Patentanspruch:
Verfahren zum Herstellen eines Transistors, bei dem die eine Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers
vom Leitungstyp der Kollektorzone mit einer ersten diffusionshemmenden Schicht bedeckt, anschließend
in dieser Schicht ein Diffusionsfenster hergestellt, durch dieses Diffusionsfenster eine
Halbleiterzone vom Leitungstyp der Basiszone in den Halbleiterkörper eindiffundiert, die gesamte
eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer zweiten diffusionshemmenden Schicht bedeckt,
in dieser zweiten diffusionshemmenden Schicht ein Diffusionsfenster von der Größe des
Emitterdiffusionsfensters hergestellt wird und durch dieses Diffusionsfenster die Basis- und die Emitterzone
in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden, dadurch gekennzeichnet, daß Teile der
ersten diffusionshemmenden Schicht so entfernt werden, daß in der Mitte des Diffusionsfensters ein
Bereich des Halbleiterkörpers von der diffusionshemmenden Schicht bedeckt bleibt, und zwar derjenige
Bereich, durch den später die Emitterzone in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors, bei dem die eine Oberflächenseite
eines Halbleiterkörpers vom Leitungstyp der Kollektorzone mit einer ersten diffusionshemmenden Schicht
bedeckt, anschließend in dieser Schicht ein Diffusionsfenster hergestellt, durch dieses Diffusionsfenster eine
Halbleiterzone vom Leitungstyp der Basiszone in den Halbleiterkörper eindiffundiert, die gesamte eine Oberflächenseite
des Halbleiterkörpers mit einer zweiten diffusionshemmenden Schicht bedeckt, in dieser zweiten
diffusionshemmenden Schicht ein Diffusionsfenster von der Größe des Emitterdiffusionsfensters hergestellt
wird und durch dieses Diffusionsfenster die Basis- und die Emitterzone in den Halbleiterkörper eindiffundiert
werden. Ein solches Verfahren ist aus der DT-AS 12 06 091 bekannt.
Bei dem bekannten Verfahren läßt sich jedoch der nichtaktive Bereich der Basiszone nicht tief genug in
den Halbleiterkörper einbringen, da bei diesem Verfahren die Tiefe der Emitterzone auf die Tiefe der Basiszone
abgestimmt sein muß. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, durch
das der nichtaktive Bereich der Basiszone tief genug in den Halbleiterkörper eingebracht werden kann und das
gegenüber dem bekannten Verfahren zu einer Reduzierung der Basis-Kollektor-Kapazität führt. Zur Lösung
dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß
Teile der ersten diffusionshemmenden Schicht so entfernt werden, daß in der Mitte des Diffusionsfensters
ein Bereich des Halbleiterkörpers von der diffusionshemmenden Schicht bedeckt bleibt, und zwar derjenige
Bereich, durch den später die Emitterzone in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
Zur Herstellung eines Planartransistors wird gemäß F i g. 1 ein Halbleiterkörper 1 aus Silizium vom Leitungstyp
der Kollektorzone auf seiner einen Oberflächenseite oxydiert, so daß auf der Halbleiteroberfläche
die Siliziumdioxydschicht 2 entsteht. Aus der Siliziumdioxydschicht 2 wird nach F i g. 2 — die wie die F i g. 1
nur einen Teil des Halbleiterkörpers in Schnittdarstellung zeigt, während der übrige Teil des Halbleiterkörpers
in F i g. 2 gestrichelt dargestellt ist — ein Diffusionsfenster 3 herausgeätzt, wobei jedoch von der
Oxydschicht ein Teil 4 in der Mitte des Diffusionsfensters auf dem Halbleiterkörper belassen wird, und zwar
in demjenigen Bereich, in dem später die Emitterzone in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird. Durch das
Diffusionsfenster 3 wird anschließend die Halbleiterzone 5 vom Leitungstyp der Basiszone in den Halbleiterkörper
eindiffundiert. Da während dieser Diffusion derjenige Bereich der Halbleiteroberfläche, in den später
die Emitterzone eindiffundiert wird, mit dem Oxydschichtteil 4 bedeckt ist, gelangen die Störstellen bei
der Diffusion der Halbleiterzone 5 nur in die Randzone des unter dem Oxydschichtteil 4 liegenden Bereiches.
Der Bereich 6 bleibt dagegen von den Diffusionsstörstellen unberührt
Während oder nach der Herstellung der Halbleiterzone 5 durch Diffusion wird die Halbleiteroberfläche
erneut oxydiert und dadurch nach F i g. 3 das Diffusionsfenster 3 wieder mit einer Oxydschicht 7 bedeckt.
Dabei wird auch die bereits vorhandene Oxydschicht verstärkt und die Halbleiterzone 5 infolge der zur Oxydation
erforderlichen Wärmebehandlung tiefer in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert, als dies in F i g. 2 der
Fall ist.
Im Anschluß an diese Oxydation wird nach der F i g. 4 über der von der Diffusion unberührt gebliebenen
Halbleiterzone 6 ein Diffusionsfenster 8 aus der Oxydschicht herausgeätzt, durch das nach F i g. 4 sowohl
die Basiszone 9 als auch die Emitterzone 10 in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert werden. Die Basis-
und die Emitterzone können in einem Diffusionsschritt hergestellt werden. Die Störstellenkonzentration der
eigentlichen Basiszone 9 kann größer, gleich oder kleiner als die Störstellenkonzentration der Halbleiterzone
5 vom gleichen Leitungstyp sein. Eine kleinere Störstellenkonzentration in der Basiszone 9 als in der daran
angrenzenden Halbleiterzone 5 ist beispielsweise bei Leistungstransistoren erwünscht.
Die F i g. 5 zeigt schließlich noch die Kontaktierung des Planartransistors. Die Kontaktierung der Emitterzone
10 erfolgt durch Aufdampfen einer Metallschicht 11 auf die durch das Diffusionsfenster 8 freigelegte
Emitieroberfläche. Die eigentliche Basiszone 9 wird über die Halbleiterzone 5 vom gleichen Leitungstyp
kontaktiert, indem aus der die Halbleiterzone 5 bedekkenden Oxydschicht Bereiche herausgeätzt und auf die
dadurch freigelegten Bereiche der Halbleiteroberfläche die Metallschichten 12 und 13 aufgedampft werden.
Der fertige Transistor hat also drei Metallstreifen, von denen zwei zur Kontaktierung der Basiszone und einer
zur Kontaktierung der Emitterzone dienen.