DE1514921C3 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer HalbleiterdiodeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode, bei der in einen Halbleiterkörper
vom ersten Leitungstyp eine an die Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Halbleiterzone vom zweiten
Leitungstyp eingelassen ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode anzugeben,
bei der die Abhängigkeit der Durchbruchsspannung des pn-Übergangs von der Halbleiteroberfläche
möglichst gering ist. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach
der Erfindung vorgeschlagen, daß in den Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp durch ein Diffusionsfenster
in einer auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eindiffundiert wird, die stärker als der Halbleiterkörper
dotiert ist, und daß danach in die Oxydschicht auf der gleichen Oberflächenseite ein größeres Diffusionsfenster
eingebracht und durch dieses Diffusionsfenster eine stark dotierte Halbleiterzone vom zweiten
Leitungstyp derart in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, daß die zuvor eindiffundierte Halbleiterzone
vom ersten Leitungstyp tiefer in den Halbleiterkörper eindringt als die Halbleiterzone vom zweiten Leitungs-
Durch die DT-AS 12 07 510 ist es bekannt, zur Verminderung des Oberflächenfeldes bezüglich des
Feldes im Inneren bei einer Halbleiterdiode den pn-Übergang mit einer Ausbuchtung zu versehen, die
nach dem Inneren des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Die Ausbuchtung ist dabei stärker dotiert als der übrige
Teil der mit der Ausbuchtung versehenen Halbleiterzone.
Durch die DT-AS 12 07 502 ist ein Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-Übergang
bekannt, bei dem in mindestens einer der beiden Zonen unmittelbar am pn-Übergang mehrere im Verhältnis zur
Gesamtfläche des pn-Übergangs kleine Gebiete über die pn-Übergangsfläche gleichmäßig verteilt angeordnet
sind, die zur Erniedrigung der Durchbruchsspannung eine höhere Störstellenkonzentration aufweisen
als die übrigen Gebiete. Die Summe der kleinen Gebiete soll 1% oder weniger der Gesamtfläche des pn-Übergangs
betragen.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
Zur Herstellung einer Halbleiterdiode nach der Erfindung wird gemäß Fig. 1 auf einem Halbleiterkörper
1 vom n~-Leitungstyp eine Siliziumdioxydschicht 2 erzeugt, in die anschließend mit Hilfe eines photolithographischen
Prozesses ein Diffusionsfenster 3 eingebracht wird. Durch dieses Diffusionsfenster wird in den
Halbleiterkörper 1 eine Halbleiterzone 4 eindiffundiert, die wie der Halbleiterkörper den n-Leitungstyp hat,
aber stärker als der Halbleiterkörper dotiert ist. Die Störstellenkonzentration der Halbleiterzone 4 beträgt
beispielsweise 5 · 1016 Störstellenatome pro cm3, während
der Halbleiterkörper eine Störstellenkonzentration von etwa 1015 Störstellenatome pro cm3 hat.
Nach der Herstellung der Halbleiterzone 4 durch Diffusion wird in die Oxydschicht 2 gemäß Fig. 2 ein
größeres Diffusionsfenster 6 eingebracht, durch das die Halbleiterzone 7 vom p + -Leitungstyp in den Halbleiterkörper
eindiffundiert wird. Bei dieser Diffusion dringt auch die n + -Halbleiterzone 4 tiefer in den Halbleiterkörper
ein.
Die Halbleiterdiode nach der Fig. 2 hat eine p + n + n--Zonenfolge. Eine Halbleiterdiode nach der
Erfindung kann natürlich auch eine Zonenfolge mit entgegengesetztem Leitungstyp haben, d. h. zwei
Halbleiterzonen vom p-Leitungstyp und eine Halbleiterzone vom n-Leitungstyp. Die Kontaktierung der
Halbleiterdiode gemäß der F i g. 2 erfolgt beispielsweise dadurch, daß auf den von der Oxydschicht unbedeckten
Teil der p+-HalbIeiterzone 7 eine Metallschicht aufgedampft wird, während ein weiterer Kontakt auf
der gegenüberliegenden Seite am Halbleiterkörper angebracht wird. Die Durchbruchsspannung der Halbleiterdiode
nach der F i g. 2 ist deshalb nicht so stark von der Beschaffenheit der Halbleiteroberfläche abhängig,
weil die für die Durchbruchsspannung maßgebende Halbleiterzone 4 im Innern des Halbleiterkörpers liegt
und nicht an die Halbleiteroberfläche grenzt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode, bei der in einen Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp eine an die Oberfläche des Halbleiterkörpers grenzende Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp eingelassen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in den Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp durch ein Diffusionsfenster in to einer auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht eine Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp eindiffundiert wird, die stärker als der Halbleiterkörper dotiert ist, und daß danach in die Oxydschicht auf der gleichen Oberflächenseite ein größeres Diffusionsfenster eingebracht und durch dieses Diffusionsfenster eine stark dotierte Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp derart in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, daß die zuvor eindiffundierte Halbleiterzone vom ersten Leitungstyp tiefer in den Halbleiterkörper eindringt als die Halbleiterzone vom zweiten Leitungstyp.15
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0030364 | 1966-01-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1514921C3 true DE1514921C3 (de) | 1977-07-07 |
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