DE1141725B - Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number
DE1141725B
DE1141725B DES74060A DES0074060A DE1141725B DE 1141725 B DE1141725 B DE 1141725B DE S74060 A DES74060 A DE S74060A DE S0074060 A DES0074060 A DE S0074060A DE 1141725 B DE1141725 B DE 1141725B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gold
contact plates
silicon
sintered
silicon rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES74060A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Horst Schreiner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DES70453A priority Critical patent/DE1133834B/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES74060A priority patent/DE1141725B/de
Priority to CH929161A priority patent/CH385353A/de
Priority to US139244A priority patent/US3175892A/en
Priority to FR873739A priority patent/FR1301223A/fr
Priority to GB33934/61A priority patent/GB931820A/en
Publication of DE1141725B publication Critical patent/DE1141725B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
    • Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
    • Y10T428/12069—Plural nonparticulate metal components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
    • Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
    • Y10T428/12069—Plural nonparticulate metal components
    • Y10T428/12076—Next to each other
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12889—Au-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Contacts (AREA)

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 74060 VIII c/21g
ANMEtDETAG: 19. MAI 1961
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABEDER AUSLEGESCHRIFT: 27. DEZEMBER 1962
Die Kontaktierung von Siliziumgleichrichtern bereitet insbesondere bei Leistungsgleichrichtern infolge der im Betrieb auftretenden wechselnden thermischen Beanspruchungen Schwierigkeiten. Die Ausdehnungskoeffizienten der in Frage kommenden Kontaktmetalle, wie Wolfram oder Molybdän, und der Trägermetalle, wie Kupfer oder Silber, sowie der gelegentlich für Gehäuse verwandten Metalle, wie Eisen oder Messing, weichen erheblich voneinander ab, so daß thermische Wechselbeanspruchungen zu einer Schädigung oder gar Zerstörung eines aus diesen Stoffen aufgebauten Gleichrichterelementes führen können.
Es sind verschiedene Vorschläge zur Beseitigung der vorgenannten Schwierigkeiten bekanntgeworden. So ist es bekannt, bei Siliziumgleichrichtern Trägerplatten zu verwenden, die aus einem Wolfram-, Molybdän- oder Chrom-Sintergerüst bestehen, das mit einem gut leitenden Metall ausgefüllt ist. Hierdurch erreicht man zwar eine verhältnismäßig gute Anpassung an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterkörpers, nicht aber an die Verbindungsteile der Trägerplatte, z. B. an ein Gehäuse, wenn dieses etwa aus Kupfer oder Silber besteht.
Die Erfindung betrifft einen Siliziumgleichrichter mit einem symmetrisch zwischen zwei Kontaktplatten angeordneten Siliziumkörper, bei dem die vorgenannten Schwierigkeiten überwunden sind. Erfindungsgemäß bestehen die Kontaktplatten aus einem Sinterkörper aus Molybdän—Nickel oder Molybdän— Gold—Nickel und sind mit Gold mit dem Sinterkörper verlötet. Die Verlötung kann auf der einen Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Bor-Legierung und auf der anderen Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Antimon-Legierung durchgeführt sein. Dann können — und dies ist ein besonderer Vorteil der Erfindung — die Kontaktplatten mit dem Siliziumkörper und mit den Stromzuführungen in einem Arbeitsgang mit dem Dotieren des Siliziumkörpers durch die beiden genannten Folien in an sich bekannter Weise verlötet werden.
Für die Sinter-Kontaktplatten eignen sich vor allem Zusammensetzungen von 70 bis 99 Gewichtsprozent Molybdän, 0 bis 10 Gewichtsprozent Gold und 0,2 bis 20 Gewichtsprozent Nickel. Hierzu wird bevorzugt Molybdänpulver mit einer Korngröße kleiner als 10 μ. mit einem Anteil von mindestens 10 Gewichtsprozent mit einer Korngröße kleiner als 1 μ verwendet. Die Pulverroischung kann auch durch gemeinsames Ausfällen aus einer Lösung aller drei Komponenten und durch Reduktion des Ausfällungspulvers zum Metallpulver gewonnen werden.
Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder: Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. Horst Schreiner, Nürnberg, ist als Erfinder genannt worden
Zur Verbesserung der Löteigenschaften können die erfindungsgemäßen Kontaktplatten auf der einen Seite mit einer dünnen Nickel- und/oder Silberschicht und/oder auf der anderen Seite mit einer dünnen Goldschicht — etwa in der Größenordnung von 1 μ — versehen werden.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung verwiesen; es zeigt
Fig. 1 schematisch den Schichtenaufbau eines Ausführungsbeispieles des erfindungsgemäßen Siliziumgleichrichters,
Fig. 2 schematisch den Aufbau des Ausführungsbeispieles gemäß Fig. 1 im Endzustand.
In beiden Figuren haben die Bezugszeichen dieselbe Bedeutung. Es sind bezeichnet mit 1 der Siliziumkörper, mit 2 und 3 die Kontaktplatten, mit 4 und 5 die Stromzuführungen, die hier beispielsweise als Platten ausgeführt sind und die z. B. aus Kupfer bestehen können. In Fig. 1 sind außerdem bei 6, 7, 8 und 9 Lötschichten angegeben. Die Schichten 6 und 7 können z. B. aus einer Gold'Bor- bzw. Gold-Antimon-Folie bestehen. Für die Schichten 8 und 9 kann auch ein Hartlot verwendet werden.
Die Fig. 2 zeigt die bei der Dotierung entstandenen Legierungsschichten, die mit 10 und 11 bezeichnet sind. Die Darstellung ist schematisch, sie gibt also nicht die tatsächlichen Proportionen wieder. Das Herstellungsverfahren des erfindungsgemäßen Gleichrichters sei an den nachfolgenden Beispielen
erläutert: „ . . , ,
Beispiel 1
Zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten aus Molybdän-Gold-Nickel mit der Zusammensetzung 98 : 1: 1 in Gewichtsprozent werden entsprechende Mengen Metallpulver mit einer Korngröße von
209 749/269
< 0,06 mm innig gemischt und mit 2 t/cm2 gepreßt. Dabei erhält man eine Preßdichte von 5,86 g/cm3, entsprechend einem Raumerfüllungsgrad von 0,572. Die anschließende Istündige Sinterung bei 1300°C in Wasserstoffatmosphäre führt zu einer Sinterdichte von 10,0 g/cm3; diese entspricht einem Raumerfüllungsgrad von 0,98. Die Kontaktplatten besitzen somit nur eine geringe Porosität, die jedoch ausreicht, um die Benetzung der Oberfläche durch das Lot und damit die Löteigenschaften erheblich· ,zu verbessern. Wie oben schon angegeben ist, können die Löteigenschaften durch dünne Nickel-,' Silber- bzw. Goldschichten noch verbessert werden. Die Nickel-, Silber- oder Goldschicht kann bereits beim Pressen mit aufgebracht werden. Eine solche Schicht kann insbesondere in Form einer Aufschlämmung aus Carbonylnickelpulver (Korngröße < 1 bis 5 μ), Silber- oder Goldpulver (Korngröße < 1 μ) mit einem Bindestoff, z. B. mit durch Äthylalkohol verdünntem Äthylenglykol, auf den Preß- oder Sinterkörper aufgestrichen werden. Dann erfolgen das Sintern der Kontaktplatte und das Festsintern der Schicht auf den Preßkörper gleichzeitig. Wird dagegen der Aufstrich auf dem Sinterkörper vorgenommen, so wird dieser in einer zweiten Warmbehandlung — bei Nickel bei etwa 13000C, bei Silber bei etwa 9000C und bei Gold bei etwa HOO0C — in Wasserstoffatmosphäre mit dem Sinterkörper verbunden. In entsprechender Weise kann auf der Gegenseite der Platte eine Goldschicht aufgebracht werden, z. B. durch Aufpinseln einer Gold-Aufschlämmung auf den Sinterkörper; die Befestigung der Schicht erfolgt dann durch eine Warmbehandlung bei 1100° C während 5 Minuten in Wasserstoffatmosphäre.
Beispiel 2
Zum Herstellen einer Sinterkontaktplatte aus Molybdän-Nickel der Zusammensetzung 95/5 Gewichtsprozent werden die entsprechenden Metallpulvermengen mit einer Korngröße < 0,06 mm innig gemischt und bei 2 t/cm2 verpreßt. Die Dichte des Preßkörpers beträgt 5,73 g/cm3, entsprechend einem Raumerfüllungsgrad von 0,564. Die Istündige Sinterung bei 13000C in Wasserstoffatmosphäre ergibt eine Sinterplatte der Dichte 9,96 g/cm3, entsprechend einem Raumerfüllungsgrad von 0,985. Die Aufbringung der Nickel-Silber- bzw. Goldschichten kann, wie im Beispiel 1 angegeben, erfolgen.
Zur Fertigstellung des Siliziumgleichrichters wird z. B. die in Fig. 1 dargestellte Schichtenfolge zusammengestellt und das Legieren und gleichzeitige Löten zwischen 700 und 900° C durchgeführt. Für die Verbindung der Schichten 2 und 4 bzw. 3 und 5 wird ein für den vorgenannten Temperaturbereich geeignetes Lot, das ein Hartlot sein kann, gewählt.
Wie schon oben ausgeführt worden ist, besteht ein wesentlicher Vorteil dieses Herstellungsverfahrens darin, daß nur eine einzige Wärmebehandlung erforderlich ist. Dies gilt selbstverständlich auch dann, wenn an Stelle von Platten andere Stromzuführungen verwendet werden. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß das Gleichrichtersystem gegenüber thermischen Wechselbeanspruchungen verhältnismäßig wenig empfindlich und vor allem auch — insbesondere auf Grund der symmetrischen Anordnung der Kontaktplatten — wenig bruchempfindlich ist; es genügt daher in mechanischer und thermischer Hinsicht besonders hohen Anforderungen.
Hinsichtlich der Reinheit ist an die Sinter-Kontaktplatten die Forderung zu stellen, daß sie keine Fremdmetalle enthalten dürfen, die beim Legieren durch die Legierungsschicht in das Silizium hineindiffundieren und den Leitungsmechanismus in störender Weise beeinflussen können.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Siliziumgleichrichter, bei dem der Siliziumkörper symmetrisch zwischen zwei Kontaktplatten angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktplatten aus einem Sinterkörper aus Molybdän-Nickel oder Molybdän-Gold-Nickel bestehen und mit Gold mit dem Siliziumkörper verlötet sind.
2. Siliziumgleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper auf der einen Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Bor-Legierung und auf der anderen Seite mit Hilfe einer Folie aus einer Gold-Antimon-Legierung mit den Kontaktplatten verlötet ist.
3. Siliziumgleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sinter-Kontaktplatten aus 70 bis 99 Gewichtsprozent Molybdän, aus 0 bis 10 Gewichtsprozent Gold und aus 0,2 bis 20 Gewichtsprozent Nickel hergestellt sind.
4. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Molybdänpulver mit einer Korngröße kleiner als 10 μ, mit einem Anteil von mindestens 10 Gewichtsprozent mit einer Korngröße kleiner als 1 μ verwendet wird.
5. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pulvermischung durch gemeinsames Ausfällen aus einer Lösung aller drei Komponenten und durch Reduktion des Ausfällungspulvers zum Metallpulver hergestellt wird.
6. Verfahren zum Herstellen der Sinter-Kontaktplatten für den Siliziumgleichrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gegebenenfalls in Verbindung mit den Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktplatten auf der einen Seite mit einer dünnen Nickel- und/oder Silberschicht und/oder auf der anderen Seite mit einer dünnen Goldschicht versehen werden.
7. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumgleichrichters nach einem der Ansprüche 2 oder 3, gegebenenfalls in Verbindung mit den Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Verlöten der Kontaktplatten mit dem Siliziumkörper und mit den Stromzuführungen bzw. mit dem Träger in einem Arbeitsgang mit dem Dotieren des Siliziumkörpers durch die Gold-Bor- und Gold-Antimon-Legierungsfolien nach bekannten Legierungsverfahren erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 067 936, 1 050 450; USA.-Patentschriften Nr. 2 922 092, 2 863 105; F. Skaupy, »Metallkeramik«, 4. Auflage, 1950.S. 162; R. Kieffer und W. Hotop, »Pulvermetallurgie und Sinterwerkstoffe«, 1943, S. 125 und 228.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 749/269 12.
DES74060A 1960-09-21 1961-05-19 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung Pending DE1141725B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES70453A DE1133834B (de) 1960-09-21 1960-09-21 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
DES74060A DE1141725B (de) 1960-09-21 1961-05-19 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
CH929161A CH385353A (de) 1960-09-21 1961-08-08 Siliziumgleichrichter
US139244A US3175892A (en) 1960-09-21 1961-09-19 Silicon rectifier
FR873739A FR1301223A (fr) 1960-09-21 1961-09-20 Redresseur au silicium
GB33934/61A GB931820A (en) 1960-09-21 1961-09-21 Improvements in or relating to silicon rectifiers

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES70453A DE1133834B (de) 1960-09-21 1960-09-21 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
DES74060A DE1141725B (de) 1960-09-21 1961-05-19 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1141725B true DE1141725B (de) 1962-12-27

Family

ID=25996216

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES70453A Pending DE1133834B (de) 1960-09-21 1960-09-21 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
DES74060A Pending DE1141725B (de) 1960-09-21 1961-05-19 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES70453A Pending DE1133834B (de) 1960-09-21 1960-09-21 Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3175892A (de)
CH (1) CH385353A (de)
DE (2) DE1133834B (de)
GB (1) GB931820A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1025453A (en) * 1964-01-29 1966-04-06 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
JPS5921032A (ja) * 1982-07-26 1984-02-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用基板
US5686676A (en) * 1996-05-07 1997-11-11 Brush Wellman Inc. Process for making improved copper/tungsten composites

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2863105A (en) * 1955-11-10 1958-12-02 Hoffman Electronics Corp Rectifying device
DE1050450B (de) * 1955-05-10 1959-02-12 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden
DE1067936B (de) * 1958-02-04 1959-10-29
US2922092A (en) * 1957-05-09 1960-01-19 Westinghouse Electric Corp Base contact members for semiconductor devices

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT190593B (de) * 1954-07-01 1957-07-10 Philips Nv Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder Transistor
NL107577C (de) * 1954-07-01
NL190331A (de) * 1954-08-26 1900-01-01
US2856681A (en) * 1955-08-08 1958-10-21 Texas Instruments Inc Method of fixing leads to silicon and article resulting therefrom
NL249694A (de) * 1959-12-30

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1050450B (de) * 1955-05-10 1959-02-12 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden
US2863105A (en) * 1955-11-10 1958-12-02 Hoffman Electronics Corp Rectifying device
US2922092A (en) * 1957-05-09 1960-01-19 Westinghouse Electric Corp Base contact members for semiconductor devices
DE1067936B (de) * 1958-02-04 1959-10-29

Also Published As

Publication number Publication date
DE1133834B (de) 1962-07-26
GB931820A (en) 1963-07-17
CH385353A (de) 1964-12-15
US3175892A (en) 1965-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE965988C (de) Verfahren zum Aufbringen einer vakuumdichten, loetfaehigen Metallschicht auf Keramikkoerpern
DE1128924B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium
DE1219104B (de) Poroeses Sintergeruest fuer Elektroden galvanischer Elemente
DE1209223B (de) Sinterkontaktkoerper mit zwei oder mehreren Schichten
DE1279201B (de) Halbleiteranordnung
DE1141725B (de) Siliziumgleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0715351B1 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement
DE3805489A1 (de) Halbleitervorrichtung
AT228340B (de) Siliziumgleichrichter
DE1187333B (de) Elektrischer Kontakt mit grosser Schweisssicherheit, hoher Abbrandfestigkeit und guter Haftfestigkeit der Kontaktschicht auf dem Kontakttraeger
DE1172378B (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung
DE1248303B (de) Elektrischer, gut loetbarer Zweischichten-Sinterkontaktkoerper mit grosser Schweisssicherheit
AT228339B (de) Siliziumgleichrichter
DE102007022338B4 (de) Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement mit Metallkontaktschicht
DE1121226B (de) Halbleiteranordnung
DE1110323C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1199104B (de) Hartlot und seine Verwendung zum Verloeten thermoelektrischer Schenkel mit elektrischen Leitern
DE1176451B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-bauelementes
DE1242759B (de) Sintertragplatte fuer Halbleiterdioden
DE1191044B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
AT164430B (de) Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzuführungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgelötet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle
AT302483B (de) Halbleiterbauelement
AT231567B (de) Halbleiteranordnung
DE1201442B (de) Verfahren zum Verbinden eines aus einem kupferhaltigen Material hergestellten flanschfoermigen Kupplungsstueckes mit einem rechteckigen Hohlleiter
DE1621258C3 (de) Kontaktstack aus einem leitenden Träger aus einem unedlen Metall und einem dreischichtigen Verbundkontaktkörper sowie dessen Herstellungsverfahren