DE1910315B2 - Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellen - Google Patents
Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellenInfo
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Description
Die [Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit
einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt, bei der in den Halbleiterkörper eine Halblcitenione als
Schutzzone für den Rand des Metall-Halbleiterkontaktes eingelassen ist, auf der der Rand des Metall-!IaIblciterkontaktes
aufliegt und die den entgegengesetzten Leitungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper.
Ein Halbleiterbauelement dieser Art ist bekannt (The Bell System Technical Journal, heb. 1%8. S. I<i5-2O8).
Ferner ist es bei Legierungstransistoren zur Verringerung des Basiswiderstands bekannt, die Legieru ngselektroden
in Vertiefungen des Halbleiterkörpers anzuordnen (DT-AS 11 32 246).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrur de, den Serienwiderstand eines Halbleiterbauelements der
eingangs erwähnten Art minimal zu machen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Metall-Halbleiterkontakt in einer
Vertiefung des Halbleitcrkörpcrs angeordnet ist, die von der Schutzzone begrenzt wird. Die Erfindung hat
den Vorteil, daß die o. g. Aufgabe durch sie gelost wird,
also der Serienwiderstand einen Minimalwert hat. Der Serienwiderstand bestimmt zusammen mit der Kapazitat
des Bauelements das Frequenzverhalten.
t?ic Vertiefung für den Metall-Halbleiterkontakt erstreckt sich beispielsweise gleich weit in den
Halbleiterkörper wie die Schutzzone, so daß de" Boden der Vertiefung und die Vorderfront der Schutzzone in
einer Ebene liegen. Die bekannte Schutzzone hat die Aufgabe, Felddurchbrüche am Rand des Metall-Halbleiterkontaktes
zu verhindern, wenn dieser in Sperrichtung betrieben wird. Metall-Halbleiterkontakte, auch
Schottky-Kontakte genannt, finden beispielsweise bei Schottky-Dioden oder neuerdings auch bei Feldeffekttransistoren
Anwendung.
Der Rand des Metall-halbleiterkontaktes erstreckt sich bei einem Halbleiterbauelement nach der Erfindung
vorzugsweise auf die Oberfläche der Schutzzone, die mit der Oberfläche des Halbleiterkörpers in einer Ebene
liegt. Die Vertiefung im Halbleiterkörper wird beispielsweise durch Ätzen hergestellt, während der Metall-Halbleiterkontakt
beispielsweise durch Aufdampfen oder durch Abscheiden in die Vertiefung des Halbleiterkörper
eingebracht wird. Die Schutzzone kann beispielsweise durch Diffusion hergestellt werden.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel anhand der Fig. 1 bis 3 näher erläutert.
Zur Herstellung eines Halbleiterbauelements geht man gemäß Fig. 1 von einem Halbleiterkörper 1 aus,
der beispielsweise den n-Leitungstyp aufweist. In diesen
Halbleiterkörper wird nun gemäß F i g. 1 eine definierte Vertiefung 2 eingeätzt, die der Fläche des Metall-Halbleiterkontaktes
entspricht. Die definierte Äizvertiefung 2 wird beispielsweise dadurch hergestellt, daß auf den
Halbleiterkörper 1 eine in der Fig. 1 nicht dargestellte
photoempfindliche Lackschicht aufgebracht wird, die durch Belichten und Entwickeln in eine Ätzmaske
umgewandelt wird, die beim anschließenden Ätzen zur Herstellung der Vertiefung 2 im Halbleiterkörper dient.
Vor oder nach der Herstellung der Vertiefung 2 wird in den Halbleiterkörper 1 die aus der F i g. 1 ersichtliche
Schutzzone 3 eindiffundiert, die den entgegengesetzten Leitungstyp wie der Halbleiterkörper 1 aufweist. So
erhält bei Verwendung eines Halbleiterkörpers 1 vom n-Leitungstyp z. B. die Schutzzone 3 den p-Leitungstyp.
1st für den Metall-Halbleiterkontakt und damit auch für die Vertiefung 2 beispielsweise eine kreisförmige
Struktur vorgesehen, so erhält die Schutzzone 3 z. ß. eine Ringstruktur. In diesem Falle spricht man deshalb
auch von einem sogenannten Schutzring (3). Die Schutzzone 3 wird beispielsweise mit Hilfe der
sogenannten Oxydmaskentechnik in den Halbleiterkörper eindiffundiert, die sich zur Herstellung von
Separationszonen in einem Halbleiterkörper besonders eignet.
Bei dem Halbleiterbauelement der Fig. 2 ist in die
Vertiefung 2 des Halbleiterkörpers 1 eine Metallelektrode 4 eingebracht, die mit dem Halbleiterkörper 1
einen gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt ergibt. Diese Metallelektrode erstreckt sich seitlich auf die
Oberfläche der Schutzzone 3. so daß sich zwischen dem Rand der Metallelektrode 4 und dem Halbleiterkörper 1
zur Vermeidung von Durchbrüchen die Schutzzone 3 befindet.
Die Fig. 3 zeigt schließlich noch ein epitaktisches Bauelement, das sich von dem Bauelement der Fig. 2
dadurch unterscheidet, daß anstelle des Halbleiterkörpers 1 der Fig. 2 ein Halbleiterkörper 1 mit
epitaktischer Schicht 5 vorgesehen ist. Die Vertiefung 3 ist bei diesem Bauelement in die epitaktische Schicht 5
eingebracht. Die epitaktische Schicht 5 und der Halbleitergrundkörper 1 haben bei dem Bauelement der
Fig. 3 den gleichen Leitungstyp, jedoch ist der Grundkörper 1 wesentlich niederohmiger als die
ephaktische Schicht 5.
Hie -zu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt, bei dem in den
Halbleiterkörper eine Halbleiterzone als Schutzzone für den Rand des Metall-Halbleiterkontaktes
eingelassen ist, auf der der Rand des Metall-Halbleiterkontaktes aufliegt und die den entgegengesetzten
Leitungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Metall-Halbleiterkontakt
(4) in einer Vertiefung (2) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist, die von der
Schutzzone (3) begrenzt wird.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Vertiefung (2) gleich
weit in den Halbleiterkörper (1) erstreckt wie die Schutzzone (3).
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Rand des
Meiall-Halbleiterkontaktes (4) auf die Oberflache der Schutzzone (3). die mit der Oberfläche des
Halbleiterkörpers (1) in einer Ebene liegt, erstreckt.
4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vertiefung im Halbleiterkörper durch Ätzen hergestellt wird.
5. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 4. dadurch
gekennzeichnet, daß der Metall-Halbleiterkontakt durch Aufdampfen in die Vertiefung des Halbleiterkörpers
eingebracht wird.
6. Verfahren zum Herstellen eine; Halbleiterbauelements
nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzzone durch Diffusion hergestellt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691910315 DE1910315B2 (de) | 1969-02-28 | 1969-02-28 | Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellen |
Applications Claiming Priority (1)
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| DE19691910315 DE1910315B2 (de) | 1969-02-28 | 1969-02-28 | Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellen |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1910315A1 DE1910315A1 (de) | 1970-09-10 |
| DE1910315B2 true DE1910315B2 (de) | 1976-12-16 |
| DE1910315C3 DE1910315C3 (de) | 1977-08-04 |
Family
ID=5726727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691910315 Granted DE1910315B2 (de) | 1969-02-28 | 1969-02-28 | Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1910315B2 (de) |
-
1969
- 1969-02-28 DE DE19691910315 patent/DE1910315B2/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1910315A1 (de) | 1970-09-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |