DE1931613C - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1931613C DE19691931613 DE1931613A DE1931613C DE 1931613 C DE1931613 C DE 1931613C DE 19691931613 DE19691931613 DE 19691931613 DE 1931613 A DE1931613 A DE 1931613A DE 1931613 C DE1931613 C DE 1931613C
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Richard Dipl.-Phys. Dr. 7103 Schwaigern. HOIl 7-02 Epple
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Description

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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, auf dem mindestens ein Metall-Halbleiterkontakt angeordnet ist.
Bei Halbleiterbauelementen mit Metall-Halbleiterkontakten, wie Schottkydioden, ist es bekannt, einen Oberflächendurchbruch durch Schutzzonen im Halbleiterkörper zu verhindern (The Bell System Technical Journal, Februar I%8, S. 195 bis 205, deutsche Auslegeschrift 1 293 902). Diese Schutzzonen umgeben den Metall-Halbleiterkontakt ringförmig und erstrekken sich teilweise unter den Metali-Halbleiterkontakt. Sie können den entgegengesetzten Leitungstyp wie dor übrige Teil des Halbleiterkörpern oder eine niedrige Dotierung wie dieser haben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen elektrischen Durchbruch am oberflächennahen Rand des Metall-Halbleiterkontaktes zu verhindern.
Die Erfindung besteht bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art darin, daß dieser Metall-Halbleiterkontakt von einem Metall-Halbleiterkontakt umgeben ist und daß der Abstand zwischen den beiden Metall-Halbleiterkontakten so klein gewählt ist, daß sich die Verarmungszonen der beiden Metall-Halbleiterkontakte überlagern.
Der umgebende Metall-Halbleiterkontakt wird vorzugsweise so angeordnet, daß er den anderen Metall-Halbleiterkontakt ringförmig umgibt. An Stelle von nur einem Metall-Halbleiterkontakt können auch mehrere Metall-Halbleiterkontakte vorhanden sein, die den Metall-Halbleiterkontakt umgeben. Dadurch wird eine weitere Fel'dstärkeverminderung erzielt. Bei Verwendung von mehreren umgebenden Metall-Halbleiterkontakten werden diese vorzugsweise konzentrisch um den ?u umgebenden Metall-Halbleiterkontakt angeordnet.
Bei den Halbleiterbauelementen nach der Erfindung wird ein elektrischer Durchbruch am oberflächennahen Rand des Metall-Halbleiterkontakts verhindert, ohne daß im Halbleiterkörper angeordnete Schutzzonen, zu deren Herstellung Hochtemperaturprozesse notwendig sind, erforderlich sind. Die nach der Erfindung vorgesehenen Metall-Halbleiter kontakte können vielmehr aufgedampft werden.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus führungsbeispiel näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt ein Halbleiterbauelement mit einem Metall-Halbleiterkontakt. Dieses Bauelement besteht aus einem Halbleiterkörper 1 mit einer epitaktischen Schicht 2 sowie aus dem Metall-Halb Iciterkontakt 3. Der Halbleiterkörper I hat beispiek weise den n-Leitungstyp. Die epitaktische Schicht 2 hat den gleiche» Leitungstyp wie der Halbleiterkörper 1, jedoch wird sie mit einer geringeren Leitfähigkeit versehen als der Halbleiterkörper.
Gemäß der Erfindung wird der Metall-Halbleiterkontakt 3 von einem ringförmigen Metall-Halbleiterkontakt 4 umgeben, um zu verhindern, daß der durch den Metall-Halbleiterkontakt 3 gebildete Übergane im Oberflächenbereich durchbricht.
Die F i g. 2 zeigt schließlich noch ein Ausfiihrungsbeispiel der Erfindung, bei dem an Stelle von nur einem umgebenden Metall-Halbleiterkontakt 4 zwei solche Kontakte 4 und 5 vorgesehen sind. Ansonsten ist das Halbleiterbauelement der F i g. 2 das gleiche wie das der Fig. 1.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:.
1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, auf dem mindestens ein Metall-Halb- S Iciterkontakt angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Metall-Halbleiterkontakt (3) von einem Metall-Halbleiterkontakt (4) umgeben ist und daß der Abstand zwischen den beiden Metall-Halbleiterkontakten (3, 4) so klein gewählt ist, daß sich die Verarmungszonen der beiden Metall-Halbleiterkontakte (3, 4) überlagern.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1» dadurch gekennzeichnet, daß der umgebende Metall-Halbleiterkontakt (4) den anderen Metall-Halbleiterkontak* '3) ringförmig umgibt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere umgebende Metall-Hnlbleiterkontakte (4, 5) vorgesehen sind.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die umgebenden Metall-Halbleiterkontakte (4, 5) konzentrisch um den Metall-Halbleiterkontakt (3) angeordnet sind.
DE19691931613 1969-06-21 1969-06-21 Halbleiterbauelement Expired DE1931613C (de)

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GB2739170A GB1311748A (en) 1969-06-21 1970-06-05 Semiconductor device
US00044798A US3760241A (en) 1969-06-21 1970-06-09 Semiconductor device having a rectifying junction surrounded by a schottky contact

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DE1931613A1 DE1931613A1 (de) 1971-01-07
DE1931613B2 DE1931613B2 (de) 1972-02-24
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