DE1446197A1 - Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen - Google Patents

Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen

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DE1446197A1
DE1446197A1 DE19591446197 DE1446197A DE1446197A1 DE 1446197 A1 DE1446197 A1 DE 1446197A1 DE 19591446197 DE19591446197 DE 19591446197 DE 1446197 A DE1446197 A DE 1446197A DE 1446197 A1 DE1446197 A1 DE 1446197A1
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DE
Germany
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steamed
aperture
area
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under reduced
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Application number
DE19591446197
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English (en)
Inventor
Ginsbach Dipl-Phys Karl-Heinz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

  • Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flächen. Bei der Herstellung von elektrischen Halbleitersystemen mit z.B. Silizium, Germanium oder halbleitenden intermetallischen Verbindungen, wie Trockengleichrichter, Kristallverstärker, Vierschichtendioden oder -trioden, ist man in immer größerem Umfange dazu übergegangen, entweder Teile der in diesen Systemen erforderlichen Schichtenfolgen oder die Kontakte an solche Schichten durch Legierungsvorgänge herzustellen. Die einwandfreie elektrische Funktion dieser Systeme erfordert, daß: die anzulegierenden Flächen sehr genau festgelegt und eingehalten. werden.
  • Man ist deshalb dazu übergegangen, das anzulegierende Material ganz oder teilweise, z.B. eine oder mehrere seiner Komponenten, auf die anzulegierende Fläche aufzudampfen.. Zu diesem Zweck werden Blenden verwendet, die die zu bedampfende Fläche begrenzen und unmittelbar auf die betreffende Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgelegt werden.
  • Es hat sich jedoch herausgestellt, daß das Entfernen der Blende nach dem Bedampfen mit Schwierigkeiten verbunden sein kann. An der Begrenzungslinie zwischen: der Blendenbohrung und zu bedampfenden Fläche haftet die Blende leicht an der Aufdampfschicht. Beim Entfernen der Blende ist deshalb die Rufdampf-Schicht am Rande, also dort wo die genau Begrenzung derbedampften Fläche eingehalten werden mußmechanischen Belastungen ausgesetzt,. die leicht zum Abheben oder Reißen der Aufdampfsohicht führen, können.
  • Es hat sich jedoch herausgestellt, daß dieser Mangel behoben werden kann, wenn man eine Blende gemäß der vorliegenden f indung verwendet.
    Die vorliegende Erfindung bezieht -sich- auf eine Blende zur
    Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden
    Flächen, die unmittelbar auf' den zu bedampfenden Körper
    aufgelegt wird; und die sich, von den. .bisher bekannten -
    dadurch unterscheidet, daß die senkrechte Pro jekti.on
    der lichten Öffnung der Blende auf de Oberfläche des
    zu bedampfenden Körpers kleiner ist als die durch die
    anliegende Stirnfläche der Blende begrenzte Fläche. -
    Mit besonderem Vorteil ist- dabei die Form: der lichten
    Öffnung der Blende so gewählt, daß sie der Form der zu .
    bedampfenden Fläche geometrisch ähnlich ist.,
    .2u einer -besonders gleichmäßigen Bedampfung gelängt man
    mit Blenden, bei denen. die BegrenzungsIinzen der Projek-
    tion innerhalb der Begrenzungslaniei2. der .zu bedampf enden - -
    Fläche liegen und- diese Begrenzungslinien keine gemeinsa-
    men Punkte aufweisen. Dabei ist. es wiederum. von Vorteil,
    wenn von jedem Punkte der Begrenzungslinien der zu be-
    dampfenden' Fläche- au.s der kürzeste Äbstand zu- der un=
    mittelbar benachbarten Begrenzungslinie der Projektion
    ,glei_ch ist. -
    Für die Herstellung ringförmiger, vorzugaweis:e kre .sring-
    förmger Bed:ampfungstächen. werden oft. Blenden. verwendet, "
    deren. einzelne BZendentele durch. Stege. miteinander ver-
    bunden sind.. Dabei empfiehlt es sch,., die Stege. so aüszu --
    bilden, daß: ihre Breite..
    ist, als ,# Länge:: _
    Be.soncI:ers bewährt haben, sich. Blenden. nach. der Erfindung,;
    be;i denen die. Innenwandung, der-" BIcudenbahrurg@ an der° z=
    Auflage auf die zu bedampfende Fläche vorgesehenen Stirnseite über ihren gesamten Umfang eine Ausnehmung mit dreieckigem oder rechteckigem Querschnitt aufweist.
  • Die Figuren zeigen in z.T. schematischer Darstellung Ausführungsbeispiele von Blenden gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • In Fig. 1 ist eine ganz einfache Ausführungsform einer kreisförmigen Blende dargestellt. Sie wird mit der zur Schneide zusamm--engeschrumpften Stirnfläche 1 auf die Oberfläche des zu bedampfenden Körpers aufgesetzt. Die senkrechte Projektion ihrer lichten Öffnung 2 auf die Halbleiteroberfläche ist kleiner als die durch die anliegende Stirnfläche 1 begrenzte Fläche. Die Form der lichten Öffnung 2 der Blende ist ebenso kreisförmig wie die der durch die Stirnfläche 1 begrenzten Fläche und damit dieser geometrisch ähnlich. Die Begrenzungslinie der Projektion liegt innerhalb der Begrenzungslinie der zu bedampfenden Fläche und diese beiden Begrenzungslinien haben keine .gemeinsamen Punkte. Auch ist von jedem funkte der.Begrenzungslinie aus der kürzeste Abstand zu der Begrenzungslinie der Projektion gleich. Die Innenwandun'r-- 3 der konischen Blendenbohrung hat an der zur . Auflage auf die zu bedampfende Fläche vorgesehenen Stirnseite 1 über ihren gesamten Umfang eine Ausnehmung.einen ;-eotrichelt dargestellten dreieckigen Querschnitt 4. Die dargestellte Blende eignet sich z.B. zum Aufdampfen von Yollektorlegierungamaterial bei Transistoren oder zum Bedampfen von Halbleiterkörpern, die als Gleichrichter VerwendunG finden sollen.
  • In den Fgruren 2 und 3 ist in Schnitt und Ansicht eine komplizierte Blende dargestellt, durch deren mittlere Öffnung 4 ein Kreis und durch deren mit Stegen 5 in Sektoren 6 bzw. 7 unterteilte kreisringförmige Kreisringe gleichzeitig aufgedampft werden könnet. Die in Fig. 2 gestrichelt dargestellten Ausnehmungen ß haben hier-rechteckigen Querschnitt.. Auch ist-bei den Stegen 5 die Länge größer als ihre Breite. Die zur Auflage auf den zu bedampfenden Körper bestimmten Flächen sind mit 9 bezeichnet. Blenden nach Fig. 2 und 3 eignen sich besönders--zum Aufdampfen solcher Substanzen, die zum Herstellen von-Basis- und Emitteranschlüssen für Transistoren vorgesehen sind. -

Claims (1)

  1. Patentansprüche. 1. Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flächen, die unmittelbar auf den zu bedampfenden Körper aufgelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die senkrechte Projektion der lichten Öffnung der Blende auf die Oberfläche des zu bedampfenden Körpers kleiner ist als die durch die anliegende Stirnfläche der Blende begrenzte Fläche. z. Blende nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der lichten Öffnung der Blende und die Form der zu bedampfenden Fläche geometrisch ähnlich sind. 3. Blende nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungslinien der Projektion innerhalb der Begrenzungslinien der zu bedampfenden Fläche liegen, und daß diese Begrenzungslinien keine gemeinsamen Punkte aufweisen. 4. Blende nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß von jedem Punkt der Begrenzungslinien der zu bedampfenden Fläche aus der kürzeste Abstand zu der unmittelbar benachbarten Begrenzungslinie der Projektion gleich ist. 5. Blende nach Anspruch 1 oder einem der folgenden für ringförmige, vorzugsweise kreisringförmige Bedampfungsflächen, bei der die Blendenteile durch Stege miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Stege kleiner ist als ihre Länge. 6. Blende nach Anspruch 'I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwandung der-3lendenbohrung auf der zur Auflage auf die zu bedampfende Fläche vorgesehene Stirnseite über ihren gesamten Umfang-eine Aus-_ nehmung mit dreieckigem oder rechteckigem Querschnitt aufweist. .-
DE19591446197 1959-04-27 1959-04-27 Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen Pending DE1446197A1 (de)

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DE (1) DE1446197A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2359908A1 (fr) * 1976-07-28 1978-02-24 Ibm Masque pour le depot en phase vapeur et son procede de fabrication
FR2416500A1 (fr) * 1978-02-01 1979-08-31 Hitachi Ltd Methode de production d'images materielles
FR2517332A1 (fr) * 1981-11-27 1983-06-03 Varian Associates Procede et ecran d'arret perfectionnes pour definir le profil d'epaisseur de couches deposees par pulverisation sur un substrat semi-conducteur

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FR2416500A1 (fr) * 1978-02-01 1979-08-31 Hitachi Ltd Methode de production d'images materielles
FR2517332A1 (fr) * 1981-11-27 1983-06-03 Varian Associates Procede et ecran d'arret perfectionnes pour definir le profil d'epaisseur de couches deposees par pulverisation sur un substrat semi-conducteur

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SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971