DE1235714B - Vakuumdichte Metall-Keramik-Loetverbindung an einer elektrischen Entladungsanordnung - Google Patents
Vakuumdichte Metall-Keramik-Loetverbindung an einer elektrischen EntladungsanordnungInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
B 23k
Deutsche Kl.: 49 h-26/01
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1235 714
T 24933 VI a/49 h
23. Oktober 1963
2. März 1967
T 24933 VI a/49 h
23. Oktober 1963
2. März 1967
Die Erfindung bezieht sich auf eine vakuumdichte Metall-Keramik-Lötverbindung hoher Haftfestigkeit
an einer elektrischen Entladungsanordnung, insbesondere Fotoelektronenvervielfacher, hergestellt unter
Verwendung eines zwischen 400 und 500° C schmelzenden, Gold und Germanium enthaltenden Hartlotes.
Hartlote mit Schmelzpunkten im Bereich zwischen 400 und 500° C sind bekannt. Diese bekannten Hartlote
sind jedoch im allgemeinen sehr spröde und bezüglich ihrer Löslichkeit bzw. Benetzung gegenüber
bestimmten Metallen nur bedingt brauchbar.
Ein niedrigschmelzendes Lot zum Anlöten eines elektrischen Leiters an einen Halbleiterkörper, das
mindestens 85% Gold, weniger als 15% eines Halbleitermaterials, wie Germanium oder Silicium, sowie
0,1 bis 1,5% den Leitfähigkeitstyp des Halbleitermaterials beeinflussendes Verunreinigungselement
Bor, Aluminium, Gallium, Indium, Thallium, Phosphor, Arsen, Antimon oder Wismut enthält, ist aus
der britischen Patentschrift 809 877 bekannt.
Gerade auf dem Gebiet der elektrischen Entladungsanordnungen,
insbesondere auf dem Gebiet der fotoelektrischen Entladungsanordnungen, werden jedoch Hartlote benötigt, die eine große Duktilität
aufweisen und die gegenüber den dort verwendeten Metallen und Isolatormaterialien eine gute Benetzungsfähigkeit
besitzen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, für vakuumdichte Metall-Keramik-Lötverbindungen an
elektrischen Entladungsanordnungen ein Hartlot anzugeben, das einen niedrigen, hu Bereich zwischen
400 und 500° C Hegenden Schmelzpunkt besitzt und das sich im erstarrten Zustand durch eine gute Duktilität
auszeichnet.
Gemäß der Erfindung wird vorgeschlagen, daß das zu verwendende Hartlot aus 86 bis 91 Gewichtsprozent
Gold, 7 bis 10 Gewichtsprozent Germanium sowie 0,5 bis 3 Gewichtsprozent Indium und/oder
0,2 bis 4 Gewichtsprozent Kupfer besteht.
Der Schmelzpunkt des erfindungsgemäß zu verwendenden Hartlotes liegt in dem gewünschten Temperaturbereich
zwischen 400 und 500° C. Dies ist beispielsweise bei Sekundärelektronenvervielfachern
von Bedeutung, weil dort als Elektrodenmaterial eine Silber-Magnesium-Legierung verwendet wird, die
eine maximale Temperatur von 460° C verträgt. Dieses Material kann also nur bei Temperaturen
unter 460° C mit anderen Materialien verlötet werden.
Ferner ist es bei elektronischen Entladungsanordnungen, deren Vakuumhülle im allgemeinen aus
Vakuumdichte Metall-Keramik-Lötverbindung an einer elektrischen Entladungsanordnung
Anmelder:
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Mineraloge Manfred Dreßler, Uhu/Donau
keramischen und metallischen Werkstoffen besteht, vorteilhaft, daß die Lötverbindungen vakuumdicht
sind und das Lot eine gute Duktilität besitzt, damit die bei dem Lötvorgang auftretenden Temperaturschwankungen
die Keramikteile nicht beschädigen. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäß zu verwendenden
Lotes besteht darin, daß mit ihm eine Lötverbindung hergestellt werden kann, die eine
hohe Haftfestigkeit besitzt. So wurden Haftfestigkeiten von etwa 8 bis 10 kg/mm2 gemessen. Ein
Vorteil des erfindungsgemäß zu verwendenden Lotes besteht außerdem darin, daß es sehr gute Benetzungseigenschaften
gegenüber Vacon, Nickel und Molybdän besitzt. Die zur Lötung vorgesehenen Oberflächen
dieser Metalle bedurften keiner vorherigen Oberflächenveredelung.
Nachstehend werden einige spezielle Ausführungsbeispiele des beschriebenen Hartlotes genannt, die
sich besonders bewährt haben. Die Prozentangaben sind jeweils Gewichtsprozente.
1. | 88% Au, | 8% Ge, | 2% In; |
2. | 88% Au, | 8% Ge, | 2% Cu; |
3. | 90 Vo Au, | 8% Ge, | 2% Cu; |
4. | 90% Au, | 9<Vo Ge, | l%Cu; |
5. | 88% Au, | 10% Ge, | 2% Cu. |
Claims (1)
1. Vakuumdichte Metall-Keramik-Lötverbindung hoher Haftfestigkeit an einer elektrischen
Entladungsanordnung, insbesondere Fotoelektronenvervielfacher, hergestellt unter Verwendung
eines zwischen 400 und 500° C schmelzenden, Gold und Germanium enthaltenden Hartlotes,
dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Hartlot aus 86 bis 91 Gewichtsprozent
709 517/282
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963T0024933 DE1235714B (de) | 1963-10-23 | 1963-10-23 | Vakuumdichte Metall-Keramik-Loetverbindung an einer elektrischen Entladungsanordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963T0024933 DE1235714B (de) | 1963-10-23 | 1963-10-23 | Vakuumdichte Metall-Keramik-Loetverbindung an einer elektrischen Entladungsanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1235714B true DE1235714B (de) | 1967-03-02 |
Family
ID=7551745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1963T0024933 Pending DE1235714B (de) | 1963-10-23 | 1963-10-23 | Vakuumdichte Metall-Keramik-Loetverbindung an einer elektrischen Entladungsanordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1235714B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0005312A2 (de) * | 1978-03-13 | 1979-11-14 | Medtronic, Inc. | Goldlegierungen, Lötverfahren sowie dabei erhaltene Gegenstände |
DE3304736A1 (de) * | 1982-03-05 | 1983-09-08 | Citizen Watch Co., Ltd., Tokyo | Gold-loetmittel |
DE4016384A1 (de) * | 1989-05-19 | 1990-11-22 | Hitachi Ltd | Elektronische schaltungseinrichtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB809877A (en) * | 1955-03-10 | 1959-03-04 | Texas Instruments Inc | Materials for and methods of manufacturing semiconductor devices |
-
1963
- 1963-10-23 DE DE1963T0024933 patent/DE1235714B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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