DE3117804A1 - "planare transistorstruktur" - Google Patents

"planare transistorstruktur"

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DE3117804A1
DE3117804A1 DE19813117804 DE3117804A DE3117804A1 DE 3117804 A1 DE3117804 A1 DE 3117804A1 DE 19813117804 DE19813117804 DE 19813117804 DE 3117804 A DE3117804 A DE 3117804A DE 3117804 A1 DE3117804 A1 DE 3117804A1
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passivation layer
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DE19813117804
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Hartmut Dipl.-Ing. 7410 Reutlingen Michel
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41708—Emitter or collector electrodes for bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
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Description

  • Planare Transistorstruktur
  • Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einer planaren Transistorstruktur nach der Gattung des Patentanspruchs. Derartige Transitorstrukturen sind bekannt. Sie haben aber den Nachteil, daß äußere elektrische Felder, wie sie z.B. durch Polarisation von Abdecklacken entstehen, zur Degradation von Sperrkennlinien führen können.
  • Vorteile der Erfindung Die erfindungsgemäße planare Transistorstruktur mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die sich im Betrieb um die Basiszone herum ausbildende Raumladungszone unter der verlängerten Emitter- bzw. Basismetallisierung innerhalb der ringförmigen Zone begrenzt wird und unterhalb der verlängerten Metallisierung von den äußeren Feldern abgeschirmt wird.
  • Zeichnung Zwei Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen planaren Transistorstruktur sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen: Figur 1 einen Teilschnitt durch das erste Ausführungsbeispiel, Figur 2 einen Teilschnitt durch das zweite Ausführungsbeispiel der planaren Transistorstruktur gemäß der Erfindung.
  • Beschreibung der Ausführungsbeispiele In Figur 1 ist mit 10 ein Halbleiterplättchen mit n#-teitfähigkeit bezeichnet. In das HalE-leiterplättchen 10 ist von oben her eine pleitfähige Basiszone 11 eindiffundiert. In die Basiszone 11 ist von derselben Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 10 aus eine Emitterzone 12 eindiffundiert. Diese hat n+-teitfähigkeit. Über die Oberseite des Halbleiterplättchens 10 erstreckt sich eine Passivierungsschicht 13, die jedoch an verschiedenen Stellen zur Bildung von Kontaktfenstern unterbrochen ist. Zur Kontaktierung der Emitterzone 12 ist eine Metallisierung 14 vorgesehen. Sie bildet den Emitteranschluß, der bei E angedeutet ist. Zur Kontaktierung der Basiszone 11 ist eine Metallisierung 15 vorgesehen, die gleichzeitig den Basisanschluß bildet, der symbolisch bei B angedeutet ist. Bei C ist der Kollektoranschluß angedeutet.
  • Erfindungsgemäß ist in das n -leitende Kollektormaterial des Halbleiterplättchens 10 eine n -leitende ringförmige Zone 16 eindiffundiert. Diese Zone 16 ist in einem bestimmten Abstand von der Basiszone 11 angeordnet und umschließt die Basiszone 11 vollständig. Erfindungsgemäß erstreckt sich ferner die Basismetallisierung 15 über die Passivierungsschicht 13 hinweg bis in den Bereich oberhalb der ringförmigen Zone 16. Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß die Raumladungszone, die sich um die Basiszone 11 herum beim Betrieb der Anordnung ausbildet, sich nur noch bis zu der ringförmigen Zone 16 erstreckt iind so durch die verlänrt Metallisierung 15 vor äußeren elektrischen Feldern abgeschirmt wird.
  • In Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel dargestellt. Das Halbleiterplättchen ist wieder mit 10, die Basiszone mit 11 und die Fmitterzone mit 12 bezeichnet. Der jeweilige teitfähigkeitstyp dieser Bereiche 10, 11, 12 ist übereinstimmend mit dem Ausführungsbeispiel nach Figur 1 ausgebildet. Die Emittermetallisierung ist wieder mit 14, die Basismetallisierung mit 15 bezeichnet. Der Emitteranschluß ist wieder symbolisch bei E, der Basisanschluß bei B und der Kollektoranschluß bei C angedeutet.
  • Erfindungsgemäß ist auch bei dem Ausführungsbeispiel nach Figur 2 eine n+ -leitfähige ringförmige Zone 16 vorgesehen, die die Basiszone 11 in einem bestimmten Abstand ringförmig umschließt. Die Zone 16 ist auch hier von der Passivierungsschicht 13 bedeckt. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel nach Figur 1 ist hier die Emittermetallisierung 14 bis in den Bereich oberhalb der ringförmigen Zone 16 verlängert. Auch hier wird wieder im Betrieb die sich um die Basiszone 11 ausbildende Raumladungszone auf den Bereich zwischen der Basiszone 11 und der Zone 16 beschränkt und dadurch vor äußeren elektrischen Feldern abgeschirmt.
  • Leerseite

Claims (1)

  1. Anspruch Planare Transistorstruktur mit einem die Kollektorzone bildenden Halbleiterplättchen (10) mit n -Leitfähigkeit, einer in eine Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens (10) eindiffundierten Basiszone (11) mit p-Leitfähigkeit, einer in die Basiszone (11) eindiffundierten Emitterzone (12) mit n -Leitfähigkeit und mit einer Passivierungsschicht (13), die diejenigen Teile der Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens (10) bedeckt, die nicht als Kontaktfenster dienen, dadurch gekennzeichnet, daß in das n -leitende Kollektormaterial eine n+ -leitende ringförmige Zone (10) eindiffundiert ist, die die Basiszone (11) vollständig umschließt, daß die Passivierungsschicht (13) sich über diese ringförmige Zone (16) hinweg erstreckt und daß entweder die Emittermetallisierung (14) oder die Basismetallisierung (15) über die Passivierungsschicht (13) hinweg bis in den Bereich oberhalb der ringförmigen Zone (15) verlängert ist.
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EP19820900350 EP0077778A1 (de) 1981-05-06 1982-02-05 Planare transistorstruktur
JP50057082A JPS58500679A (ja) 1981-05-06 1982-02-05 プレ−ナトランジスタ構造体
PCT/DE1982/000022 WO1982003949A1 (en) 1981-05-06 1982-02-05 Planar transistor structure

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JPS58500679A (ja) 1983-04-28
WO1982003949A1 (en) 1982-11-11
EP0077778A1 (de) 1983-05-04

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