. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Siliziumgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, dass der Siliziumkörper symmetrisch zwischen zwei Sinter-Kontaktplatten aus Wolfram-Nickel oder Wolfram-Gold-Nickel angeordnet und mit Gold mit beiden Platten verlötet ist.

Claims (1)

1. 2. Siliziumgleichrichter nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Siliziumkörper auf der einen Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Bor-Legierung und auf der andern Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Antimon-Legierung mit den Kontaktplatten verlötet ist.

   3. Siliziumgleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Sinter-Kontaktplatten aus 80-99 Gew.-% Wolfram, aus 0-10 Gew.-% Gold und aus 0, 2-10 Gew.-% Nickel hergestellt sind.

   4. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Wolframpulver mit einer Korngrösse unterhalb 10 lui mit einem Anteil von mindestens 10 Gew.-% mit einer Korngrösse unterhalb l fi verwendet wird.

   5. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulvermischung durch gemeinsames Ausfällen aus einer Lösung aller'drei Komponenten und durch Reduktion des Ausfällungspulvers zum Metallpulver hergestellt wird. <Desc/Clms Page number 3>

   6. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gegebenenfalls in Verbindung mit den Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktplatten auf der einen Seite mit einer dünnen Nickelschicht und bzw. oder auf der andern Seite mit einer dünnen Goldschicht versehen werden.

   7. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumgleichrichters nach einem der Ansprüche 2 oder 3, gegebenenfalls in Verbindung mit den Verfahren nach Anspruch 4,5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Verlötung der Kontaktplatten mit dem Siliziumkörper und mit den Stromzuführungen bzw. mit dem Träger in einem Arbeitsgang mit der Dotierung des Siliziumkörpers durch die Gold-Bor-Legierungs- und Gold-Antimon-Legierungsfolie in an sich bekannter Weise nach dem Legierungsverfahren durchgeführt wird.