DE2101279C2 - Integrierter, lateraler Transistor - Google Patents

Integrierter, lateraler Transistor

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DE2101279C2 DE2101279A DE2101279A DE2101279C2 DE 2101279 C2 DE2101279 C2 DE 2101279C2 DE 2101279 A DE2101279 A DE 2101279A DE 2101279 A DE2101279 A DE 2101279A DE 2101279 C2 DE2101279 C2 DE 2101279C2
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Description

Die Erfindung betrifft einen Lateraltransistor einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung in einer Halbleiterscheibe, bei dem die Emitter- und die Kollektorzone innerhalb einer schichtförmigen Basiszone an deren einen Oberfläche angrenzend in einem höchstens einige Diffusionslängen der Minoritätsladungsträger betragenden Abstand voneinander entfernt angeordnet sind und sich eine vergrabene Halbleiterzone in einem Abstand von höchstens einer Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger unterhalb der Emitter- und der Kollekior/one parallel /u der einen Oberfläche der schichtförmigen Basiszone erstreckt.
Ein derartiger Lateraltransistor ist beispielsweise aus der Zeitschrift »Proceedings of the IEEE« Bd. 52 (1962), Nr. 12 (Dez.), Seiten 1491 bis 1495, bekannt. Er weist einen nichtsymmetrischen Zonenaufbau auf. Die vergrabene Halbleiterzone ist dadurch gebildet, daß einem der Emitter- und Kollektorzone gegenüberliegenden.
schichtförmigen Teil der Basiszone eine höhere Leitfähigkeit gegeben wird als dem restlichen Teil der Basiszone. Dadurch kann der Basiswiderstand vermindert werden. In einer derartigen Zonenanordnung fließt der Emitterstrom über den Basiszonenteil mit niedriger Leitfähigkeit direkt von der Emitter- zu der Kollektorzone. Der Basisstrom fließt von der Basiselektrode über den Basiszonenteil hoher Leitfähigkeit zum aktiven Basiszonenteil mit niedriger Leitfähigkeit Der Teil des
ίο Emitterstromes, der nicht zur KoIIeIitorzone hin injiziert wird, muß in der Basiszone rekojubinieren. Dadurch entsteht der Nachteil, daß bei einer Erhöhung des Basisstromes der Stromverstärkungsfaktor des Transistors verringert wird.
Aus der FR-PS 15 80 317 ist auch ein Lateraltransistor bekannt bei dem die Emitter- und die Kollektorzone an die vergrabene, schichtförmige und sich parallel zur Oberfläche der Halbleiterscheibe erstreckende Halbleiterzonen aufweisen, die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Basiszone, aber eine höhere Leitfähigkeit als diese aufweit Der Zonenaufbau dieses Lateraltransistors ist außerdem symmetrisch. Bei einem solchen lateraltransistor, der als symmetrischer lateraltransistor bezeichnet wird, sind die elektrischen Eigenschaften in der Vorwärts- und Rückwärtsrichtung gleich. D. h. die Stromverstärkungsfaktoren β sind in beiden Richtungen gleich groß. Durch die hohe Dotierung der Emitterzone wird eine hohe Emitterergiebigkeit erzielt Auch die Zonenanordnung dieses symmetrischen Lateraltransistors hat den Nachteil, daß ein Teil des Emitterstroms auch an den Seitenflächen der Emitterzone injiziert wird, die nicht der Kollektorzone gegenüberliegen und deshalb nur ein geringer Anteil des injizierten Emitterstromes die Kollektorzone erreicht, so daß nur eine geringe Stromverstärkung erzielt werden kann. Außerdem ist mit dieser Zonenanordnung eine Herabsetzung der Frequenz verbunden, bei der der Stromverstärkungsfaktor Eins wird, so daß auch das Vertärkungs-Bandbreite-Produkt kleiner wird.
Bei dem aus der bereits genannten Zeitschrift »Proceedings of the IEEE« bekamen nichtsymmetrischen Lateraltransistor wird die Stromverstärkung nicht im gleichen Maße erniedrig*, weil die Kollektorzone die Emitterzone in einer parallel zur oberen Oberfläche der Halbleiterscheibe liegenden Ebene umgibt. Auf diese Weise wird zwar sichergestellt, daß auch der von den seitlichen Flächen der Emitterzone injizierte Strom von der Kollektorzone aufgenommen wird. Aber auch hier wird die Stromverstärkung noch dadurch herabgesetzt, daß der an der unteren Fläche der Emitterzone injizierte Strom in der Basiszone rekombinieren muß.
Es sind auch Lateraltransistoren mit Mehrfachem!! ter- und Mehrfachkollektorstrukturen bekannt, bei denen auf der den Emitter- und Kollektorzonen gegenüberliegenden Seite der Basiszone eine entgegengesetzt zur Basiszone dotierte Halbleiterzone vorgesehen ist. Dabei fließt ein Strom von den Emitterzonen in diese zusätzliche Halbleiterzone und von dieser Halbleiterzone zu den Kollektorzonen. Diese bekannten Lateraltransistoren weisen jedoch ebenfalls nur eine geringe Stromverstärkung auf. da ebenfalls ein Teil des Emitterstroms seitlich injiziert wird und in der Basiszone rekombiniert. Um die Verringerung der Stromverstärkung bei diesen Lateraltransistoren zu vermeiden, ist es bekannt, an den seitlichen Flächen der Emitterzonen Halbleitermaterial abzuätzen, was indes ein aufwendiges Verfahren darstellt.
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Es ist die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe, einen Lateraltransistor anzugeben, der eine gegenüber den bekannten Lateraliransistoren erhöhte Stromverstärkung aufweist und leichter herstellbar ist als die im vorher genannten Absatz angeführten bekannten Lateraltransistoren mit Mehrfachemitter- und Mehrfachkollektorstrukturen.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe für einen Lateraltransistor einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung in einer Halbleiterscheibe, bei dem die Emitter- und die Kollektorzone innerhalb einer schichtförmigen Basiszone an deren einen Oberfläche angrenzend in einem höchstens einige Diffusionslängen der Minoritätsladungsträger betragenden Abstand voneinander entfernt angeordnet sind und sich eine vergrabene Halbleiterzone in einem Abstand von höchstens einer Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger unterhalb der Emitter- und Kollektor-zone parallel zu der einen Oberfläche der schichtförmigen Basiszone erstreckt, dadurch gelöst, daß die vergrabene Halbleiterzone den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Emitter- und die Kollektorzone aufweist.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Lateraltransistor·» nach der Erfindung sind in den Unteranspruchen angegeben.
Der Lateraltransistor nach der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung in den Ausführungsbeispielen näher erläutert. In Verbindung mit dem Aufbau des Lateraltransistors wird auch dessen Herstellung ausgeführt. Es zeigen
Fig. 1 eine Draufsicht eines NPN-Transistcrs nach der Erfindung,
F i g. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie 2-2 der Fig. I.
Fig 3 eine Schnittansicht eines PNP-Transistors nach der Erfindung und
die F i g. 4a bis 4c die statischen Potentiale bei einem Lateraltransistor nach den F i g. 1 und 2 unter untersschiedlichen Betriebsbedingungen.
Im folgenden wird die Fläche der Halbleiterscheibe, an der die erforderlichen Diffusionen zur Bildung der Emitter- und Xollektorzone und anderer Halbleiterzonen durchgeführt werden, als Oberfläche bezeichnet. Senkrecht zu dieser Oberfläche verlaufend? Flächen lind mit Seitenflächen bezeichnet.
Bei der Herstellung eines Lateraltransistors, wie er in F i g. 2 dargestellt ist. wird zunächst ein P -dotiertes Halbleitersubstrat 201 mit einer Diffusionsmaske versehen, wobei eine Maskenöffnung im Bereich der zu bildenden N * -dotierten, vergrabenen Halbleiterzone 203 angeordnet ist. Es erfolgt eine Diffusion von eine N-Leitfähigkeit hervorrufendem Dotierungsmaterial in das P-dotierte Halbleitersubstrat 201. Nach der Diffusion und der Entfernung der Maske wird dem Halbleitersubstrat 20t eine N-dotierte epitaktischc Halbleiterschicht aufgebracht. Während des Aufwachsens der epitaktischen Halbleiterschicht diffundiert das Dotierungsmaterial der Halbleiterzone 203 in den anliegenden Bereich der epitaktischen Halbleiterschicht und diffundiert gleichzeitig tiefer in das Halbleitersubstrat 201 hinein. Nach der Epitaxie erfolgt eine erneute Maskierung mit einer Maskcnoffnung für die Diffusion der äußeren Isolations/one 211. Es wird eine P + -dotierte Halbleiterzonc 211 eindiffundiert. Anschließend erfolgt die Maskierung zur Diffusion der Basiszone. Dabei wird in die N-dotierte epitaktische Halbleiterschicht eine bis zur vergrabenen N'-dotierten Halbleiterzonc 203 reichende P-dotierte Halbleiterzone 207 eindiffundiert. Sollte diese Basiszone 207 nicht ganz bis zur hochdotierten, vergrabenen Halbleiterzone 203 reichen, so verschlechtern sich die Eigenschaften des Lateraltransistors etwas. Schließlich erfolgt eine weite re Maskierung für die Herstellung der Emitter- und der Kollektorzone. Durch Diffusion eines entsprechenden Dotierungsmaterials werden die hochdotierten, N-leitenden Zonen 213, 215, die Emitter- und die Kollektorzone, gebildet Diese Halbleiterzonen müssen so eingebracht werden, daß sie höchstens eine Diffusiorislänge der Minoritätsladungsträger, vorzugsweise viel weniger als eine Diffusionslänge, von der vergrabenen Halbleiterzone 203 entfernt sind und daß sie höchstens einige Diffusionslängen, vorzugsweise höchstens zwei Diffusionslängen, voneinander entfernt sind. Die Entfernungen dieser Diffusionszonen voneinander und von der vergrabenen Halbleiterzone 203 sind kritisch, da sie weitgehend den Stromverstärkungsfaktor des Lateraltransistors bestimmen. Nach einer abschließenden Maskierung werden die Basis-, die Emitter- und die Kollektorelektrode 221, 223 bzw. 225 aufgebracht Vorzugsweise werden d". Emitter- und die Koiiektorzone gleichzeitig diffundiert, dadurch wird sichergestellt, daß sie gleiche Störstellenkonzentration und Diffusionstiefe aufweisen. Jeder der einzelnen Verfahrensschritte für sich gehört zum bekannten Stande tfsr Technik.
Der so erhaltene Transistorzonenaufbau ist in den F i g. 1 und 2 gezeigt. Das Halbleitersubstrat 201 besteht aus schwach P-dotiertem Material. Im Bereich eines Teils der Oberfläche des Halbleitersubitrats 201 liegt die N*-dotierte vergrabene Halbleiterzone 203. Eine Halbleiterzone, die Teil einer auf das Halbleitersubstrat 201 aufgebrachten N-dotierten epitaktischen HaIb-
J5 leiterschicht ist geht von der vergrabenen Halbleiterzone 203 aus und erstreckt sich als innere Isolationszone 205 an die Oberfläche der Halbleiterscheibe. Angrenzend an die vergrabene Halbleiterzonc 203 iiegt innerhalb der epitaktischen Halbleiterschichi die P-dotierte Basiszone 207. Es entsteht ein PN-Ütergarg 209 zwischen der vergrabenen Halbleiterzone 203 und der Basiszone 207. Die Basiszone 207 grenzt an die Seitenfläche der inneren Isolationszone 205 an. Der zwischen diesen beiden Zonen gebildete PN-Übergang
4> bildet die Fortsetzung des PN-Übergangs 209. Die andere Seitenfläche der inneren Isolationszone 205 bildet einen PN-Übergang mit der angrenzenden P-dotierten äußeren Isolationszone 211. die sich ausgehend vom Halbleitersubstrat 201 durch die
Vl epitaktische Halbleiterschicht hindurch bis an die Oberfläche der Halbleiterscheibe erstreckt. Die äußere Isolationszone 211 ergibt in Verbindung mn dem Halbleitersubstrat 201 eine »Isolationswanne«, die den gesamten Transistorzonenaufbau umgibt. Innerhalb der
" Basisz^n? 207 liegen symmetrisch die Emitterzone 2H und eine Kollektorzone 215. Ts ergibt sich ein Basis-Emitterübergriig 217 und ein Basis Kollektor übergang 219. Die Flächen der Emitter und die Kollektorzone mM der größten Ausdehnung hegen
h0 parallel zur Flächr der vergrabenen Haibleilerzone 20V Die Emitter- und du Kollektorzone 21 J bis 215 sind von der vergrabenen Halbleiterzone 20Ϊ weniger als eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger ertfernt. Die Basiszone 207. die Emitterzone 2J3 und die
h' Kollektorzone 215 sind mit den zugehörigen Elektroden 221,223 und 225 versehen.
Beim Beirieb des Lateraltiansistors in Vorwärtsnchtung (normaler, aktiver Betrieb) werden Minoritätslu-
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dungsträger von der Emitierzone in die Basiszone injiziert. Da der größere Teil des Basis-F.mitterüberganges 217 parallel zur Oberfläche der Halbleiterscheibe verläuft, durchqueren viele der injizierten Minoritätsladungsträger die Basiszone 207 vertikal. Da der Abstand /wischen der Emitterzone 213 und ve; grabener Halbleiterzone 203 viel geringer als eine Dlffusionslänge der Minoritätsladungslräger ist. werden die meisten, die Basiszone 207 vertikal durchquerenden Ladungsträger vom Feld der Verarmungszone des PN-Überganges 209 aufgenommen. Dadurch wird der PN-Übergang 209 in Vorwärtsrichtung gepolt und die vergrabene Halbleiterzone 203 injiziert die aufgenommenen Ladungsträger erneut in die Basiszone 207 zurück. Die zurückinjizierten Ladungsträger werden sowohl vom ι Basis-Emitterübergang 217 als auch vom Basis-Kollektorübergang 219 aufgenommen, da die Emitter- und die Kollektorzone 213 bis 215 Senken für die Minori'ätsladungsiräger der Basiszone darstellen. Der größte Teil des von den Seitenflächen der Emitterzone 213 gegen die Kollektorzone 215 injizierten Stromes wird von der Kollcktorzone 215 aufgenommen. Bei einer nichtsymmetrischen Transistorzonenanordnung, bei der die Kollektorzone die Basiszone in einer zur Oberfläche der Halbleiterscheibe parallelen Ebene umgibt, würde indes der gesamte von der Emitterzone injizierte Strom von der Kollektorzone und daher nutzbringend aufgenommen werden. Der Stromverstärkungsfaktor des Lateraltransistors ergibt sich aus der Kollektor-Wirksamkeit der Kollektorzone in bezug auf die von der vergrabenen i Halbleiterzone zurückinjizierten Ladungsträger und aus der Kollektor-Wirksamkeit der Kollektorzone in bezug auf die parallel zur Oberfläche der Halbleiterscheibe bewegten, vom Emitter injizierten Ladungsträger. Die Kollektor-Wirksamkeiten hängen von dem gegenseiti- ! gen Abstand der vergrabenen Halbleiterzone, der Emitterzone und der Kollektorzone ab. Die Tiefe de--Emitter- und de'· Kollektorzone und ihr gegenseitiger Abstand sowie ihr Abstand zur vergrabenen Zone sind also von wesentlichem Einfluß auf die Größe des ■" .Stromverstärkungsfaktors des Lateraltransistors. Weiterhin ist die Kollektor-Wirksamkeit und damit der .Stromverstärkungsfaktor abhängig von der Form der Emitterzone 213. der Kollektorzone 215 und der vergrabenen Halbleiterzone 203. Die Stromfluß-Vertei- l lung zwischen Emitterzone, vergrabener Halbleiterzone und Kollektorzone bewirkt, daß ein Teil des Stromes, der bei den bekannten Lateraltransistoren in der Basiszone durch Rekombination verbraucht wurde, als Kollektorstrom wirksam wird. Die dadurch bewirkte ' Vergrößerung des Stromverstärkungsfaktors hat seine Ursache darin. Hqß zur Erzielung eines bestimmten Kollektorstromes ein reduzierter Basisstrom aufgewendet werden kann.
Die F i g. 4a, 4b und 4c geben die elektrischen " Potentiale in der Basiszone 207, der Emitterzone 213, der Kollektorzone 215 und in der vergrabenen Halbleiterzone 203 des Lat-raltransistors nach Fig. 2 wieder. Die durchgezogenen Linien 401, 403 und 411 geben die Gleichgewichtspotentiale an. Die gestrichel- m ten Linien 407,409 und 405 geben die Potentialverläufe wieder, wenn der Lateraltransistor in Vorwärtsrichtung betrieben wird. Durch Betrieb des Basis-Emitterüberganges 217 in Durchlaßrichtung wird das Potential in der N*-dotierten Emitterzone 213 reduziert Deshalb " fließen Elektronen von der Emitterzone 213 zur P-dotierten Basiszone 207. Diese injizierten Minoritätsladungsträger durchqueren die Basiszone 207 und werden entweder über den PN-Übergang 209 von der N '-dotierten, vergrabenen Halbleiterzone 20.3 oder über den PN-Übergang 219 von der Kollektorzone 215 aufgenommen. Ein Teil der Minoritätsladungsträger rekombiniert in der Basiszone 207. Die Aufnahme der Elektronen in der vergrabenen Halbleilerzone 203 hängt von dem Abstand zwischen der vergrabenen Halblciterzoiie 203 und der Emitterzone 213 ab. Die Kollektor-Wirksamkeit der Kollektorzone 215 hängt ' von ihrem Abstand von der Emitterzone 213 ab. Dadurch, daß die vergrabene Halbleilerzone 203 Elektronen aufnimmt, wird ihr Potential infolge des Überschusses an negativen Ladungen herabgesetzt. Das hat zur Folge, daß der PN-Übergang 209 in Vorwärts-■' richtung gepolt wird. Die vergrabene Halbleiterzone 203 injiziert also Elektronen zurück in die Basiszone 207. Die in die Nähe der Emitterzone 213 injizierten Elektronen werden vom Emitlerübergang 217 und die in die Nähe der Kollektorzonc 21 ϊ injizierten Elektronen ' werden von dem in SDcrrichtung gepolten Kollektorübergang 219 aufgenommen. Die nicht von den PN-Übergängen 217 und 219 aufgenommenen Elektronen rekombinieren in der Basiszone 207. Durch Erhöhung des Potentials in der Kollektor/onc 215 bei > Betrieb des Lateraltransistors in Vorwärtsrichtiing liegt an dem Kollektorübergang 219 eine Spannung in Sperrichtung. Das Potential in der vergrabenen Halblsiterzone 203 liegt zwischen dem der Emitterzone 213 i^ dem Gleichgewichtspotential in der vergrabenen Halbleiterzone 203. Die vergrabene Halbleiterzone 203 wirkt im Hinblick auf die Emitterzone 213 als Kollektor und im Hinblick auf die Kollektorzone 215 als Emitter.
Der Kollektorstrom setzt sich aus zwei Komponenten zusammen. Die erste Komponente ergibt sich aus den direkt von der Emitterzone 213 zur Kollektorzone 215 gelangenden Ladungsträgern. Die zweite Komponente ergibt sich aus den von der Emitterzone 213 über die vergrabene Halbleiterzone 203 zur Kollektor/one 215 transportieren Ladungsträgern.
Die Isolationszone 205 kann mit einer Elektrode versehen werden, über die das Potential an der vergrabenen Halbleiterzone 203 und auf diese Weise auch die Verstärkung des Lateraltransistors gesteuert werden kann. Diese Beeinflussung der Verstärkung des Lateraltransistors kann auch über eine Elektrode an der vergrabenen Halbleiterzone 203 selbst erfolgen.
Fig. 3 zeigt einen, eine konstante Verstärkung aufweisenden PNP-Lateraltransistor, der ähnlich zu dem NPN-Lateraltransistor nach der Fig. 2 aufgebaut ist. Die Halbleiterzonen und Elektroden 301 bis 325 des Transistoraufbaus nach F i g. 3 entsprechen der. Halbleiterzonen und Elektroden 201 bis 225 des Lateraltransistors nach Fig.2. Die Zonenanordnung entspricht im wesentlichen der der F i g. 2 mit der Ausnahme, daß zwischen innerer Isolationszone 305 und der äußeren Isolationszone 311 zusätzlich eine mittlere Isolationszone 327 eingefügt ist. Da es sich bei dem Lateraltransistor nach Fig. 3 um einen PNP-Transistcr handelt, ist der Leitfähigkeitstyp der Halbleiterzonen 303,305,307,313 und 315 jeweils entgegengesetzt zu dem der entsprechenden Halbleiterzonen des Lateraltransistors nach F i g. 2. Die mittlere Isolationszone 327 hat die Aufgabe, die Isolation des Transistors von anderen Schaltungselementen sicherzustellen. Dies ist erforderlich, da die P+-dotierte äußere Isolationszone 311 alleine keine isolation der inneren Isolationszone 305 von anderen Schaltungselementen bewirkt
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Die Zonenanordnung des l.aterallninsislors nach F i g. 3 wird in folgender Weise aufgebaut. Auf einem ('-dotierten Halbleitersubstrat 301 wird eine N-dotierte Halbleiterschicht epitaktisch aufgewachsen. Diese epilaktischc Halblciterschicht wird maskiert, wobei sich an der Stelle der zi1 bildenden äußeren Isolationszone .311 eine Maskenöffnung befindet. Im fiereirh dieser Maskenöffnung erfolgt die Diffusion einer P'-dotierten äußeren Isolationsionc 311. Die Diffusion erfolgt in der Wei.««?, daß die äußere Isolations/one 311 bis an das Halbleitersubstrat 301 reicht. Nach erneuter Maskierung erfolgt die Diffusion einer P+ -dotierten, vergrabenen Halbleiterzonc 303. Nach Entfernung der Maske wird über der gesamten Oberfläche eine P-dotiertc epitaktische Halblciterschicht aufgewachsen. Dann wird nach entsprechender Maskierung die N-dotierte Isolations/one 327 eindiffundiert, die bis in die zuvor aufgewachsene N-dotierte Epitaxieschicht reicht. Bei einer erneuten Diffusion wird die die vergrabene Halbleiterzone 303 berührende Basiszone 307 gebildet. Schließlich werden die Emitter und die Kollektorzone 313 bzw. 315 eindiffundiert, wobei die bereits im Zusammenhang mit dem Lateraltransistor nach Fig. 2
angegebenen gegenseitigen Abstände eingehalten werden. In einem abschließenden Verfahrensschritt werden die Emitter- 323. die Basis- 321 und Kollektorclektrodc 325 hergestellt.
Die Wirkungsweise des Lateraltransistors nach der F i g. 3 entspricht der des Lateraltransistor nach der F i g. 2 mit der Ausnahme, daß die Minoritätsladungsträger in der Basiszone in der Zonenanordnung nach F i g. 3 aus Löchern bestehen. Auch bei dieser Ausführung des Lateraltransistors nach der Erfindung werden die Vorteile gegenüber den bekannten Lateraltransistoren erhalten. Der Lateraltransistor läßt sich mit den für die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungsanordnungen gebräuchlichen Verfahren herstellen.
Zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsbci spielen sind verschiedene Abwandlungen möglich, ohne daß deren Vorteile eingebüßt werden müßten. Beispielsweise kann sich die vergrabene Halbleiterzone 203 bis zur äußeren Isolationszonc 211 erstrecken, so daß die innere Isolationszone 205 vom Halbleitersubstrat 201 getrennt ist (Fig. 1 und 2).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche: 21 Ol 279
1. Lateraltransistor einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung m einer Halbleiterscheibe, bei dem die Emitter- und die Kollektorzone innerhalb einer schiehiförmigen Basiszone an deren einen Oberfläche angrenzend in einem höchstens einige Diffusionslängen der Minoritätsladungsträger betragenden Abstand voneinander entfernt angeordnet sind und sich eine vergrabene Halbleiterzone in einem Abstand von höchstens einer Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger unterhalb der Emitter- und der Kollektorzone parallel zu der einen Oberfläche der schichtförmigen Basiszone erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die vergrabene Halbleiterzone (203) den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Emitter- und die Kollektorzone (213, 215) aufweist
Z Lateraltransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die Emitter- und Kollektorzone {213, 215) umgebende, schichtförmige Basiszone (207) ν on der vergrabenen Halbleiterzone (203) und einer diese mit der Oberfläche der Halbleiterscheibe verbindenden, inneren Isolationszone (205) gleichen Leitfähigkeitstyps eingeschlossen ist und daß die innere Isolationszone (205) einschließlich der vergrabenen Halbleiter/one (203) in eine äußere Isolationszone (201, 211) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist
3. Lateraltransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe ein Halbleitersubstrat (201) enthält, auf dem die vergrabenr l-ialbleiterzone (203), die schichtförmige Basiszone (207) und die innere Isolationszone (205) aufgebaut sind und von dein aus die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie das Halbleitersubstrat (201) aufweisende äußere Isolatioi.szone (211) an die Oberfläche der Halbleiterscheibe hochgezogen ist.
4. Lateraltransistor nach den Ansprüchen 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der inneren Isolationszone (305) einschließlich der vergrabenen Halbleiterzone (303) eines ersten Leitfähigkeitstyps und der äußeren Isolationszone (311) einschließlich dem Halbleitersubstrat (301) des ebenfalls ersten Leitfähigkeitstyps eine mittlere Isolationszone (327) des/weiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist.
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