DE1910315C3

DE1910315C3 -

Info

Publication number: DE1910315C3
Application number: DE19691910315
Authority: DE
Filing date: 1969-02-28
Publication date: 1977-08-04

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt, bei der in den Halbleiterkörper eine Halbleiterzone als Schutzzone für den Rand des Metall-Halbleiterkontaktes eingelassen ist, auf der der Rand des Metall-Halbleiterkontaktes aufliegt und die den entgegengesetzten Leitungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper.

Ein Halbleiterbauelement dieser Art ist bekannt (The Bell System Technical Journal, Feb. 1968, S. 195-208). Ferner ist es bei Legierungstransistoren zur Verringerung des Basiswiderstancls bekannt, die Legierungselektroden in Vertiefungen des Halbleiterkörpers anzuordnen (DT-AS 11 32 246).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Serienwiderstand eines Halbleiterbauelements der eingangs erwähnten Art minimal zu machen.

Diese Aufgabe wird gemäß dv;r Erfindung dadurch gelöst, daß der Metall-Halbleiterkontakt in einer Vertiefung des Halbleiterkörpers angeordnet ist, die von der Schutzzone begrenzt wird. Die Erfindung hat den Vorteil, daß die o. g. Aufgabe durch sie gelöst wird, also der Serienwiderstand einen Minimalwert hat. Der Serienwiderstand bestimmt zusammen mit der Kapazität des Bauelements das Frequenzverhalten.

Die Vertiefung für den Metall-Halbleiterkontakt erstreckt sich beispielsweise gleich weit in den Halbleiterkörper wie die Schutzzone, so daß der Boden der Vertiefung und die Vorderfront der Schutzzone in einer Ebene liegen. Die bekannte Schutzzone hat die Aufgabe, Felddurchbrüche am Rand des Mctall-Halbleiterkontaktes zu verhindern, wenn dieser in Sperrichtung betrieben wird. Metall-Halbleiterkontakte, auch Schottky-Kontakte genannt, finden beispielsweise bei Schottky-Dioden oder neuerdings auch bei Feldeffekttransistoren Anwendung.

Der Rand des Metall-Halbleiierkontuktes erstreckt sich bei einem Halbleiterbauelement nach der Erfindung vorzugsweise auf die Oberfläche der Schutzzone, die

ίο mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers in einer Ebene liegt. Die Vertiefung im Halbleiterkörper wird beispielsweise durch Ätzen hergestellt, während der Metall-, Halbleiterkontakt beispielsweise durch Aufdampfen oder durch Abscheiden in die Vertiefung des Halbleiterkörpers eingebracht wird. Die Schutzzone kann beispielsweise durch Diffusion hergestellt werden.

Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel anhand der F i g. 1 bis 3 näher erläutert.
Zur Herstellung eines Halbleiterbauelements geht man gemäß F i g. 1 von einem Halbleiterkörper 1 aus, der beispielsweise den n-Leitungstyp aufweist. In diesen Halbleiterkörper wird nun gemäß F i g. 1 eine definierte Vertiefung 2 eingeätzt, die der Fläche des Metall-Halbleiterkomiaktes entspricht. Die definierte Ätzvertiefung

j:5 2 wird beispielsweise dadurch hergestellt, daß auf den Halbleiterkörper 1 eine in der F i g. 1 nicht dargestellte photoempfindliche Lackschicht aufgebracht wird, die durch Belichten und Entwickeln in eine Ätzmaske umgewandelt wird, die beim anschließenden Ätzen zur Herstellung der Vertiefung 2 im Halbleiterkörper dient.

Vor oder nach der Herstellung der Vertiefung 2 wird

in den Halbleiterkörper 1 die aus der F i g. 1 ersichtliche Schutzzone 3 eindiffundiert, die den entgegengesetzten Leitungsi'yp wie der Halbleiterkörper 1 aufweist. So erhält bei Verwendung eines Halbleiterkörpers 1 vom

. n-Leitungstyp z. B. die Schutzzone 3 den p-Leitungstyp. Ist für den Metall-Halbleiterkontakt und damit auch für die Vertiefung 2 beispielsweise eine kreisförmige Struktur vorgesehen, so erhält die Schutzzone 3 z. B.

eine Ringstruktur. In diesem Falle spricht man deshalb auch von einem sogenannten Schutzring (3). Die Schutzzone 3 wird beispielsweise mit Hilfe der sogenannten Oxydmaskentechnik in den Halbleiterkörper eindiffundiert, die sich zur Herstellung von Separationszonen in einem Halbleiterkörper besonders eignet.

Bei dem Halbleiterbauelement der F i g. 2 ist in die Vertiefung 2 des Halbleiterkörpers 1 eine Metallelektrode 4 eingebracht, die mit dem Halbleiterkörper 1

;io einen gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt ergibt. Diese Metallelektrode erstreckt sich seitlich auf die Oberfläche der Schutzzone 3, so daß sich zwischen dem Rand der Metallelektrode 4 und dem Halbleiterkörper 1 zur Vermeidung von Durchbrüchen die Schutzzone 3

Μ befindet.

Die F i g. 3 zeigt schließlich noch ein epitaktisches Bauelement, das sich von dem Bauelement der F i g. 2 dadurch unterscheidet, daß anstelle des Halbleiterkörpers 1 der F i g. 2 ein Halbleiterkörper 1 mit

to epitaktischer Schicht 5 vorgesehen ist. Die Vertiefung 3 ist bei diesem Bauelement in die epitaktische Schicht 5 eingebracht. Die epitaktische Schicht 5 und der Halbleitergrundkörper 1 haben bei dem Bauelement der F i g. 3 den gleichen Leitungstyp, jedoch ist der Grundkörper 1 wesentlich niederohmiger als die epitaktische Schicht 5.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

^! Patentansprüche:

!.Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt, bei dem in den Halbleiterkörper eine Halbleiterzone als Schutzzone für den Rand de» Metall-Halbleiterkontaktes eingelassen ist, auf der der Rand des Metall-Halbleiterkontaktes aufliegt; und die den entgegengesetzten Leitungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Metall-Halbleiterkontakt (4) in einer Vertiefung (2) des Halbleiterkörpers (II) angeordnet ist, die von der Schutzzone (3) begrenzt wird.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Vertiefung (2) gleich weit in den Halbleiterkörper (1) erstreckt wie die Schutzzone (3).
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Rand des Metall· Halbleiterkontaktes (4) auf die Oberfläche der Schutzzone (3), die mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) in einer Ebene liegt, erstreckt.
4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefung im Halbleiterkörper durch Ätzen hergestellt wird.
5. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Metall-Halbleiterkontakt durch Aufdampfen in die Vertiefung des Halbleiterkörpers eingebracht wird.
6. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzzone durch Diffusion hergestellt wird.