AT190593B - Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder Transistor - Google Patents

Sperrschichtelektrodensystem, welches einen halbleitenden Körper aus Germanium oder Silizium enthält, insbesondere Kristalldiode oder Transistor

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1102914B (de) * 1958-06-13 1961-03-23 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Dioden, Transistoren od. dgl., mit einem Silizium-Halbleiterkoerper
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