DE1514921C3

DE1514921C3 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode

Info

Publication number: DE1514921C3
Application number: DE19661514921
Authority: DE
Inventors: Alfred 7103 Schwaigern Bachmeier
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1966-01-29
Filing date: 1966-01-29
Publication date: 1977-07-07

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode, bei der in einen Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp eine an die Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp eingelassen ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode anzugeben, bei der die Abhängigkeit der Durchbruchsspannung des pn-Übergangs von der Halbleiteroberfläche möglichst gering ist. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß in den Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp durch ein Diffusionsfenster in einer auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eindiffundiert wird, die stärker als der Halbleiterkörper dotiert ist, und daß danach in die Oxydschicht auf der gleichen Oberflächenseite ein größeres Diffusionsfenster eingebracht und durch dieses Diffusionsfenster eine stark dotierte Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp derart in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, daß die zuvor eindiffundierte Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp tiefer in den Halbleiterkörper eindringt als die Halbleiterzone vom zweiten Leitungs-

Durch die DT-AS 12 07 510 ist es bekannt, zur Verminderung des Oberflächenfeldes bezüglich des Feldes im Inneren bei einer Halbleiterdiode den pn-Übergang mit einer Ausbuchtung zu versehen, die nach dem Inneren des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Die Ausbuchtung ist dabei stärker dotiert als der übrige Teil der mit der Ausbuchtung versehenen Halbleiterzone.

Durch die DT-AS 12 07 502 ist ein Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-Übergang bekannt, bei dem in mindestens einer der beiden Zonen unmittelbar am pn-Übergang mehrere im Verhältnis zur Gesamtfläche des pn-Übergangs kleine Gebiete über die pn-Übergangsfläche gleichmäßig verteilt angeordnet sind, die zur Erniedrigung der Durchbruchsspannung eine höhere Störstellenkonzentration aufweisen als die übrigen Gebiete. Die Summe der kleinen Gebiete soll 1% oder weniger der Gesamtfläche des pn-Übergangs betragen.

Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.

Zur Herstellung einer Halbleiterdiode nach der Erfindung wird gemäß Fig. 1 auf einem Halbleiterkörper 1 vom n~-Leitungstyp eine Siliziumdioxydschicht 2 erzeugt, in die anschließend mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses ein Diffusionsfenster 3 eingebracht wird. Durch dieses Diffusionsfenster wird in den Halbleiterkörper 1 eine Halbleiterzone 4 eindiffundiert, die wie der Halbleiterkörper den n-Leitungstyp hat, aber stärker als der Halbleiterkörper dotiert ist. Die Störstellenkonzentration der Halbleiterzone 4 beträgt beispielsweise 5 · 10¹⁶ Störstellenatome pro cm³, während der Halbleiterkörper eine Störstellenkonzentration von etwa 10¹⁵ Störstellenatome pro cm³ hat.

Nach der Herstellung der Halbleiterzone 4 durch Diffusion wird in die Oxydschicht 2 gemäß Fig. 2 ein größeres Diffusionsfenster 6 eingebracht, durch das die Halbleiterzone 7 vom p + -Leitungstyp in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird. Bei dieser Diffusion dringt auch die n ⁺ -Halbleiterzone 4 tiefer in den Halbleiterkörper ein.

Die Halbleiterdiode nach der Fig. 2 hat eine p ⁺ n + n--Zonenfolge. Eine Halbleiterdiode nach der Erfindung kann natürlich auch eine Zonenfolge mit entgegengesetztem Leitungstyp haben, d. h. zwei Halbleiterzonen vom p-Leitungstyp und eine Halbleiterzone vom n-Leitungstyp. Die Kontaktierung der Halbleiterdiode gemäß der F i g. 2 erfolgt beispielsweise dadurch, daß auf den von der Oxydschicht unbedeckten Teil der p+-HalbIeiterzone 7 eine Metallschicht aufgedampft wird, während ein weiterer Kontakt auf der gegenüberliegenden Seite am Halbleiterkörper angebracht wird. Die Durchbruchsspannung der Halbleiterdiode nach der F i g. 2 ist deshalb nicht so stark von der Beschaffenheit der Halbleiteroberfläche abhängig, weil die für die Durchbruchsspannung maßgebende Halbleiterzone 4 im Innern des Halbleiterkörpers liegt und nicht an die Halbleiteroberfläche grenzt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode, bei der in einen Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp eine an die Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp eingelassen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in den Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp durch ein Diffusionsfenster in to einer auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eindiffundiert wird, die stärker als der Halbleiterkörper dotiert ist, und daß danach in die Oxydschicht auf der gleichen Oberflächenseite ein größeres Diffusionsfenster eingebracht und durch dieses Diffusionsfenster eine stark dotierte Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp derart in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, daß die zuvor eindiffundierte Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp tiefer in den Halbleiterkörper eindringt als die Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp.

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